JP2020038929A - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents

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恭平 小池
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Abstract

【課題】レジストの形成後におけるエッチング耐性の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】エッチング方法は、エッチング対象の上にレジストを成膜する成膜工程と、成膜後のレジストに金属を含有する金属含有ガスを曝露することによりレジストに金属を浸潤させる浸潤工程と、金属が浸潤されたレジストを介してエッチング対象をエッチングするエッチング工程とを有する。【選択図】図１

Description

本開示は、エッチング方法及びエッチング装置に関する。
感光性樹脂等を含む有機系のレジストに無機物をドープすることにより、エッチング対象に対する選択性（エッチング耐性）を向上させる技術がある。
例えば、特許文献１には、レジストパターンの経時的安定性を向上させることを目的として、ハフニウム又はジルコニウムを含む錯体と重合開始剤とを含む組成物をレジスト膜として使用する方法が開示されている。
特許文献２には、エッチング耐性を低下させることなく、レジストパターンのラインエッジラフネスを改善することを目的として、基板上に形成されたレジストパターンにエネルギー線を照射してレジストパターンの側鎖を切断する工程と、側鎖が切断されたレジストパターンに処理剤を進入させ、処理剤を介して金属を浸潤させる工程とを有する基板処理方法が開示されている。
特開２０１５−１０８７８１号公報 特許第５９２６７５３号公報
本開示は、レジストの形成後におけるエッチング耐性の向上に有利な技術を提供する。
本開示の一態様によるエッチング方法は、エッチング対象の上にレジストを成膜する成膜工程と、成膜後の前記レジストに金属を含有する金属含有ガスを曝露することにより前記レジストに前記金属を浸潤させる浸潤工程と、前記金属が浸潤された前記レジストを介して前記エッチング対象をエッチングするエッチング工程とを有する。
本開示によれば、レジストの形成後におけるエッチング耐性の向上に有利な技術を提供することができる。
図１は、実施形態に係るエッチング方法の全体的な流れの一例を示すフローチャートである。 図２は、実施形態に係るエッチング装置の構成例を示すブロック図である。 図３は、実施形態に係る浸潤工程における処理の一例を示すフローチャートである。 図４は、実施形態に係る浸潤工程の一例を概念的に示す図である。 図５は、Ａｌ浸潤によるレジスト膜のエッチング耐性の変化の一例を示すグラフである。 図６は、Ｔｉ浸潤によるレジスト膜のエッチング耐性の変化の一例を示すグラフである。 図７は、実施形態に係るエッチング方法の使用時における処理の流れの一例を示すフローチャートである。 図８は、実施形態に係るエッチング方法の対象となる積層体の積層構造の一例を示す図である。 図９は、実施形態に係る対象物の成膜構造の変化の一例を示す図である。 図１０は、比較例に係るレジスト膜を用いてエッチングを行った場合におけるＳＯＧ膜の状態の一例を示す図である。 図１１は、比較例に係る金属浸潤レジスト膜をＳＯＧ膜から剥離する際の状態の一例を示す図である。
以下、実施形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［エッチング方法の全体的な流れ］
図１は、実施形態に係るエッチング方法の全体的な流れの一例を示すフローチャートである。本実施形態に係るエッチング方法は、成膜工程Ｓ１１、浸潤工程Ｓ１２、エッチング工程Ｓ１３、及び剥離工程Ｓ１４を含む。
成膜工程Ｓ１１は、シリコンウエハ等の基板の上に１以上の膜を成膜する工程である。本実施形態に係る成膜工程Ｓ１１は、エッチングの対象となるエッチング対象膜の上に、当該エッチング対象膜に対する選択性（エッチング耐性）を有するレジスト膜を成膜する工程を含む。
エッチング対象膜は、例えば、ＳＯＧ（Spin On Glass）膜等であり得る。
レジスト膜は、例えば、感光性樹脂を主成分とする有機膜等であり得る。
浸潤工程Ｓ１２は、エッチング対象膜の上に形成されたレジスト膜に金属を含有する金属含有ガスを曝露することにより、レジスト膜に金属を浸潤させる工程である。
金属は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）等であり得る。
Ａｌを含有する金属含有ガスは、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ：Trimethylaluminum）等であり得る。
Ｔｉを含有する金属含有ガスは、例えば、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ：Tetrakis（dimethylamido）titanium）等であり得る。
エッチング工程Ｓ１３は、金属が浸潤されたレジスト膜を介してエッチング対象膜をエッチングする工程である。
エッチングの手法は特に限定されるべきものではないが、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）法等が利用され得る。
剥離工程Ｓ１４は、エッチング対象膜に対するエッチング（パターニング）の終了後に、金属が浸潤されたレジスト膜をエッチング対象膜から剥離する工程である。
レジスト膜を剥離する手法は特に限定されるべきものではないが、例えば、アルカリ性の剥離剤でレジスト膜を溶解する手法等が利用され得る。
本実施形態に係るエッチング方法によれば、成膜後のレジスト膜に金属含有ガスを曝露して金属を浸潤させることにより、レジスト膜のエッチング耐性を後天的に向上させることができる。
［エッチング装置の構成］
図２は、実施形態に係るエッチング装置１の構成例を示すブロック図である。本実施形態に係るエッチング装置１は、成膜処理部１１、浸潤処理部１２、エッチング処理部１３、及び剥離処理部１４を含む。
成膜処理部１１は、上記成膜工程Ｓ１１を実現するユニットである。成膜処理部１１は、例えば、スピンコート装置、化学蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）装置、スパッタ装置等を利用して構成され得る。
浸潤処理部１２は、上記浸潤工程Ｓ１２を実現するユニットである。浸潤処理部１２は、例えば、エッチングの対象物（積層体）が載置される反応室、積層体を加熱する加熱装置、反応室内に金属含有ガス等の気体を噴出する噴出装置、反応室内を換気する換気装置等を利用して構成され得る。
エッチング処理部１３は、上記エッチング工程Ｓ１３を実現するユニットである。エッチング処理部１３は、例えば、ドライエッチング装置、ウェットエッチング装置等を利用して構成され得る。
剥離処理部１４は、上記剥離工程Ｓ１４を実現するユニットである。剥離処理部１４は、例えば、ウェットステーション、アッシング装置等を利用して構成され得る。
［浸潤工程］
図３は、実施形態に係る浸潤工程における処理の一例を示すフローチャートである。先ず、反応室内に基板（エッチング対象膜、レジスト膜等が積層された積層体）を載置し、当該基板の温度を所定温度に加熱する（Ｓ１０１）。その後、所定条件下でレジスト膜に金属含有ガスを曝露する（Ｓ１０２）。その後、Ｎ２等の不活性ガスを用いて反応室内から金属含有ガスをパージする（Ｓ１０３）。その後、所定条件下でレジスト膜に水蒸気を曝露する（Ｓ１０４）。その後、Ｎ２等の不活性ガスを用いて反応室内から水蒸気をパージする（Ｓ１０５）。その後、上記ステップＳ１０２〜Ｓ１０５、すなわち、金属含有ガスを曝露する工程、金属含有ガスをパージする工程、水蒸気を曝露する工程、及び水蒸気をパージする工程を含むサイクルが所定回数繰り返されたか否かを判定する（Ｓ１０６）。当該サイクルが所定回数繰り返された場合には（Ｓ１０６：Ｙｅｓ）、浸潤工程Ｓ１２を終了し、当該サイクルが所定回数繰り返されていない場合には（Ｓ１０６：Ｎｏ）、ステップＳ１０２〜Ｓ１０５が再び実行される。
「基板の温度」とは、レジスト膜を含む積層体の少なくとも一部の温度であり、レジスト膜の表面温度であってもよい。「所定温度」は、室温〜２００℃の範囲内にあることが好ましい。「室温」とは、外部から加熱及び冷却されていない自然状態における温度であり、例えば、１℃〜４０℃の範囲から選択される温度（例えば２５℃）である。基板の温度が室温より低い場合には、レジスト膜に金属を浸潤させるための（例えば、求核置換反応を起こさせるための）活性化障壁を超える十分なエネルギーを得ることができない場合が多い。基板の温度の上限として例示した２００℃は、レジスト膜の転移温度より十分に高い温度である。
金属含有ガスを曝露する際の「所定条件」には、基板の温度、ガス流量、曝露時間、及び圧力が含まれる。レジスト膜への金属の浸潤量は、基板の温度が高いほど増加し、基板の温度が低いほど低下する。また、浸潤量は、金属含有ガスのガス流量が多いほど増加し、ガス流量が少ないほど低下する。また、浸潤量は、金属含有ガスのレジスト膜への曝露時間が長いほど増加し、曝露時間が短いほど低下する。また、浸潤量は、反応室内の圧力が高いほど増加し、圧力が低いほど低下する。
金属含有ガスの曝露後に水蒸気を曝露することにより、浸潤を促進させることができる。水蒸気を曝露する際の「所定条件」には、基板の温度、ガス流量、曝露時間、及び圧力が含まれる。水蒸気による浸潤促進効果は、基板の温度が高いほど増加し、基板の温度が低いほど低下する。また、浸潤促進効果は、水蒸気のガス流量が多いほど増加し、ガス流量が少ないほど低下する。また、浸潤促進効果は、水蒸気のレジスト膜への曝露時間が長いほど増加し、曝露時間が短いほど低下する。また、浸潤促進効果は、反応室内の圧力が高いほど増加し、圧力が低いほど低下する。
水蒸気の曝露時における条件（基板の温度、ガス流量、曝露時間、圧力等）は、金属含有ガスの曝露時における条件と同一であってもよいし、金属含有ガスの曝露時における条件とは異なるように設定されてもよい。
レジスト膜への金属の浸潤量は、４ａｔｍｉｃ％〜２０ａｔｍｉｃ％の範囲内にあることが好ましい。浸潤量が４ａｔｍｉｃ％より低いと、レジスト膜のエッチング耐性を増加させる効果が実質的に認められない場合が多い。浸潤量が２０ａｔｍｉｃ％より高いと、レジスト膜が本来有する有機特性（例えば、アルカリ性溶液に対する溶解性等）が損なわれ、レジスト膜の剥離性が低下し、剥離工程Ｓ１４においてレジスト膜をエッチング対象膜から剥離することが困難となる。
浸潤量の制御は、上記のように、金属含有ガスの曝露時における条件、水蒸気の曝露時における条件、及びステップＳ１０２〜Ｓ１０５を含むサイクルの繰り返し回数を調整することにより実現することができる。例えば、金属含有ガスの曝露時における圧力は、０．０５Ｔｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲内にあることが好ましい。圧力が０．０５Ｔｏｒｒより低いと、浸潤量が４ａｔｍｉｃ％に満たない場合が多く、圧力が７６０Ｔｏｒｒより高いと、浸潤量が２０ａｔｍｉｃ％を超える場合が多い。
図４は、実施形態に係る浸潤工程の一例を概念的に示す図である。図４において、状態Ａ〜Ｃが示されている。状態Ａは、エッチング対象膜１０１上に形成されたレジスト膜１０２に対して金属含有ガス１１１を曝露している状態を示している。状態Ｂは、金属含有ガス１１１をＮ２ガスによりパージした後に水蒸気１１２を曝露している状態を示している。そして、水蒸気１１２をＮ２ガスによりパージした後、金属含有ガス１１１の曝露が再び実施される。このようなサイクル（金属含有ガスの曝露→Ｎ２パージ→水蒸気の曝露→Ｎ２パージ→金属含有ガスの曝露→…）が予め設定した回数（ｎ回）繰り返される。状態Ｃは、当該サイクルをｎ回繰り返した後に、レジスト膜１０２内に金属１１５が浸潤した状態を示している。状態Ｃにおいて、レジスト膜１０２を構成する有機化合物を構成する原子又は分子の一部が金属１１５に置換された状態が示されている。
例えば、金属含有ガスとしてＴＤＭＡＴを用いてレジスト膜１０２にＴｉを浸潤させる場合には、下記条件下で浸潤工程を行うことにより、Ｔｉの浸潤量を６ａｔｍｉｃ％程度にすることができる。
・基板（レジスト膜１０２）の温度：１１０℃
・ＴＤＭＡＴのガス流量：１００ｓｃｃｍ
・ＴＤＭＡＴの曝露時間：５ｍｉｎ
・ＴＤＭＡＴ曝露時における圧力：７．５Ｔｏｒｒ（約１０００Ｐａ）
・ＴＤＭＡＴパージ時におけるＮ２のガス流量：５０ｓｃｃｍ
・ＴＤＭＡＴパージ時におけるＮ２の圧力：７．５Ｔｏｒｒ
・ＴＤＭＡＴパージ時におけるＮ２の曝露時間：５ｍｉｎ
・水蒸気のガス流量：１００ｓｃｃｍ
・水蒸気の曝露時間：５ｍｉｎ
・水蒸気曝露時における圧力：７．５Ｔｏｒｒ
・水蒸気パージ時におけるＮ２のガス流量：５０ｓｃｃｍ
・水蒸気パージ時におけるＮ２の圧力：７．５Ｔｏｒｒ
・水蒸気パージ時におけるＮ２の曝露時間：５ｍｉｎ
・サイクル数：４回
［金属浸潤によるエッチング耐性の変化］
図５は、Ａｌ浸潤によるレジスト膜のエッチング耐性の変化の一例を示すグラフである。図５において、横軸はエッチング時間（ｓｅｃ）を示し、縦軸はレジスト膜のエッチング量（エッチングにより減少した膜厚（ｎｍ））を示している。ここでは、感光性を有するポリマーを主成分とするレジスト膜にＴＭＡを曝露してＡｌを浸潤させ、当該レジスト膜にＯ２含有ガスによる反応性イオンエッチングを行った場合を例示する。図５において、実線はＡｌ浸潤後のレジスト膜についてのエッチング量の経時的変化を示し、破線はＡｌ浸潤前のレジスト膜についてのエッチング量の経時的変化を示している。
図５に示すように、Ａｌ浸潤前のレジスト膜のエッチング量は、エッチング時間の増加に略比例して増加していく。これに対し、Ａｌ浸潤後のレジスト膜のエッチング量は、Ａｌ浸潤前のレジスト膜のエッチング量より全体的に少なく、Ａｌ浸潤後のレジスト膜のエッチング量の増加率（単位時間当たりの増加量）は、エッチング時間が３０ｓを超えた辺りから顕著に小さくなっている。すなわち、レジスト膜にＡｌを浸潤させることにより、レジスト膜のＯ２含有ガスに対するエッチング耐性（酸素プラズマ耐性）を後天的に向上させることができることが示されている。なお、上記においてはＡｌを浸潤させる場合を例示したが、上記のようなエッチング耐性の向上は、Ａｌ以外の金属を浸潤させた場合にも実現される。
図６は、Ｔｉ浸潤によるレジスト膜のエッチング耐性の変化の一例を示すグラフである。図６において、エッチングガスの種類とエッチングレートとの関係が例示されており、横軸はエッチングガスの種類を示し、縦軸はレジスト膜のエッチングレート（ｎｍ／ｓ）を示している（エッチングレートの値が小さいほどエッチング耐性が高いことを意味する）。ここでは、エッチングガスの例としてＯ２含有ガス、Ｈ２含有ガス、ＣＦ４含有ガス、Ｃｌ２含有ガス、及びｄＨＦ（希フッ酸）が挙げられ、各エッチングガスについてＴｉ浸潤前のエッチングレートとＴｉ浸潤後のエッチングレートとの比較がなされている。
図６に示すように、Ｏ２含有ガス、Ｈ２含有ガス、ＣＦ４含有ガス、及びＣｌ２含有ガスについては、Ｔｉ浸潤後のエッチングレートがＴｉ浸潤前のエッチングレートより小さくなっている。ｄＨＦ含有ガスについては、Ｔｉ浸潤前後ともにエッチングレートが０となっている。すなわち、レジスト膜にＴｉを浸潤させることにより、Ｏ２含有ガス、Ｈ２含有ガス、ＣＦ４含有ガス、及びＣｌ２含有ガスに対するエッチング耐性（酸素プラズマ耐性、水素プラズマ耐性、メタンプラズマ耐性、及び塩素プラズマ耐性）を後天的に向上させることができることが示されている。
［エッチング方法の使用例］
図７は、実施形態に係るエッチング方法の使用時における処理の流れの一例を示すフローチャートである。先ず、シリコンウエハ等の基板上に所定の膜（エッチング対象膜、レジスト膜等）を成膜（積層）する処理を行う（Ｓ２０１）。
図８は、実施形態に係るエッチング方法の対象となる積層体２００の積層構造の一例を示す図である。ここで例示する積層体２００は、シリコンウエハ２０１上にＳＯＣ（Spin On Carbon）膜２０２、ＳＯＧ（Spin on Glass）膜２０３、及びレジスト膜２０４がこの順に積層された構造を有している。本例においては、ＳＯＧ膜２０３がエッチング対象膜となる。
図７に戻り、処理の流れについての説明を続ける。エッチング対象膜であるＳＯＧ膜２０３の上に形成されたレジスト膜２０４にパターンを形成する（Ｓ２０２）。当該パターンの形成方法は特に限定されるべきものではないが、例えば、フォトリソグラフィ等を利用して行うことができる。その後、パターニングされたレジスト膜２０４に対して上述した浸潤工程Ｓ１２（Ｓ１０１〜Ｓ１０６）を施すことにより、レジスト膜２０４に金属を浸潤させる（Ｓ２０３）。その後、金属が浸潤されたレジスト膜２０４を介してＳＯＧ膜２０３をエッチングする（Ｓ２０４）。ＳＯＧ膜２０３をエッチングする方法は特に限定されるべきものではないが、例えば、Ｏ２含有ガス等のエッチングガスを用いたＲＩＥ法等により行うことができる。その後、レジスト膜２０４をＳＯＧ膜２０３から剥離する（Ｓ２０５）。レジスト膜２０４の剥離方法は特に限定されるべきものではないが、例えば、アルカリ性の剥離剤を用いてレジスト膜２０４を溶解する方法等により行うことができる。
図９は、実施形態に係る積層体２００の積層構造の変化の一例を示す図である。図９において、状態α〜δが示されている。状態αは、パターニングされたレジスト膜２０４の状態を例示している。
状態βは、パターニングされたレジスト膜２０４に金属が浸潤された金属浸潤レジスト膜２０４Ａの状態を例示している。金属浸潤レジスト膜２０４Ａのエッチング耐性は、金属浸潤前のレジスト膜２０４より高くなっている。このとき、金属浸潤レジスト膜２０４Ａへの金属の浸潤量は、４ａｔｍｉｃ％〜２０ａｔｍｉｃ％の範囲内にあることが好ましい。これにより、上述したように、金属浸潤レジスト膜２０４Ａの剥離性を損なうことなく、エッチング耐性の向上を図ることができる。
状態γは、金属浸潤レジスト膜２０４Ａを介してＳＯＧ膜２０３をエッチングした状態を例示している。このとき、金属浸潤レジスト膜２０４Ａは、高いエッチング耐性を有する状態となっているため、エッチング時にその膜厚が十分に保たれる。
図１０は、比較例に係るレジスト膜２０４を用いてエッチングを行った場合におけるＳＯＧ膜２０３の状態の一例を示す図である。本比較例に係るレジスト膜２０４は、金属が浸潤されていないか、又は金属の浸潤量が４ａｔｍｉｃ％より低く、十分なエッチング耐性を有していないものである。このような場合、エッチング時間が長時間に及ぶと、レジスト膜２０４が全て消失し、ＳＯＧ膜２０３の本来エッチングされてはならない部分がエッチングされてしまう問題が起こり得る。これに対し、本実施形態のように、レジスト膜２０４の必要な部分に４ａｔｍｉｃ％以上の金属を浸潤させ、そのエッチング耐性を向上させることにより、このような問題を抑制することができる。
図９に戻り、状態δは、エッチング後のＳＯＧ膜２０３から金属浸潤レジスト膜２０４Ａを剥離した状態を例示している。このとき、金属浸潤レジスト膜２０４Ａの有機特性（アルカリ性溶液に対する溶解性等）は損なわれていないため、ＳＯＧ膜２０３から金属浸潤レジスト膜２０４Ａをアルカリ性の剥離剤等を用いて容易に剥離することができる。
図１１は、比較例に係る金属浸潤レジスト膜２０４ＡをＳＯＧ膜２０３から剥離する際の状態の一例を示す図である。本比較例に係る金属浸潤レジスト膜２０４Ａは、金属の浸潤量が２０ａｔｍｉｃ％より高く、有機特性が低下しているものである。このような場合、アルカリ性の剥離剤等を用いた剥離処理を行っても、金属浸潤レジスト膜２０４ＡがＳＯＧ膜２０３上に残留してしまう問題が起こり得る。これに対し、本実施形態のように、金属浸潤レジスト膜２０４Ａの金属浸潤量を２０ａｔｍｉｃ％以下にし、剥離性が損なわれないようにすることにより、このような問題を抑制することができる。
以上のように、本実施形態によれば、レジストの形成後におけるエッチング耐性の向上に有利な技術を提供することができる。具体的には、成膜後のレジスト膜に金属含有ガスを曝露して金属を浸潤させることにより、後天的にエッチング耐性を向上させることができる。また、金属を浸潤させる工程を行う際の各種条件を調整することによりレジスト膜への金属の浸潤量を制御することができ、浸潤量を適正化することによりエッチング耐性の向上とレジスト膜の剥離性とを両立させることができる。
１ エッチング装置
１１ 成膜処理部
１２ 浸潤処理部
１３ エッチング処理部
１４ 剥離処理部
１０１ エッチング対象膜
１０２ レジスト膜
１１１ 金属含有ガス
１１５ 金属
２００ 積層体
２０１ シリコンウエハ
２０２ ＳＯＣ膜
２０３ ＳＯＧ膜
２０４ レジスト膜
２０４Ａ 金属浸潤レジスト膜

Claims (12)

  1. エッチング対象の上にレジストを成膜する成膜工程と、
    成膜後の前記レジストに金属を含有する金属含有ガスを曝露することにより前記レジストに前記金属を浸潤させる浸潤工程と、
    前記金属が浸潤された前記レジストを介して前記エッチング対象をエッチングするエッチング工程と、
    を有するエッチング方法。
  2. 前記金属含有ガスは、求核置換基を有する、
    請求項１に記載のエッチング方法。
  3. 前記浸潤工程は、
    前記レジストに前記金属含有ガスを曝露する工程と、
    前記金属含有ガスをパージする工程と、
    前記レジストに水蒸気を曝露する工程と、
    前記水蒸気をパージする工程と、
    を含む、
    請求項１又は２に記載のエッチング方法。
  4. 前記浸潤工程は、複数回繰り返される、
    請求項３に記載のエッチング方法。
  5. 前記浸潤工程は、パターニング後の前記レジストに対して実施される、
    請求項１〜４のいずれか１項に記載のエッチング方法。
  6. 前記金属の浸潤量は、４ａｔｍｉｃ％〜２０ａｔｍｉｃ％の範囲内にある、
    請求項１〜５のいずれか１項に記載のエッチング方法。
  7. 前記浸潤工程は、前記レジストを含む積層体の温度が室温〜２００℃の範囲内にある状態で行われる、
    請求項１〜６のいずれか１項に記載のエッチング方法。
  8. 前記浸潤工程は、圧力が０．０５Ｔｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲内にある状態で行われる、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載のエッチング方法。
  9. 前記金属は、アルミニウムであり、
    前記金属含有ガスは、ＴＭＡである、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載のエッチング方法。
  10. 前記金属は、チタンであり、
    前記金属含有ガスは、ＴＤＭＡＴである、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載のエッチング方法。
  11. 前記エッチング工程は、Ｏ２含有ガス、Ｈ２含有ガス、ＣＦ４含有ガス、及びＣｌ２含有ガスからなる群から選択される少なくとも１つを用いた反応性イオンエッチングにより行われる、
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載のエッチング方法。
  12. エッチング対象の上にレジストを成膜する成膜処理部と、
    成膜後の前記レジストに金属を含有する金属含有ガスを曝露することにより前記レジストに前記金属を浸潤させる浸潤処理部と、
    前記金属が浸潤された前記レジストを介して前記エッチング対象をエッチングするエッチング処理部と、
    を備えるエッチング装置。
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