JP7242463B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

３次元構造を有したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造では、フラッシュメモリを形成する層を所定の形状にパターニングするために、ドライエッチングが用いられている。フラッシュメモリの製造では、マスクを用いたドライエッチングによって、多数の第１の絶縁層と多数の第２の絶縁層とが交互に積み重ねられた積層体に貫通孔を形成することが求められる。こうした高いアスペクト比を有する貫通孔を形成する際のマスクとして、ダイヤモンド状炭素の薄膜から形成されるマスクが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。

特開２０１７－５３３５８０号公報

ところで、フラッシュメモリの製造工程の設計や、フラッシュメモリの製造に用いられる材料の選択における自由度を高める上で、ダイヤモンド状炭素の薄膜以外の材料からマスクを形成することが求められている。こうした課題は、上述したＮＡＮＤ型フラッシュメモリを製造する場合に限らず、高いアスペクト比を有した凹部を実現するために、エッチング対象に対するマスクの選択比を向上することが求められる場合において共通している。

本発明は、エッチング対象に対する高い選択比を有したマスクを形成可能とした半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための半導体装置の製造方法は、所定のパターンを有した樹脂層が形成され、シリコンを含む基板の温度を第１温度に昇温することと、前記第１温度に維持された前記基板に金属原子を含む金属含有ガスを供給して、前記金属原子を前記樹脂層に導入することと、前記金属原子が導入された前記樹脂層を有した前記基板の温度を前記第１温度から第２温度に昇温することと、前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温する前、および、前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温した後の少なくとも一方に、前記基板に酸素原子を含む酸素含有ガスを供給して、前記樹脂層に導入された前記金属原子を酸化することによって、炭素および金属酸化物を含むマスクを形成することと、を含む。

上記構成によれば、樹脂層に金属原子を導入し、かつ、導入された金属原子を酸化することによって、樹脂層をパターニングして得られたマスクに比べて、高いエッチング耐性を有したマスクを形成することが可能である。これにより、エッチング対象に対する高い選択比を有したマスクを形成することが可能である。

上記半導体装置の製造方法において、前記第１温度は、５０℃以上１００℃未満の範囲に含まれるいずれかの温度であり、前記第２温度は、８０℃以上３００℃以下の範囲に含まれるいずれかの温度であってもよい。

上記構成によれば、樹脂層の変形が抑えられる確実性が第１温度によって高められ、かつ、ドライエッチングに対するマスクの耐性が第２温度によって高められる確実性が向上する。

上記半導体装置の製造方法において、前記金属原子を前記樹脂層に導入することと、前記炭素および前記金属酸化物を含む前記マスクを形成することとの間に、前記金属含有ガスを排気することをさらに含んでもよい。この構成によれば、基板のなかで、樹脂層以外の部分に金属酸化物が形成されることが抑えられる。

上記半導体装置の製造方法において、前記金属含有ガスは、第１金属原子を含む第１金属含有ガスであり、基板の温度を第１温度から第２温度に昇温した後に、第２温度に維持された基板に第２金属原子を含む第２金属含有ガスを供給して、前記第２金属原子を前記樹脂層に導入することをさらに含んでもよい。

上記構成によれば、基板に対して複数回金属含有ガスが供給されることによって、樹脂層に対する金属原子の導入が不足することが抑えられ、かつ、第１温度および第２温度のいずれかにおいて樹脂層に対して金属原子が導入されにくい場合であっても、それ以外の温度における導入によって、金属原子の導入が不足することが抑えられる。

上記半導体装置の製造方法において、前記炭素および前記金属酸化物を含む前記マスクを形成することは、前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温する前、および、前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温した後の両方において、前記基板に前記酸素含有ガスを供給してもよい。

上記構成によれば、基板に対して複数回酸素含有ガスが供給されることによって、金属原子の酸化が不足することが抑えられ、かつ、第１温度および第２温度のいずれかによって金属原子と酸素との反応が低下する場合であっても、それ以外の温度における酸化反応によって、金属原子の酸化を進行させることが可能である。

一実施形態における半導体装置の製造方法が実施される基板処理装置の一例における構成を模式的に示す装置構成図。 半導体装置の製造方法を説明するための工程図。 半導体装置の製造方法を説明するためのタイミングチャート。 実施例１の基板における複数の状態の各々を撮影したＳＥＭ画像。 実施例２の基板における複数の状態の各々を撮影したＳＥＭ画像。 実施例３の基板における複数の状態の各々を撮影したＳＥＭ画像。 半導体装置の製造方法における第１変更例を説明するためのタイミングチャート。 半導体装置の製造方法における第２変更例を説明するためのタイミングチャート。 半導体装置の製造方法における第３変更例を説明するためのタイミングチャート。 半導体装置の製造方法における第４変更例を説明するためのタイミングチャート。 基板処理装置の変更例における構成を模式的に示す装置構成図。 基板処理装置の他の変更例における構成を模式的に示す装置構成図。

図１から図６を参照して、半導体装置の製造方法を説明する。以下では、半導体装置の製造方法が実施される基板処理装置の構成、半導体装置の製造方法、および、実施例を順に説明する。

［基板処理装置の構成］
図１を参照して、基板処理装置の構成を説明する。
図１が示すように、基板処理装置１０は、真空槽１１と、真空槽１１に固定され、真空槽１１が区画する空間を二分するシャワープレート１２とを備えている。シャワープレート１２は、真空槽１１が区画する空間を、処理の対象である基板Ｓが配置される空間と、真空槽１１内での処理に用いられるガスが供給される空間とに分離する。シャワープレート１２は、金属製の板部材であり、板部材を貫通する複数の貫通孔を有している。シャワープレート１２が有する貫通孔を真空槽１１内に供給されたガスが通ることによって、基板Ｓが配置された空間にガスが拡散される。

真空槽１１内には、基板Ｓを支持するステージ１３が配置されている。ステージ１３内には、加熱部１４が配置されている。加熱部１４は、ステージ１３を所定の温度に加熱することによって、ステージ１３に支持された基板Ｓを所定の温度に加熱する。真空槽１１には、排気部１５が接続されている。排気部１５は、真空槽１１内の気体を排気することによって、真空槽１１内を所定の圧力に減圧する。排気部１５は、例えば、バルブとポンプとを備えている。

真空槽１１には、金属含有ガス供給部１６と、酸素含有ガス供給部１７とが接続されている。各ガス供給部１６，１７は、シャワープレート１２が二分する空間のうちで、ステージ１３が位置する空間とは異なる空間にガスを供給する。各ガス供給部１６，１７は、マスフローコントローラーであり、真空槽１１内での処理に用いられるガスを所定の流量で真空槽１１内に供給する。

金属含有ガス供給部１６は、金属原子を含む金属含有ガスを真空槽１１内に供給する。金属原子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、および、ジルコニウム（Ｚｒ）などであってよい。金属含有ガスは、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、ターシャリ‐ブチルイミノトリス（エチルメチルアミノ）タンタル（ＴＢＴＥＭＴ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ_４）、および、四塩化ジルコニウム（ＺｒＣｌ_４）などであってよい。

酸素含有ガス供給部１７は、酸素原子を含む酸素含有ガスを真空槽１１内に供給する。酸素含有ガスは、例えば、水蒸気（Ｈ_２Ｏ）、酸素（Ｏ_２）ガス、オゾン（Ｏ_３）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、および、一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスなどであってよい。

基板処理装置１０は、制御部１０Ｃをさらに備えている。制御部１０Ｃは、加熱部１４、排気部１５、金属含有ガス供給部１６、および、酸素含有ガス供給部１７に電気的に接続されている。制御部１０Ｃは、加熱部１４、排気部１５、金属含有ガス供給部１６、および、酸素含有ガス供給部１７の駆動を制御する。

制御部１０Ｃは、加熱部１４にステージ１３の加熱を開始させるための制御信号、および、加熱を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を加熱部１４に出力する。加熱部１４は、入力した制御信号に基づき、ステージ１３の加熱を行う。制御部１０Ｃは、排気部１５に真空槽１１内の排気を開始させるための制御信号、および、排気を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を排気部１５に出力する。排気部１５は、入力した制御信号に基づき、真空槽１１内を排気する。

制御部１０Ｃは、金属含有ガス供給部１６に金属含有ガスの供給を開始させるための制御信号、および、供給を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を金属含有ガス供給部１６に出力する。金属含有ガス供給部１６は、入力した制御信号に基づき、金属含有ガスの供給を行う。制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に酸素含有ガスの供給を開始させるための制御信号、および、供給を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を酸素含有ガス供給部１７に出力する。酸素含有ガス供給部１７は、入力した制御信号に基づき、酸素含有ガスの供給を行う。

基板処理装置１０では、ステージ１３上に基板Ｓが配置された後に、制御部１０Ｃが、排気部１５に真空槽１１内を所定の圧力にまで排気させる。次いで、制御部１０Ｃが加熱部１４にステージ１３を加熱させること、金属含有ガス供給部１６に基板Ｓに向けて金属含有ガスを供給させること、および、酸素含有ガス供給部１７に基板Ｓに向けて酸素含有ガスを供給させることを各別のタイミングで各部に行わせる。これにより、基板処理装置１０における基板Ｓへの処理が行われる。

なお、制御部１０Ｃは、自身が実行する全ての処理についてソフトウェア処理を行うものに限られない。たとえば、制御部１０Ｃは、自身が実行する処理の少なくとも一部についてハードウェア処理を行う専用のハードウェア回路（たとえば特定用途向け集積回路：ＡＳＩＣ）を備えてもよい。すなわち、制御部１０Ｃは、１）コンピュータプログラム（ソフトウェア）に従って動作する１つ以上のプロセッサ、２）各種処理のうち少なくとも一部の処理を実行する１つ以上の専用のハードウェア回路、あるいは３）それらの組み合わせを含む回路（ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）として構成し得る。プロセッサは、ＣＰＵ、並びに、ＲＡＭおよびＲＯＭなどのメモリを含み、メモリは、処理をＣＰＵに実行させるように構成されたプログラムコードまたは指令を格納している。メモリすなわちコンピュータ可読媒体は、汎用または専用のコンピュータでアクセスできるあらゆる利用可能な媒体を含む。

［半導体装置の製造方法］
図２および図３を参照して、半導体装置の製造方法を説明する。
半導体装置の製造方法は、基板Ｓの温度を第１温度に昇温すること、金属原子を樹脂層に導入すること、基板Ｓの温度を第１温度から第２温度に昇温すること、および、炭素および金属酸化物を含むマスクを形成することを含んでいる。

基板Ｓの温度を第１温度に昇温することでは、所定のパターンを有した樹脂層が形成され、シリコンを含む基板Ｓの温度を第１温度に昇温する。金属原子を樹脂層に導入することでは、第１温度に維持された基板Ｓに金属原子を含む金属含有ガスを供給して、金属原子を樹脂層に導入する。基板Ｓの温度を第１温度から第２温度に昇温することでは、金属原子が導入された樹脂層を有した基板Ｓの温度を第１温度から第２温度に昇温する。樹脂層からマスクを形成することでは、基板Ｓの温度を第１温度から前記第２温度に昇温する前、および、基板の温度を第１温度から前記第２温度に昇温した後の少なくとも一方に、基板Ｓに酸素原子を含む酸素含有ガスを供給して、樹脂層に導入された金属原子を酸化する。これによって、炭素および金属酸化物を含むマスクを形成する。

樹脂層に金属原子を導入し、かつ、導入された金属原子を酸化することによって、樹脂層をパターニングして得られたマスクに比べて、高いエッチング耐性を有したマスクを形成することが可能である。これにより、エッチング対象に対する高い選択比を有したマスクを形成することが可能である。以下、図面を参照して、半導体装置の製造方法を詳しく説明する。

図２は、半導体装置の製造方法が含む工程を模式的に示している。なお、図２では、基板Ｓの一例として、３次元構造を有したＮＡＮＤ型フラッシュメモリを製造するために用いられる基板Ｓの構造を示している。

図２（ａ）が示すように、基板Ｓは、例えば、シリコン基板２１、複数のシリコン窒化膜２２、および、複数のシリコン酸化膜２３を備えている。これにより、基板Ｓはシリコンを含んでいる。基板Ｓにおいて、シリコン基板２１上に、シリコン酸化膜２３とシリコン窒化膜２２とが交互に積層されている。基板Ｓにおいて、複数のシリコン酸化膜２３と複数のシリコン窒化膜２２との積層体上に、所定のパターンを有し、炭素を含む樹脂層２４が位置している。基板Ｓの厚さ方向から見て、樹脂層２４は、基板Ｓのエッチングによって基板Ｓに形成する凹部の形状および大きさに応じたパターン状を有している。樹脂層２４は、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）によって形成されている。

半導体装置の製造方法では、まず、第１温度に維持された基板Ｓに対して金属含有ガスが供給されることによって、樹脂層２４に金属原子が導入される。上述したように、金属含有ガスは、例えば、ＴＭＡ、ＴＢＴＥＭＴ、ＴｉＣｌ_４、および、ＺｒＣｌ_４などであってよい。これらの金属含有ガスが用いられることによって、樹脂層２４には、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、および、Ｚｒが導入される。

図２（ｂ）が示すように、基板Ｓの温度が第１温度から第２温度に昇温される前、および、第１温度から第２温度に昇温された後の少なくとも一方において、基板Ｓに酸素含有ガスが供給される。本実施形態では、基板Ｓの温度が第１温度から第２温度に昇温される前、および、第１温度から第２温度に昇温された後の両方において、基板Ｓに酸素含有ガスが供給される。これにより、樹脂層２４に導入された金属原子が酸化される。結果として、複数のシリコン酸化膜２３と複数のシリコン窒化膜２２との積層体のエッチングに用いられるマスク２４Ｍが形成される。マスク２４Ｍは、炭素および金属酸化物を含む。なお、上述したように、酸素含有ガスは、Ｈ_２Ｏ、Ｏ_２ガス、Ｏ_３ガス、ＮＯガス、および、Ｎ_２Ｏガスなどであってよい。

図２（ｃ）が示すように、複数のシリコン酸化膜２３および複数のシリコン窒化膜２２が、マスク２４Ｍを用いてエッチングされる。これにより、基板Ｓには、複数のシリコン酸化膜２３および複数のシリコン窒化膜２２によって形成された積層体に、複数の貫通孔Ｈが形成される。なお、基板Ｓのエッチングには、フッ素原子を含むガスが用いられる。

本実施形態では、第１温度に維持された基板Ｓが備える樹脂層２４に対して金属原子を導入した後に、基板Ｓの温度を第２温度に昇温する。そのため、樹脂層２４に金属原子が導入されていない場合に比べて、昇温前の樹脂層２４が有する耐熱性を高めることが可能であり、これによって、第２温度の上限値を高めることが可能である。また、金属原子が導入された樹脂層２４の温度をより高めることが可能であるため、金属原子と樹脂層２４を形成する材料との反応性を高めることが可能である。結果として、マスク２４Ｍにおけるエッチングの耐性、ひいては、エッチング対象に対するマスク２４Ｍの選択比を高めることが可能である。

なお、樹脂層２４に対して金属原子を導入することなく樹脂層２４を昇温する場合には、上述した第２温度よりも低い温度までしか基板Ｓを昇温することができない。仮に、基板Ｓを第２温度まで昇温した場合には、基板Ｓの温度が、樹脂層２４が耐熱性を有する以上の温度になるため、結果として、樹脂層２４の少なくとも一部に変形が生じてしまう。

図３は、樹脂層２４からマスク２４Ｍが形成される際の基板Ｓの温度、金属含有ガスの流量、および、酸素含有ガスの流量の各々の挙動を示すタイミングチャートである。なお、以下に説明するタイミングＴ０において、排気部１５は、真空槽１１内を所定の圧力にまで減圧し、排気部１５は、後述するタイミングＴ０からタイミングＴ１０までにわたって、真空槽１１内の気体を排気し続けている。また、真空槽１１内の圧力は、タイミングＴ０からタイミングＴ１０までの間にわたって、例えば、１００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下の範囲に維持されている。

図３が示すように、タイミングＴ０において、基板Ｓの加熱が開始される。この際に、制御部１０Ｃは、加熱部１４に基板Ｓの温度を基底温度Ｔｅｍ０から第１温度Ｔｅｍ１まで昇温させるための制御信号を生成して、生成した制御信号を加熱部１４に出力する。加熱部１４は、入力した制御信号に応じてステージ１３の加熱を開始する。本実施形態において、第１温度Ｔｅｍ１は、５０℃以上１００℃未満の範囲に含まれるいずれかの温度である。第１温度Ｔｅｍ１は、８０℃以上１００℃未満の範囲に含まれるいずれかの温度であることが好ましい。これにより、樹脂層２４の変形が抑えられる確実性が第１温度Ｔｅｍ１によって高められる。基底温度Ｔｅｍ０は、例えば室温、すなわち２０℃程度の温度である。なお、タイミングＴ０では、金属含有ガスの流量は、０ｓｃｃｍに設定され、かつ、酸素含有ガスの流量は、０ｓｃｃｍに設定される。

タイミングＴ１において、基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１まで昇温される。制御部１０Ｃは、タイミングＴ１から後述するタイミングＴ５までにわたって、加熱部１４に基板Ｓの温度を第１温度Ｔｅｍ１に維持させる。タイミングＴ１において、金属含有ガスの流量が０ｓｃｃｍから第１流量Ｆｍ１（ｓｃｃｍ）に変更される。この際に、制御部１０Ｃは、金属含有ガス供給部１６に第１流量Ｆｍ１で金属含有ガスの供給を開始させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を金属含有ガス供給部１６に出力する。金属含有ガス供給部１６は、入力した制御信号に応じて金属含有ガスの供給を開始する。制御部１０Ｃは、金属含有ガス供給部１６に、金属含有ガスの供給をタイミングＴ２まで維持させる。なお、第１流量Ｆｍ１は、例えば１００ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下である。また、タイミングＴ１からタイミングＴ２までの期間、すなわち、金属含有ガスが供給される期間（第１金属供給期間とも称する）は、例えば６０秒以上６００秒以下である。これにより、基板Ｓが備える樹脂層２４に金属含有ガスが含む金属原子が導入される。

タイミングＴ２において、金属含有ガスの供給が停止される。この際に、制御部１０Ｃは、金属含有ガス供給部１６に金属含有ガスの供給を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を金属含有ガス供給部１６に出力する。金属含有ガス供給部１６は、入力した制御信号に応じて、金属含有ガスの供給を停止する。

タイミングＴ２において、金属含有ガスの供給が停止された後、タイミングＴ３までの間にわたって、金属含有ガスおよび酸素含有ガスの両方が供給されない状態が維持される。すなわち、タイミングＴ１からタイミングＴ２までにわたって真空槽１１内に供給された金属含有ガスが、真空槽１１から排気される。タイミングＴ２からタイミングＴ３までの期間（排気期間とも称する）は、例えば６０秒以上３００秒以下である。

このように、本実施形態では、半導体装置の製造方法は、金属原子を樹脂層２４に導入することと、炭素および金属酸化物を含むマスク２４Ｍを形成することとの間に、金属含有ガスを排気することを含んでいる。これにより、基板Ｓのなかで、樹脂層２４以外の部分に金属酸化物が形成されることが抑えられる。

タイミングＴ３において、酸素含有ガスの流量が０ｓｃｃｍから第１流量Ｆｏ１（ｓｃｃｍ）に変更される。この際に、制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に第１流量Ｆｏ１で酸素含有ガスの供給を開始させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を酸素含有ガス供給部１７に出力する。酸素含有ガス供給部１７は、入力した制御信号に応じて酸素含有ガスの供給を開始する。制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に、酸素含有ガスの供給をタイミングＴ４まで維持させる。なお、第１流量Ｆｏ１は、例えば１００ｓｃｃｍ以上１０００ｓｃｃｍ以下である。また、タイミングＴ３からタイミングＴ４までの期間、すなわち、酸素含有ガスが供給される期間(第１酸素供給期間とも称する)は、例えば６０秒以上１８００秒以下である。これにより、樹脂層２４に導入された金属原子が酸化される。

タイミングＴ４において、酸素含有ガスの供給が停止される。この際に、制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に酸素含有ガスの供給を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を酸素含有ガス供給部１７に出力する。酸素含有ガス供給部１７は、入力した制御信号に応じて、酸素含有ガスの供給を停止する。

タイミングＴ４において、酸素含有ガスの供給が停止された後、タイミングＴ５までの間にわたって、酸素含有ガスの供給および金属含有ガスの両方が供給されない状態が維持される。すなわち、タイミングＴ３からタイミングＴ４までにわたって真空槽１１内に供給された酸素含有ガスが、真空槽１１から排気される。タイミングＴ４からタイミングＴ５までの期間は、例えば６０秒以上３００秒以下である。

タイミングＴ５において、基板Ｓの昇温が開始される。この際に、制御部１０Ｃは、加熱部１４に基板Ｓの温度を第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２まで昇温させるための制御信号を生成して、生成した制御信号を加熱部１４に出力する。加熱部１４は、入力した制御信号に応じてステージ１３の加熱を開始する。本実施形態において、第２温度Ｔｅｍ２は、８０℃以上３００℃以下の範囲に含まれるいずれかの温度である。酸素含有ガスと金属含有ガスが効率的に熱反応するために必要な最低温度は１２０℃以上であり、樹脂層（ポリマー）が変形や変質しない耐熱温度は２００℃程度であるので、第２温度Ｔｅｍ２は１２０℃以上２００℃以下の範囲に含まれるいずれかの温度であることが好ましい。これにより、ドライエッチングに対するマスク２４Ｍの耐性が第２温度Ｔｅｍ２によって高められる確実性が向上する。

タイミングＴ６において、基板Ｓの温度が第２温度Ｔｅｍ２まで昇温される。制御部１０Ｃは、タイミングＴ６から後述するタイミングＴ１０までにわたって、加熱部１４に基板Ｓの温度を第２温度Ｔｅｍ２に維持させる。タイミングＴ６において、金属含有ガスの流量が０ｓｃｃｍから第１流量に変更される。この際に、制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に第１流量Ｆｍ１で金属含有ガスの供給を開始させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を金属含有ガス供給部１６に出力する。金属含有ガス供給部１６は、入力した制御信号に応じて金属含有ガスの供給を開始する。制御部１０Ｃは、金属含有ガス供給部１６に、金属含有ガスの供給をタイミングＴ７まで維持させる。

なお、第１流量Ｆｍ１は、上述したように、例えば１００ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下である。また、タイミングＴ６からタイミングＴ７までの期間、すなわち、金属含有ガスが供給される期間（第２金属供給期間とも称する）は、タイミングＴ１からタイミングＴ２までの期間と同様、例えば６０秒以上６００秒以下である。これにより、金属含有ガスが含む金属原子が、再び樹脂層２４に導入される。

このように、本実施形態において、半導体装置の製造方法は、基板Ｓの温度を第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温した後に、第２温度Ｔｅｍ２に維持された基板Ｓに金属含有ガスを供給して、金属原子を樹脂層に導入することをさらに含んでいる。そのため、基板Ｓに対して複数回金属含有ガスが供給されることによって、樹脂層２４に対する金属原子の導入が不足することが抑えられる。加えて、第１温度Ｔｅｍ１および第２温度Ｔｅｍ２のいずれかにおいて樹脂層２４に対して金属原子が導入されにくい場合であっても、それ以外の温度における導入によって、金属原子の導入が不足することが抑えられる。

タイミングＴ７において、金属含有ガスの供給が停止される。この際に、制御部１０Ｃは、金属含有ガス供給部１６に金属含有ガスの供給を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を金属含有ガス供給部１６に出力する。金属含有ガス供給部１６は、入力した制御信号に応じて、金属含有ガスの供給を停止する。

タイミングＴ７において、金属含有ガスの供給が停止された後、タイミングＴ８までの間にわたって、金属含有ガスおよび酸素含有ガスの両方が供給されない状態が維持される。すなわち、タイミングＴ７からタイミングＴ８にわたって真空槽１１内に供給された金属含有ガスが、真空槽１１から排気される。タイミングＴ７からタイミングＴ８までの期間は、タイミングＴ２からタイミングＴ３までの期間と同様、例えば６０秒以上３００秒以下である。

タイミングＴ８において、酸素含有ガスの流量が０ｓｃｃｍから第１流量Ｆｏ１に変更される。この際に、制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に第１流量Ｆｏ１で酸素含有ガスの供給を開始させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を酸素含有ガス供給部１７に出力する。酸素含有ガス供給部１７は、入力した制御信号に応じて酸素含有ガスの供給を開始する。制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に、酸素含有ガスの供給をタイミングＴ９まで維持させる。なお、タイミングＴ８からタイミングＴ９までの期間、すなわち、酸素含有ガスが供給される期間（第２酸素供給期間とも称する）は、タイミングＴ３からタイミングＴ４までの期間と同様、例えば、６０秒以上１８００秒以下である。これにより、樹脂層２４に導入された金属原子が酸化される。

このように、本実施形態では、炭素と金属酸化物とを含むマスク２４Ｍを形成することは、基板Ｓの温度を第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温する前、および、基板Ｓの温度を第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温した後の両方において、基板Ｓに酸素含有ガスを供給する。そのため、基板Ｓに対して複数回酸素含有ガスが供給されることによって、金属原子の酸化が不足することが抑えられる。加えて、第１温度Ｔｅｍ１および第２温度Ｔｅｍ２のいずれかによって金属原子と酸素との反応が低下する場合であっても、それ以外の温度における酸化反応によって、金属原子の酸化を進行させることが可能である。

タイミングＴ９において、酸素含有ガスの供給が停止される。この際に、制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に酸素含有ガスの供給を停止させるための制御信号を生成し、生成した制御信号を酸素含有ガス供給部１７に出力する。酸素含有ガス供給部１７は、入力した制御信号に応じて、酸素含有ガスの供給を停止する。

タイミングＴ９において、酸素含有ガスの供給が停止された後、タイミングＴ１０までの間にわたって、酸素含有ガスの供給および金属含有ガスの両方が供給されない状態が維持される。すなわち、タイミングＴ８からタイミングＴ９までにわたって真空槽１１内に供給された酸素含有ガスが、真空槽１１から排気される。タイミングＴ８からタイミングＴ９までの期間は、タイミングＴ４からタイミングＴ５までの期間と同様、例えば６０秒以上１８００秒以下である。

タイミングＴ１からタイミングＴ１０までの一連の処理によって、樹脂を主成分とし、かつ、酸化された金属原子を含むマスク２４Ｍが形成される。すなわち、炭素と金属酸化物とを含むマスク２４Ｍが形成される。なお、タイミングＴ１０までの処理が終了した後、例えば、加熱部１４によるステージ１３の加熱が終了され、また、排気部１５による真空槽１１内の排気が終了された後に、基板Ｓが基板処理装置１０から取り出される。

［実施例］
図４から図６を参照して、実施例を説明する。
［実施例１］
シリコン基板上にシリコン酸化物を含む塗液をスピンコートすることによって、１μｍの厚さを有したＳＯＧ層、すなわちシリコン酸化膜を形成した。次いで、３００ｎｍの厚さを有したＰＭＭＡ層を形成した。そして、反応性エッチングによってＰＭＭＡ層をエッチングすることによって、所定のパターンを有したＰＭＭＡ層を形成した。これにより、基板処理装置による処理の対象である基板を得た。なお、基板の断面構造を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって撮影したところ、図４（ａ）が示す画像が得られた。図４（ａ）が示すように、基板Ｓは、ＳＯＧ層Ｓ１と、ＳＯＧ層Ｓ１上に位置し、かつ、所定のパターンを有するＰＭＭＡ層Ｓ２を備えることが認められた。

続いて、以下の条件にて基板Ｓを処理することにより、基板が有するＰＭＭＡ層Ｓ２からマスクを形成した。
［基板処理条件］
・真空槽内の圧力 ３００Ｐａ
・第１温度Ｔｅｍ１ ８０℃
・第２温度Ｔｅｍ２ １２０℃
・第１流量Ｆｍ１ ３００ｓｃｃｍ
・第１流量Ｆｏ１ ５００ｓｃｃｍ
・第１金属供給期間 ３００秒
・第１酸素供給期間 ２００秒
・第２金属供給期間 ３００秒
・第２酸素供給期間 ２００秒
・排気期間 １８０秒

マスクが形成された後において基板Ｓの断面構造をＳＥＭによって撮影したところ、図４（ｂ）が示す画像が得られた。すなわち、実施例１によれば、マスクＳ２Ｍが有するパターンは、基板Ｓの処理が行われる前にＰＭＭＡ層Ｓ２が有するパターンとほぼ同一であることが認められた。

次いで、以下の条件にてマスクを用いてＳＯＧ層Ｓ１をエッチングした。ＳＯＧ層Ｓ１のエッチングには、ＩＣＰエッチング装置を用いた。
［エッチング条件］
・エッチングガス Ｃ_３Ｆ_８ガス、および、Ａｒガス
・Ｃ_３Ｆ_８ガスの流量 １０ｓｃｃｍ
・Ａｒガスの流量 ４０ｓｃｃｍ
・真空槽内の圧力 ０．３Ｐａ
・アンテナ用高周波電力 ２００Ｗ
・バイアス用高周波電力 ４００Ｗ

エッチング開始時から２４０秒が経過した時点において基板Ｓの断面構造を撮影したところ、図４（ｃ）が示す画像が得られた。また、エッチング開始時から４８０秒が経過した時点で基板Ｓの断面構造を撮像したところ、図４（ｄ）が示す画像が得られた。図４（ｃ）が示すように、マスクＳ２Ｍを用いることによって、ＳＯＧ層Ｓ１の異方性エッチングが可能であり、これによって、ＳＯＧ層Ｓ１に凹部Ｓ１ｈが形成されることが認められた。また、エッチング開始時から２４０秒が経過した時点において、マスクＳ２Ｍに対するＳＯＧ層Ｓ１の選択比が、２．１であることが認められた。図４（ｄ）が示すように、エッチング開始時から４８０秒が経過した時点において、マスクＳ２Ｍに対するＳＯＧ層Ｓ１の選択比が、１．６であることが認められた。

［実施例２］
実施例１において、第２温度Ｔｅｍ２を１５０℃に変更した以外は、実施例１と同様の方法によって、マスクＳ２Ｍを形成した。なお、基板Ｓの処理が行われる前における基板Ｓの断面構造をＳＥＭによって撮像したところ、図５（ａ）が示す画像が得られ、マスクＳ２Ｍを形成した後において基板Ｓの断面構造をＳＥＭによって撮像したところ、図５（ｂ）が示す画像が得られた。すなわち、実施例２によれば、マスクＳ２Ｍが有するパターンは、基板Ｓの処理が行われる前にＰＭＭＡ層Ｓ２が有するパターンとほぼ同一であることが認められた。

エッチング開始時から２４０秒が経過した時点において基板Ｓの断面構造を撮影したところ、図５（ｃ）が示す画像が得られた。図５（ｃ）が示すように、マスクＳ２Ｍを用いることによって、ＳＯＧ層Ｓ１の異方性エッチングが可能であり、これによって、ＳＯＧ層Ｓ１に凹部Ｓ１ｈが形成されることが認められた。また、エッチング開始時から２４０秒が経過した時点において、マスクＳ２Ｍに対するＳＯＧ層Ｓ１の選択比が、３．１であることが認められた。図５（ｄ）が示すように、エッチング開始時から４８０秒が経過した時点において、マスクＳ２Ｍに対するＳＯＧ層Ｓ１の選択比が、１．６であることが認められた。

［実施例３］
実施例１において、第２温度Ｔｅｍ２を２００℃に変更した以外は、実施例１と同様の方法によって、マスクＳ２Ｍを形成した。なお、基板Ｓの処理が行われる前における基板Ｓの断面構造をＳＥＭによって撮影したところ、図６（ａ）が示す画像が得られ、マスクＳ２Ｍを形成した後において基板Ｓの断面構造をＳＥＭによって撮影したところ、図６（ｂ）が示す画像が得られた。すなわち、実施例３によれば、マスクＳ２Ｍが有するパターンは、実施例１および実施例２と比較した場合に、基板Ｓの処理が行われる前にＰＭＭＡ層Ｓ２が有するパターンの変形が認められるものの、マスクＳ２Ｍは、所望の形状を有した凹部Ｓ１ｈを形成することが可能な形状を有することが認められた。

エッチング開始時から２４０秒が経過した時点において基板Ｓの断面構造を撮影したところ、図６（ｃ）が示す画像が得られた。図６（ｃ）が示すように、マスクＳ２Ｍを用いることによって、ＳＯＧ層Ｓ１の異方性エッチングが可能であり、これによって、凹部Ｓ１ｈが形成されることが認められた。また、エッチング開始時から２４０秒が経過した時点において、マスクＳ２Ｍに対するＳＯＧ層Ｓ１の選択比が、１．７であることが認められた。図６（ｄ）が示すように、エッチング開始時から４８０秒が経過した時点において、マスクＳ２Ｍに対するＳＯＧ層Ｓ１の選択比が、１．７であることが認められた。

以上説明したように、半導体装置の製造方法における一実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
（１）樹脂層をパターニングして得られたマスクに比べて、高いエッチング耐性を有したマスク２４Ｍを形成することが可能であり、これによって、エッチング対象に対する高い選択比を有したマスク２４Ｍを形成することが可能である。

（２）樹脂層２４の変形が抑えられる確実性が第１温度によって高められ、かつ、ドライエッチングに対するマスク２４Ｍの耐性が第２温度によって高められる確実性が向上する。

（３）金属含有ガスを排気することによって、基板Ｓのなかで、樹脂層２４以外の部分に金属酸化物が形成されることが抑えられる。

（４）基板Ｓに対して複数回金属含有ガスが供給されることによって、樹脂層２４に対する金属原子の導入が不足することが抑えられる。加えて、第１温度Ｔｅｍ１および第２温度Ｔｅｍ２のいずれかにおいて樹脂層２４に対して金属原子が導入されにくい場合であっても、それ以外の温度における導入によって、金属原子の導入が不足することが抑えられる。

（５）基板Ｓに対して複数回酸素含有ガスが供給されることによって、金属原子の酸化が不足することが抑えられる。加えて、第１温度Ｔｅｍ１および第２温度Ｔｅｍ２のいずれかによって金属原子と酸素との反応が低下する場合であっても、それ以外の温度における酸化反応によって、金属原子の酸化を進行させることが可能である。

なお、上述した実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
［金属含有ガスの供給］
・第１金属供給期間と第２金属供給期間との間において、基板Ｓに供給される金属含有ガスの流量が異なってもよい。または、第１金属供給期間と第２金属供給期間との間において、基板Ｓに金属含有ガスが供給される時間が異なってもよい。または、これらが組み合わせられてもよい。

・第１金属供給期間と第２金属供給期間との間において、金属含有ガスに含まれる金属原子が行ってもよい。この場合には、２種類の金属酸化物を含むマスクを得ることが可能である。

［酸素含有ガスの供給］
・第１酸素供給期間と第２酸素供給期間との間において、基板Ｓに供給される酸素含有ガスの流量が異なってもよい。または、第１酸素供給期間と第２酸素供給期間との間において、基板Ｓに酸素含有ガスが供給される時間が異なってもよい。または、これらが組み合わせられてもよい。

・第１酸素供給期間と第２酸素供給期間との間において、基板Ｓに供給される酸素含有ガスの種類が互いに異なってもよい。

［排気］
・金属含有ガスを排気するための排気期間と、酸素含有ガスを排気するための排気期間とは、互いに異なる長さであってもよい。

・第１金属供給期間の後における排気期間と、第２金属供給期間の後における排気期間とは、互いに異なる長さであってもよい。また、第１酸素供給期間の後における排気期間と、第２酸素供給期間の後における排気期間とは、互いに異なる長さであってもよい。

［半導体装置の製造方法］
半導体装置の製造方法を、以下に説明する４つの変更例のように変更して実施することが可能である。

［第１変更例］
・図７が示すように、第１変更例では、基板Ｓの温度が、第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温された後に、樹脂層２４に導入された金属原子が酸化される。すなわち、第１変更例におけるタイミングＴ０からタイミングＴ３までの処理は、上述した実施形態におけるタイミングＴ０からタイミングＴ３までの処理と同様である。一方で、第１変更例では、タイミングＴ３において基板Ｓの昇温が開始され、かつ、タイミングＴ４において基板Ｓの温度が第２温度Ｔｅｍ２に昇温される。

次いで、タイミングＴ４からタイミングＴ５までにわたって、酸素含有ガスが基板Ｓに対して供給される。これにより、樹脂層２４に導入された金属原子が酸化される。そして、タイミングＴ５からタイミングＴ６までにわたって、真空槽１１内に供給された酸素含有ガスが排気される。なお、第１変更例におけるタイミングＴ６からタイミングＴ１０までの処理は、上述した実施形態におけるタイミングＴ６からタイミングＴ１０までの処理と同様である。

この場合であっても、基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温される前後において、基板Ｓに対して金属含有ガスが供給されるため、上述した（４）に準じた効果を得ることはできる。また、基板Ｓに対して酸素含有ガスが複数回供給されるため、酸素含有ガスの供給が一度しか行われない場合に比べて、金属原子の酸化が不足することが抑えられる。

［第２変更例］
・図８が示すように、第２変更例では、基板Ｓの温度が、第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温された直後に行われる酸素含有ガスの供給が省略される。すなわち、第２変更例におけるタイミングＴ０からタイミングＴ３までの処理は、上述した第１変更例と同様である。一方で、第１変更例においてタイミングＴ４からタイミングＴ５にわたって行われる酸素含有ガスの供給と、タイミングＴ５からタイミングＴ６にわたって行われる酸素含有ガスの排気とが、第２変更例では省略される。そのため、第２変更例におけるタイミングＴ４からタイミングＴ８までの処理は、第１変更例におけるタイミングＴ６からタイミングＴ１０までの処理と同様である。

この場合であっても、基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温される前後において、基板Ｓに対して金属含有ガスが供給されるため、上述した（４）に準じた効果を得ることはできる。

［第３変更例］
・図９が示すように、第３変更例では、基板Ｓの温度が、第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温された後に行われる金属含有ガスの供給が省略される。すなわち、第３変更例におけるタイミングＴ０からタイミングＴ５までの処理は、上述した実施形態におけるタイミングＴ０からタイミングＴ５までの処理と同様である。一方で、実施形態におけるタイミングＴ６からタイミングＴ７にわたって行われる金属含有ガスの供給と、タイミングＴ７からタイミングＴ８にわたって行われる金属含有ガスの排気とが、第３変更例では省略される。そのため、第３変更例におけるタイミングＴ６からタイミングＴ８までの処理は、実施形態におけるタイミングＴ８からタイミングＴ１０までの処理と同様である。

この場合であっても、基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温される前後において、基板Ｓに対して酸素含有ガスが供給されるため、上述した（５）に準じた効果を得ることはできる。

［第４変更例］
・図１０が示すように、第４変更例では、基板Ｓの温度が、第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温された後に行われる金属含有ガスの供給と、酸素含有ガスの供給とが省略される。すなわち、第４変更例におけるタイミングＴ０からタイミングＴ６までの処理は、上述した実施形態におけるタイミングＴ０からタイミングＴ６までの処理と同様である。一方で、実施形態におけるタイミングＴ６以降に行われる処理が、第４変更例では省略される。

この場合であっても、基板Ｓに対して金属含有ガスが供給された後に基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温され、また、金属含有ガスが供給された後の基板Ｓに酸素含有ガスが供給されるため、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

なお、第４変更例によるように、基板Ｓに対する金属含有ガスの供給と、酸素含有ガスの供給とが一度ずつ行われる場合には、基板Ｓに対する金属含有ガスの供給の後に、基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温され、続いて、基板Ｓに対する酸素ガスの供給が行われてもよい。この場合であっても、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。

［その他の変更例］
・基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１に維持されている間に、基板Ｓに対する金属含有ガスの供給が複数回行われてもよい。また、基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温された後に、基板Ｓに対する金属含有ガスの供給が複数回行われてもよい。これらの場合に、最後に行われた金属含有ガスの供給よりも後に、基板Ｓに対する酸素含有ガスの供給が行われることが好ましい。

・基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１に維持されている間に、基板Ｓに対する酸素含有ガスの供給が複数回行われてもよい。また、基板Ｓの温度が第１温度Ｔｅｍ１から第２温度Ｔｅｍ２に昇温された後に、基板Ｓに対する酸素含有ガスの供給が複数回行われてもよい。

［基板処理装置］
・図１１が示すように、基板処理装置３０は、シャワープレート１２に接続された高周波電源３１を備えてもよい。この場合には、制御部１０Ｃは、酸素含有ガス供給部１７に酸素含有ガスを真空槽１１内に供給させる際に、高周波電源３１に高周波電力をシャワープレート１２に対して供給させることができる。これにより、シャワープレート１２の近傍において、酸素含有ガスからプラズマが生成される。基板処理装置３０では、プラズマ中に含まれるイオンが、シャワープレート１２を通過する際に、シャワープレート１２が有する貫通孔内においてラジカルよりも失活しやすい。そのため、ステージ１３が配置された空間には、ラジカルが、イオンよりも優先して供給される。そして、樹脂層２４に導入された金属原子は、ステージ１３に到達したラジカルによって酸化される。

なお、酸素含有ガス供給部１７が、酸素含有ガスとして酸素と窒素とを含むガスを真空槽１１内に供給する場合には、窒素を含むラジカルがステージ１３に到達する。そのため、樹脂層２４に導入された金属原子は、酸化されるとともに窒化される。これにより、炭素を含み、金属酸化物、金属窒化物、および、金属酸窒化物の少なくとも１つを含むマスク２４Ｍを形成することが可能である。

・図１２が示すように、基板処理装置４０は、マイクロ波源４１および放電管４２を備えてもよい。この場合には、酸素含有ガス供給部４３は、放電管４２に酸素含有ガスを供給する。マイクロ波源４１は、マイクロ波を励起し、励起したマイクロ波を酸素含有ガスが供給されている放電管４２に照射する。これにより、放電管４２において、酸素含有ガスからプラズマが生成される。放電管４２において生成されたプラズマは、シャワープレート１２が二分した空間のうち、ステージ１３が配置された空間に供給される。

なお、放電管４２において生成されたプラズマには、活性種としてイオンおよびラジカルが含まれる。しかしながら、イオンが活性に維持される時間は、ラジカルが活性に維持される時間よりも短いため、放電管４２から真空槽１１内に供給される間に、イオンが失活する可能性が高い。それゆえに、真空槽１１内には、ラジカルがイオンよりも優先して供給される。結果として、樹脂層２４に導入された金属原子は、ステージ１３に到達したラジカルによって酸化される。

なお、酸素含有ガス供給部１７が、酸素含有ガスとして酸素と窒素とを含むガスを真空槽１１内に供給する場合には、窒素を含むラジカルがステージ１３に到達する。そのため、樹脂層２４に導入された金属原子は、酸化されるとともに窒化される。これにより、炭素を含み、金属酸化物、金属窒化物、および、金属酸窒化物の少なくとも１つを含むマスク２４Ｍを形成することが可能である。

・基板処理装置１０，３０，４０は、マルチチャンバ式の基板処理システムが備える複数の装置のなかの１つの装置であってもよい。この場合には、基板処理システムは、例えば、搬送装置、搬入装置、搬出装置、基板処理装置１０，３０，４０、および、エッチング装置を備えることが可能である。基板処理システムにおいて、搬入装置、搬出装置、基板処理装置１０，３０，４０、および、エッチング装置の各々は、搬送装置に接続されている。基板処理システム内に搬入装置から搬入された基板Ｓは、搬送装置を介して１つの装置から他の装置に搬送される。

１０，３０，４０…基板処理装置、１０Ｃ…制御部、１１…真空槽、１２…シャワープレート、１３…ステージ、１４…加熱部、１５…排気部、１６…金属含有ガス供給部、１７，４３…酸素含有ガス供給部、２１…シリコン基板、２２…シリコン窒化膜、２３…シリコン酸化膜、２４…樹脂層、２４Ｍ…マスク、３１…高周波電源、４１…マイクロ波源、４２…放電管、Ｈ…貫通孔、Ｓ…基板、Ｓ１…ＳＯＧ層、Ｓ１ｈ…凹部、Ｓ２…ＰＭＭＡ層、Ｓ２Ｍ…マスク。

Claims (5)

1. 所定のパターンを有した樹脂層が形成され、シリコンを含む基板の温度を第１温度に昇温することと、
   前記第１温度に維持された前記基板に金属原子を含む金属含有ガスを供給して、前記金属原子を前記樹脂層に導入することと、
   前記金属原子が導入された前記樹脂層を有した前記基板の温度を前記第１温度から第２温度に昇温することと、
   前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温する前、および、前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温した後の少なくとも一方に、前記基板に酸素原子を含む酸素含有ガスを供給して、前記樹脂層に導入された前記金属原子を酸化することによって、炭素および金属酸化物を含むマスクを形成することと、を含む
   半導体装置の製造方法。
2. 前記第１温度は、５０℃以上１００℃未満の範囲に含まれるいずれかの温度であり、
   前記第２温度は、８０℃以上３００℃以下の範囲に含まれるいずれかの温度である
   請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記金属原子を前記樹脂層に導入することと、前記炭素および前記金属酸化物を含む前記マスクを形成することとの間に、前記金属含有ガスを排気することをさらに含む
   請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記金属含有ガスは、第１金属原子を含む第１金属含有ガスであり、
   基板の温度を第１温度から第２温度に昇温した後に、第２温度に維持された基板に第２金属原子を含む第２金属含有ガスを供給して、前記第２金属原子を前記樹脂層に導入することをさらに含む
   請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記炭素および前記金属酸化物を含む前記マスクを形成することは、前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温する前、および、前記基板の温度を前記第１温度から前記第２温度に昇温した後の両方において、前記基板に前記酸素含有ガスを供給する
   請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。

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