JP2020529739A5

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Publication number: JP2020529739A5
Application number: JP2020505880A
Authority: JP
Filing date: 2018-07-17
Publication date: 2021-09-30
Anticipated expiration: 2038-07-17

Description

したがって、実施形態例の開示は、以下の請求項およびそれらの等価物に記載される開示の範囲の例示を意図するものであるが、それらを限定するものではない。理解を深めるために、開示の実施形態例について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。以下の特許請求の範囲において、要素および／または工程は、請求項の中で特に言及せず、また、本開示によって暗に求められていない限り、全く特定の動作順序を示すものではない。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
プラズマチャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
前記プラズマチャンバ内で下部電極上に前記基板を受け入れる工程であって、前記基板は、フィーチャを形成するためにエッチングされる材料を有し、エッチングされる前記フィーチャの位置を規定するために、マスクが前記基板の上に提供されている、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、プラズマエッチング処理を用いて前記材料の第１エッチングを実行する工程であって、前記第１エッチングは、プラズマエッチングガスを用いて、前記材料内に第１深さまでフィーチャを形成する、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、前記マスクと、前記第１エッチング中に形成された前記フィーチャとの上に、共形パッシベーション膜を堆積させるために、原子層パッシベーション（ＡＬＰ）処理を実行する工程であって、前記ＡＬＰ処理は、
（ａ）前記マスクおよび前記フィーチャの上に或る量の前駆体をコーティングするために、液体前駆体の蒸気を前記プラズマチャンバ内に導入する工程と、
（ｂ）前記共形パッシベーション層の単原子層を形成するために、前記或る量の前駆体を硬化させる工程と、
（ｃ）前記プラズマチャンバから前記基板を取り出すことなしに、目標厚さを有する共形パッシベーション膜が形成されるまで、（ａ）において前記液体前駆体の前記蒸気を導入する工程および（ｂ）において前記或る量の前駆体を硬化させる工程を繰り返す工程と、を含む、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、前記プラズマエッチング処理を用いて前記材料の第２エッチングを実行する工程であって、前記第２エッチングは、プラズマエッチングガスを用いて、前記材料内に第２深さまでフィーチャを形成し、前記共形パッシベーション膜は、前記第２エッチング中に前記マスクと前記フィーチャの側壁とを保護するよう構成されている、工程と、
を備える、方法。
適用例２：
適用例１の方法であって、前記共形パッシベーション膜は、ａ）最小限のクリティカルディメンションロス、ｂ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のＣＤローディング、もしくは、ｃ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のプロファイルローディング、のいずれかで、前記第２深さまで前記フィーチャをエッチングすることを可能にするよう構成されている、方法。
適用例３：
適用例１の方法であって、液体前駆体の前記蒸気は、液体供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記プラズマエッチングガスは、エッチングガス供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記液体供給システムおよび前記エッチングガス供給システムは、前記材料の前記第１エッチングおよび第２エッチング中に前記プラズマエッチングガスを導入し、前記ＡＬＰ処理中に前記液体前駆体の前記蒸気を導入するように、コントローラによって制御されるマニホルドに接続されている、方法。
適用例４：
適用例１の方法であって、前記ＡＬＰ処理中に、前記或る量の前駆体を硬化させる工程は、プラズマフラッシュ処理を実行するために、酸素ガスと共に前記プラズマチャンバの電極に高周波（ＲＦ）電力を印加する工程を含み、前記プラズマフラッシュ処理は、約０．５秒〜約４秒の期間にわたって処理され、前記ＲＦ電力は、約２００ワット〜約３，０００ワットの電力レベルで印加される、方法。
適用例５：
適用例１の方法であって、前記ＡＬＰ処理中、工程（ａ）および（ｂ）の実行後に、前記プラズマチャンバのパージが実行され、工程（ａ）および（ｂ）が繰り返されるごとに、１回のＡＬＰサイクルが完了する、方法。
適用例６：
適用例４の方法であって、各ＡＬＰサイクルは、１つの単原子層を生成し、特定の目標厚さを有する共形膜が、特定の回数の前記ＡＬＰサイクルを実行することによって形成されうる、方法。
適用例７：
適用例１の方法であって、前記ＡＰＬ処理中、工程（ａ）および（ｂ）が繰り返されるごとに、前記共形パッシベーション膜の１つの単原子層が形成され、前記共形パッシベーション膜の厚さは、前記１つの単原子層または複数の単原子層によって規定される、方法。
適用例８：
適用例１の方法であって、さらに、
前記第２エッチングの後に、１または複数回のさらなるエッチングを実行する工程を備え、
それぞれのさらなるエッチングが実行される前に、それぞれの共形パッシベーション膜を形成するために、ＡＬＰ処理が実行され、
前記共形パッシベーション膜は、工程（ａ）および（ｂ）を複数回繰り返して前記共形パッシベーション膜の前記目標厚さに到達することによって規定される、方法。
適用例９：
適用例１の方法であって、前記共形パッシベーション膜は、前記フィーチャの前記側壁の材料の有意な量を消費することなしに、前記フィーチャの前記側壁と前記マスクとの上に堆積される、方法。
適用例１０：
適用例９の方法であって、エッチングされる前記材料は、シリコン、シリコンゲルマニウム、または、ゲルマニウムで構成され、前記共形パッシベーション膜は、前記フィーチャの前記側壁の材料の有意な量を消費せず、異なる材料の上に実質的に同質のパッシベーションを形成する、方法。
適用例１１：
適用例１の方法であって、前記ＡＬＰ処理中に、前記或る量の前駆体を硬化させる工程は、プラズマフラッシュ処理を実行するために、酸素ガスと共に前記プラズマチャンバの電極に高周波（ＲＦ）電力を印加する工程を含む、方法。
適用例１２：
プラズマ処理システムであって、
処理領域を含むチャンバと、
前記チャンバ内で前記処理領域の下に配置された下部電極と、
前記処理領域の上かつ前記下部電極の上方に配置された誘電体窓と、
前記処理領域に高周波（ＲＦ）電力を供給するために前記誘電体窓の上方に配置されたコイルと、
前記下部電極の上に配置された時に基板の材料の第１エッチングを実行してフィーチャを形成するために用いられる１または複数のガス源に接続されたエッチングガス供給システムであって、マニホルドに接続された出力を有する、エッチングガス供給システムと、
液体前駆体源と、前記液体前駆体源に接続された液体流量コントローラと、前記液体流量コントローラに接続された蒸発器と、を備えた液体供給システムであって、前記液体供給システムは、前記マニホルドに接続された出力を有し、前記マニホルドは、コントローラによって制御される、液体供給システムと、
を備え、
前記コントローラは、前記第１エッチングを実行するために、前記エッチングガス供給システムを作動させるよう構成され、前記第１エッチングの後に原子層パッシベーション（ＡＬＰ）処理を実行して、前記第１エッチング中に形成された前記フィーチャを共形パッシベーション膜でコーティングするために、少なくとも前記液体供給システムを作動させるよう構成され、前記ＡＬＰ処理は、１または複数回完了され、各回に、前記共形パッシベーション膜の１つの単原子層が形成され、
前記コントローラは、前記フィーチャの第２エッチングを実行するために、前記エッチングガス供給システムを作動させるよう構成され、前記共形パッシベーション膜は、前記第２エッチング中にマスクと前記フィーチャの側壁とを保護するよう構成されている、プラズマ処理システム。
適用例１３：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、前記共形パッシベーション膜は、ａ）最小限のクリティカルディメンションロス、ｂ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のＣＤローディング、もしくは、ｃ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のプロファイルローディング、のいずれかで、第２深さまで前記フィーチャをエッチングすることを可能にするよう構成されている、プラズマ処理システム。
適用例１４：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、前記ＡＬＰ処理中に、前記コントローラは、前記液体流量コントローラおよび前記蒸発器を作動させ、次いで、前記蒸発器によって生成されて前記フィーチャ上に塗布された或る量の前駆体を硬化させるために、前記コイルに前記ＲＦ電力を印加するよう構成され、前記ＲＦ電力は、酸素ガスと共に印加される、プラズマ処理システム。
適用例１５：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、前記チャンバは、真空システムを備え、前記真空システムは、前記ＡＬＰ処理が完了した各回の後に、前記コントローラによって作動される、プラズマ処理システム。
適用例１６：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、バイアス電力が、前記第１エッチングおよび第２エッチング中、ならびに、前記蒸発器によって生成されて前記フィーチャ上に塗布された或る量の前駆体の硬化中に、前記下部電極に結合され、前記バイアス電力は、前記第１エッチング、前記第２エッチング、および、前記ＡＬＰ処理を処理するために前記コントローラに結合される、プラズマ処理システム。
適用例１７：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、インジェクタが、前記誘電体窓に配置され、前記インジェクタは、前記マニホルドの出力を前記チャンバに接続する経路を提供する、プラズマ処理システム。
適用例１８：
適用例１７のプラズマ処理システムであって、１または複数のサイドインジェクタが、前記チャンバの側壁に配置され、前記１または複数のサイドインジェクタは、前記マニホルドの出力１または複数の経路に接続されている、プラズマ処理システム。
適用例１９：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、前記マニホルドは、前記第１エッチングおよび前記第２エッチング中に供給されるガスならびに前記ＡＬＰ処理中に供給される蒸気を切り替えるための複数のバルブを備える、プラズマ処理システム。
適用例２０：
適用例１２のプラズマ処理システムであって、前記第１エッチング、前記第２エッチング、および、前記ＡＬＰ処理は、前記第２エッチング中に前記フィーチャの前記側壁を保護する前記共形パッシベーション膜を形成するために、前記チャンバから前記基板を取り出すことなしに、前記チャンバ内で実行される、プラズマ処理システム。
適用例２１：
プラズマチャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
前記プラズマチャンバ内で下部電極上に前記基板を受け入れる工程であって、前記基板は、フィーチャを形成するためにエッチングされる材料を有し、エッチングされる前記フィーチャの位置を規定するために、マスクが前記基板の上に提供されている、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、プラズマエッチング処理を用いて前記材料の第１エッチングを実行する工程であって、前記第１エッチングは、プラズマエッチングガスを用いて、前記材料内に第１深さまでフィーチャを形成する、工程と、
前記プラズマチャンバから前記基板を取り出すことなしに前記プラズマチャンバ内で、前記マスクと、前記第１エッチング中に形成された前記フィーチャとの上に、共形パッシベーション膜を堆積させるために、原子層パッシベーション（ＡＬＰ）処理を実行する工程であって、前記ＡＬＰ処理は、液体前駆体からの蒸気を用いて、前記フィーチャおよび前記マスクの上に共形パッシベーション膜を形成する、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、前記プラズマエッチング処理を用いて前記材料内に第２深さまで前記フィーチャを形成する前記材料の第２エッチングを実行する工程であって、前記共形パッシベーション膜は、前記第２エッチング中に前記マスクと前記フィーチャの側壁とを保護するよう構成されている、工程と、
を備える、方法。
適用例２２：
適用例２１の方法であって、前記共形パッシベーション膜は、ａ）最小限のクリティカルディメンションロス、ｂ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のＣＤローディング、もしくは、ｃ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のプロファイルローディング、のいずれかで、前記第２深さまで前記フィーチャをエッチングすることを可能にするよう構成されている、方法。
適用例２３：
適用例２１の方法であって、前記ＡＬＰ処理は、
（ａ）前記マスクおよび前記フィーチャの上に或る量の前駆体をコーティングするために、前記液体前駆体の前記蒸気を前記プラズマチャンバ内に導入する工程と、
（ｂ）前記共形パッシベーション層の原子層を形成するために、前記或る量の前駆体を硬化させる工程と、
（ｃ）目標厚さを有する共形パッシベーション膜が形成されるまで、（ａ）において前記液体前駆体の前記蒸気を導入する工程および（ｂ）において前記或る量の前駆体を硬化させる工程を繰り返す工程と、
を含む、方法。
適用例２４：
適用例２１の方法であって、液体前駆体の前記蒸気は、液体供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記プラズマエッチングガスは、エッチングガス供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記液体供給システムおよび前記エッチングガス供給システムは、前記材料の前記第１エッチングおよび前記第２エッチング中に前記プラズマエッチングガスを導入し、前記ＡＬＰ処理中に前記液体前駆体の前記蒸気を導入するように、コントローラによって制御されるマニホルドに接続されている、方法。
適用例２５：
適用例２３の方法であって、前記ＡＬＰ処理中、工程（ａ）および（ｂ）の実行後に、前記プラズマチャンバのパージが実行され、工程（ａ）および（ｂ）が繰り返されるごとに、１回のＡＬＰサイクルが完了する、方法。
適用例２６：
適用例２５の方法であって、各ＡＬＰサイクルは、１つの単原子層を生成し、特定の目標厚さを有する共形膜が、特定の回数の前記ＡＬＰサイクルを実行することによって、異なる材料および異なるアスペクト比において実質的に同じ厚さおよび実質的に同じ質で形成されうる、方法。
適用例２７：
適用例２３の方法であって、前記ＡＬＰ処理中、工程（ａ）および（ｂ）が繰り返されるごとに、前記共形パッシベーション膜の１つの単原子層が形成され、前記共形パッシベーション膜の厚さは、前記１つの単原子層または複数の単原子層によって規定される、方法。

Claims

プラズマチャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
前記プラズマチャンバ内で下部電極上に前記基板を受け入れる工程であって、前記基板は、フィーチャを形成するためにエッチングされる材料を有し、エッチングされる前記フィーチャの位置を規定するために、マスクが前記基板の上に提供されている、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、プラズマエッチング処理を用いて前記材料の第１エッチングを実行する工程であって、前記第１エッチングは、プラズマエッチングガスを用いて、前記材料内に第１深さまでフィーチャを形成する、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、前記マスクと、前記第１エッチング中に形成された前記フィーチャとの上に、共形パッシベーション膜を堆積させるために、原子層パッシベーション（ＡＬＰ）処理を実行する工程であって、前記ＡＬＰ処理は、
（ａ）前記マスクおよび前記フィーチャを前駆体でコーティングするために、シリコンを含む前記前駆体の蒸気を前記プラズマチャンバ内に導入する工程と、
（ｂ）前記マスクおよび前記フィーチャの上にコーティングされた前記前駆体の存在下で、前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程であって、前記プラズマは、酸素ガスおよびＲＦ電力を用いて生成され、前記プラズマは、前記前駆体を硬化させて前記共形パッシベーション膜の第１単原子層を形成させる工程と、
（ｃ）前記共形パッシベーション膜の前記第１単原子層を前記前駆体でコーティングするために、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を前記プラズマチャンバに導入する工程と、
（ｄ）第１単原子層の上にコーティングされた前記前駆体の存在下で、前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程であって、前記プラズマは、前記酸素ガスおよび前記ＲＦ電力を用いて生成され、前記プラズマは、前記前駆体を硬化させて前記共形パッシベーション膜の第２単原子層を形成させる工程と、を備え、
前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記プラズマを生成する工程は、前記プラズマエッチング処理を用いて前記材料の第２エッチングを実行する工程であって、前記第２エッチングは、プラズマエッチングガスを用いて、前記材料内に第２深さまでフィーチャを形成し、前記共形パッシベーション膜は、前記第２エッチング中に前記マスクと前記フィーチャの側壁とを保護するよう構成されている、工程の前に、第３単原子層またはより多くの単原子層を形成するために、前記共形パッシベーション膜が目標厚さを有するまで繰り返される、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記共形パッシベーション膜は、ａ）最小限のクリティカルディメンションロス、ｂ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のＣＤローディング、もしくは、ｃ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のプロファイルローディング、のいずれかで、前記第２深さまで前記フィーチャをエッチングすることを可能にするよう構成されている、方法。
請求項１に記載の方法であって、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気は、液体供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記プラズマエッチングガスは、エッチングガス供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記液体供給システムおよび前記エッチングガス供給システムは、前記材料の前記第１エッチングおよび第２エッチング中に前記プラズマエッチングガスを導入し、前記ＡＬＰ処理中に前記前駆体の前記蒸気を導入するように、コントローラによって制御されるマニホルドに接続されている、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記ＡＬＰ処理中、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記前駆体の存在下で前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程の実行後に、前記プラズマチャンバのパージが実行され、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記前駆体の存在下で前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程が繰り返されるごとに、１回のＡＬＰサイクルが完了する、方法。
請求項１に記載の方法であって、各ＡＬＰサイクルは、１つの単原子層を生成し、特定の目標厚さを有する共形膜が、特定の回数の前記ＡＬＰサイクルを実行することによって形成されうる、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記ＡＬＰ処理中、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記前駆体の存在下で前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程が繰り返されるごとに、前記共形パッシベーション膜の１つの単原子層が形成され、前記共形パッシベーション膜の厚さは、前記１つの単原子層または複数の単原子層によって規定される、方法。
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記第２エッチングの後に、１または複数回のさらなるエッチングを実行する工程を備え、
それぞれのさらなるエッチングが実行される前に、それぞれの共形パッシベーション膜を形成するために、ＡＬＰ処理が実行され、
前記共形パッシベーション膜は、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記前駆体の存在下で前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程を複数回繰り返して前記共形パッシベーション膜の前記目標厚さに到達することによって規定される、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記共形パッシベーション膜は、前記フィーチャの前記側壁の材料の有意な量を消費することなしに、前記フィーチャの前記側壁と前記マスクとの上に堆積される、方法。
請求項８に記載の方法であって、エッチングされる前記材料は、シリコン、シリコンゲルマニウム、または、ゲルマニウムで構成され、前記共形パッシベーション膜は、前記フィーチャの前記側壁の材料の有意な量を消費せず、異なる材料の上に実質的に同質のパッシベーションを形成する、方法。
プラズマ処理システムであって、
処理領域を含むチャンバと、
前記チャンバ内で前記処理領域の下に配置された下部電極と、
前記処理領域の上かつ前記下部電極の上方に配置された誘電体窓と、
前記処理領域に高周波（ＲＦ）電力を供給するために前記誘電体窓の上方に配置されたコイルと、
前記下部電極の上に配置された時に基板の材料の第１エッチングを実行してフィーチャを形成するために用いられる１または複数のガス源に接続されたエッチングガス供給システムであって、マニホルドに接続された出力を有する、エッチングガス供給システムと、
液体前駆体源と、前記液体前駆体源に接続された液体流量コントローラと、前記液体流量コントローラに接続された蒸発器と、を備えた液体供給システムであって、前記液体供給システムは、前記マニホルドに接続された出力を有し、前記マニホルドは、コントローラによって制御される、液体供給システムと、
を備え、
前記コントローラは、前記第１エッチングを実行するために、前記エッチングガス供給システムを作動させるよう構成され、前記第１エッチングの後に原子層パッシベーション（ＡＬＰ）処理を実行して、前記第１エッチング中に形成された前記フィーチャを共形パッシベーション膜でコーティングするために、少なくとも前記液体供給システムを作動させるよう構成され、前記ＡＬＰ処理は、１または複数回完了され、各回に、前記共形パッシベーション膜の１つの単原子層が形成され、
前記コントローラは、前記フィーチャの第２エッチングを実行するために、前記エッチングガス供給システムを作動させるよう構成され、前記共形パッシベーション膜は、前記第２エッチング中にマスクと前記フィーチャの側壁とを保護するよう構成されている、プラズマ処理システム。
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記共形パッシベーション膜は、ａ）最小限のクリティカルディメンションロス、ｂ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のＣＤローディング、もしくは、ｃ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のプロファイルローディング、のいずれかで、第２深さまで前記フィーチャをエッチングすることを可能にするよう構成されている、プラズマ処理システム。
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記ＡＬＰ処理中に、前記コントローラは、前記液体流量コントローラおよび前記蒸発器を作動させ、次いで、前記蒸発器によって生成されて前記フィーチャ上に塗布された或る量の前駆体を硬化させるために、前記コイルに前記ＲＦ電力を印加するよう構成され、前記ＲＦ電力は、酸素ガスと共に印加される、プラズマ処理システム。
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記チャンバは、真空システムを備え、前記真空システムは、前記ＡＬＰ処理が完了した各回の後に、前記コントローラによって作動される、プラズマ処理システム。
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、バイアス電力が、前記第１エッチングおよび第２エッチング中、ならびに、前記蒸発器によって生成されて前記フィーチャ上に塗布された或る量の前駆体の硬化中に、前記下部電極に結合され、前記バイアス電力は、前記第１エッチング、前記第２エッチング、および、前記ＡＬＰ処理を処理するために前記コントローラに結合される、プラズマ処理システム。
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、インジェクタが、前記誘電体窓に配置され、前記インジェクタは、前記マニホルドの出力を前記チャンバに接続する経路を提供する、プラズマ処理システム。
請求項１５に記載のプラズマ処理システムであって、１または複数のサイドインジェクタが、前記チャンバの側壁に配置され、前記１または複数のサイドインジェクタは、前記マニホルドの出力１または複数の経路に接続されている、プラズマ処理システム。
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記マニホルドは、前記第１エッチングおよび前記第２エッチング中に供給されるガスならびに前記ＡＬＰ処理中に供給される蒸気を切り替えるための複数のバルブを備える、プラズマ処理システム。
請求項１０に記載のプラズマ処理システムであって、前記第１エッチング、前記第２エッチング、および、前記ＡＬＰ処理は、前記第２エッチング中に前記フィーチャの前記側壁を保護する前記共形パッシベーション膜を形成するために、前記チャンバから前記基板を取り出すことなしに、前記チャンバ内で実行される、プラズマ処理システム。
プラズマチャンバ内で基板をエッチングするための方法であって、
前記プラズマチャンバ内で下部電極上に前記基板を受け入れる工程であって、前記基板は、フィーチャを形成するためにエッチングされる材料を有し、エッチングされる前記フィーチャの位置を規定するために、マスクが前記基板の上に提供されている、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、プラズマエッチング処理を用いて前記材料の第１エッチングを実行する工程であって、前記第１エッチングは、プラズマエッチングガスを用いて、前記材料内に第１深さまでフィーチャを形成する、工程と、
前記プラズマチャンバ内で、前記マスクと、前記第１エッチング中に形成された前記フィーチャとの上に、共形パッシベーション膜を堆積させるために、原子層パッシベーション（ＡＬＰ）処理を実行する工程であって、前記ＡＬＰ処理は、
（ａ）前記フィーチャおよび前記マスクを前駆体でコーティングするために、シリコンを含む前記前駆体の蒸気を前記プラズマチャンバに導入する工程と、
（ｂ）前記プラズマチャンバ内でＯ ₂ プラズマフラッシュ処理を用いる工程であって、前記Ｏ ₂ プラズマフラッシュ処理は、前記フィーチャおよび前記マスクの上にコーティングされた前記前駆体の存在下で、前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程を含み、前記プラズマは、酸素ガスおよびＲＦ電力を用いて生成され、前記プラズマは、前記前駆体を硬化させて前記共形パッシベーション膜の第１単原子層を形成させる工程と、
（ｃ）前記共形パッシベーション膜の前記第１単原子層を前記前駆体でコーティングするために、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を前記プラズマチャンバに導入する工程と、
（ｄ）前記プラズマチャンバ内でＯ ₂ プラズマフラッシュ処理を用いる工程であって、前記Ｏ ₂ プラズマフラッシュ処理は、前記共形パッシベーション膜の前記第１単原子層の上にコーティングされた前記前駆体の存在下で、前記プラズマチャンバ内でプラズマを生成する工程を含み、前記プラズマは、酸素ガスおよびＲＦ電力を用いて生成され、前記プラズマは、前記前駆体を硬化させて前記共形パッシベーション膜の第２単原子層を形成させる工程と、を含む工程と、
前記プラズマチャンバ内で、前記プラズマエッチング処理を用いて前記材料内に第２深さまで前記フィーチャを形成する前記材料の第２エッチングを実行する工程であって、前記共形パッシベーション膜は、前記第２エッチング中に前記マスクと前記フィーチャの側壁とを保護するよう構成されている、工程と、
を備える、方法。
請求項１９に記載の方法であって、前記共形パッシベーション膜は、ａ）最小限のクリティカルディメンションロス、ｂ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のＣＤローディング、もしくは、ｃ）異なる材料の間および異なるアスペクト比の間の最小限のプロファイルローディング、のいずれかで、前記第２深さまで前記フィーチャをエッチングすることを可能にするよう構成されている、方法。
請求項１９に記載の方法であって、前記ＡＬＰ処理は、さらに、
（ｅ）目標厚さを有する共形パッシベーション膜が形成されるまで、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記Ｏ ₂ プラズマフラッシュ処理を用いる工程を繰り返す工程と、
を含む、方法。
請求項１９に記載の方法であって、シリコンを含む前駆体の前記蒸気は、液体供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記プラズマエッチングガスは、エッチングガス供給システムを用いて前記プラズマチャンバ内に導入され、前記液体供給システムおよび前記エッチングガス供給システムは、前記材料の前記第１エッチングおよび前記第２エッチング中に前記プラズマエッチングガスを導入し、前記ＡＬＰ処理中にシリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入するように、コントローラによって制御されるマニホルドに接続されている、方法。
請求項２１に記載の方法であって、前記ＡＬＰ処理中、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記Ｏ ₂ プラズマフラッシュ処理を用いる工程の実行後に、前記プラズマチャンバのパージが実行され、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記Ｏ ₂ プラズマフラッシュ処理を用いる工程が繰り返されるごとに、１回のＡＬＰサイクルが完了する、方法。
請求項２３に記載の方法であって、各ＡＬＰサイクルは、１つの単原子層を生成し、特定の目標厚さを有する共形膜が、特定の回数の前記ＡＬＰサイクルを実行することによって、異なる材料および異なるアスペクト比において実質的に同じ厚さおよび実質的に同じ質で形成されうる、方法。
請求項２１に記載の方法であって、前記ＡＬＰ処理中、シリコンを含む前記前駆体の前記蒸気を導入する工程および前記Ｏ ₂ プラズマフラッシュ処理を用いる工程が繰り返されるごとに、前記共形パッシベーション膜の１つの単原子層が形成され、前記共形パッシベーション膜の厚さは、前記１つの単原子層または複数の単原子層によって規定される、方法。