JP2007095264A - 共有ビットライン感知増幅器構造を有する半導体メモリ素子及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】接続されたビットライン対に載せられたデータを増幅するビットライン感知増幅手段と、上部ビットライン分離信号に応答し、前記ビットライン感知増幅手段と上部セルアレイのビットライン対とを選択的に分離する上部ビットライン分離手段と、下部ビットライン分離信号に応答し、前記ビットライン感知増幅手段と下部セルアレイのビットライン対とを選択的に分離する下部ビットライン分離手段と、前記下部ビットライン分離信号に応答し、前記上部セルアレイのビットライン対を等化する上部ビットライン等化手段と、前記上部ビットライン分離信号に応答し、前記下部セルアレイのビットライン対を等化する下部ビットライン等化手段とを備える。
【選択図】図3
Description
42 上部ビットライン分離手段
44 カラム選択手段
46 下部ビットライン分離手段
48 下部ビットライン等化手段
BLSA ビットライン感知増幅器
VBLP ビットラインプリチャージ電圧
BLEQ ビットライン等化信号
BISH、BISL ビットライン分離信号
Claims (13)
- 接続されたビットライン対に載せられたデータを増幅するビットライン感知増幅手段と、
上部ビットライン分離信号に応答し、前記ビットライン感知増幅手段と上部セルアレイのビットライン対とを選択的に分離する上部ビットライン分離手段と、
下部ビットライン分離信号に応答し、前記ビットライン感知増幅手段と下部セルアレイのビットライン対とを選択的に分離する下部ビットライン分離手段と、
前記下部ビットライン分離信号に応答し、前記上部セルアレイのビットライン対を等化する上部ビットライン等化手段と、
前記上部ビットライン分離信号に応答し、前記下部セルアレイのビットライン対を等化する下部ビットライン等化手段と
を備えたことを特徴とする半導体メモリ素子。 - カラム選択信号に応答し、接続されたビットライン対とセグメントデータバス対とを選択的に接続するカラム選択手段をさらに備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。
- 前記上部ビットライン分離手段が、
前記上部ビットライン分離信号をゲート入力とし、前記上部セルアレイのビットライン対と前記ビットライン感知増幅手段とを接続/分離するための第1及び第2NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。 - 前記下部ビットライン分離手段が、
前記下部ビットライン分離信号をゲート入力とし、前記下部セルアレイのビットライン対と前記ビットライン感知増幅手段とを接続/分離するための第3及び第4NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ素子。 - 前記下部ビットライン分離信号が、前記上部セルアレイに対応する第1ブロック選択信号を入力とする下部ビットライン分離信号生成部から生成され、前記上部ビットライン分離信号が、前記下部セルアレイに対応する第2ブロック選択信号を入力とする上部ビットライン分離信号生成部から生成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。
- 前記下部ビットライン分離信号生成部が、
前記第1ブロック選択信号を反転させる第1インバータと、
前記第1インバータの出力信号のアクティブレベルを高めるための第1レベルシフト部と
を備えることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ素子。 - 前記上部ビットライン分離信号生成部が、
前記第2ブロック選択信号を反転させる第2インバータと、
前記第2インバータの出力信号のアクティブレベルを高めるための第2レベルシフト部と
を備えたことを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ素子。 - 前記第1及び第2レベルシフト部それぞれが、
昇圧電源端VPPにそれぞれのソースが接続し、それぞれのゲートが互いのドレインにクロス接続された第1及び第2PMOSトランジスタと、
前記第1PMOSトランジスタのドレインにそのドレインが接続され、入力端にそのソースが接続され、電源電圧をゲート入力とする第1NMOSトランジスタと、
前記第2PMOSトランジスタのドレインにそのドレインが接続され、接地電圧端にそのソースが接続され、前記入力端にそのゲートが接続された第2NMOSトランジスタと、
前記第2PMOSトランジスタのドレインに接続された第3インバータと
を備えたことを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ素子。 - 前記上部ビットライン等化手段が、
前記下部ビットライン分離信号をゲート入力とし、前記上部セルアレイのビットライン対の間に接続された第1NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。 - 前記下部ビットライン等化手段が、
前記上部ビットライン分離信号をゲート入力とし、前記下部セルアレイのビットライン対の間に接続された第1NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。 - 前記上部/下部ビットライン等化手段が、
前記下部/上部ビットライン分離信号をゲート入力とし、ビットラインプリチャージ電圧と前記上部/下部セルアレイのビットライン対との間に接続された第1及び第2NMOSトランジスタを備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。 - 前記上部/下部ビットライン等化手段が、
前記下部/上部ビットライン分離信号をゲート入力とし、前記上部/下部セルアレイのビットライン対の間に接続された第1NMOSトランジスタと、
前記下部/上部ビットライン分離信号をゲート入力とし、ビットラインプリチャージ電圧と前記上部/下部セルアレイのビットライン対との間に接続された第2及び第3NMOSトランジスタと
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ素子。 - 接続されたビットライン対に載せられたデータを増幅するステップと、
上部ビットライン分離信号に応答し、ビットライン感知増幅器と上部セルアレイのビットライン対とを選択的に分離するステップと、
下部ビットライン分離信号に応答し、前記ビットライン感知増幅器と下部セルアレイのビットライン対とを選択的に分離するステップと、
前記下部ビットライン分離信号に応答し、前記上部セルアレイのビットライン対を等化するステップと、
前記上部ビットライン分離信号に応答し、前記下部セルアレイのビットライン対を等化するステップと
を含むことを特徴とする半導体メモリ素子の駆動方法。
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KR20160069147A (ko) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 감지 증폭기 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1186529A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-30 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置の駆動方法及び半導体記憶装置 |
JPH11162162A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体メモリ装置のセルアレイ制御装置及びそれを有する半導体メモリ装置 |
JP2000298984A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2002157884A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
Family Cites Families (14)
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---|---|---|---|---|
US4351034A (en) * | 1980-10-10 | 1982-09-21 | Inmos Corporation | Folded bit line-shared sense amplifiers |
US4701937A (en) * | 1985-05-13 | 1987-10-20 | Industrial Technology Research Institute Republic Of China | Signal storage and replay system |
US5276641A (en) * | 1991-12-12 | 1994-01-04 | International Business Machines Corporation | Hybrid open folded sense amplifier architecture for a memory device |
JP2877083B2 (ja) * | 1996-06-27 | 1999-03-31 | 日本電気株式会社 | 回路設計の最適化装置 |
JP2000057766A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 昇圧電圧駆動回路およびそれを用いた半導体記憶装置 |
US6104653A (en) * | 1999-02-13 | 2000-08-15 | Integrated Device Technology, Inc. | Equilibration circuit and method using a pulsed equilibrate signal and a level equilibrate signal |
US6198682B1 (en) * | 1999-02-13 | 2001-03-06 | Integrated Device Technology, Inc. | Hierarchical dynamic memory array architecture using read amplifiers separate from bit line sense amplifiers |
US6479851B1 (en) * | 2000-05-16 | 2002-11-12 | Hynix Semiconductor, Inc. | Memory device with divided bit-line architecture |
JP2002015565A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002025251A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
KR100393224B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 비트라인 쌍들의 부하를 차단하는 회로를 구비하는 반도체메모리장치 |
KR100393225B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-07-31 | 삼성전자주식회사 | 이중 전원전압를 사용하는 비트라인 센스증폭기를구비하는 반도체 메모리장치 |
JP2005135458A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
KR100706232B1 (ko) * | 2004-07-08 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 결함 셀을 스크린할 수 있는 반도체 메모리 장치 및스크린 방법 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1186529A (ja) * | 1997-09-09 | 1999-03-30 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置の駆動方法及び半導体記憶装置 |
JPH11162162A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体メモリ装置のセルアレイ制御装置及びそれを有する半導体メモリ装置 |
JP2000298984A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2002157884A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-31 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
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