JP2007072452A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007072452A5
JP2007072452A5 JP2006216585A JP2006216585A JP2007072452A5 JP 2007072452 A5 JP2007072452 A5 JP 2007072452A5 JP 2006216585 A JP2006216585 A JP 2006216585A JP 2006216585 A JP2006216585 A JP 2006216585A JP 2007072452 A5 JP2007072452 A5 JP 2007072452A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
forming
gate electrode
resist pattern
semi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006216585A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5110821B2 (ja
JP2007072452A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006216585A priority Critical patent/JP5110821B2/ja
Priority claimed from JP2006216585A external-priority patent/JP5110821B2/ja
Publication of JP2007072452A publication Critical patent/JP2007072452A/ja
Publication of JP2007072452A5 publication Critical patent/JP2007072452A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5110821B2 publication Critical patent/JP5110821B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006216585A 2005-08-12 2006-08-09 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5110821B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006216585A JP5110821B2 (ja) 2005-08-12 2006-08-09 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005234791 2005-08-12
JP2005234791 2005-08-12
JP2006216585A JP5110821B2 (ja) 2005-08-12 2006-08-09 半導体装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007072452A JP2007072452A (ja) 2007-03-22
JP2007072452A5 true JP2007072452A5 (enExample) 2009-09-17
JP5110821B2 JP5110821B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=37933897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006216585A Expired - Fee Related JP5110821B2 (ja) 2005-08-12 2006-08-09 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5110821B2 (enExample)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5220100B2 (ja) * 2007-05-11 2013-06-26 エルジーイノテック株式会社 複数の半透過部を備えたハーフトーンマスク及びその製造方法
CN101382728B (zh) * 2007-09-07 2010-07-28 北京京东方光电科技有限公司 灰阶掩膜版结构
CN101387825B (zh) * 2007-09-10 2011-04-06 北京京东方光电科技有限公司 补偿型灰阶掩膜版结构
JP4930324B2 (ja) 2007-10-29 2012-05-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2009128558A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Hoya Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法
JP5369501B2 (ja) * 2008-06-04 2013-12-18 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
TW201030451A (en) * 2008-09-30 2010-08-16 Hoya Corp Multi-tone photomask and method of manufacturing the same
JP4811520B2 (ja) 2009-02-20 2011-11-09 住友金属鉱山株式会社 半導体装置用基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置用基板及び半導体装置
KR101669929B1 (ko) * 2010-06-10 2016-10-28 엘지디스플레이 주식회사 노광 마스크 및 이를 이용하여 패터닝되어 제조된 내로우 베젤의 씨오지 타입 액정표시장치
KR101794355B1 (ko) * 2011-06-23 2017-11-07 엘지디스플레이 주식회사 포토 마스크 및 이를 이용한 표시기판의 제조방법
JP6173049B2 (ja) * 2013-06-04 2017-08-02 三菱電機株式会社 表示パネル及びその製造方法、並びに、液晶表示パネル
WO2019082380A1 (ja) * 2017-10-27 2019-05-02 シャープ株式会社 グレイトーンマスク
WO2020174605A1 (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4954401B2 (ja) * 2000-08-11 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP2002131885A (ja) * 2000-10-23 2002-05-09 Hoya Corp グレートーンマスクの描画方法、及びグレートーンマスクの製造方法
JP2002217419A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板とその製法
JP4210166B2 (ja) * 2003-06-30 2009-01-14 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの製造方法
JP4393290B2 (ja) * 2003-06-30 2010-01-06 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
JP2005010814A (ja) * 2004-10-01 2005-01-13 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI674662B (zh) 陣列基板的製造方法
JP2007072452A5 (enExample)
TW200745740A (en) Mask pattern generating method
JP2009124123A5 (enExample)
JP4221314B2 (ja) 薄膜トランジスタとそれを用いた液晶表示装置およびその薄膜トランジスタの製造方法
JP2011091279A5 (enExample)
WO2014205997A1 (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
JP2009124122A5 (enExample)
TW201622158A (zh) 薄膜電晶體以及其製作方法
JP2011090344A5 (enExample)
KR101051586B1 (ko) 2개의 포토 마스크를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
WO2016192476A1 (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
TWI578546B (zh) 薄膜電晶體的製造方法
WO2014205987A1 (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
CN106847702B (zh) 一种漏极轻偏移结构的制备方法
KR102867884B1 (ko) 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN102655116B (zh) 阵列基板的制造方法
WO2014153866A1 (zh) 一种掩膜板及其制造方法
TWI424507B (zh) 薄膜電晶體陣列基板的製造方法
JP2007072451A5 (enExample)
TW200941545A (en) Method for patterning photoresist layer
TWI559549B (zh) 薄膜電晶體及其製作方法
JP2007173307A5 (enExample)
CN106449376A (zh) Cmos图像传感器深p型阱层的光刻工艺方法
WO2016078134A1 (zh) 薄膜晶体管的制造方法