JP2007173307A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007173307A5 JP2007173307A5 JP2005364933A JP2005364933A JP2007173307A5 JP 2007173307 A5 JP2007173307 A5 JP 2007173307A5 JP 2005364933 A JP2005364933 A JP 2005364933A JP 2005364933 A JP2005364933 A JP 2005364933A JP 2007173307 A5 JP2007173307 A5 JP 2007173307A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- semiconductor layer
- thin film
- film transistor
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005364933A JP5111758B2 (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | 薄膜トランジスタ |
| KR1020060030539A KR101201330B1 (ko) | 2005-12-19 | 2006-04-04 | 박막트랜지스터 및 그의 제조방법 및 이를 이용한액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005364933A JP5111758B2 (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | 薄膜トランジスタ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007173307A JP2007173307A (ja) | 2007-07-05 |
| JP2007173307A5 true JP2007173307A5 (enExample) | 2009-02-05 |
| JP5111758B2 JP5111758B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=38299504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005364933A Expired - Fee Related JP5111758B2 (ja) | 2005-12-19 | 2005-12-19 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5111758B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101201330B1 (enExample) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101801540B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
| WO2011048923A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | E-book reader |
| KR102162746B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
| KR101773641B1 (ko) | 2010-01-22 | 2017-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| CN102292816B (zh) * | 2010-04-13 | 2015-01-14 | 松下电器产业株式会社 | 有机半导体装置及其制造方法 |
| KR102101167B1 (ko) * | 2012-02-03 | 2020-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| TWI493724B (zh) * | 2012-03-01 | 2015-07-21 | E Ink Holdings Inc | 半導體元件 |
| CN102790056B (zh) | 2012-08-13 | 2014-12-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、goa单元制作方法及显示装置 |
| CN106684125B (zh) * | 2015-11-05 | 2020-05-08 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
| CN108447871B (zh) | 2018-03-13 | 2020-12-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素单元及其制作方法、显示装置 |
| KR102576214B1 (ko) | 2018-06-28 | 2023-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 배선 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20210085218A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 표시패널 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6482674A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
| WO2003092077A2 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | E Ink Corporation | Electronic displays |
| JP2004087682A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置 |
| JP4887646B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-02-29 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法並びに薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ |
| JP5116251B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2005
- 2005-12-19 JP JP2005364933A patent/JP5111758B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-04-04 KR KR1020060030539A patent/KR101201330B1/ko not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103151304B (zh) | 显示面板的阵列基板及其制作方法 | |
| US8853066B2 (en) | Method for manufacturing pixel structure | |
| CN108538860B (zh) | 顶栅型非晶硅tft基板的制作方法 | |
| CN102881571B (zh) | 有源层离子注入方法及薄膜晶体管有源层离子注入方法 | |
| JP2007173307A5 (enExample) | ||
| JP2003045893A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法及び素子の形成方法 | |
| US20180212061A1 (en) | Dual gate oxide thin-film transistor and manufacturing method for the same | |
| CN102983135B (zh) | 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法 | |
| WO2016206236A1 (zh) | 低温多晶硅背板及其制造方法和发光器件 | |
| CN103811503A (zh) | 阵列基板及制备方法、显示面板 | |
| CN103199060A (zh) | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及显示装置 | |
| CN100578761C (zh) | 薄膜晶体管阵列基板制造方法 | |
| CN105118808A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法 | |
| CN108962948A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法 | |
| CN105742240A (zh) | 一种ltps阵列基板的制造方法 | |
| CN100511653C (zh) | 薄膜晶体管及其应用的显示元件的制造方法 | |
| JP6110412B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 | |
| CN103117224A (zh) | 一种薄膜晶体管和阵列基板的制作方法 | |
| WO2021026990A1 (zh) | 一种阵列基板及其制作方法 | |
| CN102655116B (zh) | 阵列基板的制造方法 | |
| WO2013155843A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法和液晶显示面板 | |
| CN105552026B (zh) | Tft阵列基板上teg测试键的制作方法 | |
| CN100593870C (zh) | 有机薄膜晶体管及其制造方法和显示器件 | |
| TW200622996A (en) | Method of fabricating a pixel structure of a thin film transistor liquid crystal display | |
| CN102709235A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |