JP2007036016A - 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007036016A
JP2007036016A JP2005218727A JP2005218727A JP2007036016A JP 2007036016 A JP2007036016 A JP 2007036016A JP 2005218727 A JP2005218727 A JP 2005218727A JP 2005218727 A JP2005218727 A JP 2005218727A JP 2007036016 A JP2007036016 A JP 2007036016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical unit
distribution
optical
light
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005218727A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4865270B2 (ja
JP2007036016A5 (ja
Inventor
Tomoaki Kawakami
智朗 川上
Kenichiro Shinoda
健一郎 篠田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2005218727A priority Critical patent/JP4865270B2/ja
Priority to US11/460,354 priority patent/US7209218B2/en
Publication of JP2007036016A publication Critical patent/JP2007036016A/ja
Publication of JP2007036016A5 publication Critical patent/JP2007036016A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4865270B2 publication Critical patent/JP4865270B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/72Controlling or varying light intensity, spectral composition, or exposure time in photographic printing apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】 有効光源分布の対称性と重心位置を独立かつ簡便に調整することのできる露光装置を提供すること。
【解決手段】 光源からの光でマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターン像を基板上に投影する投影光学系と、を備える露光装置において、前記照明光学系は、光源側から第1光分布を形成する第1光学ユニットと、前記第1光分布を第2光分布に変形する第2光学ユニットと、前記第2光分布を所望の大きさに変倍して第3光分布を形成する第3光学ユニットとを有し、前記第1光学ユニットと前記第2光学ユニットと前記第3光学ユニットのうち少なくとも2つを偏心駆動させることで、前記第3光分布の対称性(均一性)と重心位置を独立に調整することを特徴とする構成とした。
【選択図】 図1

Description

本発明は、一般に露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法に関し、特に、半導体素子や液晶素子、磁性材などのデバイスを製造する際のリソグラフィ工程で用いる露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法に関する。
近年、半導体デバイスの微細化の波は急速で、その主流となる加工技術は光リソグラフィーであり、さまざまな方面からその延命策が図られている。
その対策の1つとして、マスク(レチクル)パターンに応じて最適な有効光源分布を形成する技術(変形照明技術)がある。有効光源分布とは、ウェハ面に入射する露光光束の角度分布を意味し、投影光学系の瞳面における光強度分布である。この有効光源分布の形成は、照明系内におけるレチクル面のフーリエ変換面に相当する瞳面(例えば、ハエの目レンズ射出面近傍)の強度分布を所望の形状に調整することで実現している。変形照明としては、Annular照明、Quadrupole照明、Dipole照明などが使用されている(例えば、特許文献1及び2参照。)。
像性能の向上を目指すに当たって、この変形照明の際の有効光源分布の忠実度(対称性や重心位置ズレ)が像性能に与える影響が注目されている。
有効光源分布の非対称性要因の一つとして、有効光源分布を形成するための各種光学系の偏心が考えられる。例えば、変形照明の際の有効光源分布を形成するために、円錐プリズムや角錐プリズムなどが使用される。これら各種プリズムに軸対称の強度分布を持つ光が入射するとき、光分布の重心がプリズムの頂点に一致しなければ、有効光源分布に偏りが生じ、分布の対称性(均一性)が崩れる。また、光学系がズームする際、駆動偏心の影響が無視できない可能性がある。
対応策として、有効光源を測定しながら、光軸に対してほぼ垂直に調整可能な調整機構を使ってプリズムを調整する方法が提案されている(例えば、特許文献3参照。)。
特開平11−87232号公報 特開2003−318086号公報 特開平05−217853号公報
しかし、特許文献3の方法では有効光源分布の対称性と重心位置を独立に調整しがたい。
そこで、本発明の例示的な目的は、有効光源分布(特に変形照明時の有効光源分布)の対称性と重心位置を独立かつ簡便に調整することのできる露光装置を提供することにある。
本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光でマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターン像を基板上に投影する投影光学系と、を備える露光装置において、前記照明光学系は、光源側から第1光分布を形成する第1光学ユニットと、前記第1光分布を第2光分布に変形する第2光学ユニットと、前記第2光分布を所望の大きさに変倍して第3光分布を形成する第3光学ユニットとを有し、前記第1光学ユニットと前記第2光学ユニットと前記第3光学ユニットのうち少なくとも2つを偏心駆動させることで、前記第3光分布の対称性(均一性)と重心位置を独立に調整することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされるであろう。
有効光源分布の対称性と重心位置を独立かつ簡便に調整することのできる露光装置を提供することができる。
以下に、本発明の実施の形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明の第1の実施形態を示す概略図で、半導体素子や液晶素子、磁性材などの各種デバイスを製造する際に用いる露光装置である。
1は光源で、例えば紫外域や遠紫外域の光を発振するエキシマレーザや超高圧水銀ランプ等である。光源1から発せられた光は、光束整形光学系2により所望の光束形状に変換され、集光光学系3にて、オプティカルロッド(光束混合手段)4の入射面近傍に集光されている。
尚、オプティカルロッド4がガラス棒で構成されている場合には、ガラス棒の耐久性を高めるために、集光光学系3による集光点Pはオプティカルロッド4の入射面より光源側にデフォーカスされている。
集光ズームレンズ5は、オプティカルロッド4の射出面近傍をハエの目レンズ6の入射面6aに所定の倍率で結像させており、双方が互いに略共役関係となっている。また、倍率可変のズームレンズとすることで、ハエの目レンズ6へ入射する光束領域を調整することが可能となっており、複数の照明条件を形成させることが出来る。
ハエの目レンズ6は複数の微小レンズを2次元的に配置した構成からなり、その射出面近傍が照明系瞳面に相当し、瞳面分布(有効光源分布)を形成している。
照明系瞳面には不要光を遮光して所望の分布を形成するため、絞り部材7が配置されている。絞り部材7は、絞り駆動機構(不図示)により、開口の大きさ及び形状が可変となっている。
8は照射レンズで、ハエの目レンズ6の射出面6b近傍で形成された瞳面分布を、視野絞り9上に重畳照明している。
視野絞り9は、複数の可動な遮光板から成り、任意の開口形状が形成されるようにして、被照射面であるレチクル13(更にはウェハ15)面上の露光範囲を制限している。10、11は結像レンズで、視野絞り9の開口形状を被照射面であるレチクル13上に転写している。12は偏向ミラーである。
レチクル13はレチクルステージ17によって保持され、図不指示のレチクルステージ駆動装置によって制御されている。14はレチクル13面上の回路パターンをウェハ15面上に縮小投影する投影光学系である。
15はレチクル13面上の回路パターンが投影転写されるウェハ(基板)であり、露光面に位置している。18はウェハ15を保持し光軸方向及び光軸と直交する平面に沿って2次元的に動くウェハステージである。ウェハステージ18は図不指示のウェハステージ駆動装置によって制御されている。
露光時には、レチクルステージ17とウェハステージ18が同期しながら、図中矢印の方向に走査露光を行う。尚、本発明における座標は、露光面にてウェハステージ18の走査方向と直交する方向をX方向、ウェハステージ18が走査する方向をY方向、投影光学系14の光軸方向をZ方向と定めることとする。
16はウェハ15面上に入射する露光光の光量を検出するためのディテクター(照度計、検出器)である。このディテクター16は、ウェハ15面に受光部を一致させ、照射領域内の照明光をウェハステージ18の駆動と共に移動して受光する。そして、更に、ディテクター16は、その出力に応じた信号を図不指示の主制御装置に送っている。主制御装置は、各駆動機構を制御している。更には、後述する瞳面分布(有効光源分布)およびデバイスパターンを通過した光の総光量の各々に対応する情報とが記憶される。
20と21は、照明光生成手段で、照明条件(輪帯照明、四重極照明など)に応じて、オプティカルロッド4からの光束を輪帯状や四重極状に変換するための素子を含んでいる。
ここで、レーザ1より後段からレチクル13より前段の光学系を総称して照明光学系と呼ぶこととする。
更に、集光光学系3とオプティカルインテグレータ4を第1光学ユニット(100)、照明光生成手段20(21)を第2光学ユニット(200)、集光ズームレンズ5を第3光学ユニット(300)と称する。また、第1光学ユニットで形成される光強度分布を「第1光分布(A)」、第2光学ユニットで形成される光強度分布を「第2光分布(B)」とする。
第1〜第3光学ユニットは、光源からの光束を所望の形状に変換し、後段のハエの目レンズ6に入射する光束の強度分布及び角度分布を所望の分布にコントロールすることで、照明系瞳面の光強度分布(C)を調整可能としている。
ステップアンドスキャン方式の露光方法は、レチクル13とウェハ15が図1の矢印方向に同期しながら走査露光を行う。投影光学系の縮小倍率が1/βの際には、ウェハステージ18の走査速度がV(mm/sec)のとき、レチクルステージ17の走査速度はβV(mm/sec)である。更に視野絞り9も、レチクルステージ17、ウェハステージ18と同期して図中矢印方向に走査移動する。
ここで、第2光学ユニット200について詳述する。従来良く知られている輪帯状の有効光源分布(図2(a))を形成させる場合、照明光生成手段は図2(b)のような、入射側に凹の円錐面(もしくは平面)を設け、射出側に凸の円錐面を設けたプリズムとすれば良い。
また、四重極有効光源分布(図3(a))を形成させるためには、照明光生成手段を図3(b)に示すような、入射側に凹四角錐面(もしくは平面)を設け、射出側に凸四角錐面を設けたプリズムとすれば良い。このとき、入射面と射出面における四角錐の稜線と光軸とが成す角度は等しくても良いし、照明効率を向上させるために、入射側と射出側での角度を異ならせても良い(円錐状のプリズムでも同様)。
更に、照明光生成手段を図4(a)、図5(a)に示すような一対のプリズムで構成し、光軸方向に相対移動可能とすれば、より多様な有効光源分布の形成が可能となる。
入射面が凹の円錐面で射出面が平面のプリズムと入射面が平面で射出面が凸の円錐面のプリズムを一対とし、その間隔が小さいとき(図4(a))、図4(b)で示すように、発光部の幅(輪帯率)が太い輪帯形状の有効光源分布が形成される。
一方、プリズム間隔を大きくすれば(図5(a))、図5(b)で示すように、発光部の幅(輪帯率)が狭い輪帯形状の有効光源分布が形成される。
従って、形成させたいパターンに応じて、有効光源分布を変更することができ、有効光源分布形成の自由度を向上させることが出来る。
更に、後段の集光ズームレンズ5と組み合わせれば、輪帯率を維持したまま、有効光源分布の大きさ(σ値)が調整可能となる。
例えば、Annular状の有効光源分布(図2(a))を形成する場合には、第1光学ユニット1で第1光分布(A)を円形形状とし、第2光学ユニット2にて第2光分布(B)の分布を輪帯形状とする。そして、更に、光学ユニット2内の素子を駆動することで、輪帯形状の外形と内径の比(輪帯率)を調整することが可能となる。
更に、後段の第3光学ユニットと組み合わせれば、第2光分布の形状を維持したまま、有効光源の大きさ(σ値)を調整することが可能となる。
次に、有効光源(露光光の角度分布)の測定方法について説明する。
有効光源を測定する方法は種々考えられる。例えば、視野絞り9を駆動して、測定したい基板位置に対応する微小開口を設定し、ディテクター16をウェハ基準面から光軸Z方向にデフォーカスさせる方法がある。この際、レチクル13は光路上からはずしておく。
このときの装置の状態を図6(a)に示す。図1と同じ部分は共通の符号としている。また、説明簡略化のため、偏向ミラー12を省いた状態で示している。
視野絞り9で制限された露光光のみがウェハ面で一旦結像し、角度を反映させたままディテクター16に入射する。ディテクター16は、ウェハを保持するXYステージ18上に配置されており、その受光面上部には、光束の拡がりに対して充分小さな径のピンホールがある。このディテクター16をXYステージ18にて、例えば2次元マトリクス状に拡がっている範囲で水平移動させることにより、入射する光強度を計測し、露光光の角度分布を判定している。なお、ディテクターの代わりに2次元CCDを用いても良い。
他にも視野絞り9と共役な位置に微小開口を設けることで、同様の計測が可能である。具体的には図6(b)に示すように、視野絞り9は開放して、Crパターンなどにより微小開口を形成した専用レチクル、または装置内に構成される専用プレートを配置すること等が考えられる。
以上のような方法で、任意のポイントを計測すれば各像高における有効光源分布が計測可能である。また、各ポイントにおける入射光の総光量に対応する情報(ウェハ面における照度分布)も得る。
また、測定で分布の均一性(対称性)を判定するために、有効光源形状に応じて複数の判定Typeを用いる(図7)。有効光源形状がダイポールであるときには、図7(c)もしくは図7(d)に示す形に2分割された判定領域を用いる。2分割された各々の領域における光強度を計測することで重心位置測定もしくは光強度の対称性(均一性)測定を行う。有効光源形状がX−Y方向四重極(Cross Pole)であるときには図7(b)に示す形に分割された判定領域を、45°方向四重極(Quadrupole)であるときには図7(a)に示す形に分割された判定領域を用いる。有効光源が輪帯形状の場合は、図7(a)、図7(b)もしくは図7(e)のような4分割判定領域でもよい。
次に、第1光学ユニット(100)、第2光学ユニット(200)、第3光学ユニット(300)、ハエの目レンズ6、第1光分布(A)、第2光分布(B)、瞳面分布(C)の関係について実施例1(図1の構成)を用いて詳述する。
第1光学ユニット(100)はオプティカルロッド4を含んでいる。第2光学ユニット(200)で使用する光学プリズム20は円錐タイプである。第3光学ユニット(300)のズーム倍率は任意で固定であるとする。第3光学ユニット(300)は1回結像で、像が反転している。
この構成で、第1光分布(A)、第2光分布(B)、瞳面分布(C)における理想状態は、図8に示す(状態W)の関係である。つまり、偏心公差が零であれば、A、B、C面全てにおいて、分布の対称性が良く、分布の重心位置が光軸と一致している。
しかし実際には、部品公差、組立て公差、駆動公差において各種光学系がそれぞれ僅かに偏心することが想定される。
上記要因で、第1光分布(A)や第2光分布(B)の対称性や重心位置が崩れた場合においても、最終性能として必要な瞳面分布(C)の均一性(対称性)と重心位置は良好な状態を維持することが求められる。そこで、瞳面分布(C)の状態を良好に保つための調整方法を説明する。
図9に調整方法のフローチャートを示す。
ステップ1(S1)〜ステップ6(S6)までの、それぞれの内容は以下のとおりである。
ステップ1:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットの中心位置とを検出するステップ。それぞれの位置の差が許容範囲内にあればステップ4へ。許容範囲外であればステップ2へ。
ステップ2:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットの中心位置をあわせるステップ。そのために、第1光学ユニットを駆動調整しても良いし、第2光学ユニットを駆動調整しても良い。
ステップ3:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットの中心位置が一致しているかを判定するステップ。それぞれの位置の差が許容範囲内で一致していればステップ4へ。許容範囲外であればステップ2へ。
ステップ4:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)と光軸中心との変位量を検出するステップ。変位量が許容範囲内に一致していれば調整完了。許容範囲外であればステップ5へ。
ステップ5:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)を光軸中心に合わせるステップ。そのために、第3光学ユニットを駆動調整。
ステップ6:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)が光軸中心に一致しているかを判定するステップ。許容範囲内で一致していれば調整完了。許容範囲外であればステップ5へ。
次に、詳細な調整方法を図8、図10にて説明する。
「図10の状態X」は、第1光分布(A)の均一性(対称性)は良く分布重心も光軸に一致しているが、光学プリズム20が偏心している状態である。
そのため、「図8の状態X」のように、第2光分布(B)及び瞳面分布(C)の均一性(対称性)は崩れ、分布重心位置も光軸からずれた位置となっている。
そこでまず、「図10の状態Y」のように、第1光学ユニット内の素子(本実施例ではオプティカルロッド)を偏心駆動させて、第1光分布(A)の重心位置を、偏心している光学プリズム20の頂点に一致させる。
一致させる方法として、図6で示した有効光源分布測定方法で、図7で領域分割したエリアの光強度をそれぞれ計測し、各々の領域における光量が同じとなるように調整駆動する方法が考えられる。
また別の方法として、プリズム20を出し入れすることによる有効光源分布の重心位置変化を見ることで、第1光分布(A)とプリズム20の頂点が一致しているかどうかを判定する方法もある。これは、第1光分布の重心がプリズム(20、21・・・)の頂点と一致しない場合、第2光分布(B)の均一性(対称性)が崩れて、プリズム無し時の第2光分布重心位置とプリズム有り時の第2光分布重心位置とが一致しなくなる性質を利用している。よって、プリズムが有る時と無い時の重心位置変化がなければ、第1光分布(A)の重心とプリズム20の頂点が一致していると判定できる。
「図10の状態Y」の構成とすることにより、光分布は「図8の状態Y」となる。つまり、第2光分布(B)の重心位置は光軸からずれたままであるが、均一性(対称性)は改善されている。また、瞳面分布(C)も分布の均一性(対称性)は良いが、重心位置がずれた状態となる。
次に、第3光学ユニット内の素子を駆動(例えば、平行偏心や傾き偏心)させて、第2光分布(B)の重心位置をハエの目レンズ6の中心位置(瞳面の中心位置)に一致させ、「図8の状態Z」を形成する。
そのために、図6で示した有効光源分布測定方法で、光学プリズム20が有る状態の有効光源重心を計測する。その重心位置が光軸中心(許容値以内)となるように第3光学ユニット内の素子を駆動する「図10の状態Z」。この結果、瞳面分布(C)は均一な強度分布、且つ重心が光軸中心に位置する有効光源を形成できる。
つまり、瞳面分布(C)を、理想の状態Wと同等とすることが可能となる。
本発明第2の実施例を図11に示す。符号で図1と同じものは、機能が同じものである。本発明が図1と異なる点は、光学プリズム(20、21)の前段に、交換可能な絞り部材(30、31・・・)を有している点である。絞り部材30,31の開口形状は、輪帯形状や四重極形状、開口角を規定する形状などがあり、様々な種類の有効光源を形成することができる。
図11における調整方法のフローチャートを図12に示す。
ステップ1(S1)〜ステップ9(S9)までの、それぞれの内容は以下のとおりである。
ステップ1:絞り部材無しの状態で、第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットのプリズム中心位置とを検出するステップ。それぞれの位置の差が許容範囲内にあればステップ4へ。許容範囲外であればステップ2へ。
ステップ2:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットのプリズムの中心位置をあわせるステップ。そのために、第1光学ユニットを駆動調整しても良いし、第2光学ユニットのプリズムを駆動調整しても良い。
ステップ3:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットのプリズム中心位置が一致しているかを判定するステップ。それぞれの位置の差が許容範囲内で一致していればステップ4へ。許容範囲外であればステップ2へ。
ステップ4:絞り部材を光軸位置へセットして、絞り部材中心位置と第2光学ユニットのプリズムの中心位置(ステップ3で第1光分布と合わせている)とを検出するステップ。位置の差が許容範囲内にあればステップ7へ。許容範囲外であればステップ5へ。
ステップ5:絞り部材の中心位置と第2光学ユニットのプリズム中心位置(ステップ3で第1光分布と合わせている)を合わせるステップ。そのために、絞り部材を駆動調整するのが好ましい。
ステップ6:絞り部材の中心位置と第2光学ユニットのプリズム中心位置(ステップ3で第1光分布と合わせている)が一致しているかを判定するステップ。それぞれの位置の差が許容範囲内で一致していればステップ7へ。許容範囲外であればステップ5へ。
ステップ7:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)と光軸中心との変位量を検出するステップ。変異量が許容範囲内に一致していれば調整完了。許容範囲外であればステップ8へ。
ステップ8:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)を光軸中心に合わせるステップ。そのために、第3光学ユニットを駆動調整。
ステップ9:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)が光軸中心に一致しているかを判定するステップ。許容範囲内で一致していれば調整完了。許容範囲外であればステップ8へ。
図13は、図12の各調整段階における光分布(A、B、C面)を説明する図である。絞り部材30はX方向に角度を規定するダイポール絞り部材を使った場合である。
図13の状態X:第1光分布(A)は、均一性(対称性)が良く分布重心も光軸に一致しているが、光学プリズム20が偏心しているとする。そのため、絞り部材30が無い状態の第2光分布(B)及び瞳面分布(C)の均一性(対称性)は崩れ、分布重心位置も光軸からずれた位置となっている。
図13の状態Y:絞り部材30を外した状態で、第1光学ユニット100内の素子を偏心駆動させて、第1光分布(A)の重心位置と偏心している光学プリズム(20、21・・・)の頂点に一致させた場合である。第2光分布(B)及び瞳面分布(C)の均一性(対称性)は補正されているが、分布重心位置は光軸からずれている。
図13の状態Y’:次に絞り部材30を光軸上にセットした場合である。第1光分布(A)と光学プリズム20の頂点は光軸と離れた位置で一致しているが、絞り部材の中心は光軸近傍にある。そのため、第2光分布(B)及び瞳面分布(C)のY方向均一性(対称性)が崩れている。
図13の状態Y’’:次に絞り部材を偏心駆動させて、絞り部材30の中心とプリズム20の頂点(第1光分布と一致済み)を一致させた場合である。このときの調整方法として、例えば絞り部材30を出し入れしたときに有効光源分布の重心位置が変わらないように駆動すればよい。
図13の状態Z:第3光学ユニットを駆動させて、瞳面分布(C)の重心位置を光軸上に一致させた場合である。以上X〜Zにより、絞り部材がある場合でも、瞳面分布(C)の均一性(対称性)と重心位置を良好に調整することが可能となる。
また、絞り部材(30、31・・・)と光学プリズム(20、21・・・)の中心位置が一致する様に組立て時に厳しく管理すれば、絞り部材と光学プリズムを一つの光学素子とみなすことが可能である。この場合、第1光学ユニット内の素子のみを駆動して、光軸合わせを行うことも可能である。
第1光学ユニット100は、第1光学ユニット内の光学素子を切替可能な構成とすれば、様々な第1光強度分布を形成することが可能となる。
図14に本発明第3の実施形態を示す。符号で図1と同じものは、機能が同じものである。本発明が図1と異なる点は、ハエの目入射面6aとフーリエ変換の関係となる位置に交換可能な回折光学素子40を配置している点である。このように、第1光学ユニット100は、第1光学ユニット内の光学素子を切替可能な構成とするために、回折光学素子40を用いてもよい。
この回折光学素子は、平行光を入射すると、フーリエ変換の関係となる面に所望の分布を形成するよう設計されている。従って、図4bに示す有効光源分布を形成させたければ、それに対応した回折光学素子を設計、製作すれば良い。
また、回折光学素子への入射光が平行ではなく角度を持つと、フーリエ変換面で形成される像がぼけるので、集光光学系3で規定されるNAを可変となるように構成(異なるNAを射出する光学系を切り換える。もしくは、NA可変のズーム系とする)すれば、図4bもしくは図5bで示す輪帯率を可変とすることが可能となる。
回折光学素子40から射出される光は、フーリエ変換レンズ41により第1光分布を形成する。専用の回折光学素子を設計すれば、輪帯形状や四重極形状を直接形成することができる。ただし、回折光学素子の製作誤差等の関係で、第1光分布に強度の偏りが存在する可能性がある。
図15は、図14における調整方法のフローチャートである。
ステップ1(S1)〜ステップ6(S6)までの、それぞれの内容は以下のとおりである。
ステップ1:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットのプリズムの中心位置とを検出するステップ。それぞれの位置の差が許容範囲内にあればステップ4へ。許容範囲外であればステップ2へ。
ステップ2:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットのプリズムの中心位置をあわせるステップ。そのために、第1光学ユニット(本実施例ではレンズ41)を駆動調整しても良いし、第2光学ユニットのプリズムを駆動調整しても良い。
ステップ3:第1光分布(A)の中心位置(もしくは重心位置)と第2光学ユニットのプリズムの中心位置が一致しているかを判定するステップ。それぞれの位置の差が許容範囲内で一致していればステップ4へ。許容範囲外であればステップ2へ。
ステップ4:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)と光軸中心との変位量を検出するステップ。変異量が許容範囲内に一致していれば調整完了。許容範囲外であればステップ5へ。
ステップ5:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)を光軸中心に合わせるステップ。そのために、第3光学ユニットを駆動調整。
ステップ6:瞳面分布(C)の中心位置(もしくは重心位置)が光軸中心に一致しているかを判定するステップ。許容範囲内で一致していれば調整完了。許容範囲外であればステップ5へ。
次に、上記説明した露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
図16は本発明のデバイス(ICやLSI等の半導体素子、CCD、或いは液晶素子や磁性材などの微細パターン等)の製造方法のフローチャートである。これについて説明する。
ステップ1(回路設計)では、半導体デバイスなどの回路設計を行う。
ステップ2(マスク製作)では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(基板製造)ではシリコン等の材料を用いて、ウェハ等の基板を製造する。
ステップ4(ウェハプロセス)は前工程と呼ばれ、本発明の露光装置を用い、前記の用意した回路パターン(第1物体)を形成したマスク(レチクル)とウェハ(第2物体)を用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ5(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって製作されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。
ステップ6(検査)では、ステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て、半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図17は上記のウェハプロセスのフローチャートである。ステップ11(酸化)ではウェハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウェハ表面に絶縁膜を形成する。
ステップ13(電極形成)ではウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では本発明の露光装置によってレチクルの回路パターンをウェハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウェハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行なうことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施形態の製造方法を用いれば、従来よりも短時間で高精度に半導体デバイスを製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
第1の実施形態の露光装置の概略図である。 有効光源分布を表す図である。 有効光源を形成するための手段を表す図である。 輪帯率の大きい輪帯形状の有効光源を形成させるための手段を表す図である。 輪帯率の小さい輪帯形状の有効光源を形成させるための手段を表す図である。 露光光角度分布の測定方法を示す図である。 光分布調整時の領域判定図である。 調整段階での光分布を説明する図である。 調整方法を示すフローチャートである。 各調整段階の光学配置を説明する図である。 第2の実施形態の露光装置の概略図である。 調整方法を示すフローチャートである。 調整段階での光分布を説明する図である。 第3の実施形態の露光装置の概略図である。 調整方法を示すフローチャートである。 デバイス製造方法を示すフローチャートである。 ウェハプロセスを示すフローチャートである。
符号の説明
1 光源
2 光束整形光学系
3 集光光学系
4 オプティカルインテグレータ
5 集光ズームレンズ
6a ハエの目レンズ入射面
6b ハエの目レンズ射出面
7 絞り部材
8 照射レンズ
9 視野絞り
10 結像レンズ
11 結像レンズ
12 偏向ミラー
13 レチクル
14 投影光学系
15 ウェハ
16 ディテクター
17 レチクルステージ
18 ウェハステージ
20・21 照明光源生成手段
40 回折光学素子
41 フーリエ変換レンズ
100 第1光学ユニット
200 第2光学ユニット
300 第3光学ユニット

Claims (9)

  1. 光源からの光でマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターン像を基板上に投影する投影光学系と、を備える露光装置において、
    前記照明光学系は、光源側から第1光分布を形成する第1光学ユニットと、前記第1光分布を第2光分布に変形する第2光学ユニットと、前記第2光分布を所望の大きさに変倍して第3光分布を形成する第3光学ユニットとを有し、
    前記第1光学ユニットと前記第2光学ユニットと前記第3光学ユニットのうち少なくとも2つを偏心駆動させることで、前記第3光分布の対称性と重心位置を独立に調整することを特徴とする露光装置。
  2. 前記第1光学ユニットもしくは前記第2光学ユニットの偏心駆動により、前記第2光分布の対称性を調整し、前記第3光学ユニットの偏心駆動により前記第3光分布の重心位置を調整することを特徴とする請求項1記載の露光装置。
  3. 前記第1光学ユニットはオプティカルロッドを含むことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
  4. 前記第1光学ユニットは交換可能な複数の回折光学素子を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
  5. 前記第2光学ユニットは交換可能な複数の屈折光学素子を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
  6. 前記第2光学ユニットは開口を制限する絞り部材を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
  7. 前記第3光分布は、前記照明光学系内で前記マスクのパターンに対して実質的にフーリエ変換の関係となる所定面上での前記照明光の光量分布であることを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
  8. 前記有効光源分布および前記基板上の照度を検出する光検出手段と、前記検出手段の結果をもとに前記第1光学ユニット、前記第2光学ユニット、前記第3光学ユニットの偏心駆動量を決定する制御手段とを有する事を特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光した基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
JP2005218727A 2005-07-28 2005-07-28 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP4865270B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005218727A JP4865270B2 (ja) 2005-07-28 2005-07-28 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法
US11/460,354 US7209218B2 (en) 2005-07-28 2006-07-27 Exposure apparatus and method for manufacturing device using the exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005218727A JP4865270B2 (ja) 2005-07-28 2005-07-28 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007036016A true JP2007036016A (ja) 2007-02-08
JP2007036016A5 JP2007036016A5 (ja) 2008-09-11
JP4865270B2 JP4865270B2 (ja) 2012-02-01

Family

ID=37693926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005218727A Expired - Fee Related JP4865270B2 (ja) 2005-07-28 2005-07-28 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7209218B2 (ja)
JP (1) JP4865270B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033047A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法及び補正方法
WO2011039956A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 テルモ株式会社 画像診断装置及びその制御方法
JP2014225641A (ja) * 2013-04-23 2014-12-04 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
KR20190013514A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 물품 제조 방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009016456A1 (de) 2008-06-03 2009-12-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
DE102009025362A1 (de) 2008-08-01 2010-02-04 Carl Zeiss Smt Ag Variabel einstellbare Streuscheibe für Projektionsbelichtungsanlage
US8147156B2 (en) * 2008-11-25 2012-04-03 Avery Dennison Corporation Tag making and stacking systems and method, tag stackers and stack trays
CN104007619B (zh) * 2013-02-21 2016-03-30 上海微电子装备有限公司 一种光瞳面光强分布的测量方法
EP3311314A1 (en) * 2015-06-17 2018-04-25 International Boxes S.R.L. Method and computer system for virtually displaying images on carton boxes
JP6632252B2 (ja) * 2015-08-21 2020-01-22 キヤノン株式会社 検出装置、インプリント装置、物品の製造方法及び照明光学系
DE102018201010A1 (de) 2018-01-23 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102018201009A1 (de) 2018-01-23 2019-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
CN111707413B (zh) * 2020-05-15 2021-11-26 中国科学院合肥物质科学研究院 一种基于单像素探测器的质心探测方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189428A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Nikon Corp 照明光学装置
JP2002050564A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Canon Inc 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法
JP2003068604A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003100622A (ja) * 2001-05-11 2003-04-04 Canon Inc 照明装置、およびそれを用いた露光装置、デバイス製造方法
JP2003142387A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2003178952A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2003318086A (ja) * 2002-04-23 2003-11-07 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2004224069A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Bridgestone Corp 発電機

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230264B2 (ja) 1992-02-03 2001-11-19 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3262039B2 (ja) 1997-07-18 2002-03-04 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP4545874B2 (ja) 2000-04-03 2010-09-15 キヤノン株式会社 照明光学系、および該照明光学系を備えた露光装置と該露光装置によるデバイスの製造方法
TW567406B (en) * 2001-12-12 2003-12-21 Nikon Corp Diffraction optical device, refraction optical device, illuminating optical device, exposure system and exposure method
JP4332331B2 (ja) * 2002-08-05 2009-09-16 キヤノン株式会社 露光方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189428A (ja) * 1996-12-20 1998-07-21 Nikon Corp 照明光学装置
JP2002050564A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Canon Inc 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法
JP2003100622A (ja) * 2001-05-11 2003-04-04 Canon Inc 照明装置、およびそれを用いた露光装置、デバイス製造方法
JP2003068604A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2003142387A (ja) * 2001-11-07 2003-05-16 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2003178952A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP2003318086A (ja) * 2002-04-23 2003-11-07 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2004224069A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Bridgestone Corp 発電機

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033047A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法及び補正方法
WO2011039956A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 テルモ株式会社 画像診断装置及びその制御方法
US8825142B2 (en) 2009-09-30 2014-09-02 Terumo Kabushiki Kaisha Imaging apparatus for diagnosis and control method thereof
JP5718819B2 (ja) * 2009-09-30 2015-05-13 テルモ株式会社 画像診断装置及びその制御方法
JP2014225641A (ja) * 2013-04-23 2014-12-04 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
KR20190013514A (ko) * 2017-07-28 2019-02-11 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 물품 제조 방법
KR102349633B1 (ko) * 2017-07-28 2022-01-12 캐논 가부시끼가이샤 노광 장치 및 물품 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4865270B2 (ja) 2012-02-01
US20070024839A1 (en) 2007-02-01
US7209218B2 (en) 2007-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4865270B2 (ja) 露光装置、及びそれを用いたデバイス製造方法
JP3610175B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP3057998B2 (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JPH10242048A (ja) 投影露光装置及びデバイスの製造方法
KR100485314B1 (ko) 투영노광장치와 이것을 사용한 디바이스제조방법
JP3599629B2 (ja) 照明光学系及び前記照明光学系を用いた露光装置
WO2005038885A1 (ja) 光学特性計測装置及び光学特性計測方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2005228846A (ja) 露光装置及び方法
US7629563B2 (en) Methods for adjusting and evaluating light intensity distribution of illumination apparatus, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JPH0737774A (ja) 走査型露光装置
JP2001257157A (ja) アライメント装置、アライメント方法、露光装置、及び露光方法
JP4684563B2 (ja) 露光装置及び方法
JP2008124308A (ja) 露光方法及び露光装置、それを用いたデバイス製造方法
JP2005302825A (ja) 露光装置
JP3571935B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2002195913A (ja) 収差測定装置及び方法、露光装置、並びにマイクロデバイスの製造方法
JP4838430B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US20210096466A1 (en) Light source device, illuminating apparatus, exposing apparatus, and method for manufacturing article
JP2000114164A (ja) 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH0729816A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2005310942A (ja) 露光装置、露光方法、及びそれを用いたデバイス製造方法
KR100781297B1 (ko) 기판 노광 공정에서의 베스트 포커스 결정 방법 및 이의수행이 가능한 기판 노광 장치
JP3223646B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
JP2005079470A (ja) 照明光学系の調整方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JPH10106942A (ja) 走査型露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080724

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080724

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20100201

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100630

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110304

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111108

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111110

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4865270

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141118

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees