JP2007026579A - 不揮発性半導体記憶装置の書込方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 このフラッシュメモリでは、初期書込の終了後に(S1〜S6)、書込対象のメモリセルMCに対応する各ビット線GBLをプリチャージするとともに書込非対象のメモリセルMCに対応する各ビット線GBLをディスチャージしてベリファイを行なって低しきい値電圧のメモリセルMCを検出し(S7)、検出したメモリセルMCに追加書込を行なう(S8,S9)。したがって、書込非対象のメモリセルMCに流れる電流の影響を受けることなくベリファイを行なうことができ、全てのメモリセルMCのしきい値電圧を正しく設定することができる。
【選択図】 図5
Description
図1は、この発明の実施の形態1によるフラッシュメモリの全体構成を示すブロック図である。図1において、このフラッシュメモリは、複数(図では4つ)のバンクBA0〜BA3を備える。バンクBA0〜BA3の各々は、情報を記憶するメモリアレイMAと、行アドレス信号に従ってメモリアレイMAの行アドレスを指定するXデコーダXDと、列アドレス信号に従ってメモリアレイMAの列アドレスを指定するYデコーダYDと、メモリアレイMAとデータの授受を行なうYゲートYGと、データを一時的に保持するデータレジスタDRと、データの検知、増幅および保持を行なうセンスラッチ回路SLCとを含む。
図12は、この発明の実施の形態2のよるフラッシュメモリのセンスラッチSLの構成を示す回路図であって、図3と対比される図である。また図13は、図5のステップS7〜S9を具体的に示すフローチャートであって、図9と対比される図である。また図14は、VTH≧VVR、VVR≧VTH≧VLT、VLT≧VTHの3種類のメモリセルMCに対応するビット線GBLの電位、センスラッチSLのノードSLR,SLSのレベル変化を示す図であって、図10と対比される図である。本実施の形態2においても、図1および図2に示すフラッシュメモリの構成が採用され、図5のステップS1〜S6に従って初期の書込動作が行なわれた結果、図7において破線で示したVTH分布が形成されたものとする。
図15は、この発明の実施の形態3のよるフラッシュメモリの書込方法を示すフローチャートであって、図5と対比される図である。
図16は、この発明の実施の形態4のよるフラッシュメモリの書込方法を示すフローチャートであって、図15と対比される図である。
図17は、この発明の実施の形態5のよるフラッシュメモリの書込方法を示すフローチャートであって、図5と対比される図である。また図18は、メモリセルMCのVTH分布とワード線WLの電位を示す図であって、図7と対比される図である。
図19は、この発明の実施の形態6のよるフラッシュメモリの書込方法を示すフローチャートであって、図17と対比される図である。
Claims (8)
- 複数行複数列に配置され、各々がしきい値電圧の変化によって情報を記憶する複数のメモリセルと、それぞれ複数行に対応して設けられた複数のワード線と、それぞれ複数列に対応して設けられた複数のビット線と、それぞれ前記複数のビット線に対応して設けられた複数のセンスラッチとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記複数のメモリセルの各々に情報を書込む書込方法であって、
1本の選択ワード線に対応する複数のメモリセルのうちの書込対象のメモリセルに対応する各センスラッチに第1の信号をラッチさせるとともに、書込非対象のメモリセルに対応する各センスラッチに第2の信号をラッチさせる第1のステップと、
前記選択ワード線に対応する前記複数のメモリセルのうちの前記第1の信号をラッチしたセンスラッチに対応する各メモリセルに書込とベリファイを行ない、書込が終了したメモリセルに対応する各センスラッチに前記第2の信号をラッチさせる第2のステップと、
前記書込対象のメモリセルに対して再ベリファイを行ない、検出された書込不十分なメモリセルに対応する各センスラッチに前記第1の信号をラッチさせる第3のステップとを含み、
前記再ベリファイ処理においては、前記書込非対象のメモリセルに対応する各ビット線を事前にディスチャージしておくことを特徴とする、不揮発性半導体記憶装置の書込方法。 - 前記第2のステップでは、前記複数のセンスラッチの全てが前記第2の信号をラッチするまで前記選択ワード線に対応する前記複数のメモリセルへの書込とベリファイを繰り返し、
さらに、前記第1の信号をラッチしたセンスラッチに対応する各メモリセルに書込を行なう第4のステップを含む、請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置の書込方法。 - 前記第3のステップにおいて、前記第1の信号をラッチしたセンスラッチがある場合は前記第2のステップに戻る、請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置の書込方法。
- 前記第3のステップの再ベリファイ処理および書込不十分なメモリセルの検出は、前記書込対象のメモリセルに対応する各ビット線をプリチャージするとともに、前記書込非対象のメモリセルに対応する各ビット線をディスチャージし、前記選択ワード線に再ベリファイ電圧を印加してしきい値電圧が前記再ベリファイ電圧以下のメモリセルに対応する各ビット線をディスチャージした後、前記書込非対象のメモリセルに対応する各ビット線をプリチャージすることにより行なわれる、請求項1から請求項3までのいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置の書込方法。
- 前記第3のステップは、前記複数のビット線の全てをプリチャージした後、前記ベリファイ動作に用いられる電圧よりも低い判定電圧を前記選択ワード線に印加することにより、前記書込対象のメモリセルに対応する各ビット線をプリチャージするとともに前記書込非対象のメモリセルに対応する各ビット線をディスチャージする、請求項1から請求項3までのいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置の書込方法。
- 複数行複数列に配置され、各々がしきい値電圧の変化によって情報を記憶する複数のメモリセルと、それぞれ複数行に対応して設けられた複数のワード線と、それぞれ複数列に対応して設けられた複数のビット線と、それぞれ前記複数のビット線に対応して設けられた複数のセンスラッチとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記複数のメモリセルの各々に情報を書込む書込方法であって、
1本の選択ワード線に対応する複数のメモリセルのうちの書込対象のメモリセルに対応する各センスラッチに第1の信号をラッチさせるとともに、書込非対象のメモリセルに対応する各センスラッチに第2の信号をラッチさせる第1のステップと、
前記選択ワード線に対応する前記複数のメモリセルのうちの前記第1の信号をラッチしたセンスラッチに対応する各メモリセルに書込を行なうとともにベリファイ電圧を用いてベリファイを行ない、書込が終了したメモリセルに対応する各センスラッチに前記第2の信号をラッチさせる第2のステップと、
前記第2のステップを繰り返すことにより前記複数のセンスラッチの全てが前記第2の信号をラッチした後に、前記複数のセンスラッチの全てに前記第1の信号をラッチさせる第3のステップと、
前記第1の信号をラッチしたセンスラッチに対応する各メモリセルに前記第2のステップにおける書込とは異なる書込条件で書込を行なう第4のステップとを含む、不揮発性半導体記憶装置の書込方法。 - 複数行複数列に配置され、各々がしきい値電圧の変化によって情報を記憶する複数のメモリセルと、それぞれ複数行に対応して設けられた複数のワード線と、それぞれ複数列に対応して設けられた複数のビット線と、それぞれ前記複数のビット線に対応して設けられた複数のセンスラッチとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記複数のメモリセルの各々に情報を書込む書込方法であって、
1本の選択ワード線に対応する複数のメモリセルのうちの書込対象のメモリセルに対応する各センスラッチに第1の信号をラッチさせるとともに、書込非対象のメモリセルに対応する各センスラッチに第2の信号をラッチさせる第1のステップと、
前記選択ワード線に対応する前記複数のメモリセルのうちの前記第1の信号をラッチしたセンスラッチに対応する各メモリセルに書込を行なうとともにベリファイ電圧を用いてベリファイを行ない、書込が終了したメモリセルに対応する各センスラッチに前記第2の信号をラッチさせる第2のステップと、
前記第2のステップを繰り返すことにより前記複数のセンスラッチの全てが前記第2の信号をラッチした後に、前記書込対象のメモリセルに対応する各センスラッチに前記第1の信号をラッチさせる第3のステップと、
前記第1の信号をラッチしたセンスラッチに対応する各メモリセルに前記第2のステップにおける書込とは異なる書込条件で書込を行なう第4のステップとを含む、不揮発性半導体記憶装置の書込方法。 - 前記第4のステップにおける書込は、前記第2のステップにおける書込よりも前記メモリセルへの電荷注入量が少なくなる条件で行なわれる、請求項6または請求項7に記載の不揮発性半導体記憶装置の書込方法。
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