JP2007013179A - リソグラフィ投影対物レンズの補正方法およびリソグラフィ投影対物レンズ - Google Patents
リソグラフィ投影対物レンズの補正方法およびリソグラフィ投影対物レンズ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007013179A JP2007013179A JP2006179801A JP2006179801A JP2007013179A JP 2007013179 A JP2007013179 A JP 2007013179A JP 2006179801 A JP2006179801 A JP 2006179801A JP 2006179801 A JP2006179801 A JP 2006179801A JP 2007013179 A JP2007013179 A JP 2007013179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- lens
- pupil plane
- pupil
- projection objective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフィ投影露光機の投影対物レンズの少なくとも1つの画像欠陥を補正する方法であって、前記投影対物レンズが複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーを備えた光学装置を含み、少なくとも1つのミラーが、欠陥を含む可能性があり、したがって少なくとも1つの画像欠陥の原因となる光学的作用表面を有する。前記方法は、前記少なくとも1つのミラーの前記光学的作用表面における周光光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを少なくとも近似的に決定するステップと、前記レンズのレンズ表面のうち少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を近似的に決定し、そこにおいて周光光線高さhLRに対する主光線高さhLHの比であるVLの大きさを比VMに少なくとも最も近接させるステップと、を含む。
【選択図】図2
Description
本発明は、さらにこの種の投影対物レンズに関する。
高アパーチャ(口径)投影対物レンズの中で、カタディオプトリック投影対物レンズは重要性が増大しているが、それは、純粋な屈折(ディオプトリック)投影対物レンズと比較すると、このカタディオプトリック投影対物レンズによって、種々の需要家特有の要求を満たす目的のために、全体的に見て経済的な妥協が可能となるからである。
カタディオプトリック投影対物レンズに関する問題は、ミラーの光学的作用表面では公差条件が狭いということである。この公差条件の狭いことは、ミラーの表面の歪みの光学的効果が、レンズの表面の場合の2倍超であるという事実による。この理由は、ミラーの歪みΔzはその入射光および反射光ビームが横切る、すなわち2回横切られるが、レンズ表面の表面歪みΔzは1度だけ横切られることになり、さらにレンズの屈折率が通常>1であるからである。
欠陥のあるミラー面では投影光の波面のエラーが起こり、そのためキャリアー(ウェーハ)上に対するオブジェクト(焦点板)の画像処理を欠陥のあるものとしてしまうが、製造する半導体構造では小型化が現在必要とされていることを考慮すると、このことは許容することができない。
1つ以上の欠陥のあるミラーによって引き起こされる、カタディオプトリック投影対物レンズのイメージ欠陥を補償する1つの策は、研磨またはイオンビームエッチングによって、局所的に非球面化して欠陥のあるミラー面(単数または複数)を直接補正することであろう。しかしながら、ある時にはこの欠陥のあるミラー(単数または複数)を数回投影対物レンズから取り出し、次いでその対物レンズの中に再設置する必要があり、この操作は再設置したミラー(単数または複数)の調節に特に高度な条件が必要となるため、この方法は、時には非常に複雑になることがある。さらに、上述のように、ミラーの欠陥の光学効果は、レンズの欠陥の光学効果より実質的に大きい。さらに、ミラー面上の非球面化工程を精度よく操作するにおいては問題があるため、ミラー面を頻繁に直接補正することはできない。
しかしながら、下記特許文献2の図1による投影対物レンズの場合のように、レンズというものは必ずしも関連するミラーのすぐ近傍に設けてあるというわけではないので、この方法の手順はカタディオプトリック投影対物レンズのすべての設計にとって可能というわけではない。その上、適切なレンズは確かに存在するが、設計型式のために非球面化にふさわしくないという場合がさらに生じる場合がある。
本発明のさらなる目的は、少なくとも1つの欠陥のあるミラーによって引き起こされるイメージ欠陥が少なくとも低減される、改良されたカタディオプトリック投影対物レンズを規定することである。
前記少なくとも1つのミラーの前記光学的作用表面における周光光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを少なくとも近似的に決定するステップと、
前記レンズのレンズ表面のうち少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を近似的に決定し、そこにおいて周光光線高さhLRに対する主光線高さhLHの比であるVLの大きさを比VMに少なくとも最も近接させ、好ましくはこの光学活性なレンズ表面をVLがさらにVMと同符号を持つように決定するステップと、
画像欠陥の補正のために少なくとも1つの決定したレンズ表面を選択するステップとを含んでいる。
本発明は、以下の事実に基づいている。すなわち、少なくとも1つのミラーの歪みによって引き起こされた波面エラーを補償するために設ける、少なくとも1つのレンズ表面を最良に選択する第1ステップは、そのミラーの光学的作用表面上の周光光線高さに対する主光線高さの(符号付きの)比を使用して、投影対物レンズの内部のミラーの位置を決定することである。次いで、さらなるステップは、収差の補償すなわち補正のために、複数のレンズの複数の表面のうち少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を選択するステップであって、そこにおいては、その光学的作用を有するミラー面で、周光光線高さに対する主光線高さの比が、できるだけ周光光線高さに対する主光線高さの比に近づけるか、または同じにするステップからなる。換言すれば、この画像欠陥を補正するために、欠陥のあるミラー面に対して、少なくとも、ほとんど対になっているレンズ表面を選択するが、これは、このミラーに必ずしも隣接している必要がないということである。
図の詳細に入る前に、最初に、リソグラフィ投影露光機のカタディオプトリック投影対物レンズの少なくとも1つのイメージ欠陥を補正する方法を全体として述べることとする。カタディオプトリック投影対物レンズは、複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーを含む光学的配置構造を有する。
工程中では、第1に、投影対物レンズの内部の少なくとも1つのミラーの光学的作用表面の位置を決定する。
この決定は、少なくとも1つのミラーの光学的作用表面上での周光光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを使用して行なう。
周光光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを、少なくとも1つのミラーの欠陥を有する可能性のある光学的作用表面で決定した後、光学的作用ミラー面に対して少なくともほぼ対になっている少なくとも1つの光学的作用レンズ表面が、投影対物レンズの中に存在するレンズの表面の全体の中から決定される。周光光線高さhMRに対する主光線高さhLHの比VLの大きさは、比VMに少なくとも近似し、その偏差は、たとえば20%未満、好ましくは15%未満、さらに好ましくは10%未満である。
投影対物レンズの個々の光学的作用表面での周光光線高さに対する主光線高さの比の決定の前に、レンズ曲率、レンズ材料、ミラー曲率や、光学部品、オブジェクト位置および像平面位置の相互間隔、アパーチャ寸法、フィールド寸法等の投影対物レンズの設計データを決定する。
図1に、本発明による方法を適用している投影対物レンズの第1の典型的な実施形態を示す。
投影対物レンズの全体を、図1において、参照符号10で示す。射影の投影10の詳述に関連しては、上記特許文献1を参照されたい。
M31およびM33は、平らな2つの折り返しミラーを表わし、CM(=M32)は凹面鏡を表わす。Rは対象面すなわち焦点板(レチクル)平面を表わし、Wは像平面またはウェーハ平面を表わす。
さらに、図1の投影対物レンズ10には3つのひとみ平面があり、具体的にはレンズL14とL15との間のひとみ平面P1、ミラーCMの上のひとみ平面P2、およびレンズL310とL311との間のひとみ平面P3である
したがって、ミラーCMはひとみ平面の近くに配置されており、ここでは、定義にあるように、周光光線高さに対する主光線高さの比はおよそ0である。画像欠陥を生じさせるその可能性のある表面の歪みは、P1ないしP3の3つのひとみ平面のうちの1つの近傍に配置されているL11ないしL315のレンズの少なくとも1つのレンズ表面を補正することを選択することによって補正することができる。投影対物レンズ10の場合には、好ましくは下記のようなレンズ表面が考えられる。すなわち:
レンズL14のレンズ表面S608、
レンズL15のレンズ表面S609、
レンズL21のレンズ表面S623,629、
レンズL22のレンズ表面S625,627、
レンズL310のレンズ表面S641および/または
レンズL311のレンズ表面S643。
周光光線高さに対する主光線高さの比が大きさ、および符号の点で適切であるレンズL31のレンズ表面S632またはレンズL32のレンズ表面S634または、たとえばレンズ11のレンズ表面S601またはレンズ表面S602を、折り返しミラーM33の表面の歪みの補正すなわち補償のために選択することができる。
参照符号20で全体を表す投影対物レンズを図2に示すが、これは、E1からE13までのレンズとM21ないしM26の6つのミラーとを有している。この投影対物レンズ20の詳細は、上記特許文献2を参照されたい。
以下のように、M21ないしM26のミラーのそれぞれの光学活性な表面における周光光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMに関連して、M21ないしM26のミラーの位置を決定するが、ひとみ平面P1の近傍に位置するので少なくともミラーM22はひとみ近接状態であり、少なくともミラーM25はフィールド近接状態にある。
投影対物レンズ30は、第1の純粋に屈折光学系である部分G1を有し、これは第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像(フィールド2(F2))上へ対象面Rを画像化する。投影対物レンズ30はさらに第2の反射光学系部分G2を有し、ミラーM11およびM12を含んでおり、これは第2のひとみ平面P2を介して第2の中間像(フィールド3(F3))上へ第1中間像F2を画像化する。2つのミラーM11およびM12は凹面鏡であり、これらはフィールド近接状態で配置されており、第2のひとみ平面P2のそれぞれ上流および下流に位置している。
第1ひとみ平面P1の上流のフィールド近接レンズK11は、ミラーM11によって引き起こされる可能性がある収差の補正のために補正レンズとして選択することができる。さらにこの代替として、第2の中間像F3の下流にあり、かつ第3のひとみ平面P3の上流のフィールド近接補正レンズK11’を、ミラーM11によって引き起こされる収差の補正のために使用することができる。
レンズK11、K11’、K12およびK12’は、非球面化に用いる少なくとも1つの表面を有するレンズであり、かつ/または位置を移動させることができ、かつ/または変形可能なレンズである。
光伝達の方向において、本投影対物レンズ40は、第1のカタディオプトリック部分L1ないしM63の構成要素を有しており、第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像F2の上に対象面Rを画像化し、かつ少なくとも1つのひとみ近接状態ミラーM61、および第1ひとみ平面P1の下流の少なくとも1つのフィールド近接ミラーM63を含んでいる。
最終的に、投影対物レンズ40は第3の屈折光学系部分を有し、L5からL20までのレンズを含み、第3のひとみ平面P3を介して画像W(フィールド4)上に第2の中間像F3を画像化する。
さらに(加えて)または代替として、フィールド近接補正レンズK65’(=L5)を、ミラーM65の補正のために第2の中間像F3の下流にかつ第3のひとみ平面P3の上流に設け、かつひとみ近接補正レンズK61(=L4)を、ミラーM61およびM65を補正するために、第1ひとみ平面P1の近傍に設けるが、こうすることによって、さらにまたは代替として、ミラーM61およびM65を補正するための第3のひとみ平面P3の近傍にひとみ近接補正レンズK61’(=L15)を備えることが可能となる。
参照符号50で全体を表すさらなる投影対物レンズを図5に示す。
投影対物レンズ50は、対象面Rに始まり、第1の屈折光学系部分を有し、これは第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像F2の上に対象面Rを画像化する。第1の屈折光学系部分に隣接して、本投影対物レンズ50は第2のカタディオプトリック部分を有し、これは第2の像平面P2を介して第2の中間像F3の上に第1中間像F2を画像化し、第2のひとみ平面P2の上流に少なくとも1つのフィールド近接ミラーM51、および少なくとも1つのひとみ近接ミラーM52を含んでいる。
最終的に、投影対物レンズ50は、第4のひとみ平面P4を介して、像平面W(=F5)の上に第3の中間像F4を画像化する第4のカタディオプトリック部分を有し、これは第4のひとみ平面P4の上流にフィールド近接ミラーM54を含んでいる。
さらに、または代替として、ミラーM51およびM54の補正のために、第1中間像F2の下流でありかつ第2のひとみ平面P2の上流にフィールド近接補正レンズK51’を設ける。
ひとみ近接補正レンズK52を、ミラーM52およびM53を補正するために第1ひとみ平面P1の近傍に設ける。
さらに、または代替として、ひとみ近接補正レンズK52’’を、ミラーM52およびM53を補正するために第3のひとみ平面P3の近傍に設ける。
さらに、または代替として、ひとみ近接補正レンズK52’を、ミラーM52およびM53を補正するために第4のひとみ平面P4の近傍に設ける。
図6に、参照符号60で全体を示すさらなる投影対物レンズを示す。この投影対物レンズの設計原理の説明は、上記特許文献1を参照されたい。本投影対物レンズ60は、図1の投影対物レンズ10の設計の変形である。同様に、本投影対物レンズ60は第1の屈折光学系部分を有し、これは第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像F2の上に対象面を画像化する。さらに、この投影対物レンズ60は第2のひとみ平面P2を介して第2の中間像F3の上に第1中間像F2を画像化する第2のカタディオプトリック部分を有し、第2のひとみ平面P2の上流の第1のフィールド近接ミラーM71およびひとみ近接ミラーM72を有する。最後に、この投影対物レンズ60は、第3のひとみ平面P3を介して画像W(F4)の上に第2の中間像F3を画像化する第3のカタディオプトリック部分を有し、かつ第3のひとみ平面P3の上流に第2のフィールド近接ミラーM73を含んでいる。ミラーM71およびM73は、ミラーM31およびM33と同様の折り返しミラーであり、ミラーM72は凹面鏡である。
最後に、図7に、参照符号70で全体を示す投影対物レンズを示すが、この設計原理に関連しては、上記特許文献4中に、より詳細に記述してある。この点について上記文献を参照する。
フィールド近接補正レンズK42(=L12)は、ミラーM42の補正のために、第1のひとみ平面P1の下流で、かつ中間像F2の上流に設ける。
Claims (24)
- リソグラフィ投影露光機の投影対物レンズの少なくとも1つの画像欠陥を補正する方法であって、
前記投影対物レンズが、複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーから構成される光学配置構造を含み、
前記少なくとも1つのミラーが、欠陥を有する可能性があり、したがって前記少なくとも1つの画像欠陥の原因となる光学的作用表面を有し、
前記少なくとも1つのミラーの前記光学的作用表面における周光光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを少なくとも近似的に決定するステップと、
前記レンズのレンズ表面のうち少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を近似的に決定し、そこにおいて周光光線高さhLRに対する主光線高さhLHの比であるVLの大きさを前記比VMに少なくとも最も近接させるステップと、
前記少なくとも1つの決定したレンズ表面を、前記画像欠陥の補正のために選択するステップとを含む方法。 - 前記比VLが、前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面の前記比VMと同じ符号を有する請求項1に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのミラーが、フィールド平面の近傍に配置されている請求項2に記載の方法。
- 前記光学配置構造が、前記投影対物レンズのひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのミラーを有し、前記投影対物レンズのひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのレンズ表面が、前記補正用に選択される請求項1ないし3に記載の方法。
- 前記光学配置構造が、前記投影対物レンズの少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが異なる符号を有し、かつ前記投影対物レンズの少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されており、かつそこにおいて比VL1とVL2とが異なる符号を有する少なくとも2つのレンズ表面が、前記補正用に選択される請求項1ないし4に記載の方法。
- 前記光学配置構造が、前記投影対物レンズの少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが同じ符号を有し、かつ前記投影対物レンズのフィールド平面の近傍に配置されており、そこにおいて比VLが比VM1およびVM2と同じ符号を有する少なくとも1つのレンズ表面が、前記補正用に選択される請求項1ないし5に記載の方法。
- 前記比VLの前記比VMからの偏差が、20%未満、好ましくは15%未満、好ましくは10%未満である請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面に対して、前記少なくとも1つの画像欠陥を補正するための非球面化を行う請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。
- 少なくとも1つの選択されたレンズ表面を有する前記少なくとも1枚のレンズにアクチュエーターを割り当て、このアクチュエーターによる前記少なくとも1枚のレンズの位置の調節および/または変形によって画像欠陥を補正する請求項1ないし8のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィ投影露光機の投影対物レンズであって、
複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーから構成される光学配置構造を含み、
前記少なくとも1つのミラーが、前記光学配置構造の少なくとも1つの画像欠陥を引き起こす可能性のある光学的作用表面を有し、かつ前記画像欠陥の補正のために前記レンズのレンズ表面のうち少なくとも1つの光学的作用レンズ表面が選択されており、
そこにおいて周光光線高さhRLに対する主光線高さLLHの比VLの大きさが、少なくとも1つのミラーの光学的活性表面の周光光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMに少なくとも最も近接されているリソグラフィ投影露光機の投影対物レンズ。 - 前記比VLが、前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面において、前記比VMと同じ符号を有する請求項10に記載の投影対物レンズ。
- 前記光学配置構造が、前記投影対物レンズのひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのミラーを有し、かつ前記投影対物レンズのひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのレンズ表面が補正用に選択されている請求項10または11に記載の投影対物レンズ。
- 前記光学配置構造が、前記投影対物レンズの少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが異なる符号を有し、かつ前記投影対物レンズの少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されており、そこにおいて比VL1とVL2とが異なる符号を有する少なくとも2つのレンズ表面が補正用に選択されている、請求項10ないし12のいずれかに記載の投影対物レンズ。
- 前記光学配置構造が、投影対物レンズの少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが同じ符号を有し、前記投影対物レンズのフィールド平面の近傍に配置されており、そこにおいて前記比VLが、比VM1およびVM2と同じ符号を有している少なくとも1つのレンズ表面が補正用に選択されている請求項10ないし13のいずれかに記載の投影対物レンズ。
- 前記比VLの前記比VMからの偏差が、20%未満、好ましくは15%未満、好ましくは10%未満である請求項10ないし14のいずれかに記載の投影対物レンズ。
- 前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面が非球面化されている請求項10ないし15のいずれかに記載の投影対物レンズ。
- 前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面を有する前記少なくとも1つのレンズに、位置の調節および/またはレンズの変形のためのアクチュエーターが割り当てられている請求項10ないし16のいずれかに記載の投影対物レンズ。
- 投影対物レンズ、特に請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物レンズであって、
光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1の屈折光学系部分と、
第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1中間像を画像化する第2の反射光学系部分であって、それぞれ前記第2のひとみ平面の上流および下流に、第1および第2のそれぞれのフィールドに近接した凹面鏡(M11およびM12)を含む第2の反射光学系部分と、
第3のひとみ平面を介して前記像平面上へ前記第2の中間像を画像化する第3の屈折光学系部分とを、光路上、この順序で含み、
前記第1の凹面鏡(M11)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K11)が、第1のひとみ平面の上流に配置されており、かつ/または、
前記第1凹面鏡(M11)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K11’)が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に配置されており、かつ、
前記第2の凹面鏡(M12)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K12)が、前記第1のひとみ平面の下流で、かつ前記第1の中間像の上流に配置されており、かつ/または、
前記第2の凹面鏡(M12)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K12’)が、前記第3のひとみ平面の下流に配置されている投影対物レンズ。 - 投影対物レンズ、特に請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物レンズであって、
光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
第1のひとみ平面を介して中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、少なくとも1つの第1のミラー(M22)がひとみに近接している少なくとも2つの偶数のミラー(M21ないしM24)を含んでいる第1のカタディオプトリック部分と、
第2のひとみ平面を介して前記画像上へ前記中間像を画像化し、第2のフィールド近接ミラー(M25)を含む第2のカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
前記第1のミラー(M22)を補正するために設けられたひとみ近接補正レンズ(K22)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第1のミラー(M22)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K22’)が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ、
前記第2のミラー(M25)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K25)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられている投影対物レンズ。 - 投影対物レンズ、特に請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物レンズであって、
光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、前記第1のひとみ平面の下流に第1のフィールド近接ミラー(M31)を含んでいる第1のカタディオプトリック部分と、
第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2のカタディオプトリック部分であって、第2のひとみ近接ミラー(M32)を含んでいる第2のカタディオプトリック部分と、
第3のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第2の中間像を画像化する第3のカタディオプトリック部分であって、前記第3のひとみ平面の上流に第3のフィールド近接ミラー(M33)を含んでいる第3のカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
前記第1のミラー(M31)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K31)が、前記第1のひとみ平面の下流で、かつ前記第1中間像の上流に設けられており、かつ/または、
前記第1のミラー(M31)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K31’)が、前記第3のひとみ平面の下流に設けられており、かつ、
前記第3のミラー(M33)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K32)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
前記第3のミラー(M33)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K32’)が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
前記第2のミラー(M32)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K33)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第2のミラー(M32)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K33’)が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第2のミラー(M32)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K33’’)が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物レンズ。 - 投影対物レンズ、特に請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物レンズであって、
光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、第1のひとみ近接ミラー(M41)および第2のフィールド近接ミラー(M42)を含み、後者が、前記第1のひとみ平面の下流に配置されている第1のカタディオプトリック部分と、
第2のひとみ平面を介して前記画像上へ前記中間像を画像化する第2の屈折光学系部分とを、光路上、この順序で含み、
前記第1のミラー(M41)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K41)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第1のミラー(M41)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K41’)が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ、
前記第2のミラー(M42)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K42)が、前記第1のひとみ平面の下流で、かつ前記中間像の上流に設けられている投影対物レンズ。 - 投影対物レンズ、特に請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物レンズであって、
光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1の屈折光学系部分と、
第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2のカタディオプトリック部分であって、前記第2のひとみ平面の上流の第1のフィールド近接ミラー(M51)、および第2のひとみ近接ミラー(M52)を含んでいる第2のカタディオプトリック部分と、
第3のひとみ平面を介して第3の中間像上へ前記第2の中間像を画像化する第3のカタディオプトリック部分であって、第3のひとみ近接ミラー(M53)を含んでいる第3のカタディオプトリック部分と、
第4のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第3の中間像を画像化する第4のカタディオプトリック部分であって、前記第4のひとみ平面の上流に第4のフィールド近接ミラー(M54)を含むカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
前記第1および第4のミラー(M51、M54)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K51)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
前記第1および第4のミラー(M51、M54)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K51‘)が、前記第1中間像の下流で、かつ前記第2のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
前記第1および第4のミラー(M51、M54)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K51’’)が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52’)が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52’’)が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52’’’)が、前記第4のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物レンズ。 - 投影対物レンズ、特に請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物レンズであって、
光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、第1のひとみ近接ミラー(M61)、および少なくとも1つの第2のフィールド近接ミラー(M63)を含んでおり、後者が、前記第1のひとみ平面の下流に配置されているカタディオプトリック部分と、
第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2の反射光学系部分であって、前記第2のひとみ平面の上流の第3のフィールド近接ミラー(M64)、および第4のひとみ近接ミラー(M65)を含んでいる第2の反射光学系部分と、
第3のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第2の中間像を画像化する第3の屈折光学系部分とを、光路上、この順序で含み、
前記第2のミラー(M63)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K63)が、前記第3のひとみ平面の下流に配置されており、かつ、
前記第3のミラー(M64)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K64)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
前記第3のミラー(M64)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K64’)が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
前記ミラー(M61、M65)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K61)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記ミラー(M61、M65)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K61’)が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物レンズ。 - 投影対物レンズ、特に請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物レンズであって、
光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1の屈折光学系部分と、
第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2のカタディオプトリック部分であって、前記第2のひとみ平面の上流の第1のフィールド近接ミラー(M71)、およびひとみ近接ミラー(M72)を含んでいる第2のカタディオプトリック部分と、
第3のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第2の中間像を画像化する第3のカタディオプトリック部分であって、前記第3のひとみ平面の上流に第2のフィールド近接ミラー(M73)を含む第3のカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
前記第1および第3のミラー(M71、M73)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K71)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
前記第1および第3のミラー(K71、M73)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K71’)が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
前記第2のミラー(M72)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K72)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第2のミラー(M72)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K72’)が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
前記第2のミラー(M72)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K72’’)が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物レンズ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US69611805P | 2005-07-01 | 2005-07-01 | |
US60/696,118 | 2005-07-01 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007013179A true JP2007013179A (ja) | 2007-01-18 |
JP2007013179A5 JP2007013179A5 (ja) | 2012-02-23 |
JP5047544B2 JP5047544B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=37497841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006179801A Expired - Fee Related JP5047544B2 (ja) | 2005-07-01 | 2006-06-29 | リソグラフィ投影対物系の補正方法およびリソグラフィ投影対物系 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20070019305A1 (ja) |
EP (1) | EP1746463A2 (ja) |
JP (1) | JP5047544B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008181125A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Carl Zeiss Smt Ag | リソグラフィ用投影対物レンズ |
WO2015041335A1 (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-26 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影光学系の調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
WO2018066714A1 (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 投射光学系および投射装置および撮像装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE602005008591D1 (de) | 2004-06-10 | 2008-09-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung |
EP1746463A2 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-24 | Carl Zeiss SMT AG | Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv |
US7724351B2 (en) * | 2006-01-30 | 2010-05-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element |
DE102006045075A1 (de) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Steuerbares optisches Element |
WO2009026970A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Controllable optical element and method for operating an optical element with thermal actuators and projection exposure apparatus for semiconductor lithography |
US8705170B2 (en) * | 2008-08-29 | 2014-04-22 | Nikon Corporation | High NA catadioptric imaging optics for imaging A reticle to a pair of imaging locations |
CN102428408B (zh) | 2009-05-16 | 2014-11-05 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 包括光学校正布置的用于半导体光刻的投射曝光设备 |
US8426119B2 (en) * | 2009-10-21 | 2013-04-23 | GM Global Technology Operations LLC | Dynamic projection method for micro-truss foam fabrication |
DE102012216494A1 (de) | 2012-09-17 | 2013-08-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie und Projektionsbelichtungssystem |
US11860316B1 (en) * | 2018-08-21 | 2024-01-02 | Innovusion, Inc. | Systems and method for debris and water obfuscation compensation for use in LiDAR systems |
Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH075365A (ja) * | 1993-02-01 | 1995-01-10 | Nikon Corp | オフアクシス反射屈折型投影光学系 |
JPH10284365A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP2001166210A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Carl Zeiss:Fa | 2つの中間像を持つ反射屈折対物レンズ |
JP2002519843A (ja) * | 1998-06-20 | 2002-07-02 | カール・ツアイス・スティフツング・トレーディング・アズ・カール・ツアイス | 光学系、特にマイクロリソグラフィの投影露光装置 |
JP2002208551A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及び投影露光装置 |
JP2002258131A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-11 | Nikon Corp | 投影光学系及びその製造方法、露光装置及びその製造方法、並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002277742A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-09-25 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2003535356A (ja) * | 1999-12-29 | 2003-11-25 | カール・ツアイス・スティフツング・トレーディング・アズ・カール・ツアイス | 非球面レンズ表面が隣接して配置されている投影対物レンズ |
JP2004514943A (ja) * | 2000-11-28 | 2004-05-20 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系 |
JP2004259844A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法 |
JP2004258179A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法 |
JP2004317534A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 反射屈折型の結像光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2005504337A (ja) * | 2001-09-20 | 2005-02-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折縮小レンズ |
JP2005064310A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Nikon Corp | 光学系の収差調整方法、光学系、露光装置および露光方法 |
JP2005512151A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | カタジオプトリック縮小対物レンズ |
JP2005129775A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2005536775A (ja) * | 2002-08-23 | 2005-12-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法 |
JP2007508591A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折投影対物レンズ |
JP2007514192A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-05-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ |
JP2007516613A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-06-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5117255A (en) * | 1990-09-19 | 1992-05-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5223982A (en) * | 1991-03-05 | 1993-06-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Objective lens system for endoscopes |
US5148314A (en) * | 1991-06-06 | 1992-09-15 | Chen Chungte W | Optical systems employing refractive and diffractive optical elements to correct for chromatic aberration |
US5592259A (en) * | 1991-08-09 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Photomask, an exposure method and a projection exposure apparatus |
US5392119A (en) * | 1993-07-13 | 1995-02-21 | Litel Instruments | Plate correction of imaging systems |
JP3341269B2 (ja) * | 1993-12-22 | 2002-11-05 | 株式会社ニコン | 投影露光装置、露光方法、半導体の製造方法及び投影光学系の調整方法 |
US6333776B1 (en) * | 1994-03-29 | 2001-12-25 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3893626B2 (ja) | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
US6545746B1 (en) * | 1996-03-04 | 2003-04-08 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
EP0824721B1 (en) | 1996-03-07 | 2000-07-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Imaging system and apparatus for ultraviolet lithography |
US6157498A (en) * | 1996-06-19 | 2000-12-05 | Nikon Corporation | Dual-imaging optical system |
DE19639586A1 (de) | 1996-09-26 | 1998-04-02 | Zeiss Carl Fa | Katadioptrisches Mikrolithographie-Reduktionsobjektiv |
JP4192279B2 (ja) | 1996-09-27 | 2008-12-10 | 株式会社ニコン | 投影光学系の製造方法、該製造方法によって製造された投影光学系、投影露光装置および方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JPH1145842A (ja) | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Nikon Corp | 投影露光装置と露光方法、該露光装置の調整方法、及び回路デバイス製造方法 |
US6522386B1 (en) * | 1997-07-24 | 2003-02-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element |
JP2000091209A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6396067B1 (en) * | 1998-05-06 | 2002-05-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
JP4717974B2 (ja) | 1999-07-13 | 2011-07-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
US6366389B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-04-02 | Michael Wraback | High contrast, ultrafast optically-addressed ultraviolet light modulator based upon optical anisotropy |
JP2001168000A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-22 | Nikon Corp | 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法 |
TW538256B (en) | 2000-01-14 | 2003-06-21 | Zeiss Stiftung | Microlithographic reduction projection catadioptric objective |
US6621556B2 (en) * | 2000-02-28 | 2003-09-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof |
JP2002250865A (ja) | 2000-06-14 | 2002-09-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびそれらの製造方法 |
WO2002093230A1 (en) * | 2001-05-15 | 2002-11-21 | Industrial Research Limited | High etendue optical imaging system |
US6831731B2 (en) * | 2001-06-28 | 2004-12-14 | Nikon Corporation | Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system |
EP1306698A1 (en) | 2001-10-26 | 2003-05-02 | Nikon Corporation | Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for the same, and EUV optical systems comprising the same |
EP1369608A3 (en) | 2002-05-23 | 2005-06-01 | Nsk Ltd | Linear guide apparatus |
EP1523692A2 (en) | 2002-07-18 | 2005-04-20 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective |
DE10258715B4 (de) * | 2002-12-10 | 2006-12-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Herstellung eines optischen Abbildungssystems |
SG160223A1 (en) | 2003-05-06 | 2010-04-29 | Nikon Corp | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
KR101309242B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
DE602005008591D1 (de) | 2004-06-10 | 2008-09-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung |
US20060238735A1 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Vladimir Kamenov | Optical system of a projection exposure apparatus |
EP1746463A2 (de) | 2005-07-01 | 2007-01-24 | Carl Zeiss SMT AG | Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv |
-
2006
- 2006-06-24 EP EP06013080A patent/EP1746463A2/de not_active Withdrawn
- 2006-06-29 JP JP2006179801A patent/JP5047544B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-30 US US11/479,574 patent/US20070019305A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-07-20 US US13/187,003 patent/US8174676B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-05 US US13/440,226 patent/US8659744B2/en active Active
Patent Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH075365A (ja) * | 1993-02-01 | 1995-01-10 | Nikon Corp | オフアクシス反射屈折型投影光学系 |
JPH10284365A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP2002519843A (ja) * | 1998-06-20 | 2002-07-02 | カール・ツアイス・スティフツング・トレーディング・アズ・カール・ツアイス | 光学系、特にマイクロリソグラフィの投影露光装置 |
JP2001166210A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-06-22 | Carl Zeiss:Fa | 2つの中間像を持つ反射屈折対物レンズ |
JP2003535356A (ja) * | 1999-12-29 | 2003-11-25 | カール・ツアイス・スティフツング・トレーディング・アズ・カール・ツアイス | 非球面レンズ表面が隣接して配置されている投影対物レンズ |
JP2002277742A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-09-25 | Nikon Corp | 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置 |
JP2004514943A (ja) * | 2000-11-28 | 2004-05-20 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系 |
JP2002258131A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-11 | Nikon Corp | 投影光学系及びその製造方法、露光装置及びその製造方法、並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2002208551A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | Nikon Corp | 反射屈折光学系及び投影露光装置 |
JP2005504337A (ja) * | 2001-09-20 | 2005-02-10 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折縮小レンズ |
JP2005512151A (ja) * | 2001-12-10 | 2005-04-28 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | カタジオプトリック縮小対物レンズ |
JP2005536775A (ja) * | 2002-08-23 | 2005-12-02 | 株式会社ニコン | 投影光学系、フォトリソグラフィ方法および露光装置、並びに露光装置を用いた方法 |
JP2004258179A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法 |
JP2004259844A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法 |
JP2004317534A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nikon Corp | 反射屈折型の結像光学系、露光装置、および露光方法 |
JP2005064310A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Nikon Corp | 光学系の収差調整方法、光学系、露光装置および露光方法 |
JP2007508591A (ja) * | 2003-10-17 | 2007-04-05 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 反射屈折投影対物レンズ |
JP2005129775A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Nikon Corp | 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2007514192A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-05-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ |
JP2007516613A (ja) * | 2003-12-15 | 2007-06-21 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | 少なくとも1つの液体レンズを備えるマイクロリソグラフィー投影対物レンズとしての対物レンズ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008181125A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Carl Zeiss Smt Ag | リソグラフィ用投影対物レンズ |
US8068276B2 (en) | 2007-01-23 | 2011-11-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective for lithography |
KR101421298B1 (ko) | 2007-01-23 | 2014-07-18 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 리소그라피를 위한 투영 대물 렌즈 |
WO2015041335A1 (ja) * | 2013-09-19 | 2015-03-26 | 株式会社ニコン | 投影光学系、投影光学系の調整方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
WO2018066714A1 (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 投射光学系および投射装置および撮像装置 |
JP2018060131A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 | 投射光学系および投射装置および撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5047544B2 (ja) | 2012-10-10 |
US20110279803A1 (en) | 2011-11-17 |
US8659744B2 (en) | 2014-02-25 |
US8174676B2 (en) | 2012-05-08 |
EP1746463A2 (de) | 2007-01-24 |
US20070019305A1 (en) | 2007-01-25 |
US20120188636A1 (en) | 2012-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5047544B2 (ja) | リソグラフィ投影対物系の補正方法およびリソグラフィ投影対物系 | |
JP2007013179A5 (ja) | ||
JP4178862B2 (ja) | Euvフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ | |
US7006304B2 (en) | Catadioptric reduction lens | |
CN102640057B (zh) | 包含偏转镜的折反射投射物镜以及投射曝光方法 | |
JP4410133B2 (ja) | リソグラフィ装置の投影システムの収差決定法 | |
US20090097106A1 (en) | Reflective-Type Projection Optical System and Exposure Apparatus Equipped with the Reflective-Type Projection Optical System | |
US8068276B2 (en) | Projection objective for lithography | |
US7283206B2 (en) | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
JP2010515247A (ja) | 傾斜偏向ミラーを有する反射屈折投影対物器械、投影露光装置、投影露光方法、及びミラー | |
JPH1039208A (ja) | 投影光学系 | |
KR20170114976A (ko) | 투영 노광 방법 및 투영 노광 장치 | |
KR100331063B1 (ko) | 역운동을 갖는 스캐닝 리소그래피 시스템 | |
US7714985B2 (en) | Projection optical system | |
TWI397781B (zh) | Optical system, exposure apparatus and apparatus manufacturing method | |
JP2010257998A (ja) | 反射投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
US7630057B2 (en) | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
KR20090071384A (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
US7522260B1 (en) | Method for correcting astigmatism in a microlithography projection exposure apparatus, a projection objective of such a projection exposure apparatus, and a fabrication method for micropatterned components | |
US20140168623A1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device | |
JP7332415B2 (ja) | 投影光学系、走査露光装置および物品製造方法 | |
US20230050291A1 (en) | Method and device for correcting a telecentricity error of an imaging device | |
WO2010052961A1 (ja) | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2009258461A (ja) | 結像光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080905 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080917 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080917 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110610 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110704 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20111003 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111006 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20120104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120618 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120718 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5047544 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |