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リソグラフィ投影対物系の補正方法およびリソグラフィ投影対物系
本発明は、リソグラフィ投影露光機の投影対物系の少なくとも1つのイメージ欠陥を補正する方法に関し、この投影対物系は、複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーを含む光学配置構造を含む。
本発明は、さらにこの種の投影対物系に関する。
上記のような型式の投影対物系はリソグラフィ法で使用し、特に半導体のマイクロリソグラフィによる製造でよく使用するが、この場合焦点板(レチクル)とも称される構造を有するオブジェクトを、ウェーハといわれるキャリアー上へ投影対物系によって画像化する。このキャリアーは感光層を備えており、投影対物系を介した光によってその上に露光が行われると、オブジェクトの構造を感光層上へ転写する。この感光層を現像し、次いで必要な構造をキャリアー上に製造し、この露光操作を状況に応じて複数の方法で繰り返す。
この方法の場合に使用し、多数のレンズおよび少なくとも1つのミラーを含む光学配置構造を有する投影対物系を、カタディオプトリック(反射屈折結像系)ともいう。このカタディオプトリック投影対物系は、たとえば下記特許文献1に記述されている。高アパーチャ(口径)投影対物系の中で、カタディオプトリック投影対物系は重要性が増大しているが、それは、純粋な屈折(ディオプトリック)投影対物系と比較すると、このカタディオプトリック投影対物系によって、種々の需要家特有の要求を満たす目的のために、全体的に見て経済的な妥協が可能となるからである。
このようなカタディオプトリック投影対物系で用いる少なくとも1つ、多くの場合は数個のミラーは、2つの種類、特に反射光学倍率を有するものおよび反射光学倍率を有さないものへ細分することができる。反射光学倍率を有するミラーは、主としてゼロ分散の反射光学倍率を実現するのに役立ち、主として像面の補正に対して適切かつ明確に貢献する。このため、古典的でかつ純粋に屈折のみによる設計と比較して、多くのレンズを省くことができるようになる。折り返しミラーと呼ぶ反射光学倍率を有さないミラーは、ビームガイドの目的に役立ち、おおむね設計要件として必要とされる。
本発明の範疇においては、少なくとも1つのミラーは反射光学倍率を有するか、または反射光学倍率を有さないミラーとすることができる。カタディオプトリック投影対物系に関する問題は、ミラーの光学的作用表面では公差条件が狭いということである。この公差条件の狭いことは、ミラーの表面の歪みの光学的効果が、レンズの表面の場合の2倍超であるという事実による。この理由は、ミラーの歪みΔzはその入射光および反射光ビームが横切る、すなわち2回横切られるが、レンズ表面の表面歪みΔzは1度だけ横切られることになり、さらにレンズの屈折率が通常>1であるからである。
ミラーの表面の欠陥は、製作中の不正確さ、またはミラーコーティングの層応力によって引き起こされる場合がある。欠陥は、さらにミラーを取り外す際および設置する際に、これまでの設置位置を正確に再現することができるとは限らないため生じる場合がある。コーティングとミラーの基体との熱膨脹係数が異なり、このミラーの形が光の照射で変化するという事実があるために、層応力に起因する歪みが頻繁に生じる。同様の影響は、ミラーの基体をコーティングした後のリラクセーション工程によって生じる場合がある。
投影対物系内でミラーを使用すると、投影対物系の組立てのときには知られていなかった使用ミラーの歪みを調整する必要が出てきて、結果的に調節に対してより多くの経費が必要となる。欠陥のあるミラー面では投影光の波面のエラーが起こり、そのためキャリアー(ウェーハ)上に対するオブジェクト(焦点板)の画像処理を欠陥のあるものとしてしまうが、製造する半導体構造では小型化が現在必要とされていることを考慮すると、このことは許容することができない。
したがって、このような波面エラー(すなわちカタディオプトリック投影対物系のイメージ欠陥)を補正するためのふさわしい方法、および少なくとも大幅にエラー補償できるカタディオプトリック投影対物系の必要性がある。1つ以上の欠陥のあるミラーによって引き起こされる、カタディオプトリック投影対物系のイメージ欠陥を補償する1つの策は、研磨またはイオンビームエッチングによって、局所的に非球面化して欠陥のあるミラー面(単数または複数)を直接補正することであろう。しかしながら、ある時にはこの欠陥のあるミラー(単数または複数)を数回投影対物系から取り出し、次いでその対物レンズの中に再設置する必要があり、この操作は再設置したミラー(単数または複数)の調節に特に高度な条件が必要となるため、この方法は、時には非常に複雑になることがある。さらに、上述のように、ミラーの欠陥の光学効果は、レンズの欠陥の光学効果より実質的に大きい。さらに、ミラー面上の非球面化工程を精度よく操作するにおいては問題があるため、ミラー面を頻繁に直接補正することはできない。
この目的に対する代替可能な策は、関連する欠陥のあるミラーのきわめて近傍で光学的操作レンズ表面を非球面化することである。
しかしながら、下記特許文献2の図1による投影対物系の場合のように、レンズというものは必ずしも関連するミラーのすぐ近傍に設けてあるというわけではないので、この方法の手順はカタディオプトリック投影対物系のすべての設計にとって可能というわけではない。その上、適切なレンズは確かに存在するが、設計型式のために非球面化にふさわしくないという場合がさらに生じる場合がある。
したがって、カタディオプトリック投影対物系の少なくとも1つの収差の補正にふさわしい方法、および収差が1つ以上のミラー面で欠陥によって引き起こされ、エラー補償されたカタディオプトリック投影対物系のさらなる必要性がある。
国際公開第2004/019128号パンフレット 国際公開第2002/044786号パンフレット 国際公開第2004/107011号パンフレット 欧州特許出願公開第1318425号明細書
本発明は、カタディオプトリック(反射屈折)投影対物系の少なくとも1つのイメージ欠陥を補正するための改良された方法を提供することを目的とする。
本発明のさらなる目的は、少なくとも1つの欠陥のあるミラーによって引き起こされるイメージ欠陥が少なくとも低減される、改良されたカタディオプトリック投影対物系を規定することである。
本発明の第1の局面によれば、リソグラフィ投影露光機の投影対物系の少なくとも1つのイメージ欠陥を補正する方法が提供される。この投影対物系は、複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーから構成される光学配置構造を含み、前記少なくとも1つのミラーが欠陥を有する可能性があり、したがって少なくとも1つの収差の原因となる光学的作用表面を有する。前記方法は、
前記少なくとも1つのミラーの前記光学的作用表面における周辺光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを少なくとも近似的に決定するステップと、
前記レンズのレンズ表面のうち、周辺光線高さh L Rに対する主光線高さh L Hの比であるVLの大きさが比VMに少なくとも最も近い少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を近似的に決定し、好ましくはこの光学活性なレンズ表面をVLがさらにVMと同符号を持つように決定するステップと、
画像欠陥の補正のために少なくとも1つの決定したレンズ表面を選択するステップとを含んでいる。
本発明のさらなる局面によれば、複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーから構成される光学配置構造を含むリソグラフィ投影露光機の投影対物系が提供される。少なくとも1つのミラーが、この光学配置構造の少なくとも1つの画像欠陥を引き起こす可能性がある光学的作用表面を有し、この画像欠陥の補正のためにレンズのレンズ表面のうち、周辺光線高さh R Lに対する主光線高さh L Hの比であるVLの大きさが、少なくとも1つのミラーの光学活性な表面の周辺光線高さh M Rに対する主光線高さh M Hの比VMに少なくとも最も近い少なくとも1つの光学的作用レンズ表面が選択されており、好ましくは、さらにVLがVMと同符号を有するように選択されている。
本発明は、少なくとも1つの欠陥のあるミラー自体の、またはそのミラーの近傍での欠陥、すなわち歪みを補正することが絶対に必要であるわけではなく、その光学的な影響を補償することで十分であるとの考えに端を発している。この補償、たとえば光学的作用表面の非球面化の光学的効果は、局所的な非球面化の形の関数であるだけでなく、投影光学では光学面の位置によって決定されるものである。投影対物系内における光学面上の周辺光線高さに対する主光線高さの比は、たとえば前記光学面の位置の非球面化などの光学的効果の信頼性にとって重要である。主光線高さは、絶対的には最大のフィールド高さを有しているオブジェクトフィールドのフィールドポイントの主光線の光線高さとして理解できる。周辺光線高さは、オブジェクトフィールドの中央から放射される最大口径の光線の高さである。
本発明の意味するところでは、「光学的作用表面」は、一般的な意味で理解してよく、あるミラーのこのような表面は、焦点を合わせ、焦点をずらし、または単にビームのガイドをすることができる(ビーム曲げ)。光学的作用表面は、おおむね投影対物系内で、ミラーの設置された状態で光によって使用される表面である。
本発明は、以下の事実に基づいている。すなわち、少なくとも1つのミラーの歪みによって引き起こされた波面エラーを補償するために設ける、少なくとも1つのレンズ表面を最良に選択する第1ステップは、そのミラーの光学的作用表面上の周辺光線高さに対する主光線高さの(符号付きの)比を使用して、投影対物系の内部のミラーの位置を決定することである。次いで、さらなるステップは、収差の補償すなわち補正のために、複数のレンズの複数の表面のうち少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を選択するステップであって、そこにおいては、その光学的作用を有するミラー面で、周辺光線高さに対する主光線高さの比が、できるだけ周辺光線高さに対する主光線高さの比に近づけるか、または同じにするステップからなる。換言すれば、この画像欠陥を補正するために、欠陥のあるミラー面に対して、少なくとも、ほとんど対になっているレンズ表面を選択するが、これは、このミラーに必ずしも隣接している必要がないということである。
本発明のさらなる好ましい改良例では、既述のように、選択した少なくとも1つのレンズ表面を非球面化することによって、少なくとも1つの画像欠陥の補正を実行するか、または、選択したレンズ表面を有する少なくとも1枚のレンズにアクチュエーターを割り当てて、たとえば傾斜させたりまたは変位させたりすることにによって、もしくはこのレンズの光学軸に垂直な平面内で回転させることによって、またはこれらの位置調節の組み合わせによって、少なくとも1つの画像欠陥が位置の調節によって補正することができるようにするか、かつ/または選択されたレンズ表面を有する少なくとも1枚のレンズにアクチュエーターを割り当て、この少なくとも1つの収差をレンズの変位によって補正することができるようにする。
本発明のさらなる利点および特徴を、添付する図に関連させて、好ましい典型的な実施形態の記述をもって以下に示すこととする。
本発明の典型的な実施形態を選択し、図面に示し、かつこれらを参照しつつより詳細に以下に説明する。
図の詳細に入る前に、最初に、リソグラフィ投影露光機のカタディオプトリック投影対物系の少なくとも1つのイメージ欠陥を補正する方法を全体として述べることとする。カタディオプトリック投影対物系は、複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーを含む光学的配置構造を有する。
この少なくとも1つのミラーは、製造工程からくる欠陥を含む光学的作用表面を有する可能性があり、これは少なくとも1つの画像欠陥の原因となる。
工程中では、第1に、投影対物系の内部の少なくとも1つのミラーの光学的作用表面の位置を決定する。
この決定は、少なくとも1つのミラーの光学的作用表面上での周辺光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを使用して行なう。
この主光線高さとは、最大のフィールド高さを有するオブジェクトフィールドのフィールドポイントの主光線の高さである。周辺光線高さとは、オブジェクトフィールドの中央から放射する最大口径を有する光線の高さである。
周辺光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを、少なくとも1つのミラーの欠陥を有する可能性のある光学的作用表面で決定した後、光学的作用ミラー面に対して少なくともほぼ対になっている少なくとも1つの光学的作用レンズ表面が、投影対物系の中に存在するレンズの表面の全体の中から決定される。周辺光線高さhMRに対する主光線高さhLHの比VLの大きさは、比VMに少なくとも近似し、その偏差は、たとえば20%未満、好ましくは15%未満、さらに好ましくは10%未満である。
上記の少なくとも1つの少なくともほぼ結合されている光学的作用レンズ表面を、さらにVLの符号がVMの符号に一致するように選択することが特に好ましい。
投影対物系の個々の光学的作用表面での周辺光線高さに対する主光線高さの比の決定の前に、レンズ曲率、レンズ材料、ミラー曲率や、光学部品、オブジェクト位置および像平面位置の相互間隔、アパーチャ寸法、フィールド寸法等の投影対物系の設計データを決定する。
投影対物系の少なくとも1つのミラーの光学的作用表面の位置を決定するために、また、少なくとも1つのミラーの欠陥のある可能性のある光学的作用表面によって引き起こされる画像欠陥の補正のために少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を決定するために、対応する光学的作用表面がひとみ近接表面か、フィールド近接表面かどうかを判断すれば十分であることがあり、この場合は比VMまたはVLを正確に決定する必要がなくなる。
ここで、ある表面上の周辺光線高さに対する主光線高さの比Vの大きさが、1/n未満である場合、光学的作用表面はひとみ近接状態、または、同義的にひとみ平面に近接した状態にあることを意味し、ある表面上の周辺光線高さに対する主光線高さの比Vの大きさがn/10より大きい場合、光学的作用表面はフィールド近接状態、または同義的にフィールド平面に近接した状態にあることを意味する。ここに、パラメーターnは、値5、好ましくは10、非常に好ましくは20であるように選択される。ある光学的作用表面の少なくとも1つが、ひとみの近傍に位置する場合、その光学機能部品は、ひとみ近接状態、またはひとみ平面に近接していることを意味する。ある光学的作用表面の少なくとも1つが、フィールドの近くに位置する場合、その光学機能部品は、フィールドに近接した状態、またはフィールド平面に近接した状態にあることを意味する。
したがって、本発明の目的にとって、第1に、ひとみ平面および投影対物系のフィールド平面を決定すれば十分である。前者は、少なくともほぼ光学軸に垂直な平面であり、おおよそ光学軸上にないすべてのフィールドポイントの主光線はすべてこの光学軸と交差する。すなわち、周辺光線高さに対する主光線高さの上記の比Vは、およそ0である。後者は少なくともほぼ光学軸に垂直な平面であり、それぞれのフィールドポイントに属するアパーチャ光線はすべて、少なくともほぼ、すべてフィールドポイントに合体させられる。すなわち、周辺光線高さに対する主光線高さの上記の比Vは、大きさの点からほぼ無限となる。後者は、対象面、中間像および像平面へと分割される。
周辺光線高さに対する主光線高さの比Vの符号は、ひとみ平面またはフィールド平面を介しての各パスで変化する。図1に、本発明による方法を適用している投影対物系の第1の典型的な実施形態を示す。
投影対物系の全体を、図1において、参照符号10で示す。射影の投影10の詳述に関連しては、上記特許文献1を参照されたい。
投影対物系10には3つのレンズグループおよび3つのミラーがあり、第1レンズグループは、L11ないしL110のレンズ群を有し、第2のレンズグループは、レンズL21およびL22を有し、3番目のレンズグループはL31ないしL315のレンズ群を有している。
31およびM33は、平らな2つの折り返しミラーを表わし、CM(=M32)は凹面鏡を表わす。Rは対象面すなわち焦点板(レチクル)平面を表わし、Wは像平面またはウェーハ平面を表わす。
図1中の投影対物系10はF1ないしF4の4つのフィールド平面があり、具体的には、オブジェクトフィールドF1、折り返しミラーM31と折り返しミラーM31に近接しているミラーCMとの間のフィールドF2、ミラーCMとミラーM32に近接している折り返しミラーM33との間のフィールドF3、およびフィールドF4である。
さらに、図1の投影対物系10には3つのひとみ平面があり、具体的にはレンズL14とL15との間のひとみ平面P1、ミラーCMの上のひとみ平面P2、およびレンズL310とL311との間のひとみ平面P3である。
したがって、ミラーCMはひとみ平面の近くに配置されており、ここでは、定義にあるように、周辺光線高さに対する主光線高さの比はおよそ0である。画像欠陥を生じさせるその可能性のある表面の歪みは、P1ないしP3の3つのひとみ平面のうちの1つの近傍に配置されているL11ないしL315のレンズの少なくとも1つのレンズ表面を補正することを選択することによって補正することができる。投影対物系10の場合には、好ましくは下記のようなレンズ表面が考えられる。すなわち:
レンズL14のレンズ表面S608
レンズL15のレンズ表面S609
レンズL21のレンズ表面S623,629
レンズL22のレンズ表面S625,627
レンズL310のレンズ表面S641および/または
レンズL311のレンズ表面S643
対照的に、2つの折り返しミラーM31およびM33は、フィールド平面F2およびF3の近傍に配置され、かつひとみ平面P2およびフィールド平面F2およびF3によって互いに隔離されている。続いて、ミラーM31およびM33の表面で、比hMH/hMRは、大きさの点から類似しているが、符号が異なる。したがって、非球面化には、少なくともさらに2つの光学的作用レンズ表面を用意することが必要となる。
折り返しミラーM31の表面の歪みの補正すなわち補償のために、レンズL110のレンズ表面S620またはレンズL19のレンズ表面S618を選択することができるし、またはレンズL315のレンズ表面S652を選択することができる。
周辺光線高さに対する主光線高さの比が大きさ、および符号の点で適切であるレンズL31のレンズ表面S632またはレンズL32のレンズ表面S634または、たとえばレンズ11のレンズ表面S601またはレンズ表面S602を、折り返しミラーM33の表面の歪みの補正すなわち補償のために選択することができる。
したがって、単にそれぞれ、1つの個々のレンズ表面を、個々のミラー面の補正に対して選択している場合、ミラーM31、M33およびCMの歪みの補正のために選択することができるレンズ表面の組み合わせは、10の可能性があることになる。ミラーM31、M33およびCMの歪みによって引き起こされた画像欠陥の補正は、上記の選択されたレンズ表面、またはこれらのレンズ表面の個々の上での非球面化により行なうことができる。
さらに、上記のレンズ表面に関連したレンズにアクチュエーター(図示せず)を設けることができ、これによってたとえば、補正用に選択されたレンズを傾斜または変位させることによって、または光学軸に垂直な平面内で回転させることによって、またはこれらの位置の調節の組み合わせによって、これらのレンズを容易にその位置で調節することができるようになる。さらに、このようなアクチュエーターはまた、レンズの歪みに影響する可能性がある。
まとめると、図1による投影対物系10は、ひとみ平面P2の近傍にミラーCMを有し、かつ投影対物系のフィールド平面F2、F3の近傍に2つのミラーM31、M33を有する。比VM1およびVM2は、ミラーM31、M33上で異なる符号を有している。P1ないしP3のひとみ平面の近傍に配置されている投影対物系10の光学的作用レンズ表面を、ミラーCMの歪みの補正のために選択する。投影対物系10のF1ないしF4のフィールド平面の近傍に配置されている投影対物系10のレンズのこのような光学的作用表面を、ミラーM31およびM33の歪みによって引き起こされた画像欠陥の補正のために選択するが、レンズ表面上の周辺光線高さに対する主光線高さの比VLは符号が異なっている。
補正レンズとして選択することができるレンズは、図1中に斜線を付してあり、K31、K31'、K32、K32'、K33、K33'、K33''で示す。補正レンズも以下の図中で斜線を付してあり、「K」を付している。
参照符号20で全体を表す投影対物系を図2に示すが、これは、E1からE13までのレンズとM21ないしM26の6つのミラーとを有している。この投影対物系20の詳細は、上記特許文献2を参照されたい。
射影の投影20が、フィールド平面F1(対象面)、フィールド平面F2(中間の像平面)およびフィールド平面F3(像平面)を有している。さらに、投影対物系20は、ひとみ平面P1およびひとみ平面P2を有している。
以下のように、M21ないしM26のミラーのそれぞれの光学活性な表面における周辺光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMに関連して、M21ないしM26のミラーの位置を決定するが、ひとみ平面P1の近傍に位置するので少なくともミラーM22はひとみ近接状態であり、少なくともミラーM25はフィールド近接状態にある。
たとえば、ミラーM22の光学的作用表面上の歪み、およびそれによって引き起こされた画像欠陥の補正すなわち補償のために、レンズK22(=E3)または、レンズK22'(=E8)のうちの1つ(または両方)のレンズ表面を選択することができる。たとえば、レンズK25(=E1)の後部レンズ表面をミラーM25の補正のために選択することができる。要約すると、ミラーM22がひとみ近接状態で、ミラーM25がフィールド近接状態であることが投影対物系20にあてはまる。投影対物系20のひとみ平面の近傍に配置される少なくとも1つのレンズ表面、および投影対物系20のフィールド平面の近傍に配置されるレンズ表面であって、その周辺光線高さに対する主光線高さの比がミラーM25の対応する比に対する符号と一致するものが、上記のミラー上の可能な歪みの補正のために選択される。投影対物系20の補正に続いて、今度は、選択されたレンズ表面上を非球面化することによってかつ/またはこれらのレンズ表面を有するレンズにアクチュエーターを割り当てることによって、補正用に選択されたレンズを傾斜させ、かつ/または変位させ、かつ/または変形させるようにすることが好ましい。
本発明による方法はまた、以下のような投影対物系に適用することができる。すなわち、その光学配置構造が、投影対物系の少なくとも1つのひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいては比VM1およびVM2には異なる符号を有し、投影対物系20の少なくとも1つのひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも2つのレンズ表面が補正に選択される。これらのレンズ表面では、比VL1とVL2とは異なる符号を有する。
同様に本発明による方法は、以下のような投影対物系に適用できる。すなわち、投影対物系の少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーからなる光学配置構造を有し、そこでは比VM1およびVM2が同じ符号を有し、この場合投影対物系のフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも1つのレンズ表面を補正に選択し、比VLが比VM1およびVM2と同じ符号を有しているものである。
参照符号30で全体を示すさらなる投影対物系を図3に示す。
投影対物系30は、第1の純粋に屈折光学系である部分G1を有し、これは第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像(フィールド2(F2))上へ対象面Rを画像化する。投影対物系30はさらに第2の反射光学系部分G2を有し、ミラーM11およびM12を含んでおり、これは第2のひとみ平面P2を介して第2の中間像(フィールド3(F3))上へ第1中間像F2を画像化する。2つのミラーM11およびM12は凹面鏡であり、これらはフィールド近接状態で配置されており、第2のひとみ平面P2のそれぞれ上流および下流に位置している。
投影対物系30は、さらに第3の屈折光学系部分G3を有し、これは第3のひとみ平面P3を介して像平面W上に第2の中間像F3を画像化する。
第1ひとみ平面P1の上流のフィールド近接レンズK11は、ミラーM11によって引き起こされる可能性がある収差の補正のために補正レンズとして選択することができる。さらにこの代替として、第2の中間像F3の下流にあり、かつ第3のひとみ平面P3の上流のフィールド近接補正レンズK11'を、ミラーM11によって引き起こされる収差の補正のために使用することができる。
さらに、第1ひとみ平面P1の下流でありかつ第1中間像F2の上流のフィールド近接レンズK12、および/または第3のひとみ平面P3の下流のフィールド近接レンズK12'をミラーM12によって引き起こされる収差の補正のために使用する。
レンズK11、K11'、K12およびK12'は、非球面化に用いる少なくとも1つの表面を有するレンズであり、かつ/または位置を移動させることができ、かつ/または変形可能なレンズである。
参照符号40で全体を示す投影対物系を図4に示すが、上記特許文献3の図14でその設計原理に関連してより詳細に記述されている。この点について上記文献3を参照する。
光伝達の方向において、本投影対物系40は、第1のカタディオプトリック部分L1ないしM63の構成要素を有しており、第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像F2の上に対象面Rを画像化し、かつ少なくとも1つのひとみ近接状態ミラーM61、および第1ひとみ平面P1の下流の少なくとも1つのフィールド近接ミラーM63を含んでいる。
投影対物系40はさらにM64ないしM66の構成要素を有する第2の反射光学系部分を有しており、第2のひとみ平面P2を介して第2の中間像F3の上に第1中間像F2を画像化し、かつ少なくとも1つのフィールド近接ミラーM64およびひとみ近接状態ミラーM65を含んでいる。
最終的に、投影対物系40は第3の屈折光学系部分を有し、L5からL20までのレンズを含み、第3のひとみ平面P3を介して画像W(フィールド4)上に第2の中間像F3を画像化する。
フィールド近接補正レンズK63(=L20)は、「フィールド近接ミラーM63を補正する」(より正確には、ミラーM63によって引き起こされる画像欠陥が補正される)ために第3のひとみ平面P3の下流に設け、かつフィールド近接補正レンズK65(=L1)を、ミラーM65を補正するために第1ひとみ平面P1の上流に設ける。
さらに(加えて)または代替として、フィールド近接補正レンズK65'(=L5)を、ミラーM65の補正のために第2の中間像F3の下流にかつ第3のひとみ平面P3の上流に設け、かつひとみ近接補正レンズK61(=L4)を、ミラーM61およびM65を補正するために、第1ひとみ平面P1の近傍に設けるが、こうすることによって、さらにまたは代替として、ミラーM61およびM65を補正するための第3のひとみ平面P3の近傍にひとみ近接補正レンズK61'(=L15)を備えることが可能となる。
61からK65'の補正レンズは、非球面化に用いる少なくとも1つの表面を有するレンズであり、かつ/またはその位置を移動させることができ、かつ/または変形可能なレンズである。
参照符号50で全体を表すさらなる投影対物系を図5に示す。
投影対物系50は、対象面Rに始まり、第1の屈折光学系部分を有し、これは第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像F2の上に対象面Rを画像化する。第1の屈折光学系部分に隣接して、本投影対物系50は第2のカタディオプトリック部分を有し、これは第2の像平面P2を介して第2の中間像F3の上に第1中間像F2を画像化し、第2のひとみ平面P2の上流に少なくとも1つのフィールド近接ミラーM51、および少なくとも1つのひとみ近接ミラーM52を含んでいる。
この方向のより遠方に、本投影対物系50は、第3のひとみ平面P3を介して第3の中間像F4の上への第2の中間像F3を画像化する第3のカタディオプトリック部分、およびひとみ近接ミラーM53を有する。
最終的に、投影対物系50は、第4のひとみ平面P4を介して、像平面W(=F5)の上に第3の中間像F4を画像化する第4のカタディオプトリック部分を有し、これは第4のひとみ平面P4の上流にフィールド近接ミラーM54を含んでいる。
フィールド近接補正レンズK51は、ミラーM51およびM54を補正するために第1のひとみ平面P1の上流に設けられる。
さらに、または代替として、ミラーM51およびM54の補正のために、第1中間像F2の下流でありかつ第2のひとみ平面P2の上流にフィールド近接補正レンズK51'を設ける。
さらに、または代替として、ミラーM51およびM54の補正のために、第2の中間像F3の下流でありかつ第3のひとみ平面P3の上流にフィールド近接補正レンズK51''を設ける。
ひとみ近接補正レンズK52を、ミラーM52およびM53を補正するために第1ひとみ平面P1の近傍に設ける。
さらに、または代替として、ひとみ近接補正レンズK52'を、ミラーM52およびM53を補正するために第2のひとみ平面P2の近傍に設ける。
さらに、または代替として、ひとみ近接補正レンズK52''を、ミラーM52およびM53を補正するために第3のひとみ平面P3の近傍に設ける。
さらに、または代替として、ひとみ近接補正レンズK52'を、ミラーM52およびM53を補正するために第4のひとみ平面P4の近傍に設ける。
51からK52'の補正レンズは、非球面化のために用いる少なくとも1つの表面を有するレンズであり、かつ/またはその位置を移動させることができ、かつ/または変形可能なレンズである。
図6に、参照符号60で全体を示すさらなる投影対物系を示す。この投影対物系の設計原理の説明は、上記特許文献1を参照されたい。本投影対物系60は、図1の投影対物系10の設計の変形である。同様に、本投影対物系60は第1の屈折光学系部分を有し、これは第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像F2の上に対象面を画像化する。さらに、この投影対物系60は第2のひとみ平面P2を介して第2の中間像F3の上に第1中間像F2を画像化する第2のカタディオプトリック部分を有し、第2のひとみ平面P2の上流の第1のフィールド近接ミラーM71およびひとみ近接ミラーM72を有する。最後に、この投影対物系60は、第3のひとみ平面P3を介して画像W(F4)の上に第2の中間像F3を画像化する第3のカタディオプトリック部分を有し、かつ第3のひとみ平面P3の上流に第2のフィールド近接ミラーM73を含んでいる。ミラーM71およびM73は、ミラーM31およびM33と同様の折り返しミラーであり、ミラーM72は凹面鏡である。
補正レンズK71を、第1のミラーM71および第3のミラーM73の補正のために第1のひとみ平面P1の上流に設ける。さらに、または代替として、ミラーM71およびミラーM73の補正のために、第2のフィールド平面F3(第2の中間像)の下流で、かつ第3のひとみ平面P3の上流に、フィールド近接補正レンズK71'を設ける。ミラーM72を補正するために、ひとみ近接状態レンズK72を、第1のひとみ平面P1の近傍に設け、かつ/または、ひとみ近接レンズK72'を、第2のひとみ平面P2の近傍に設け、かつ/または、ひとみ近接レンズK72''を、第3のひとみ平面P3の近傍に設ける。
71ないしK72''の補正レンズは、非球面化に用いる少なくとも1つの表面を有するレンズであり、かつ/またはその位置が変更され、かつ/または変形可能なレンズである。
最後に、図7に、参照符号70で全体を示す投影対物系を示すが、この設計原理に関連しては、上記特許文献4中に、より詳細に記述してある。この点について上記文献を参照する。
投影対物系70は、第1のひとみ平面P1を介して第1の中間像F2の上に対象面Rを画像化するL11からM42までの構成部品を有する第1のカタディオプトリック部分、および少なくとも1つのひとみ近接ミラーM41、および第1のひとみ平面P1の下流の少なくとも1つのフィールド近接ミラーM42を有する。さらに、投影対物系70は、第2のひとみ平面P2を介して画像(フィールド3)上へ中間像F2を画像化する第2の屈折光学系部分を有する。
ひとみ近接補正レンズK41(=L13)は、ミラーM41を補正するために、第1のひとみ平面P1の近傍に設ける。さらに代替または追加として、ひとみ近接補正レンズK41'を、ミラーM41を補正するために、第2のひとみ平面P2の近傍に設ける。
フィールド近接補正レンズK42(=L12)は、ミラーM42の補正のために、第1のひとみ平面P1の下流で、かつ中間像F2の上流に設ける。
補正レンズK41、K41'およびK42は、非球面化に用いる少なくとも1つの表面を有するレンズであり、かつ/またはその位置が変更され、かつ/または変形可能なレンズである。
第1の例示的な実施形態によるカタディオプトリック投影対物系を示す図である。 第2の例示的な実施形態によるカタディオプトリック投影対物系を示す図である。 第3の例示的な実施形態によるカタディオプトリック投影対物系を示す図である。 第4の例示的な実施形態によるカタディオプトリック投影対物系を示す図である。 第5の例示的な実施形態によるカタディオプトリック投影対物系を示す図である。 第6の例示的な実施形態によるカタディオプトリック投影対物系を示す図である。 第7の例示的な実施形態によるカタディオプトリック投影対物系を示す図である。

Claims (24)

  1. リソグラフィ投影露光機の投影対物系の少なくとも1つの画像欠陥を補正する方法であって、
    前記投影対物系が、複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーから構成される光学配置構造を含み、
    欠陥を有する可能性があり、したがって前記少なくとも1つの画像欠陥の原因となる光学的作用表面を、前記少なくとも1つのミラーが有し、
    前記少なくとも1つのミラーの前記光学的作用表面における周辺光線高さhMRに対する主光線高さhMHの比VMを少なくとも近似的に決定するステップと、
    前記レンズのレンズ表面のうち、周辺光線高さh L Rに対する主光線高さh L Hの比であるVLの大きさが前記比VMに少なくとも最も近い少なくとも1つの光学的作用レンズ表面を近似的に決定するステップと、
    前記少なくとも1つの決定したレンズ表面を、前記画像欠陥の補正のために選択するステップとを含む方法。
  2. 前記比VLが、前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面の前記比VMと同じ符号を有する請求項1に記載の方法。
  3. 前記少なくとも1つのミラーが、フィールド平面の近傍に配置されている請求項2に記載の方法。
  4. 前記光学配置構造が、前記投影対物系のひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのミラーを有し、前記投影対物系のひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのレンズ表面が、前記補正用に選択される請求項1ないし3に記載の方法。
  5. 前記光学配置構造が、前記投影対物系の少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが異なる符号を有し、かつ前記投影対物系の少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されており、かつそこにおいて比VL1とVL2とが異なる符号を有する少なくとも2つのレンズ表面が、前記補正用に選択される請求項1ないし4に記載の方法。
  6. 前記光学配置構造が、前記投影対物系の少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが同じ符号を有し、かつ前記投影対物系のフィールド平面の近傍に配置されており、そこにおいて比VLが比VM1およびVM2と同じ符号を有する少なくとも1つのレンズ表面が、前記補正用に選択される請求項1ないし5に記載の方法。
  7. 前記比VLの前記比VMからの偏差が、20%未満、好ましくは15%未満、好ましくは10%未満である請求項1から6のいずれかに記載の方法。
  8. 前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面に対して、前記少なくとも1つの画像欠陥を補正するための非球面化を行う請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。
  9. 少なくとも1つの選択されたレンズ表面を有する前記少なくとも1枚のレンズにアクチュエーターを割り当て、このアクチュエーターによる前記少なくとも1枚のレンズの位置の調節および/または変形によって画像欠陥を補正する請求項1ないし8のいずれかに記載の方法。
  10. リソグラフィ投影露光機の投影対物系であって、
    複数のレンズおよび少なくとも1つのミラーから構成される光学配置構造を含み、
    前記光学配置構造の少なくとも1つの画像欠陥を引き起こす可能性のある光学的作用表面を、前記少なくとも1つのミラーが有し、
    前記画像欠陥の補正のために前記レンズのレンズ表面のうち、周辺光線高さh R Lに対する主光線高さL L Hの比VLの大きさが、前記少なくとも1つのミラーの前記光学的作用表面における周辺光線高さh M Rに対する主光線高さh M Hの比VMに少なくとも最も近い少なくとも1つの光学的作用レンズ表面が選択されている
    リソグラフィ投影露光機の投影対物系
  11. 前記比VLが、前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面において、前記比VMと同じ符号を有する請求項10に記載の投影対物系
  12. 前記光学配置構造が、前記投影対物系のひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのミラーを有し、かつ前記投影対物系のひとみ平面の近傍に配置されている少なくとも1つのレンズ表面が補正用に選択されている請求項10または11に記載の投影対物系
  13. 前記光学配置構造が、前記投影対物系の少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが異なる符号を有し、かつ前記投影対物系の少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されており、そこにおいて比VL1とVL2とが異なる符号を有する少なくとも2つのレンズ表面が補正用に選択されている、請求項10ないし12のいずれかに記載の投影対物系
  14. 前記光学配置構造が、投影対物系の少なくとも1つのフィールド平面の近傍に配置されている少なくとも2つのミラーを有し、そこにおいて比VM1とVM2とが同じ符号を有し、前記投影対物系のフィールド平面の近傍に配置されており、そこにおいて前記比VLが、比VM1およびVM2と同じ符号を有している少なくとも1つのレンズ表面が補正用に選択されている請求項10ないし13のいずれかに記載の投影対物系
  15. 前記比VLの前記比VMからの偏差が、20%未満、好ましくは15%未満、好ましくは10%未満である請求項10ないし14のいずれかに記載の投影対物系
  16. 前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面が非球面化されている請求項10ないし15のいずれかに記載の投影対物系
  17. 前記少なくとも1つの選択されたレンズ表面を有する前記少なくとも1つのレンズに、位置の調節および/またはレンズの変形のためのアクチュエーターが割り当てられている請求項10ないし16のいずれかに記載の投影対物系
  18. 請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物系であって、
    光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
    第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1の屈折光学系部分と、
    第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1中間像を画像化する第2の反射光学系部分であって、それぞれ前記第2のひとみ平面の上流および下流に、第1および第2のそれぞれのフィールドに近接した凹面鏡(M11およびM12)を含む第2の反射光学系部分と、
    第3のひとみ平面を介して前記像平面上へ前記第2の中間像を画像化する第3の屈折光学系部分とを、光路上、この順序で含み、
    前記第1の凹面鏡(M11)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K11)が、第1のひとみ平面の上流に配置されており、かつ/または、
    前記第1凹面鏡(M11)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K11')が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に配置されており、かつ、
    前記第2の凹面鏡(M12)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K12)が、前記第1のひとみ平面の下流で、かつ前記第1の中間像の上流に配置されており、かつ/または、
    前記第2の凹面鏡(M12)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K12')が、前記第3のひとみ平面の下流に配置されている投影対物系
  19. 請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物系であって、
    光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
    第1のひとみ平面を介して中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、少なくとも1つの第1のミラー(M22)がひとみに近接している少なくとも2つの偶数のミラー(M21ないしM24)を含んでいる第1のカタディオプトリック部分と、
    第2のひとみ平面を介して前記画像上へ前記中間像を画像化し、第2のフィールド近接ミラー(M25)を含む第2のカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
    前記第1のミラー(M22)を補正するために設けられたひとみ近接補正レンズ(K22)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第1のミラー(M22)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K22')が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ、
    前記第2のミラー(M25)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K25)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられている投影対物系
  20. 請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物系であって、
    光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
    第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、前記第1のひとみ平面の下流に第1のフィールド近接ミラー(M31)を含んでいる第1のカタディオプトリック部分と、
    第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2のカタディオプトリック部分であって、第2のひとみ近接ミラー(M32)を含んでいる第2のカタディオプトリック部分と、
    第3のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第2の中間像を画像化する第3のカタディオプトリック部分であって、前記第3のひとみ平面の上流に第3のフィールド近接ミラー(M33)を含んでいる第3のカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
    前記第1のミラー(M31)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K31)が、前記第1のひとみ平面の下流で、かつ前記第1中間像の上流に設けられており、かつ/または、
    前記第1のミラー(M31)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K31')が、前記第3のひとみ平面の下流に設けられており、かつ、
    前記第3のミラー(M33)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K32)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
    前記第3のミラー(M33)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K32')が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
    前記第2のミラー(M32)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K33)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第2のミラー(M32)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K33')が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第2のミラー(M32)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K33'')が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物系
  21. 請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物系であって、
    光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
    第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、第1のひとみ近接ミラー(M41)および第2のフィールド近接ミラー(M42)を含み、後者が、前記第1のひとみ平面の下流に配置されている第1のカタディオプトリック部分と、
    第2のひとみ平面を介して前記画像上へ前記中間像を画像化する第2の屈折光学系部分とを、光路上、この順序で含み、
    前記第1のミラー(M41)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K41)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第1のミラー(M41)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K41')が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ、
    前記第2のミラー(M42)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K42)が、前記第1のひとみ平面の下流で、かつ前記中間像の上流に設けられている投影対物系
  22. 請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物系であって、
    光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
    第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1の屈折光学系部分と、
    第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2のカタディオプトリック部分であって、前記第2のひとみ平面の上流の第1のフィールド近接ミラー(M51)、および第2のひとみ近接ミラー(M52)を含んでいる第2のカタディオプトリック部分と、
    第3のひとみ平面を介して第3の中間像上へ前記第2の中間像を画像化する第3のカタディオプトリック部分であって、第3のひとみ近接ミラー(M53)を含んでいる第3のカタディオプトリック部分と、
    第4のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第3の中間像を画像化する第4のカタディオプトリック部分であって、前記第4のひとみ平面の上流に第4のフィールド近接ミラー(M54)を含むカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
    前記第1および第4のミラー(M51、M54)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K51)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
    前記第1および第4のミラー(M51、M54)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K51)が、前記第1中間像の下流で、かつ前記第2のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
    前記第1および第4のミラー(M51、M54)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K51'')が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
    前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52')が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52'')が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第2および第3のミラー(M52、M53)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K52''')が、前記第4のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物系
  23. 請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物系であって、
    光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
    第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1のカタディオプトリック部分であって、第1のひとみ近接ミラー(M61)、および少なくとも1つの第2のフィールド近接ミラー(M63)を含んでおり、後者が、前記第1のひとみ平面の下流に配置されているカタディオプトリック部分と、
    第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2の反射光学系部分であって、前記第2のひとみ平面の上流の第3のフィールド近接ミラー(M64)、および第4のひとみ近接ミラー(M65)を含んでいる第2の反射光学系部分と、
    第3のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第2の中間像を画像化する第3の屈折光学系部分とを、光路上、この順序で含み、
    前記第2のミラー(M63)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K63)が、前記第3のひとみ平面の下流に配置されており、かつ、
    前記第3のミラー(M64)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K64)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
    前記第3のミラー(M64)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K64')が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
    前記ミラー(M61、M65)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K61)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記ミラー(M61、M65)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K61')が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物系
  24. 請求項10ないし17のいずれかに記載の投影対物系であって、
    光学的作用を有する以下のサブアセンブリーである、
    第1のひとみ平面を介して第1の中間像上へ対象面を画像化する第1の屈折光学系部分と、
    第2のひとみ平面を介して第2の中間像上へ前記第1の中間像を画像化する第2のカタディオプトリック部分であって、前記第2のひとみ平面の上流の第1のフィールド近接ミラー(M71)、およびひとみ近接ミラー(M72)を含んでいる第2のカタディオプトリック部分と、
    第3のひとみ平面を介して前記画像上へ前記第2の中間像を画像化する第3のカタディオプトリック部分であって、前記第3のひとみ平面の上流に第2のフィールド近接ミラー(M73)を含む第3のカタディオプトリック部分とを、光路上、この順序で含み、
    前記第1および第3のミラー(M71、M73)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K71)が、前記第1のひとみ平面の上流に設けられており、かつ/または、
    前記第1および第3のミラー(K71、M73)の補正のために設けられたフィールド近接補正レンズ(K71')が、前記第2の中間像の下流で、かつ前記第3のひとみ平面の上流に設けられており、かつ、
    前記第2のミラー(M72)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K72)が、前記第1のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第2のミラー(M72)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K72')が、前記第2のひとみ平面の近傍に設けられており、かつ/または、
    前記第2のミラー(M72)の補正のために設けられたひとみ近接補正レンズ(K72'')が、前記第3のひとみ平面の近傍に設けられている投影対物系
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8064041B2 (en) * 2004-06-10 2011-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
EP1746463A2 (de) 2005-07-01 2007-01-24 Carl Zeiss SMT AG Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv
US7724351B2 (en) 2006-01-30 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and exchangeable optical element
DE102006045075A1 (de) 2006-09-21 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Steuerbares optisches Element
EP1998223A2 (de) * 2007-01-23 2008-12-03 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv für die Lithographie
CN101784954B (zh) * 2007-08-24 2015-03-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 可控光学元件以及用热致动器操作光学元件的方法和半导体光刻的投射曝光设备
US8705170B2 (en) * 2008-08-29 2014-04-22 Nikon Corporation High NA catadioptric imaging optics for imaging A reticle to a pair of imaging locations
KR20120018196A (ko) 2009-05-16 2012-02-29 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학 교정 배열체를 포함하는 반도체 리소그래피를 위한 투사 노광 장치
US8426119B2 (en) * 2009-10-21 2013-04-23 GM Global Technology Operations LLC Dynamic projection method for micro-truss foam fabrication
DE102012216494A1 (de) 2012-09-17 2013-08-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie und Projektionsbelichtungssystem
TW201514541A (zh) * 2013-09-19 2015-04-16 尼康股份有限公司 投影光學系統、投影光學系統的調整方法、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP6744797B2 (ja) * 2016-10-07 2020-08-19 リコーインダストリアルソリューションズ株式会社 投射光学系および投射装置および撮像装置
US11860316B1 (en) * 2018-08-21 2024-01-02 Innovusion, Inc. Systems and method for debris and water obfuscation compensation for use in LiDAR systems

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5117255A (en) * 1990-09-19 1992-05-26 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5223982A (en) * 1991-03-05 1993-06-29 Olympus Optical Co., Ltd. Objective lens system for endoscopes
US5148314A (en) * 1991-06-06 1992-09-15 Chen Chungte W Optical systems employing refractive and diffractive optical elements to correct for chromatic aberration
US5592259A (en) * 1991-08-09 1997-01-07 Nikon Corporation Photomask, an exposure method and a projection exposure apparatus
US5323263A (en) * 1993-02-01 1994-06-21 Nikon Precision Inc. Off-axis catadioptric projection system
US5392119A (en) * 1993-07-13 1995-02-21 Litel Instruments Plate correction of imaging systems
JP3341269B2 (ja) * 1993-12-22 2002-11-05 株式会社ニコン 投影露光装置、露光方法、半導体の製造方法及び投影光学系の調整方法
US6333776B1 (en) * 1994-03-29 2001-12-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3893626B2 (ja) 1995-01-25 2007-03-14 株式会社ニコン 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法
US6545746B1 (en) * 1996-03-04 2003-04-08 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
DE69702641T2 (de) 1996-03-07 2001-04-05 Koninkl Philips Electronics Nv Belichtungssystem und belichtungsgerät für uv-lithographie
US6157498A (en) * 1996-06-19 2000-12-05 Nikon Corporation Dual-imaging optical system
DE19639586A1 (de) 1996-09-26 1998-04-02 Zeiss Carl Fa Katadioptrisches Mikrolithographie-Reduktionsobjektiv
JP4192279B2 (ja) 1996-09-27 2008-12-10 株式会社ニコン 投影光学系の製造方法、該製造方法によって製造された投影光学系、投影露光装置および方法、並びに半導体装置の製造方法
JPH10284365A (ja) * 1997-04-01 1998-10-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1145842A (ja) 1997-07-24 1999-02-16 Nikon Corp 投影露光装置と露光方法、該露光装置の調整方法、及び回路デバイス製造方法
US6522386B1 (en) * 1997-07-24 2003-02-18 Nikon Corporation Exposure apparatus having projection optical system with aberration correction element
JP2000091209A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6396067B1 (en) * 1998-05-06 2002-05-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
DE19827603A1 (de) * 1998-06-20 1999-12-23 Zeiss Carl Fa Optisches System, insbesondere Projektions-Belichtungsanlage der Mikrolithographie
JP4717974B2 (ja) 1999-07-13 2011-07-06 株式会社ニコン 反射屈折光学系及び該光学系を備える投影露光装置
US6366389B1 (en) * 1999-08-17 2002-04-02 Michael Wraback High contrast, ultrafast optically-addressed ultraviolet light modulator based upon optical anisotropy
US6600608B1 (en) * 1999-11-05 2003-07-29 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective comprising two intermediate images
JP2001168000A (ja) * 1999-12-03 2001-06-22 Nikon Corp 露光装置の製造方法、および該製造方法によって製造された露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法
EP1242843B1 (de) * 1999-12-29 2006-03-22 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv mit benachbart angeordneten asphärischen linsenoberflächen
WO2002044786A2 (en) 2000-11-28 2002-06-06 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection system for 157 nm lithography
TW538256B (en) 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
US6621556B2 (en) * 2000-02-28 2003-09-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof
JP2002250865A (ja) 2000-06-14 2002-09-06 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、およびそれらの製造方法
JP4245286B2 (ja) * 2000-10-23 2009-03-25 株式会社ニコン 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP4552337B2 (ja) * 2000-12-28 2010-09-29 株式会社ニコン 投影光学系の製造方法及び露光装置の製造方法
JP2002208551A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Nikon Corp 反射屈折光学系及び投影露光装置
WO2002093231A1 (en) * 2001-05-15 2002-11-21 Industrial Research Limited Optical imaging system with aberration correcting means
US6831731B2 (en) * 2001-06-28 2004-12-14 Nikon Corporation Projection optical system and an exposure apparatus with the projection optical system
WO2003027747A1 (en) * 2001-09-20 2003-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric reduction lens
EP1306698A1 (en) 2001-10-26 2003-05-02 Nikon Corporation Multilayer reflective mirrors for EUV, wavefront-aberration-correction methods for the same, and EUV optical systems comprising the same
EP1456705A2 (de) * 2001-12-10 2004-09-15 Carl Zeiss SMT AG Katadioptrisches reduktionsobjektiv
EP1369608A3 (en) 2002-05-23 2005-06-01 Nsk Ltd Linear guide apparatus
EP1523692A2 (en) 2002-07-18 2005-04-20 Carl Zeiss SMT AG Catadioptric projection objective
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
DE10258715B4 (de) * 2002-12-10 2006-12-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung eines optischen Abbildungssystems
JP2004259844A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法
JP2004258179A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Nikon Corp 投影光学系の製造方法、投影光学系、露光装置の製造方法、露光装置、露光方法、および光学系の製造方法
JP2004317534A (ja) * 2003-04-11 2004-11-11 Nikon Corp 反射屈折型の結像光学系、露光装置、および露光方法
EP2722703A3 (en) 2003-05-06 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, and exposure apparatus and exposure method
JP4706171B2 (ja) * 2003-10-24 2011-06-22 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、露光装置及び露光方法
JP2005064310A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Nikon Corp 光学系の収差調整方法、光学系、露光装置および露光方法
WO2005040890A2 (en) * 2003-10-17 2005-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with real intermediate images
US7385764B2 (en) * 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
JP5106858B2 (ja) * 2003-12-15 2012-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
CN1910494B (zh) * 2004-01-14 2011-08-10 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射折射投影物镜
US8064041B2 (en) * 2004-06-10 2011-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US20060238735A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Vladimir Kamenov Optical system of a projection exposure apparatus
EP1746463A2 (de) 2005-07-01 2007-01-24 Carl Zeiss SMT AG Verfahren zum Korrigieren eines lithographischen Projektionsobjektivs und derartiges Projektionsobjektiv

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