JP2006525874A - 2焦点への光ビームの集束 - Google Patents
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Abstract
Description
1.ブレード摩耗による一定のダイシング品質の欠如。
2.ソー・ブレードの減損が大きいことによる高コスト。
3.ダイのチッピング。
4.ダイ中の機械的応力とクラック形成。
5.非常に薄いウェーハに適していないこと。
6.直線以外の輪郭にカットすることができないこと。
1.単一の焦点を用いて切り進むことが困難な厚い基板をカットできる利点。
集束スポットの焦点深度は、単一の焦点を持つレーザビームが切り進むことのできる最大の厚さを制限する。追加の焦点を取り入れることは、切削加工スポットの焦点深度を広げ、それにより、ダイシングの深度を拡大することと同等である。
2.アブレーション・レートを高める利点。
焦点を、ウェーハの上面ではなくて、ウェーハのバルク中に深く集束させる場合には、さらに高いアブレーション効率が得られることがわかっている。しかしながら、レーザビームを、厚いウェーハのバルク中に深く集束させるときには、その上面に入射するレーザ・エネルギーは、アブレーションを開始するアブレーションしきい値に打ち勝つほどではないかもしれない。2つの焦点を持つアブレーションにより、一方のレーザビームを、ウェーハのバルク中に深く集束させることができるが、しかるに、他方のレーザビームを、ウェーハの上面に集束させて、このアブレーション・プロセスが、難なく開始できるようにしている。このようにして、アブレーション・レートが大きくなる。これら2つの焦点の高アブレーション・レートは、Witanachchiが研究してきたデュアル・レーザ・アブレーションで生じるプルーム(plume)の高ダイナミックス(「ダイヤモンド状の炭素被膜成長のためのデュアル・レーザ・アブレーションによる高イオン化炭素プラズマ発生」、Mat.Res.Soc.Symp.Vol.617、J3.6.1−J3.6.6,2000)を使って、さらに詳しく説明できる。Witanachchiの研究により、デュアル・レーザ・アブレーションは、2つのプルームを生じさせるが、一方、単一焦点レーザ・アブレーションは、1つのプルームを生じさせる。さらに、デュアル・レーザ・アブレーションは、これらのプルームのイオン成分を、単一焦点でアブレートされるプルームのものと比較して、少なくとも5倍増やす。この追加プルームの存在と、これらのプルーム中のイオン成分のさらに高い密度の結果として、さらに多くの材料が同時に蒸発し、言い替えれば、材料が、さらに速い速度で除去される。Witanachchiの研究から、二重焦点アブレーションのアブレーション・レートは、従来の単一焦点アブレーションのものよりも数倍速くなると予測される。アブレーション・レートは、二重焦点アブレーションを用いると、数倍速くなることがわかる。この倍数は、ウェーハの厚さと材料、およびレーザのパワーによって決まる。
3.切削屑を減らす利点
レーザ・アブレーションは、熱融解とイオン化を組み合わせた効果である。アブレーションの開始時には、融解が、このプロセスを支配し、切削加工スポットから排出されて、再び被着する溶融材料を発生させる。レーザビームからの熱エネルギーは、切削加工スポットの温度を上昇させる。所定の温度に達すると、イオン化のプロセスが、このアブレーション・プロセスを支配する。材料をイオン化すると、大きな斑点クラスタ(macular cluster)はまったく生ぜず、したがって、生み出される切削屑が少なくなる。単一レーザ・アブレーションよりも、デュアル・レーザ・アブレーションの方が、さらにイオン化に支配され、それゆえ、二重焦点アブレーションを用いると、さらにきれいな仕上がりが得られる。これらのデュアル・プルームと、これらのプルーム中に存在するイオンのさらに高い密度に加えて、これらのイオンの運動エネルギーも、Witanachchiの試験により、デュアル・レーザ・アブレーションのプロセスでは、6倍増す。運動エネルギーがさらに大きくなると、イオンが、切削加工スポットから、さらに速く放出され、つぎに、切削屑の被着が少なくなる。
4.チッピング/クラッキングを減らす利点。
半導体や一部の透過材料などの脆性材料のアブレーションにレーザビームを使用するときに、チッピングとクラッキングが発生する。チッピングとクラッキングの主要原因は、加熱効果により、レーザ・アブレーションの間に発生する衝撃波である。二重焦点のアブレーションは、単一焦点のアブレーションと比較して、融解による支配よりも、イオン化による支配の方が多いから、2焦点のアブレーションを用いて、チッピング/クラッキングを減らすことが予想できる。
5.高アスペクト比を得ることができる利点。
前述のように、二重焦点は、切削加工レーザ・スポットの焦点深度を拡大する。それゆえ、二重焦点アブレーションを用いて、例えば半導体ウェーハ中のマイクロ・ビアの切削加工を用いて、切削加工される溝または穴のアスペクト比をさらに大きくすることができる。
6.切溝の幅を小さくする利点。
同一のシステム・セッティングにおいて、二重焦点アブレーションにより生み出される切溝の幅は、単一焦点アブレーションにより生み出される切溝の幅よりも小さいことがわかる。これは、所与の半導体ウェーハ上に収められるダイの数を増やして、それにより、費用の恩恵が与えられるという利点がある。
7.どんな輪郭でもカットできる利点。
機械式ダイシング・ツールと違って、レーザ・ツールは、どんな輪郭でもダイシングできる利点を持っており、直線カットに限定されない。
8.スキャニング。
前に本明細書で説明されたように、単一のレーザ光源から2つの焦点を用いるレーザ切削加工は、デュアル・フォーカス・レンズを用いて、単一レーザ光源から2つの焦点を厚い金属薄板中に生成して、その金属薄板を切削加工するために知られている。このデュアル・フォーカス・レンズは、切削加工のスループットおよび品質を向上させるが、ただし、このレンズの寿命が短い点と、費用が高いという点で制限を受ける。特にシリコン・ウェーハの加工に対して、さらに重要なことには、この手法の主な欠点は、公知のデュアル・フォーカス・レンズがテレセントリックでないことであり、したがって、レーザビームを、切削加工される加工物の全域にわたって、ガルバノメータ・ミラーを用いて高速にてスキャンすることはできないが、ただし、比較的に遅い速度にて、並進テーブルを用いてのみスキャンできる。なぜなら、スキャニングの間、このデュアル・フォーカス・レンズの正方形視野域の全域にわたって、一様なビーム焦点が得られなくなるからである。このことは、半導体ウェーハのダイシング用の公知のマルチ・フォーカス手法に、重大なスループット制限を負わせる。さらに、このデュアル・フォーカス・レンズでは、半導体ウェーハの加工に必要とされるこれら2つの焦点間のミクロン・レンジの間隔は与えられない。さらに、本発明は、特別の光学部品を製造する必要もなく、標準の光学部品を使用できるという費用面での利点がある。
22 プレート型偏光ビーム・スプリッタ手段
23 円弧状のリフレクタ
24 第1のレーザビーム
25 第2のレーザビーム
26 集光手段、スキャニング・レンズ
27 第1の焦点
28 第2の焦点
41 レーザビーム発生手段
44 ガルバノメータ手段
45 加工物
46 並進テーブル手段
47 結像手段
223 偏光依存層
Claims (43)
- 偏光した入射レーザビーム(21)を分割して、第1のレーザビーム(24)と第2のレーザビーム(25)を形成するプレート型偏光ビーム・スプリッタ手段(22)と、
前記第2のレーザビームのものとは異なる発散または収束を持つ前記第1のレーザビーム(24)を提供する円弧状の反射手段を含む光ビーム修正手段と、
第1の焦点(27)と第2の焦点(28)の少なくとも1つが集光手段(26)の焦点にないように、前記第1のレーザビームを集光手段(26)の光軸上の前記第1の焦点(27)に集束させ、また、前記第2のレーザビーム(25)を、前記光軸上の前記第2の焦点(28)に集束させる集光手段(26)と、
前記第1のレーザビーム(24)と前記第2のレーザビーム(25)を、加工物(45)の全域にわたってスキャンして、前記加工物を切削加工するガルバノメータ手段(44)と、
を備えるレーザ切削加工装置。 - 前記円弧状の反射手段が凸面鏡から成っている請求項1に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記第1の焦点と前記第2の焦点との間隔が、前記円弧状の反射手段の曲率半径を選択することで選択できる請求項1または2に記載のレーザ切削加工装置。
- 前記第1の焦点と前記第2の焦点との間隔が、数ミリメートル〜数十分の1ミクロンである請求項1ないし3のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記偏光した入射レーザビーム(21)を発生させるレーザビーム発生手段(41)をさらに備える請求項1ないし4のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記プレート型偏光ビーム・スプリッタ手段が、第1の偏光部品を用いて前記第1のビーム(24)をほぼ反射させ、かつ、第2の偏光部品を用いて前記第2のビーム(25)をほぼ透過させる偏光依存層(223)を含む請求項1ないし5のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記偏光した入射レーザビームがほぼコリメートされる請求項1ないし6のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記第1のレーザビームが、ほぼコリメートされ、また前記第2のレーザビームが、前記光ビーム修正手段により、修正後に発散する請求項1ないし7のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記偏光した入射レーザビームがパルス状である請求項1ないし8のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記第1のレーザビーム(24)および前記第2のレーザビーム(25)に対して、前記加工物(45)を移動させる並進テーブル手段(46)をさらに備える請求項1ないし9のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームが干渉して、干渉縞を形成し、また、前記レーザ切削加工装置が前記干渉縞の像を利用して、前記ガルバノメータ手段に関連するスキャニング・レンズ(26)の光軸上に前記第1の焦点(27)と前記第2の焦点(28)を置く結像手段(47)および関連制御手段をさらに備える請求項1ないし10のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 加工物の切削加工の間、入射レーザビーム・パワー、パルス繰返し数、ガルバノメータ・スキャニング速度の少なくとも1つを制御するスキャニング戦略制御手段をさらに備える請求項1ないし11のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 切削加工速度を向上させる処置、切削屑の除去を向上させる処置、および、切削加工された加工物の強度を高める処置の少なくとも1つのために、ガス補助手段をさらに備える請求項1ないし12のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- レーザ切削加工の間に生み出される切削屑から前記加工物の表面を保護し、さらに、レーザ切削加工の後で、前記加工物の表面から切削屑の除去を容易ならしめるために、レーザ切削加工の前に、前記加工物の前記表面に保護犠牲膜を塗布するための塗布手段をさらに備える請求項1ないし13のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- レーザ切削加工の後で、前記保護犠牲膜を除去する塗膜除去手段をさらに備える請求項14に記載のレーザ切削加工装置。
- シリコン・ウェーハをダイシングするように配置されている請求項1ないし15のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 前記レーザビームの有効焦点深度が拡大される請求項1ないし16のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- ダイシング切溝幅を減らし、それにより、1ウェーハ当たりのダイの最大数を増やすように構成されている請求項16に記載のレーザ切削加工装置。
- アスペクト比を大きくしたビアのマイクロマシニングと、向上したスループットのために、前記レーザビームの有効切削加工焦点深度が拡大される請求項1ないし18のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- ウェーハをスクライブして、材料を除去するように構成されている請求項1ないし19のいずれかに記載のレーザ切削加工装置。
- 偏光した入射光ビーム(21)を分割して、第1の光ビーム(24)と第2の光ビーム(25)を形成する光学プレート型偏光ビーム・スプリッタ手段(22)と、
前記第1の光ビームのものとは異なる発散または収束を持つ前記第2の光ビームを提供する円弧状の反射手段(23)を含む光ビーム修正手段と、
第1の焦点と第2の焦点の少なくとも1つが集光手段(26)の焦点にないように、前記第1の光ビーム(24)を、集光手段の光軸上の第1の焦点(27)に集束させ、また、前記第2の光ビーム(25)を、前記光軸上の第2の焦点(28)に集束させる集光手段(26)と、
を備える、前記偏光した入射光ビーム(21)を集束させる集光装置。 - 前記第1の焦点(27)と前記第2の焦点(28)が、前記集光手段(26)の共通の光軸上にある請求項21に記載の集光装置。
- 前記円弧状の反射手段(23)が、凸面鏡から成っている請求項21に記載の集光装置。
- 前記プレート型偏光ビーム・スプリッタ手段(22)が、第1の偏光部品を用いて前記第1の光ビーム(24)をほぼ反射させ、かつ、第2の偏光部品を用いて前記第2の光ビーム(25)をほぼ透過させる偏光依存層(223)を含む請求項21ないし23のいずれかに記載の集光装置。
- a.プレート型偏光ビーム・スプリッタ(22)を用いて、偏光した入射レーザビーム(21)を分割して、第1のレーザビーム(24)と第2のレーザビーム(25)を形成するステップと、
b.円弧状の反射手段(23)を用いて、前記第1のレーザビーム(24)のものとは異なる発散または収束を持つ前記第2のレーザビームを提供するように、少なくとも前記第2のレーザビーム(25)を修正するステップと、
c.集光手段(26)を提供するステップと、
d.前記第1の焦点と前記第2の焦点の少なくとも1つが前記集光手段(26)の焦点にないように、前記集光手段(26)を使用して、前記第1のレーザビーム(24)を、前記集光手段(26)の光軸上の第1の焦点(27)に集束させ、また、前記第2のレーザビームを、前記光軸上の第2の焦点(28)に集束させるステップと、
e.ガルバノメータ手段(44)を使用して、前記第1のレーザビームと前記第2のレーザビームを、加工物(45)の全域にわたってスキャンして、前記加工物(45)を切削加工するステップと、
を含む、レーザで前記加工物(45)を切削加工する方法。 - 前記第1のレーザビーム(24)と前記第2のレーザビーム(25)の干渉により形成される干渉縞の像を利用する結像手段(47)および関連制御手段を用いて、前記ガルバノメータ手段(44)に関連するスキャニング・レンズ(26)の光軸上に前記第1の焦点と前記第2の焦点を置くさらなるステップを含む請求項25に記載の方法。
- 加工物の切削加工の間、入射レーザビーム・パワー、パルス繰返し数、ガルバノメータ・スキャニング速度の少なくとも1つを制御するさらなるステップを含む請求項25または26のいずれかに記載の方法。
- 前記円弧状の反射手段(23)が凸面鏡から成っている請求項25ないし27のいずれかに記載の方法。
- 前記入射レーザビームを分割するステップは、第1の偏光部品を用いて前記第1のレーザビーム(24)をほぼ反射させ、かつ、第2の偏光部品を用いて前記第2のレーザビーム(25)をほぼ透過させるための偏光依存層(223)を使用するステップを含む請求項25ないし28のいずれかに記載の方法。
- 並進テーブル手段(46)を用いて、前記第1のレーザビーム(24)および前記第2のレーザビーム(25)に対して前記加工物(45)を移動させるさらなるステップを含む請求項25ないし29のいずれかに記載の方法。
- 切削加工速度を向上させる処置、切削屑の除去を向上させる処置、および、前記切削加工された加工物の強度を高める処置の少なくとも1つのために、ガス補助手段を提供するさらなるステップを含む請求項25ないし30のいずれかに記載の方法。
- レーザ切削加工の前に、前記加工物の表面に保護犠牲膜を塗布するさらなるステップを含む請求項25ないし31のいずれかに記載の方法。
- レーザ切削加工の後で、保護犠牲膜を除去するさらなるステップを含む請求項32に記載の方法。
- シリコン・ウェーハをダイシングするように配置されている請求項25ないし33のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の焦点(27)と前記第2の焦点(28)との間隔が、数ミリメートル〜数十分の1ミクロンである請求項25ないし34のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の焦点と前記第2の焦点との間隔が、前記円弧状の反射手段(23)の曲率半径を選択することで選択できる請求項25ないし35のいずれかに記載の方法。
- 前記レーザビームの焦点深度が、高アスペクト比のマイクロマシニングに充分である請求項25ないし36のいずれかに記載の方法。
- ダイシング切溝が、1ウェーハ当たりのダイの最大数を増やすのに充分減らされる請求項34に記載の方法。
- シリコン・ウェーハに、高アスペクト比のマイクロ・ビアを穴明けするように構成されている請求項25ないし38のいずれかに記載の方法。
- ウェーハをスクライブして、前記ウェーハから材料を除去するように構成されている請求項25ないし39のいずれかに記載の方法。
- a.プレート型偏光ビーム・スプリッタ(22)を用いて、偏光した入射光ビームを分割して、第1の光ビーム(24)と第2の光ビーム(25)を形成するステップと、
b.円弧状の反射手段(23)を用いて、前記第1の光ビームのものとは異なる発散または収束を持つ前記第2の光ビームを提供するように、少なくとも前記第2の光ビーム(25)を修正するステップと、
c.集光手段(26)を提供するステップと、
d.前記第1の焦点と前記第2の焦点の少なくとも1つが前記集光手段の焦点にないように、前記集光手段を使用して、前記第1の光ビームを、前記集光手段の光軸上の第1の焦点(27)に集束させ、また、前記第2の光ビームを、前記光軸上の第2の焦点(28)に集束させるステップと、
を含む、前記偏光した入射光ビーム(21)を集束させる方法。 - 前記円弧状の反射手段(23)が、凸面鏡から成っている請求項41に記載の方法。
- 前記入射光ビームを分割するステップは、第1の偏光部品を用いて前記第1の光ビーム(25)をほぼ透過させ、かつ、第2の偏光部品を用いて前記第2の光ビーム(24)をほぼ反射させるための偏光依存層を使用するステップを含む請求項41または42に記載の方法。
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