JP2006524173A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006524173A5
JP2006524173A5 JP2006503938A JP2006503938A JP2006524173A5 JP 2006524173 A5 JP2006524173 A5 JP 2006524173A5 JP 2006503938 A JP2006503938 A JP 2006503938A JP 2006503938 A JP2006503938 A JP 2006503938A JP 2006524173 A5 JP2006524173 A5 JP 2006524173A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
binder
alloy
thermal conductivity
content
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006503938A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4880447B2 (ja
JP2006524173A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from AT0016403U external-priority patent/AT7382U1/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2006524173A publication Critical patent/JP2006524173A/ja
Publication of JP2006524173A5 publication Critical patent/JP2006524173A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4880447B2 publication Critical patent/JP4880447B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Description

また、非常に延性のあるAg、Au、Alミクロ組織成分に基づき、大きな機械加工性が生ずる。更に経済的な製造に関し、Ag、Au、Al豊富ミクロ組織成分が高い熱伝導率を持つため、ダイヤモンド含有量を減らせる利点がある。ダイヤモンド、炭化珪素および金属相の含有量変更により、熱伝導率および熱膨張に関し、種々の要件にぴったり合ったヒートシンクを製造できる。その他のミクロ組織成分は、その含有量が5体積%を超過しない限り、特性を許容できない程低下させない。この成分として、純珪素および純炭素が挙げられる。確かにそれらのミクロ組織成分は僅かに熱伝導率を悪くするが、これらは熱膨張率を減少させ、熱膨張率に有利に作用する。これらは、時には製造技術的にかなり経費をかけねば完全に防止できない。炭化珪素およびAg、Au或いはAl豊富相の特に有利な含有量は、0.1〜7および7〜30体積%である。実験の結果、ダイヤモンド粉末が幅広い粒径分布で製造可能なことが確認されている。天然ダイヤモンドの他に安価な人口ダイヤモンドも処理できる。普通に被覆したダイヤモンドでも優れた製造結果が得られる。このため、個々の場合において安価な種類のダイヤモンドが利用できる。熱伝導率について極めて厳しい要件を課すものの経費的に問題ない用途には、平均粒径50〜150μmのダイヤモンド粒子を利用するとよい。また、最高熱伝導率値は20〜30体積%のAgの利用により得られる。電子構成要素に対するヒートシンクとしての部品の採用に対し、この部品をNi、Cu、Au、Ag或いはそれらの合金で被覆し、次いで、例えばAl23或いはAINのセラミック枠にろう付けする。
製造には種々の方法が使用できる。即ち炭化珪素で被覆したダイヤモンド粉末をAg、Au或いはAlと高温或いは高圧力下で圧縮できる。これは、例えば高温プレスや等温プレスで行う。浸透が起ると特に好ましい。その際、ダイヤモンド粉末の他に結合剤も含む前駆物質或いは中間物ができる。ここでは、熱を発生しつつ大部分が熱分解する結合剤が特に好ましい。結合剤含有量は1〜20重量%にするとよい。ダイヤモンド粉末および結合剤を通常の混合機或いは粉砕機で混合する。その後、成形を行い、この成形は型内に流し込み、無圧で又は例えばプレスで加圧することで、又は粉末金属射出成形により行う。続く工程で、中間物を、結合剤が少なくとも部分的に熱分解する温度に加熱する。しかし結合剤の熱分解は、浸透工程の加熱中にも行える。浸透工程は無圧又は加圧下に行う。後者は通常、圧搾鋳造と呼ばれる。浸透材料として、Si含有量50重量%未満のAg・Si合金、Au・Si合金或いはAl・Si合金から成る箔を利用するとよい。その組成の選択に際し、各合金の液相線が1200℃、好ましくは1000℃より高くないよう考慮すべきである。さもないと、過度の分量のダイヤモンドが分解してしまう。浸透に対し共晶組成の箔が特に適する。この部品は、半導体構成要素の放熱に対して特に有効に利用できる。又本発明に基づく複合材料は、例えば航空機・宇宙機工業や自動車工業等の他の分野におけるヒートシンクとしても採用できる。
JP2006503938A 2003-03-11 2004-01-20 高熱伝導率のヒートシンク Expired - Lifetime JP4880447B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0016403U AT7382U1 (de) 2003-03-11 2003-03-11 Wärmesenke mit hoher wärmeleitfähigkeit
ATGM164/2003 2003-03-11
PCT/AT2004/000018 WO2004080914A1 (de) 2003-03-11 2004-01-20 Wärmesenke mit hoher wärmeleitfähigkeit

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006524173A JP2006524173A (ja) 2006-10-26
JP2006524173A5 true JP2006524173A5 (ja) 2011-06-02
JP4880447B2 JP4880447B2 (ja) 2012-02-22

Family

ID=32967982

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006503938A Expired - Lifetime JP4880447B2 (ja) 2003-03-11 2004-01-20 高熱伝導率のヒートシンク
JP2006503937A Expired - Lifetime JP4995565B2 (ja) 2003-03-11 2004-01-20 複合材料の製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006503937A Expired - Lifetime JP4995565B2 (ja) 2003-03-11 2004-01-20 複合材料の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20060157884A1 (ja)
EP (2) EP1601630B1 (ja)
JP (2) JP4880447B2 (ja)
CN (1) CN100400467C (ja)
AT (1) AT7382U1 (ja)
WO (2) WO2004080913A1 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004056734A1 (de) * 2004-11-24 2006-06-01 Vatcharachai Buanatra Diamantenformkörper
TW200631144A (en) 2005-02-18 2006-09-01 Mitac Technology Corp Chip heat dissipation structure and manufacturing method thereof
TWI283052B (en) * 2005-03-02 2007-06-21 Mitac Technology Corp Chip heat dissipation system and manufacturing method and structure of heat dissipation device thereof
TWI290012B (en) 2005-03-03 2007-11-11 Mitac Technology Corp Printed circuit board structure and manufacturing method thereof
TWI268755B (en) * 2005-03-21 2006-12-11 Mitac Tech Corporation Chip heat dissipation system and manufacturing method and structure of heat exchange device thereof
US8637127B2 (en) 2005-06-27 2014-01-28 Kennametal Inc. Composite article with coolant channels and tool fabrication method
US8236074B1 (en) 2006-10-10 2012-08-07 Us Synthetic Corporation Superabrasive elements, methods of manufacturing, and drill bits including same
US9017438B1 (en) 2006-10-10 2015-04-28 Us Synthetic Corporation Polycrystalline diamond compact including a polycrystalline diamond table with a thermally-stable region having at least one low-carbon-solubility material and applications therefor
CN101522930B (zh) 2006-10-25 2012-07-18 Tdy工业公司 具有改进的抗热开裂性的制品
US8080074B2 (en) 2006-11-20 2011-12-20 Us Synthetic Corporation Polycrystalline diamond compacts, and related methods and applications
US8034136B2 (en) 2006-11-20 2011-10-11 Us Synthetic Corporation Methods of fabricating superabrasive articles
WO2009006163A2 (en) * 2007-06-29 2009-01-08 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Thermally conductive structural composite material and method
SE532992C2 (sv) * 2007-11-08 2010-06-08 Alfa Laval Corp Ab Förfarande för framställning av en diamantkomposit, grönkropp, diamantkomposit samt användning av diamantkompositen
EP2065734A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-03 Plansee Se Spiegel zur Laserbearbeitung
US8999025B1 (en) 2008-03-03 2015-04-07 Us Synthetic Corporation Methods of fabricating a polycrystalline diamond body with a sintering aid/infiltrant at least saturated with non-diamond carbon and resultant products such as compacts
US20090236087A1 (en) * 2008-03-19 2009-09-24 Yamaha Corporation Heat exchange device
US8790439B2 (en) 2008-06-02 2014-07-29 Kennametal Inc. Composite sintered powder metal articles
US8297382B2 (en) 2008-10-03 2012-10-30 Us Synthetic Corporation Polycrystalline diamond compacts, method of fabricating same, and various applications
JP2010109081A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Denki Kagaku Kogyo Kk Led発光素子用金属基複合材料基板及びそれを用いたled発光素子
JP5484111B2 (ja) * 2010-02-08 2014-05-07 株式会社アライドマテリアル 半導体素子搭載部材とその製造方法ならびに半導体装置
CN102030556B (zh) * 2010-11-11 2012-10-31 北京科技大学 一种金刚石/碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法
US10309158B2 (en) 2010-12-07 2019-06-04 Us Synthetic Corporation Method of partially infiltrating an at least partially leached polycrystalline diamond table and resultant polycrystalline diamond compacts
US9027675B1 (en) 2011-02-15 2015-05-12 Us Synthetic Corporation Polycrystalline diamond compact including a polycrystalline diamond table containing aluminum carbide therein and applications therefor
US9016406B2 (en) 2011-09-22 2015-04-28 Kennametal Inc. Cutting inserts for earth-boring bits
US20130291445A1 (en) * 2012-05-01 2013-11-07 Sigma Innovation Technology Inc. Diamond abrasive grain and electroplated tool having the same
JP5350553B1 (ja) 2013-04-26 2013-11-27 冨士ダイス株式会社 耐熱性の優れたCu−ダイヤモンド基固相焼結体を用いた放熱板、その放熱板を用いたエレクトロニクス用デバイス、および耐熱性の優れたCu−ダイヤモンド基固相焼結体を用いた放熱板の製造方法
CN103496215B (zh) * 2013-09-25 2015-07-29 华南理工大学 一种嵌入式组合热沉及其制备方法
US9992917B2 (en) 2014-03-10 2018-06-05 Vulcan GMS 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts
JP5807935B1 (ja) * 2014-10-09 2015-11-10 株式会社半導体熱研究所 放熱基板と、それを使用した半導体用モジュール
CN104370546B (zh) * 2014-10-28 2016-02-17 倪娟形 一种散热器连接件用高导热性陶瓷及其制备方法
US10074589B2 (en) 2016-04-14 2018-09-11 Hamilton Sundstrand Corporation Embedding diamond and other ceramic media into metal substrates to form thermal interface materials
JP6645586B2 (ja) * 2016-09-06 2020-02-14 株式会社Ihi セラミックス基複合材の製造方法
CN107034377A (zh) * 2017-03-14 2017-08-11 刘金财 一种镍金包覆的镶嵌金刚石铜的高密度密度板及其制备方法
DE102018205893B3 (de) * 2018-04-18 2019-10-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Werkstoff bestehend aus einem dreidimensionalen Gerüst, das mit SiC oder SiC und Si3N4 gebildet ist und einer Edelmetalllegierung, in der Silicium enthalten ist, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung
CN111170317B (zh) * 2018-11-12 2022-02-22 有研工程技术研究院有限公司 一种石墨烯改性金刚石/铜复合材料的制备方法
JP7233991B2 (ja) * 2019-03-18 2023-03-07 Dowaメタルテック株式会社 複合めっき材およびその製造方法
US20220186347A1 (en) * 2019-03-29 2022-06-16 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite material
CN111304481A (zh) * 2020-02-11 2020-06-19 中南大学 一种金刚石-金属复合材料的熔渗制备工艺及金刚石-金属复合材料
US20230167528A1 (en) * 2020-04-09 2023-06-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite material, heat sink and semiconductor device
CN112195384A (zh) * 2020-10-26 2021-01-08 河南飞孟金刚石工业有限公司 一种低成本金刚石高导热材料及其制备方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2543820C2 (de) * 1975-10-01 1984-10-31 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur Herstellung von Flachdruckformen mittels Laserstrahlen
IE47393B1 (en) * 1977-09-12 1984-03-07 De Beers Ind Diamond Abrasive materials
JPS5946050A (ja) * 1982-09-09 1984-03-15 Narumi China Corp 半導体用セラミツクパツケ−ジ
DE3535659C1 (de) * 1985-10-04 1987-04-02 Swarovski & Co Verwendung einer Bronzelegierung fuer Sinterschleifkoerper
ZA894689B (en) * 1988-11-30 1990-09-26 Gen Electric Silicon infiltrated porous polycrystalline diamond compacts and their fabrications
US5045972A (en) * 1990-08-27 1991-09-03 The Standard Oil Company High thermal conductivity metal matrix composite
US6003221A (en) * 1991-04-08 1999-12-21 Aluminum Company Of America Metal matrix composites containing electrical insulators
EP0619378B1 (en) 1993-04-06 1997-07-23 Sumitomo Electric Industries, Limited Method of preparing a diamond reinforced composite material
US5505750A (en) * 1994-06-22 1996-04-09 Norton Company Infiltrant for metal bonded abrasive articles
US5706999A (en) * 1995-11-28 1998-01-13 Hughes Electronics Preparation of a coated metal-matrix composite material
JP3617232B2 (ja) * 1997-02-06 2005-02-02 住友電気工業株式会社 半導体用ヒートシンクおよびその製造方法ならびにそれを用いた半導体パッケージ
US6039641A (en) 1997-04-04 2000-03-21 Sung; Chien-Min Brazed diamond tools by infiltration
JP3893681B2 (ja) 1997-08-19 2007-03-14 住友電気工業株式会社 半導体用ヒートシンクおよびその製造方法
EA003437B1 (ru) * 1997-09-05 2003-04-24 Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Материалов" Способ изготовления композиционного материала алмаз-карбид кремния-кремний и композиционный материал, изготовленный этим способом
DE19843309A1 (de) * 1998-09-22 2000-03-23 Asea Brown Boveri Kurzschlussfestes IGBT Modul
ATE218520T1 (de) 1998-09-28 2002-06-15 Frenton Ltd Verfahren zur herstellung eines diamantkomposits und ein durch dasselbe hergestelltes komposit
US6933531B1 (en) * 1999-12-24 2005-08-23 Ngk Insulators, Ltd. Heat sink material and method of manufacturing the heat sink material
JP2001339022A (ja) * 1999-12-24 2001-12-07 Ngk Insulators Ltd ヒートシンク材及びその製造方法
RU2206502C2 (ru) * 2000-11-21 2003-06-20 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Композиционный материал
US7173334B2 (en) * 2002-10-11 2007-02-06 Chien-Min Sung Diamond composite heat spreader and associated methods

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006524173A5 (ja)
JP4880447B2 (ja) 高熱伝導率のヒートシンク
JP5275625B2 (ja) ホウ素を含むダイヤモンドと銅複合材料から成るヒートシンク
JP2006519928A5 (ja)
JP2008502794A (ja) ダイヤモンド含有複合材料からなる摩耗部材
CN105483454A (zh) 一种电子封装用层状铝基复合材料的制备方法
Thünemann et al. Aluminum matrix composites based on preceramic-polymer-bonded SiC preforms
Zhang et al. Interfacial microstructure and properties of diamond/Cu-x Cr composites for electronic packaging applications
TW202006152A (zh) 金屬-碳化矽質複合體、及金屬-碳化矽質複合體之製造方法
US20180215668A1 (en) Aluminum-silicon-carbide composite and method of manufacturing same
CN108034866A (zh) 一种高性能氮化硅铝基复合材料及其制备方法
JP4113971B2 (ja) 低膨張材料及びその製造方法
JP6722089B2 (ja) アルミニウム−黒鉛−炭化物複合体を製造する方法
US20040202883A1 (en) Metal-ceramic composite material and method for production thereof
CN113264775B (zh) 致密质复合材料、其制法、接合体及半导体制造装置用构件
JP6617153B2 (ja) アルミニウム合金−炭化珪素質複合体の製造方法
JP4228444B2 (ja) 炭化珪素系複合材料およびその製造方法
CN105921721A (zh) 一种制备三维互穿结构3D-SiC/Al复合材料的方法
JP2000141022A (ja) 炭化珪素質複合体及びその製造方法
KATOU et al. Application of Metal Injection Molding to Al Powder
JP2000007456A (ja) 高熱伝導性セラミックス金属複合材料
JP7037848B1 (ja) 高金属粉末含有アルミニュウム複合体の製造方法、プリフォームの作製方法及び高金属粉末含有アルミニュウム複合体
JPH11157965A (ja) 金属−セラミックス複合材料及びその製造方法
TWI674251B (zh) 鋁-碳化矽質複合體及其製造方法
JPH10219369A (ja) セラミックスと金属の複合材料及びその製造方法