JP2006523602A - 高周波用低温焼成磁器組成物、その製造方法及び電子部品 - Google Patents
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Abstract
Description
また、ホウ素を焼成助剤に用いた低温焼成磁器組成物も提案されている(特開2002-037661号公報(特許文献3)、特開2002-173367号公報(特許文献4)等参照)。
(1) CaOとMgOとSiO2とを合計量で60質量%を超え98.6質量%以下(但し、CaOとMgOのいずれか一方は含有しなくてもよい)、Bi2O3を1質量%以上35質量%未満及びLi2Oを0.4質量%以上6質量%未満含み、(CaO+MgO)とSiO2のモル比比が1:1以上1:2.5未満の範囲である低温焼成磁器組成物。
(2) CaOとMgOとSiO2の少なくとも一部をCa及び/またはMgとSiとの複合酸化物として含有する上記1記載の低温焼成磁器組成物。
(3) Ca及び/またはMgとSiを含む前記複合酸化物が、ディオプサイト(CaO・MgO・2SiO2)系結晶相、エンスタタイト(MgO・SiO2)系結晶相及び/またはウォラストナイト(CaO・SiO2)系結晶相を含む上記2記載の低温焼成磁器組成物。
(4) 16GHz以上での誘電率が9.0以下、Qf値が10,000以上である上記1乃至3のいずれかに記載の低温焼成磁器組成物。
(5) 上記1〜4のいずれかに記載の低温焼成磁器組成物上に配線パターンを有する電子部品。
(6) 配線パターンがAg、Au及びCuから選択される少なくとも1種の金属を含む導体ペーストの焼成により形成される上記5に記載の電子部品。
(7) CaOとMgOとSiO2(但し、CaOとMgOのいずれか一方は含有しなくてもよい)を60質量%を超え98.6質量%以下、Bi2O3を1質量%以上35質量%未満及びLi2Oを0.4質量%以上6質量%未満含む原料粉を(CaO+MgO)とSiO2のモル比が1:1以上1:2.5未満となるように混合し850℃以下で仮焼した後、所定形状に成形し、850℃〜1000℃で焼成する低温焼成磁器組成物の製造方法。
(8) 原料粉末が粒径2.0μm以下の微粉末である上記7に記載の方法。
本発明の低温焼成磁器組成物は、CaOとMgOとSiO2とを合計量で60質量%を超え98.6質量%以下(但し、CaOとMgOのいずれか一方は含有しなくてもよい)、Bi2O3を1質量%以上35質量%未満及びLi2Oを0.4質量%以上6質量%未満含み、(CaO+MgO)とSiO2のモル比が1:1以上1:2.5未満の範囲であり、好ましくは、CaO、MgOとSiO2の少なくとも一部をCaO及び/またはMgとSiとの複合酸化物として含有する低温焼成磁器組成物である。
a(xCaO・(1−x)MgO・ySiO2)・bBi2O3・cLi2O
(式中、a、b、cは質量%であって
a+b+c=100、
60<a≦98.6、
1≦b<35、
0.4≦c<6
を満たし、x、yはモル比であって、
0≦x≦1、
x:yは1:1以上1:2.5未満である。)で表わされる低温焼成磁器組成物で表わされる磁器組成物である。
Bi2O3の含有量が過少であると低温焼結性が実現できない。また、過剰だと嵩密度(実測値を完全に緻密な材料についての計算値で割って得た相対値)が4g/cm3以上となる上、さらに2Bi2O3・3SiO2が主相となるため誘電率が高くなり望ましくない。Li2Oの含有量が過少であると低温焼結性が実現できない。また、過剰だと16GHzの高周波領域における誘電損失が1.0×10-3以上と高く、高Qf値を実現できない。
目標とする物性値を実現するものであれば各相の具体的な含有比は限定されないが、通常は、ディオプサイド系結晶相、エンスタタイト系結晶相及び/またはウォラストナイト系結晶相を磁器の全体積の60%以上含み、好ましくは80%以上、より好ましくは90%以上、さらに好ましくは95%以上を含む。
なお、発明の効果を損なわない限りにおいて、SiO2系結晶相等や非晶質等を含んでも良い。
本発明の低温焼成磁器は、Qf値が10,000以上であり、850℃〜1000℃の温度範囲での焼成によって相対密度95%以上まで緻密化されたものである。
本発明の低温焼成磁器は、(CaO+MgO)とSiO2とを1:1以上1:2.5未満のモル比で含有するCaO、MgOとSiO2の混合物及び/または複合酸化物(但し、CaOとMgOのいずれか一方は含有しなくてもよい)60質量%を超え98.6質量%以下と、Bi2O3 1質量%以上35質量%未満及びLi2O 0.4質量%以上6質量%未満を含む原料粉を混合し850℃以下、好ましくは750〜850℃で仮焼した後、適宜粉砕して、所定形状に成形し、850℃〜1000℃で焼成することにより製造できる。
出発原料として用いるCaO、MgOとSiO2は、各元素単体の酸化物粉末のほかに、Mg2SiO4等の複合酸化物や焼結過程で酸化物を形成し得る炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩等の形態で添加できる。
CaO、MgO、SiO2、Bi2O3、Li2O等の原料粉末は分散性を高め、望ましい誘電率や低誘電損失を得るために2.0μm以下、特に1.0μm以下の微粉末とすることが望ましい。
本発明における磁器組成物は、850〜1000℃で焼成可能であることから、特にAg、Au、Cuなどを配線する配線基板の絶縁基板として用いることができる。かかる磁器組成物を用いて配線基板を作製する場合には、例えば、上記のようにして調合した混合粉末を公知のテープ成形法、例えばドクターブレード法、押し出し成形等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを作製した後、そのシートの表面に配線回路層用として、Ag、Au及びCuのうちの少なくとも1種の金属、特に、Ag粉末を含む導体ペーストを用いて、グリーンシート表面にスクリーン印刷法等によって配線パターンを回路パターン状に印刷し、場合によってはシートにスルーホールやビアホール形成後、上記導体ペーストを充填する。その後、複数のグリーンシートを積層圧着した後、上述した条件で焼成することにより、配線層と絶縁層とを同時に焼成することができる。従って、これらの回路を含む電子部品も本発明の範囲に含まれる。なお、焼成条件下に使用できる限りにおいて、前記以外の材料からなる配線パターン(例えば、高融点材料からなる抵抗が含まれるが、これに限定されない)を含んでもよい。また、電子部品はこれらの配線パターンのみからなるものでもよいし、さらに個別の素子が実装されるものでもよい。
平均粒径が1μm以下のCaO、MgO(Mg2SiO4)、SiO2、Bi2O3、Li2CO3を酸化物換算の含有比が表1〜2の割合となるように混合した。この混合物を800℃にて5時間仮焼し、適宜粉砕して有機バインダー、可塑剤、トルエンを添加し、ドクターブレード法により厚さ150μmのグリーンシートを作成した。そして、このグリーンシートを5枚積層し、70℃の温度で150kg/cm2の圧力を加えて熱圧着した。得られた積層体を大気中で、500℃で加熱して有機成分を分解及び/または揮発させて除去した後、大気中で表1の条件下に焼成して多層基板用磁器を得た。
また、各試料についてX線回折測定を行い、標準試料のX線回折ピークとの比較によって磁器の構成相を同定したところ、ディオプサイド結晶相(CaO・MgO・2SiO2)、ウォラストナイト(CaO・SiO2)結晶相及び/またはエンスタタイト結晶相(Mg・SiO4)、Bi2O3−SiO2系結晶相(典型的には、ユーリタイト(2Bi2O3・3SiO4))、Li2O−SiO2系結晶相の各相の存在が確認された。
平均粒径が1μm以下のCaO、MgO、MgO、SiO2、Bi2O3、Li2CO3を各酸化物換算の組成が表2の割合となるように混合し、実施例1〜41と同様にして、表1〜2の条件下に焼成して多層基板用磁器を得た。実施例と同様に測定した誘電率等の結果も表1〜2に示す。
Bi2O3、Li2Oを添加していない試料では低温焼成が不可能であり(比較例1)、Bi2O3量が1質量%未満である試料(比較例2)及びLi2O量が0.4質量%未満である試料(比較例4)では本発明の焼結温度範囲では焼結しない。Biの含有量が増すと嵩密度が増加する傾向があり、Bi2O3量が35質量%(比較例5)では嵩密度がほぼ4.0に達した。一方、Li2O量が6質量%に達すると(比較例3)誘電損失が大きくQf値が10,000未満に低下した。また、(CaO+MgO):SiO2比が1:2.5を超える試料(比較例6)ではQf値が10,000未満に低下する。
Biに代えBを用いた他は実施例28と同様の条件で調製した組成物をほぼ同じ温度(921℃)で焼成した。これは、特開2001-278657号公報の組成物に相当する。但し、特開2001-278657号では主成分(CaO、MgOおよびSiO2)のみを1100℃で仮焼した後にB2O3を添加して本焼成を行なっているのに対し、この比較例では仮焼段階でB2O3を添加し、仮焼温度も800℃である。結果は、16.7GHzでのQ値が523であり、Qf値(8749)は10,000未満であった。具体的な組成及び結果を表3に示す(実施例28は表2中に示したものと同一である)。
Claims (8)
- CaOとMgOとSiO2とを合計量で60質量%を超え98.6質量%以下(但し、CaOとMgOのいずれか一方は含有しなくてもよい。)、Bi2O3を1質量%以上35質量%未満及びLi2Oを0.4質量%以上6質量%未満含み、(CaO+MgO)とSiO2のモル比が1:1以上1:2.5未満の範囲である低温焼成磁器組成物。
- CaOとMgOとSiO2の少なくとも一部をCa及び/またはMgとSiとの複合酸化物として含有する請求項1記載の低温焼成磁器組成物。
- Ca及び/またはMgとSiを含む前記複合酸化物が、ディオプサイト(CaO・MgO・2SiO2)系結晶相、エンスタタイト(MgO・SiO2)系結晶相及び/またはウォラストナイト(CaO・SiO2)系結晶相を含む請求項2記載の低温焼成磁器組成物。
- 16GHz以上での誘電率が9.0以下、Qf値が10,000以上である請求項1乃至3のいずれかに記載の低温焼成磁器組成物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の低温焼成磁器組成物上に配線パターンを有する電子部品。
- 配線パターンがAg、Au及びCuから選択される少なくとも1種の金属を含む導体ペーストの焼成により形成される請求項5に記載の電子部品。
- CaOとMgOとSiO2(但し、CaOとMgOのいずれか一方は含有しなくてもよい。)を60質量%を超え98.6質量%以下、Bi2O3を1質量%以上35質量%未満及びLi2Oを0.4質量%以上6質量%未満含む原料粉を(CaO+MgO)とSiO2のモル比が1:1以上1:2.5未満となるように混合し850℃以下で仮焼した後、所定形状に成形し、850℃〜1000℃で焼成する低温焼成磁器組成物の製造方法。
- 原料粉末が粒径2.0μm以下の微粉末である請求項7に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1192217A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
JP2001253774A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Kansai Research Institute | 圧電体磁器組成物およびその製造方法、圧電体素子およびその製造方法、ならびに、それを用いたインクジェット式プリンタヘッドおよび超音波モータ |
JP2001278657A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-10-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器組成物及びその製造方法並びにその低温焼成磁器組成物を用いた低温焼成配線基板 |
JP2003002735A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-01-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器組成物及びその製造方法 |
JP2003063857A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低誘電率磁器組成物とその製造方法 |
JP2003226572A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-12 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低誘電率磁器組成物とその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
US6232251B1 (en) * | 1998-09-29 | 2001-05-15 | Kyocera Corporation | Dielectric ceramics |
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JP2004115295A (ja) * | 2002-09-25 | 2004-04-15 | Nikko Co | 高周波用低温焼結磁器組成物及びその製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1192217A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電磁器組成物 |
JP2001278657A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-10-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器組成物及びその製造方法並びにその低温焼成磁器組成物を用いた低温焼成配線基板 |
JP2001253774A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Kansai Research Institute | 圧電体磁器組成物およびその製造方法、圧電体素子およびその製造方法、ならびに、それを用いたインクジェット式プリンタヘッドおよび超音波モータ |
JP2003002735A (ja) * | 2001-06-14 | 2003-01-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 低温焼成磁器組成物及びその製造方法 |
JP2003063857A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低誘電率磁器組成物とその製造方法 |
JP2003226572A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-12 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低誘電率磁器組成物とその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11142482B2 (en) | 2018-07-24 | 2021-10-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic composition and electronic component using the ceramic composition |
US11319252B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-05-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic composition and electronic component including the same |
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