JP2006510234A5 - - Google Patents

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窒化物半導体の発光素子及びその製造方法
本発明は窒化物系３-５族化合物半導体に関する。より詳しくは、基板上に成長されるＧａＮ系単結晶層と基板の熱膨張係数との格子定数の差により発生する結晶欠陥を低減し、ＧａＮ系単結晶層の結晶性を向上することにより、発光素子の高性能かつ高信頼性を確保できる窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法に関する。
一般的に、ＧａＮ系半導体は、その応用分野として、青色/緑色ＬＥＤのようなフォトダイオード及びＭＥＳＦＥＴ(Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)、ＨＥＭＴ(ｈｉｇｈ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｏｂｉｌｉｔｙ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ)等の高速スイッチング、高出力素子である電子素子に応用されている。特に、青色/緑色ＬＥＤ素子は、既に量産化した状態であり、その需要は全世界的に指数関数的に増加しつつある。
このようなＧａＮ系半導体の発光素子は、主にサファイア基板またはＳｉＣ基板上で成長される。そして、サファイア基板またはＳｉＣ基板上に、低温の成長温度でＡｌyＧａ1-yＮの多結晶薄膜をバッファ層(ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ)で成長させる。そして、高温でバッファ層上にアンドープＧａＮ層、シリコン(Ｓｉ)がドープされるＧａＮ層またはその混合構造で成長させ、ｎ型ＧａＮ層を第１の電極接触層とする。そして、その上部にマグネシウム(Ｍｇ)がドープされるｐ型ＧａＮ層を第２の電極接触層として、窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子が製造される。また、発光層(多重量子井戸構造の活性層)は、ｎ型ＧａＮ第１の電極接触層と、ｐ型ＧａＮ第２の電極接触層との間に介在する構造で形成される。
しかしながら、このような構造を持つ窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、基板とバッファ層との界面で発生する結晶欠陥が約１０8/ｃｍ3程度で非常に高い値を持つ。このため、窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の電気的な特性、特に、逆バイアス条件下でリーク電流が増加することにより、素子の信頼性が劣化するという問題点がある。
また、このようなバッファ層と基板との界面で発生する結晶欠陥は、発光層の結晶性を低下させるため、窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の発光効率が低減するという問題点がある。
一方、ＧａＮ系半導体の性能を向上させ、高信頼性を確保するために、最近、新たなバッファ層に関するサーチ、及びＧａＮ系半導体の製造方法に関する研究が進行されている。
よって、本発明の目的は、結晶欠陥を低減し、ＧａＮ系単結晶層の結晶性を向上させることにより、高性能かつ高信頼性を確保できる窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、単一量子井戸構造の活性層だけでも実用的な高輝度の性能を具現できる窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層と、前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層と、前記ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層上に形成された第１の電極接触層と、前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、第２のＩｎドープＧａＮ層と、前記第２のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含む。
他の側面に係る本発明の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層と、前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成された第１の電極接触層と、前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、前記活性層上に形成されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含む。
また他の側面に係る本発明の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第１の電極接触層と、前記第１の電極接触層上に形成され、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層を含む活性層と、前記活性層上に形成されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含む。
本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法は、基板上にバッファ層を形成するステップと、前記バッファ層上に第１のＩｎドープＧａＮ層を形成するステップと、前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に第１の電極接触層を形成するステップと、前記第１の電極接触層上に、光を放出する活性層を形成するステップと、前記活性層上にＧａＮ層を形成するステップと、前記ＧａＮ層上に第２の電極接触層を形成するステップと、を含む。
本発明によれば、窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の結晶欠陥を低減し、ＧａＮ系単結晶層の結晶性を向上できる。これにより、発光素子の高性能かつ高信頼性を確保できるという利点がある。
また、本発明によれば、単一量子井戸構造の活性層だけでも実用的な高輝度の性能を具現できるという利点がある。
本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法によれば、多重のバッファ層によってサファイア基板上に成長されるＧａＮ系単結晶薄膜との熱膨張係数及び格子定数の不一致によって発生する結晶欠陥を效果的に抑制して、高品質のＧａＮ系半導体を成長できる。特に、第１の電極接触層として用いるＳｉ/ＩｎコドープＧａＮ層の下側にＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造が挿入されることにより、結晶欠陥を一層抑制できる。
また、活性層の内部量子効率を高めるために、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層を挿入して、量子井戸の成長モードを均一に制御できる。そして、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造を第２の電極接触層として用いることにより、動作電圧を減少できる。結局、窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の結晶欠陥を低減し、ＧａＮ系単結晶層の結晶性を向上させることにより、高性能かつ高信頼性を確保することができる。
以下、添付図面に基づき、本発明に係る実施例を詳細に説明する。
なお、本発明は後述する実施例に限定されるものではなく、構成要素の付加、変更、削除等によって他の実施例を容易に提案できる。
図１は本発明の第１実施例に係る発光素子の積層構造である。
図１は、基板１０２上にバッファ層(ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ)１０４を成長させ、ｎ型ＧａＮ(Ｓｉ/Ｉｎコドープ)層を第１の電極接触層１０８とし、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造(ｓｕｐｅｒ ｌａｔｔｉｃｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ)を持つ層を第２の電極接触層１２０として成長させた窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の断面構造である。ここで、第１の電極接触層１０８及び第２の電極接触層１２０には、以後の工程で各々電極(図示せず)が形成され、これを介して電圧が印加される。
また、本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、第１の電極接触層１０８と第２の電極接触層１２０との間に介在されてヘテロ構造で形成される活性層１１６を持つ。活性層１１６は、インジウム(Ｉｎ)が少量添加されたＧａＮ層１１０、ＩｎxＧａ1-xＮ井戸層１１２及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層１１４を含む。
そして、バッファ層１０４と第１の電極接触層１０８との間にはＩｎドープＧａＮ層１０６がさらに形成され、ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層１１４と第２の電極接触層１２０との間にはｐ型ＧａＮ層１１８がさらに形成される。
本実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法を説明する。
まず、サファイア基板１０２上に低温の成長温度でＧａＮ系バッファ層１０４薄膜を成長させる。ここで、低温の成長温度でＧａＮ系バッファ層１０４薄膜を成長させる際、ＩｎＧａＮ/ＧａＮ超格子構造及びＩｎxＧａ1-xＮ/ＧａＮ、ＡｌxＩｎyＧａ1-x、yＮ/ＩｎxＧａ1-xＮ/ＧａＮの積層構造で成長できる。
このように、基板１０２上にバッファ層１０４が形成されることにより、基板１０２上に成長されるＧａＮ系単結晶薄膜との熱膨張係数及び格子定数の不一致によって発生する結晶欠陥を效果的に抑制できるため、高品質のＧａＮ系半導体を成長できる。
詳しくは、ＧａＮ系バッファ層１０４を成長させるステップにおいて、成長温度を５００℃〜７００℃とし、Ｈ2、Ｎ2キャリアガスを供給しながら、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソース(ｓｏｕｒｃｅ)ガスを流入させ、ＮＨ3ガスを流入させて、窒化物系バッファ層を成長させる。
そして、成長されたバッファ層１０４上に高温の成長温度でＩｎドープＧａＮ層１０６及びＳｉ/ＩｎコドープＧａＮ層１０８を成長させる。ここで、Ｓｉ/ＩｎコドープＧａＮ層１０８は第１の電極接触層として用いる。
詳しくは、ＧａＮ系単結晶薄膜を成長させるステップは、ＭＯＣＶＤ装備を用いて９００℃〜１１００℃で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースガスを供給して単結晶ＧａＮ系半導体薄膜を成長させ、ドーピングソースとしては、ＳｉドーピングソースとしてＳｉＨ4ガス、ＩｎドーピングソースとしてＴＭＩｎソースが用いられる。
以後、所望の波長帯域の光を放出する活性層１１６には、単一量子井戸層(ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ)が含まれる。詳しくは、活性層１１６は、活性層の内部量子効率を向上させるために、まず、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-XＮ(０<ｘ≦０.２)層１１０を１０〜５００Åの範囲内で成長させる。好ましくは５０〜３００Åの範囲内で成長させる。そして、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-XＮ層１１０上に、インジウム含量が互いに異なるＩｎyＧａ1-yＮ井戸層１１２とＩｎzＧａ1-zＮ障壁層１１４とからなる一つの量子井戸層が成長されて活性層として用いられる。
このとき、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層１１０、ＩｎyＧａ1-yＮ(０<ｙ≦０.３５)井戸層１１２及びＩｎzＧａ1-zＮ(０<ｚ≦０.２)障壁層１１４で形成される一つの量子井戸構造の活性層１１６の成長段階において、Ｎ2、Ｈ2+Ｎ2キャリアガス及びＮＨ3雰囲気で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースを流入させて成長させる。また、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層１１０の厚さは１０〜５００Åであり、表面形状は均一な螺旋状(ｓｐｉｒａｌ ｍｏｄｅ)で成長される。また、光を放出するＩｎＧａＮ井戸層１１２とＩｎＧａＮ障壁層１１４の厚さは、それぞれ５〜３０Å及び５０〜５００Å程度であり、成長温度は７００〜８００℃程度である。
また、高輝度の発光ダイオードを具現するには、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層１１０の表面に均一に成長された螺旋状がＩｎzＧａ1-zＮ障壁層１１４までその形態を維持しなければならない。このような成長条件を満足させると、多重量子井戸構造の活性層でない単一量子井戸構造の活性層の形成によっても実用的な高輝度の発光素子を製造できる。勿論、他の部分が同じ状態で多重量子井戸構造が適用されることもできる。
一方、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層１１０、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層１１２及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層１１４にドープされる含量分布は、次のように調節可能である。即ち、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層１１０のインジウム含量はＩｎzＧａ1-zＮ障壁層１１４より低く調節し、各ドープされるインジウムの含量は０<ｘ<０.０５、０<ｙ<０.３、０<ｚ<０.１に調節できる。
このような過程により光を放出する活性層を成長させた後、温度を増加させてＭｇがドープされたｐ型ＧａＮ単結晶層１１８をＨ2、Ｎ2、Ｈ2+Ｎ2、ＮＨ3のガス雰囲気で成長させる。ｐ型ＧａＮ層１１８の厚さは５００〜５０００Åであり、このとき、成長温度は９００〜１０２０℃範囲で行われる。
次いで、ｐ型ＧａＮ層１１８を成長させた後、その上に、ＩｎxＧａ1-xＮ(０<ｘ≦０.２)/ＩｎyＧａ1-yＮ(０<ｙ≦０.２)超格子構造を持つ第２の電極接触層１２０を成長させる。ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造は、第２の電極接触層１２０への電流の拡散を效果的に行い、第１の電極接触層１０８と同じ電極金属を用いて形成できるという長所がある。
本実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子によれば、第１の電極接触層１０８と第２の電極接触層１２０は、ｎ型/ｎ型の電極接触層で形成される。よって、従来の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子において、第１の電極接触層と第２の電極接触層がｎ型/ｐ型で形成されることにより、第２の電極接触層として用いるｐ型ＧａＮ層の低いマグネシウム(Ｍｇ)ドーピング効率により発生した高い接触抵抗と、それに伴う電流拡散層(ｃｕｒｒｅｎｔ ｓｐｒｅａｄｉｎｇ ｌａｙｅｒ)とを除去できる。そして、ｐ型ＧａＮ層１１８との関係を考慮すれば、第１の電極接触層１０８、ｐ型ＧａＮ層１１８、第２の電極接触層１２０はｎ型/ｐ型/ｎ型の接合関係を持つこともできる。
ここで、第２の電極接触層１２０の厚さは、各々２〜５０Åで交互に構成され、最大２００Å未満で構成される。また、成長温度は７００〜８５０℃範囲内であり、Ｎ2、Ｎ2+Ｈ2、ＮＨ3のガス及びＴＭＧａ、ＴＭＩｎのソースを流入して成長させることにより、内部量子効率及び動作電圧の特性が優秀なヘテロ構造の高輝度の発光ダイオードを成長させることができる。
図２は本発明の第２実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子のの積層構造である。
図２に示す窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の基本的な積層構造は、図１に示す第１実施例と類似している。但し、本実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、基板２０２とＩｎドープＧａＮ単結晶層２１２との格子定数及び熱膨張係数の差により発生する結晶欠陥を最小化するために、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造を持つ層２１０が第１の電極接触層２１２の下に追加して挿入されたヘテロ構造を持つ。
このような構造は、基板２０２及び低温のバッファ層２０４から伝播される電位密度を減少させることにより、発光素子の逆方向破壊電圧(ｒｅｖｅｒｓｅ ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ、Ｖｂｒ)を改善して発光素子の信頼性を向上できる。
本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の第２実施例の構造を、以下に簡略に説明する。
基板２０２上にバッファ層２０４を成長させ、ｎ型ＧａＮ(Ｓｉ/Ｉｎコドープ)層を第１の電極接触層２１２とし、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造を持つ層を第２の電極接触層２２４として成長させる。ここで、第１の電極接触層２１２及び第２の電極接触層２２４には、以後の工程で各々電極(図示せず)が形成され、これを介して電圧が印加される。
また、本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、第１の電極接触層２１２と第２の電極接触層２２４との間に介在されてヘテロ構造で形成される活性層２２０を持つ。活性層２２０は、インジウム(Ｉｎ)が少量添加されたＩｎxＧａ1-xＮ層２１４、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層２１６及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層２１８を含む。
そして、バッファ層２０４と第１の電極接触層２１２との間には、ＩｎドープＧａＮ層２０６とアンドープＧａＮ層２０８とが形成される。そして、ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層２１８と第２の電極接触層２２４との間には、ｐ型ＧａＮ層２２２がさらに具備される。
以上のような構造を持つ窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法は、第１実施例と類似しているので、ここではその説明は省略する。
本実施例により、基板２０２及びバッファ層２０４から伝播される電位密度を減少させ、発光素子の逆方向破壊電圧を改善でき、発光素子の信頼性を向上できる。
一方、図３は本発明の第３実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の積層構造である。
図３を参照すれば、本実施例は殆んど第１実施例と類似している。但し、ｐ型ＧａＮ層３２０とＩｎzＧａ1-zＮ障壁層３１４との間に、ＩｎドープＧａＮ層３１８が追加して挿入されるヘテロ構造を持つ。
このように、ＩｎドープＧａＮ層３１８がさらに形成されることにより、ｐ型ＧａＮ層３２０でドーピングソースとして使用されたマグネシウム(Ｍｇ)原子の内部拡散(Ｉｎ-ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ)現状を抑制させ、特性を向上できる。ここで、ＩｎドープＧａＮ層３１８はその厚さを１００Å以下で成長させるようにする。
第３実施例に係る半導体の発光素子の製造方法を説明する。基板３０２上にバッファ層３０４を成長させ、ｎ型ＧａＮ(Ｓｉ/Ｉｎコドープ)層を第１の電極接触層３０８とし、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造を持つ層を第２の電極接触層３２２として成長させる。ここで、第１の電極接触層３０８及び第２の電極接触層３２２には、以後の工程で各々電極(図示せず)が形成され、これを介して電圧が印加される。
また、本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子は、第１の電極接触層３０８と第２の電極接触層３２２との間に介在されてヘテロ構造で形成される活性層３１６を持つ。活性層３１６は、インジウム(Ｉｎ)が少量添加されたＩｎxＧａ1-xＮ層３１０、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層３１２及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層３１４を含む。
そして、バッファ層３０４と第１の電極接触層３０８との間には、ＩｎドープＧａＮ層３０６が含まれ、ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層３１４と第２の電極接触層３２２との間には、ｐ型ＧａＮ層３２０とＩｎドープＧａＮ層３１８とがさらに含まれる。
本実施例のように、ＩｎドープＧａＮ層３１８がさらに形成されることにより、ｐ型ＧａＮ層３２０でドーピングソースとして用いるマグネシウム(Ｍｇ)原子の内部拡散現状を抑制できる。よって、発光素子の特性を向上できる。
図４は本発明の第４実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の積層構造である。
第４実施例は殆んど第３実施例と同様であり、但し、基板４０４とＩｎドープＧａＮ層４０６との格子定数及び熱膨張係数の差により発生する結晶欠陥を最小化するために、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造を持つ層４０８と、ＩｎドープＧａＮ層４１２と、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層４１４をさらに形成させることに特徴がある。また、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造を持つ層４０８は、基板４０２及び低温のバッファ層４０４から伝播される電位密度を減少させ、発光素子の逆方向破壊電圧を改善する効果が得られる。
以下では、図４を参照して、本実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法を詳細に説明する。
サファイア基板４０２上に低温の成長温度でＧａＮ系バッファ層４０４を成長させる。ここで、低温の成長温度でＧａＮ系バッファ層４０４は、ＩｎＧａＮ/ＧａＮ超格子構造及びＩｎxＧａ1-xＮ/ＧａＮ、ＡｌxＩｎyＧａ1-x、yＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ/ＧａＮの積層構造などで形成させることができる。
このように、基板４０２上にバッファ層４０４が形成されることにより、基板４０２上に成長されるＧａＮ系単結晶薄膜との熱膨張係数及び格子定数の不一致によって発生する結晶欠陥を效果的に抑制できるため、高品質のＧａＮ系半導体を成長できる。
そして、成長されたバッファ層４０４上に高温の成長温度でＩｎドープＧａＮ層４０６を成長させる。そして、基板４０４との格子定数及び熱膨張係数の差により発生する結晶欠陥を最小化するために、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造を持つ層４０８をさらに形成させる。
このような構造は、基板４０２及び低温のバッファ層４０４から伝播される電位密度を減少させ、発光素子の逆方向破壊電圧を改善し、信頼性を向上できる。
そして、結晶欠陥を最小化するために、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層４０８上に、ＩｎドープＧａＮ層４１２とＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層４１４とをさらに形成させる。
以後、Ｓｉ/ＩｎコドープＧａＮ層４１６を成長させる。ここで、Ｓｉ/ＩｎコドープＧａＮ層４１６は第１の電極接触層として用いられる。
以後、所望の波長帯域の光を放出する活性層４２４には、単一量子井戸層が形成される。詳しくは、活性層４２４は、活性層の内部量子効率を向上させるために、まず、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-XＮ(０<ｘ≦０.２)層４１８を成長させる。そして、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-XＮ層４１８上に、インジウム含量が互いに異なるＩｎyＧａ1-yＮ井戸層４２０とＩｎzＧａ1-zＮ障壁層４２６とからなる一つの量子井戸層が成長されて活性層として用いられる。
このとき、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層４１８、ＩｎyＧａ1-yＮ(０<ｙ≦０.３５)井戸層４２０及びＩｎzＧａ1-zＮ(０<ｚ≦０.２)障壁層４２２で形成される一つの量子井戸構造の活性層４２４の成長段階において、Ｎ2、Ｈ2+Ｎ2キャリアガス及びＮＨ3雰囲気で、ＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＭＡｌソースを流入させて成長させる。また、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層４１８の厚さは１０〜５００Åであり、表面形状は均一な螺旋状で成長される。
また、光を放出するＩｎＧａＮ井戸層４２０とＩｎＧａＮ障壁層４２２の厚さは、それぞれ１０〜４０Å及び５０〜５００Å程度であり、成長温度は７００〜８００℃程度である。また、高輝度の発光ダイオードを具現するには、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層４１８の表面に均一に成長された螺旋状がＩｎzＧａ1-zＮ障壁層４２２までその形態を維持しなければならない。このような成長条件を満足させると、多重量子井戸構造の活性層でない単一量子井戸構造の活性層の形成によっても実用的な高輝度の発光素子を製造できる。
そして、光を放出する活性層を成長させた後、ＩｎドープＧａＮ層４２６及びＭｇ原子がドープされたｐ型ＧａＮ単結晶層４２８を成長させる。ここで、ｐ型ＧａＮ層４２８の厚さは５００〜５０００Åであり、このとき、成長温度は９００〜１０２０℃範囲で行われる。
次いで、ｐ型ＧａＮ層４２８を成長させた後、その上に、第２の電極接触層４３０として用いるＩｎxＧａ1-xＮ(０<ｘ≦０.２)/ＩｎyＧａ1-yＮ(０<ｙ≦０.２)超格子構造層を成長させてトンネルリング効果を持つ。ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造は、第２の電極接触層４３０への電流拡散を效果的に行い、第１の電極接触層４１６と同じ電極金属を用いて形成できる。
本実施例に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子によれば、第１の電極接触層４１６と第２の電極接触層４３０は、ｎ型/ｎ型の電極接触層として形成される。よって、従来の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子において、第１の電極接触層と第２の電極接触層がｎ型/ｐ型で形成されることにより、第２の電極接触層として用いるｐ型ＧａＮ層の低いＭｇドーピング効率により発生した高い接触抵抗と、それに伴う電流拡張層とを除去できる。
そして、ｐ型ＧａＮ層４２８との関係を考慮すれば、第１の電極接触層４１６、ｐ型ＧａＮ層４２８、第２の電極接触層４３０はｎ型/ｐ型/ｎ型の接合関係を持つこともできる。ここで、第２の電極接触層４３０の厚さは、各々２〜５０Åで交互に構成され、最大２００Å未満で構成される。また、成長温度は７００〜８５０℃範囲内であり、Ｎ2、Ｎ2+Ｈ2、ＮＨ3のガス及びＴＭＧａ、ＴＭＩｎのソースを流入して成長させることにより、内部量子効率及び動作電圧の特性が優秀なヘテロ構造の高輝度の発光ダイオードを成長させることができる。
本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の第１実施例の積層構造を示す図である。 本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の第２実施例の積層構造を示す図である。 本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の第３実施例の積層構造を示す図である。 本発明に係る窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の第４実施例の積層構造を示す図である。

Claims (39)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成されたバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層と、
    前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層と、
    前記ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層上に形成された第１の電極接触層と、
    前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、
    第２のＩｎドープＧａＮ層と、
    前記第２のＩｎドープＧａＮ層上に形成されたＧａＮ層と、
    前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、
    を含む窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  2. 前記第２の電極接触層はｎ型である請求項１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  3. 前記バッファ層は、ＩｎＧａＮ/ＧａＮ超格子構造、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＧａＮ構造、及びＡｌxＩｎyＧａ1-x、yＮ/ＩｎxＧａ1-xＮ/ＧａＮ構造の何れか一つで形成される、
    請求項１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  4. 前記第１の電極接触層は、Ｓｉ/ＩｎコドープＧａＮ層である、
    請求項１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  5. 前記活性層は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成される、
    請求項１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  6. 前記活性層は、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層を含む単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で構成される、
    請求項１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  7. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層にドープされるインジウム含量は、前記ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層にドープされるインジウム含量よりも小さい値を持つ、
    請求項６に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  8. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層にドープされるインジウム含量は、それぞれ０<ｘ<０.０５、０<ｙ<０.３、０<ｚ<０.１の値を持つ、
    請求項６に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  9. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状(ｓｐｉｒａｌ ｍｏｄｅ)で成長される、
    請求項６に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  10. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状で成長され、その螺旋状は前記ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層の表面まで延長されて成長される、
    請求項６に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  11. 前記第２の電極接触層は、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造(ｓｕｐｅｒ ｌａｔｔｉｃｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ)で形成される、
    請求項１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  12. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層と、前記ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子層とは、複数で繰り返し積層される、
    請求項１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  13. 基板と、
    前記基板上に形成されたバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成された第１のＩｎドープＧａＮ層と、
    前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に形成された第１の電極接触層と、
    前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、
    前記活性層上に形成されたＧａＮ層と、
    前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、
    を含む窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  14. 前記第２の電極接触層はｎ型である、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  15. 前記活性層と前記ｐ型ＧａＮ層との間に、第２のＩｎドープＧａＮ層がさらに形成される、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  16. 前記第１のＩｎドープＧａＮ層と前記第１の電極接触層との間に、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層がさらに形成される、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  17. 前記第１のＩｎドープＧａＮ層と前記第１の電極接触層との間に、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層と、アンドープＧａＮ層とがさらに形成される、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  18. 前記バッファ層は、ＩｎＧａＮ/ＧａＮ超格子構造、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＧａＮ構造、ＡｌxＩｎyＧａ1-x、yＮ/ＩｎxＧａ1-xＮ/ＧａＮ構造の何れか一つで形成される、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体発光素子。
  19. 前記第１の電極接触層はＳｉ/ＩｎコドープＧａＮ層である、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  20. 前記活性層は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成される、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  21. 前記活性層は、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層を含む単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で構成される、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  22. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層にドープされるインジウム含量は、前記ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層にドープされるインジウム含量よりも小さい値を持つ、
    請求項２１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  23. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層にドープされるインジウム含量は、それぞれ０<ｘ<０.０５、０<ｙ<０.３、０<ｚ<０.１の値を持つ、
    請求項２１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  24. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状で成長される、
    請求項２１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  25. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状で成長され、その螺旋状は前記ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層の表面まで延長されて成長される、
    請求項２１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  26. 前記第２の電極接触層は、ＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造で形成される、
    請求項１３に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  27. 基板上にバッファ層を形成するステップと、
    前記バッファ層上に第１のＩｎドープＧａＮ層を形成するステップと、
    前記第１のＩｎドープＧａＮ層上に第１の電極接触層を形成するステップと、
    前記第１の電極接触層上に、光を放出する活性層を形成するステップと、
    前記活性層上にＧａＮ層を形成するステップと、
    前記ＧａＮ層上に第２の電極接触層を形成するステップと、
    を含む窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法。
  28. 前記第２の電極接触層はｎ型である、
    請求項２７に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法。
  29. 前記第１の電極接触層はＳｉ/ＩｎコドープＧａＮ層を含む、
    請求項２７に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法。
  30. 前記第２の電極接触層はＩｎxＧａ1-xＮ/ＩｎyＧａ1-yＮ超格子構造層を含む、
    請求項２７に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法。
  31. 前記活性層は、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層及びＩｎyＧａ1-yＮ井戸層を含み、ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層の単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成される、
    請求項２７に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法。
  32. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状で成長される、
    請求項３１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法。
  33. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状で成長され、その螺旋状は前記ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層の表面まで延長されて成長される、
    請求項３１に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子の製造方法。
  34. 基板と、
    前記基板上に形成されたバッファ層と、
    前記バッファ層上に形成された第１の電極接触層と、
    前記第１の電極接触層上に形成され、インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層を含む活性層と、
    前記活性層上に形成されたＧａＮ層と、
    前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、
    を含む窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  35. 前記第２の電極接触層はｎ型である、
    請求項３４に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  36. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層にドープされるインジウム含量は、前記ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層にドープされるインジウム含量よりも小さい値を持つ、
    請求項３４に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  37. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層、ＩｎyＧａ1-yＮ井戸層及びＩｎzＧａ1-zＮ障壁層にドープされるインジウム含量は、それぞれ０<ｘ<０.０５、０<ｙ<０.３、０<ｚ<０.１の値を持つ、
    請求項３４に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  38. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状で成長される、
    請求項３４に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
  39. 前記インジウム含量が低いＩｎxＧａ1-xＮ層は、その表面形状が螺旋状で成長され、その螺旋状は前記ＩｎzＧａ1-zＮ障壁層の表面まで延長されて成長される、
    請求項３４に記載の窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子。
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100583163B1 (ko) * 2002-08-19 2006-05-23 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 및 그 제조방법
KR100525545B1 (ko) * 2003-06-25 2005-10-31 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100641989B1 (ko) 2003-10-15 2006-11-02 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR100661708B1 (ko) * 2004-10-19 2006-12-26 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20060267043A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Emerson David T Deep ultraviolet light emitting devices and methods of fabricating deep ultraviolet light emitting devices
KR100918968B1 (ko) * 2005-05-30 2009-09-25 갤럭시아포토닉스 주식회사 초접촉층을 구비한 질화갈륨 소자 제작방법 및 그 소자
CN100550443C (zh) * 2005-07-06 2009-10-14 Lg伊诺特有限公司 氮化物半导体led及其制造方法
KR101241477B1 (ko) * 2006-01-27 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
EP1821347B1 (en) * 2006-02-16 2018-01-03 LG Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same
US20080149946A1 (en) 2006-12-22 2008-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light
KR100910365B1 (ko) * 2007-06-11 2009-08-04 고려대학교 산학협력단 수직형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
JP2009016467A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Sony Corp 窒化ガリウム系半導体素子及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた画像表示装置
KR100864609B1 (ko) * 2007-07-04 2008-10-22 우리엘에스티 주식회사 화합물 반도체를 이용한 발광소자
KR100997908B1 (ko) 2008-09-10 2010-12-02 박은현 3족 질화물 반도체 발광소자
KR101507130B1 (ko) * 2008-11-20 2015-03-30 서울바이오시스 주식회사 초격자층을 갖는 발광 다이오드
US20100123119A1 (en) * 2008-11-20 2010-05-20 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having indium nitride
US8992558B2 (en) 2008-12-18 2015-03-31 Osteomed, Llc Lateral access system for the lumbar spine
DE102009040438A1 (de) * 2009-07-24 2011-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einer Quantentopfstruktur
KR101710892B1 (ko) * 2010-11-16 2017-02-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101285527B1 (ko) * 2012-05-11 2013-07-17 엘지전자 주식회사 발광 다이오드
KR102014172B1 (ko) * 2012-08-07 2019-08-26 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광 소자 및 발광 소자 패키지
JP6223075B2 (ja) * 2012-10-09 2017-11-01 キヤノン株式会社 発光素子の製造方法及び発光素子
WO2014124416A1 (en) 2013-02-11 2014-08-14 Graco Minnesota Inc. Remote monitoring for fluid applicator system
US10969805B2 (en) 2013-02-11 2021-04-06 Graco Minnesota Inc. Paint sprayer distributed control and output volume monitoring architectures
TWI593135B (zh) 2013-03-15 2017-07-21 索泰克公司 具有含氮化銦鎵之主動區域之半導體結構，形成此等半導體結構之方法，以及應用此等半導體結構形成之發光元件
TWI626765B (zh) * 2013-03-15 2018-06-11 梭意泰科公司 具有包含ＩｎＧａＮ之作用區域之半導體結構、形成此等半導體結構之方法及由此等半導體結構所形成之發光裝置
FR3003397B1 (fr) 2013-03-15 2016-07-22 Soitec Silicon On Insulator Structures semi-conductrices dotées de régions actives comprenant de l'INGAN
TWI648872B (zh) * 2013-03-15 2019-01-21 法商梭意泰科公司 具有包含ＩｎＧａＮ之作用區域之半導體結構、形成此等半導體結構之方法及由此等半導體結構所形成之發光裝置
KR20150130331A (ko) * 2013-03-15 2015-11-23 소이텍 Ingan을 포함하는 활성 영역을 가지는 발광 다이오드 반도체 구조
DE112014001423T5 (de) * 2013-03-15 2015-12-24 Soitec Halbleiterstrukturen mit InGaN umfassenden Aktivbereichen, Verfahren zum Bilden derartiger Halbleiterstrukturen und aus derartigen Halbleiterstrukturen gebildete Licht emittierende Vorrichtungen
CN103779467A (zh) * 2014-01-14 2014-05-07 江苏新广联科技股份有限公司 可提高发光效率的外延PGaN层生长结构
CN104300047B (zh) * 2014-10-11 2017-06-23 华芯半导体科技有限公司 一种Si基GaN的LED结构及其制作方法
CN105355741B (zh) * 2015-11-02 2017-09-29 厦门市三安光电科技有限公司 一种led外延结构及制作方法
US11166709B2 (en) 2016-08-23 2021-11-09 Stryker European Operations Holdings Llc Instrumentation and methods for the implantation of spinal implants
CN106856217A (zh) * 2016-12-27 2017-06-16 圆融光电科技股份有限公司 N型超晶格接触层的生长方法
CN107195736B (zh) * 2017-05-27 2019-12-31 华灿光电（浙江）有限公司 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
US10372363B2 (en) * 2017-09-14 2019-08-06 International Business Machines Corporation Thin provisioning using cloud based ranks
JPWO2019188318A1 (ja) * 2018-03-26 2021-04-08 パナソニック株式会社 半導体発光素子
EP3545857B1 (en) 2018-03-30 2024-01-03 Stryker European Operations Holdings LLC Lateral access retractor and core insertion
JP2020021798A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
CN113906574A (zh) * 2019-06-10 2022-01-07 苏州晶湛半导体有限公司 半导体结构和半导体结构的制备方法
CN110707187B (zh) * 2019-08-21 2021-01-29 华灿光电(苏州）有限公司 小间距发光二极管的外延片及其制造方法
US11564674B2 (en) 2019-11-27 2023-01-31 K2M, Inc. Lateral access system and method of use
CN117476827B (zh) * 2023-12-25 2024-04-26 江西兆驰半导体有限公司 一种低接触电阻的发光二极管的外延片及其制备方法
CN117457824B (zh) * 2023-12-25 2024-03-12 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管外延片及其制备方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2828002B2 (ja) * 1995-01-19 1998-11-25 松下電器産業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
EP0762516B1 (en) * 1995-08-28 1999-04-21 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Group-III nitride based light emitter
JPH09232629A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Toshiba Corp 半導体素子
JPH09304272A (ja) * 1996-05-10 1997-11-28 Fuji Electric Co Ltd 液体の吸光度測定装置
JP3753793B2 (ja) * 1996-06-14 2006-03-08 豊田合成株式会社 ３族窒化物化合物半導体発光素子
JPH10189944A (ja) * 1996-12-24 1998-07-21 Furukawa Electric Co Ltd:The 高電子移動度トランジスタ
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JPH10214999A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体素子
JPH10303458A (ja) 1997-04-24 1998-11-13 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子
US6266355B1 (en) * 1997-09-12 2001-07-24 Sdl, Inc. Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking
JP3080155B2 (ja) * 1997-11-05 2000-08-21 サンケン電気株式会社 窒化ガリウム半導体層を有する半導体装置及びその製造方法
JP3680558B2 (ja) * 1998-05-25 2005-08-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
EP1063711B1 (en) * 1998-03-12 2013-02-27 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6194742B1 (en) 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US6608330B1 (en) * 1998-09-21 2003-08-19 Nichia Corporation Light emitting device
JP3551101B2 (ja) * 1999-03-29 2004-08-04 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6838705B1 (en) * 1999-03-29 2005-01-04 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
JP3763701B2 (ja) * 1999-05-17 2006-04-05 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体発光素子
JP3719047B2 (ja) * 1999-06-07 2005-11-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3609661B2 (ja) * 1999-08-19 2005-01-12 株式会社東芝 半導体発光素子
JP3497790B2 (ja) * 1999-11-29 2004-02-16 星和電機株式会社 Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びｐ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子
JP2001185493A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP3925066B2 (ja) 2000-09-28 2007-06-06 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
US6906352B2 (en) * 2001-01-16 2005-06-14 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer and multiple quantum well
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
TW493287B (en) * 2001-05-30 2002-07-01 Epistar Corp Light emitting diode structure with non-conductive substrate
JP2004531894A (ja) * 2001-06-15 2004-10-14 クリー　インコーポレイテッド 紫外線発光ダイオード
JP2003110197A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Toshiba Corp 窒化物半導体発光装置、窒化物半導体装置及びその製造方法
US6833564B2 (en) * 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
JP4150527B2 (ja) * 2002-02-27 2008-09-17 日鉱金属株式会社 結晶の製造方法
US6720570B2 (en) * 2002-04-17 2004-04-13 Tekcore Co., Ltd. Gallium nitride-based semiconductor light emitting device
US7058105B2 (en) * 2002-10-17 2006-06-06 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor optoelectronic device
KR100525545B1 (ko) * 2003-06-25 2005-10-31 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

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