CN100466307C - 氮化物半导体发光器件 - Google Patents
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Abstract
提供一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件包括：n-型碳化物半导体层；在n-型半导体上形成的含铟超晶格结构层；在所述超晶格结构层上形成的第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的第一簇层(cluster layer)；在第一簇层上形成的第一含铟氮化镓层；在第一含铟氮化镓层上形成的第二簇层；在第二簇层上形成的用于发射光的活性层；在活性层上形成的p-型氮化物半导体层；和在p-型氮化物半导体层上形成的第二电极接触层。
Description
技术领域
本发明涉及氮化物半导体，更具体地涉及用于提高光输出和可靠性的氮化物半导体发光器件。
背景技术
通常，GaN基氮化物半导体被应用于光学器件例如蓝/绿LED、以及在其应用领域中具有高速转换和高输出特性的电子器件，例如金属半导体场效应晶体管(MESFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。具体地，蓝/绿LED被大批量生产，且其全球销售呈指数性增加。这种GaN基氮化物半导体发光器件主要是在蓝宝石衬底或SiC衬底上生长。另外，多晶薄膜AlyGa1-yN层在低生长温度下在蓝宝石衬底或SiC衬底上生长为缓冲层。然后，在高温下在缓冲层上生长未掺杂GaN层、Si掺杂n-GaN层或其组合，从而制作氮化物半导体发光器件，所述氮化物半导体发光器件具有用作第一电极接触层的n-GaN层和在第一电极接触层上形成的用作第二电极接触层的镁掺杂p-GaN层。而且，发光层是具有夹层结构的PN结二极管，其中在第一电极接触层和第二电极接触层之间放置具有多量子阱结构的活性层。
但是，上述构建的氮化物半导体发光器件具有缺点，即在衬底和缓冲层的界面产生约108cm3的非常高的晶体缺陷，因此，氮化物半导体发光器件的电特性，具体是电流泄漏在反偏置条件下增加，因而对器件的可靠性有严重的影响。
而且，氮化物半导体发光器件具有缺点，即由于低亮度而不能用于需要高亮度的大屏幕器件。因此，人们一直在研究提高发光器件的可靠性和提高亮度的解决方案。
发明内容
因此，本发明涉及氮化物半导体发光器件及其制造方法，基本避免由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，其中活性层可以具有改进的结晶度、改进的光输出和可靠性。
为了实现这些和其它的优点和根据本发明的目的，如具体实施和一般描述，提供一种氮化物半导体发光器件，包括：n-型氮化物半导体层；在n-型氮化物半导体层上形成的含铟超晶格结构层；在超晶格结构层上形成的第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的第一簇层(cluster layer)；在第一簇层上形成的第一含铟的氮化镓层；在第一含铟的氮化镓层上形成的第二簇层；在第二簇层上形成的用于发射光的活性层；在活性层上形成的p-型氮化物半导体层；和在p-型氮化物半导体层上形成的第二电极接触层。
在本发明的另一个方面，提供一种氮化物半导体发光器件，包括：第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的第一簇层；在第一簇层上形成的第一含铟的氮化镓层；在第一含铟的氮化镓层上形成的第二簇层；在第二簇层上形成的活性层；和在活性层上形成的p-型氮化物半导体层。
在本发明的另一个方面，提供一种氮化物半导体发光器件，包括：n-型第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的第一SiNa簇层；在第一SiNa簇层上形成的第一含铟的氮化镓层；在第一含铟的氮化镓层上形成的第二SiNa簇层；在第二SiNa簇层上形成的用于发射光的活性层；在活性层上形成的p-型氮化镓层；和在p-型氮化镓层上形成的n-型第二电极接触层。
在本发明的另一个方面，提供一种氮化物半导体发光器件，包括：n-型第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的应变控制层；在应变控制层上形成的用于发射光的活性层，以具有InyGa1-yN阱层、原子尺度厚度的SiNa簇层和InzGa1-zN阻挡层；在活性层上形成的p-型氮化镓层；和在p-型氮化镓层上形成的n-型第二电极接触层。
在本发明的另一个方面，提供一种氮化物半导体发光器件，包括：n-型第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的应变控制层；在应变控制层上形成的活性层；在活性层上形成的SiNa簇层；在SiNa簇层上形成的p-型氮化物半导体层；和在p-型氮化物半导体层上形成的n-型第二电极接触层。
在本发明的另一个方面，提供一种氮化物半导体发光器件，包括：n-型第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的应变控制层；在应变控制层上形成的活性层，以具有第一量子阱层、第二量子阱层和介于第一量子阱层与第二量子阱层之间的InxGa1-xN层；在活性层上形成的p-型氮化物半导体层；和在p-型氮化物半导体层上形成的n-型第二电极接触层。
在本发明的另一个方面，提供一种氮化物半导体发光器件，包括：n-型第一电极接触层；在第一电极接触层上形成的用于发射光的活性层；在活性层上形成的p-型氮化物半导体层；和在p-型氮化物半导体层上形成的n-型第二电极接触层，以具有InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构。
氮化物半导体发光器件及其制造方法优点在于：该氮化物半导体发光器件的发光层可具有改善的结晶度、改善的光输出和可靠性。
附图说明
图1是说明根据本发明第一实施方案的氮化物半导体发光器件的层结构的图。
图2是说明根据本发明第二实施方案的氮化物半导体发光器件的层结构的图。
图3是说明根据本发明实施方案的氮化物半导体发光器件的电流特性的图。
具体实施方式
下文中，将参考附图详细说明本发明的优选实施方案。
第一实施方案
图1是说明根据本发明第一实施方案的氮化物半导体发光器件的层结构的图。
参考图1，根据本发明的氮化物半导体发光器件具有在衬底102上形成的缓冲层104。在此，可形成缓冲层104以具有AlInN结构、InGaN/GaN超晶格结构、InxGa1-xN/GaN层叠结构、AlxInyGa1-x-yN/InzGa1-zN/GaN层叠结构或AlInN/GaN层叠结构。另外，在缓冲层104上形成铟掺杂GaN层106，在铟掺杂GaN层106上形成InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层108。而且，在InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层108上形成铟掺杂GaN层110，在铟掺杂GaN层110上另外形成InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层112。在此，铟掺杂GaN层和InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层还可以另外重复地和多层地形成。
另外，在InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层112上提供n-型第一电极接触层。本发明利用Si-In共掺杂GaN层114作为第一电极接触层。硅和铟共掺杂可以导致低接触电阻，并且可根据硅掺杂量的增加而抑制结晶度的降低。
另外，在Si-In共掺杂GaN层114上形成第一SiNa簇层116(“a”表示大于0的任意值，下文中一样)，和在第一SiNa簇层116上形成含较少掺杂铟的第一InzGa1-zN层118。
在第一InzGa1-zN层118上再形成簇层120。此时，形成具有原子尺度厚度的第一SiNa簇层116和第二SiNa簇层120。
在第二SiNa簇层120上形成活性层以发射光。在本发明中，活性层形成具有单量子阱结构或多量子阱结构，其包含InxGa1-xN阱层/InyGa1-yN阻挡层。SiNa簇层分别形成于InxGa1-xN阱层122和InyGa1-yN阻挡层126之间。
换言之，活性层可形成具有单量子阱结构，其包含InxGa1-xN阱层/SiNa簇层/InyGa1-yN阻挡层122、124和126。另外，也可以在具有InxGa1-xN阱层/SiNa簇层/InyGa1-yN阻挡层122、124和126的量子阱结构上形成具有InxGa1-xN阱层/SiNa簇层/InyGa1-yN阻挡层128、130和132的多量子阱结构。阱层、簇层和阻挡层的具体组成比在每层中也可以不同。
此外，在上述构建的活性层上形成p-GaN层136，在p-GaN层136上形成n-型第二电极接触层。在本发明中，第二电极接触层形成具有硅掺杂的InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层、其中铟组成变化以控制能带隙的超渐变结构(super grading structure)的InxGa1-xN层。而且，在活性层和p-GaN层136之间另外形成SiNa簇层134。此时，SiNa簇层134形成具有原子尺度的厚度。
上述氮化物半导体发光器件具有n-/p-/n-结。该n-/p-/n-结包括用作第一电极接触层的Si-In共掺杂GaN层114和用作第二电极接触层的硅掺杂n-InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层138。在此，在连续的过程中分别利用第一电极接触层和第二电极接触层形成电极(未示出)，和通过电极施加电压。
另外，为了改善氮化物半导体发光器件的光输出和可靠性，在生长活性层之前，原子尺度的SiNa簇层116和120在低摩尔InzGa1-zN层118生长为具有低铟含量(SiNa/低摩尔InxGa1-xN/SiNa)之前和之后生长。上述结构允许低摩尔InzGa1-zN层118控制活性层的应变，并允许活性层的内量子效率得以改善。而且，SiNa簇层116和120允许精确控制应变。
另外，即使当形成活性层时，SiNa簇层124和130以同样的方式再置于InxGa1-xN阱层122和128与InyGa1-yN阻挡层126和132之间(InxGa1-xN/SiNa/InyGa1-yN)。通过插入SiNa簇层124和130，可以改善活性层的内量子效率。
而且，为了抑制镁从镁掺杂p-GaN层136内扩散至活性层，在最后的InxGa1-xN阻挡层132生长之后形成原子尺度的SiNa簇层134。因此，利用n-InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层作为第二电极接触层可以很好地解决由于使用低镁掺杂效率的p-GaN层136作为传统的第二电极接触层引起的高接触电阻的缺点和由于在电极周围产生电流拥挤(current crowding)而引起的可靠性的缺点。换言之，由于n+-层而有效实施电流扩展从而调节工作电压并因此有效地增加了发光器件的寿命。具体地，这种具有n-/p-/n-结的发光器件的结构具有优点，即它能有效地相当于产生大量热的大面积和大输出发光器件。
为了改善内量子效率和增加光输出，本发明形成了具有低铟含量的低摩尔InzGa1-zN层118以控制活性层的应变。而且，为了改善光输出和由铟波动而引起的反向漏电流，在低摩尔InzGa1-zN层118生长之前和之后形成具有原子尺度厚度的SiNa簇层116和120。通过上述过程，生长了具有SiNa簇层116/低摩尔InxGa1-xN118/SiNa簇层120的应变控制层。
另外，在应变控制层生长之后，发射所希望波长的光的活性层具有单量子阱或多量子阱，该单量子阱或多量子阱具有InxGa1-xN阱层/SiNa簇层/InyGa1-yN阻挡层作为一个单元结构。
在此，阱层和阻挡层的每一个铟含量如下：InxGa1-xN(0<x<0.35)/SiNa/InyGa1-yN(0<y<0.1)。另外，在N2、H2+N2载气和NH3气氛中利用TMGa，TMIn，SiH4和Si2H6源生长具有量子阱结构的活性层。
而且，低摩尔InzGa1-zN层118可具有0<x<0.1的铟含量。另外，形成具有10-300
厚度的低摩尔InzGa1-zN层118，和在730-770℃的生长温度下形成厚度分别为10-30和50-250的阱层和阻挡层。此时，控制低摩尔InzGa1-zN层118以允许其表面形状按螺旋方式生长，和控制生长的螺旋方式并连接至活性层的表面，另外，将介于阱层和阻挡层之间的SiNa簇层124和130控制在原子尺度，并可利用SiH4、Si2H6和NH3流预定时间来控制它们的特征。
在生长具有SiNa簇层/低摩尔InzGa1-zN层/SiNa簇层/阱层/SiNa簇层/阻挡层/SiNa簇层结构的活性层之后，提高生长温度以在H2、N2、H2+N2和NH3气气氛中生长镁掺杂p-GaN层136。
此时，用镁掺杂p-GaN层136以具有其中镁掺杂量顺序增加的多个层。在优选实施例中，p-GaN层136具有三层结构，其中镁掺杂量顺序增加。p-GaN层136具有500-2500的厚度和900-1020℃的生长温度。
p-GaN层136生长后，在p-GaN层136上生长n-InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层138。仅过量掺杂硅至具有低铟含量的InyGa1-yN(0<y<0.1)层中，以减小接触电阻，因而通过控制总厚度提供隧道效应。因此，n-InxGa1-xN/InyGa1-yN(Si)超晶格结构层138被用作第二电极接触层并有效地进行电流扩展。在此，n-InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层138被构建以分别且交替具有2-50的厚度和小于200的厚度直至最大。
因此，可以制造具有高亮度和卓越可靠性的n-/p-/n-结的发光器件。
在上面实施方案中，下标例如“x”、“y”、“z”和“n”混合且用于每一层中，但是下标的这种限制仅用于相应的层。限制任意一层的组成比率的下标限制其它层的独立组成比率，这与下文中本发明的第二实施方案一样。
第二实施方案
图2是说明根据本发明第二实施方案的氮化物半导体发光器件的层结构的图。
在第二实施方案中，在包含阱层和阻挡层的一对量子阱层之间另外形成具有低掺杂铟含量的InxGa1-xN层，以便控制在InxGa1-xN层上形成的量子阱层的应变特性，从而有效地改善反向击穿电压和增加光输出，因此改善发光器件的可靠性。
如图2所示，根据本发明第二实施方案的氮化物半导体发光器件具有在衬底202上形成的缓冲层204。在此，可形成缓冲层204以具有AlInN结构、InGaN/GaN超晶格结构、InxGa1-xN/GaN层叠结构或AlxInyGa1-x-yN/InzGa1-zN/GaN层叠结构。
另外，在缓冲层204上形成铟掺杂GaN层206，在铟掺杂GaN层206上形成InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层208。此外，在InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层208上形成铟掺杂GaN层210，在铟掺杂GaN层210上另外形成InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层212。在此，铟掺杂GaN层和InxGa1-xN/InyGa1-yN层还可以另外重复地多次形成。
另外，在InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层212上提供n-型第一电极接触层。本发明利用Si-In共掺杂GaN层214作为第一电极接触层。
另外，在Si-In共掺杂GaN层214上形成第一SiNa簇层216，和在第一SiNa簇层216上形成含较少掺杂铟的第一InzGa1-zN层218。在第一InzGa1-zN层218上再形成第二SiNa簇层220。此时，控制低摩尔InzGa1-zN层218以允许其表面形状按螺旋方式生长，并形成具有原子尺度厚度的第一SiNa簇层216和第二SiNa簇层220。
在第二SiNa簇层220上形成第一量子阱层以具有InxGa1-xN阱层/InyGa1-yN阻挡层222和224的结构。此外，在第一量子阱层上形成具有低掺杂铟含量的InzGa1-zN层226，和在InzGal-zN层226上形成多量子阱层，从而具有InxGa1-xN阱层228/InyGa1-yN阻挡层230的至少一个的结构。
在此，生长厚度为300-2000的具有低掺杂铟含量的InzGa1-zN层226。发光器件控制在InzGa1-zN层226上形成的单量子阱层或多量子阱(MQW)层的应变，从而有效地抑制光输出和反向漏电流。此时，InzGa1-zN层226的掺杂铟含量低于阻挡层的掺杂铟含量。
图3说明在生长具有InzGa1-zN层226的整体-InGaN(bulk-InGaN)MQW层的情况下以及在生长不具有InzGa1-zN层226的多量子阱层的情况下的反向击穿电压的变化。
参考图3，在形成具有InzGa1-zN层226的整体-InGaN(bulk-InGaN)MQW层的情况下，与常规的MQW层相比，改善了反向击穿电压从而增加发光器件的可靠性。
此外，在上述构建的活性层上形成p-GaN层232，和在p-GaN层232上形成n-型第二电极接触层234。形成硅掺杂InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层作为第二电极接触层。
可以形成具有n-/p-/n-结的根据本发明的氮化物半导体发光器件。该n-/p-/n-结包括用作第一电极接触层的Si-In共掺杂GaN层214和用作第二电极接触层的InxGa1-xN/InyGa1-yN(硅掺杂)超晶格结构层234。在此，在连续的过程中分别利用第一电极接触层和第二电极接触层形成电极(未示出)，和通过所述电极施加电压。
根据本发明的氮化物半导体发光器件的制造方法类似于参考图1所描述的制造方法，其具体的描述被省略。
虽然本文中参考本发明的优选实施方案描述和图示了本发明，但可以在不偏离本发明的精神和范围内做出各种修改和变化，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，本发明覆盖在所附权利要求范围内的本发明的修改和变化及其等同物。
工业应用
通过增加发光器件的亮度，本发明可应用于大屏幕显示器。
Claims (36)
1.一种氮化物半导体发光器件，包含：
n-型氮化物半导体层；
在n-型氮化物半导体层上形成的含铟超晶格结构层；
在超晶格结构层上形成的第一电极接触层；
在第一电极接触层上形成的第一SiNx团簇层；
在第一SiNx团簇层上形成的第一含铟氮化镓层；
在第一含铟氮化镓层上形成的第二SiNx团簇层；
在第二SiNx团簇层上形成的活性层；
在活性层上形成的p-型氮化物半导体层；和
在p-型氮化物半导体层上形成的第二电极接触层，
其中x表示大于0的任意值。
2.根据权利要求1的器件，其中活性层包含：
具有InyGa1-yN阱层/InzGa1-zN阻挡层结构的第一量子阱层；
在第一量子阱层上形成的第二含铟氮化镓层；和
在第二含铟氮化镓层上形成的第二量子阱层，具有InyGa1-yN阱层/InzGa1-zN阻挡层结构。
3.根据权利要求1的器件，进一步包含在n-型氮化物半导体层下形成的缓冲层，和在缓冲层下形成的衬底。
4.根据权利要求1的器件，其中n-型氮化物半导体层用铟(In)掺杂。
5.根据权利要求3的器件，其中缓冲层具有选自下列之一的结构：AlInN结构、AlInN/GaN层叠结构、InGaN/GaN超晶格结构、InxGa1-xN/GaN层叠结构和AlxInyGa1-x-yN/InzGa1-zN/GaN层叠结构。
6.根据权利要求1的器件，其中第一电极接触层是Si-In共掺杂氮化镓层。
7.根据权利要求1的器件，其中形成具有原子尺度厚度的第一SiNx团簇层和/或第二SiNx团簇层。
8.根据权利要求1的器件，其中第一含铟氮化镓层具有以螺旋方式生长的表面形状。
9.根据权利要求1的器件，其中第一含铟氮化镓层具有生长并连接至活性层的表面形状。
10.根据权利要求1的器件，其中活性层具有单量子阱层结构或多量子阱层结构，其具有InxGa1-xN阱层/InyGa1-yN阻挡层。
11.根据权利要求10的器件，其中InxGa1-xN阱层/InyGa1-yN阻挡层分别具有0<x<0.35和0<y<0.1的铟含量。
12.根据权利要求1的器件，其中第一含铟氮化镓层表示为InxGa1-xN并且具有0<x<0.1的值。
13.根据权利要求10的器件，进一步包含形成于活性层的InxGa1-xN阱层和InyGa1-yN阻挡层之间的具有原子尺度厚度的第三SiNx团簇层。
14.根据权利要求1的器件，进一步包含形成于活性层和p-氮化物半导体层之间的具有原子尺度厚度的第四SiNx团簇层。
15.根据权利要求1的器件，其中形成具有下列结构之一的第二电极接触层：
InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构、InxGa1-xN超渐变结构和InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格与n-GaN的层叠结构。
16.根据权利要求1的器件，其中第二电极接触层的InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格层分别且交替地具有2-50
的厚度。
17.根据权利要求13的器件，其中第二电极接触层的InxGa1-xN/InyGa1-yN层具有小于200的总厚度。
18.根据权利要求1的器件，其中第二电极接触层具有掺杂硅。
19.根据权利要求1的器件，其中重复形成n-型氮化物半导体层和在n-型氮化物半导体层上形成的含铟超晶格结构层。
20.根据权利要求1的器件，其中提供至少一个由InxGa1-xN/InyGa1-yN形成的含铟超晶格结构层。
21.根据权利要求1的器件，其中形成具有镁掺杂量顺序增加的多层结构的p-型氮化物半导体层。
22.根据权利要求2的器件，其中第二含铟氮化镓层具有InxGa1-xN的化学式，和具有300-2000的厚度，其中0<x<0.1。
23.一种氮化物半导体发光器件，包含：
第一电极接触层；
在第一电极接触层上形成的第一SiNx团簇层；
在第一SiNx团簇层上形成的第一含铟氮化镓层；
在第一含铟氮化镓层上形成的第二SiNx团簇层；
在第二SiNx团簇层上形成的活性层；和
在活性层上形成的p-型氮化物半导体层，
其中x表示大于0的任意值。
24.根据权利要求23的器件，其中活性层包含：
具有InyGa1-yN阱层/InzGa1-zN阻挡层结构的第一量子阱层；
在第一量子阱层上形成的第二含铟氮化镓层；和
在第二含铟氮化镓层上形成的第二量子阱层，具有InyGa1-yN阱层/InzGa1-zN阻挡层的至少一个的结构。
25.根据权利要求23的器件，进一步包含在p-型氮化物半导体层上形成的第二电极接触层。
26.根据权利要求25的器件，其中第二电极接触层具有含铟超晶格结构。
27.根据权利要求23的器件，进一步包含在p-型氮化物半导体层上形成的硅掺杂含铟超晶格结构。
28.根据权利要求23的器件，其中第一电极接触层包含：
铟掺杂GaN层；
在铟掺杂GaN层上形成的InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层；和
在InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构层上形成的硅-铟共掺杂GaN层。
29.根据权利要求23的器件，其中活性层具有单量子阱层结构或多量子阱层结构，其具有InxGa1-xN阱层/InyGa1-yN阻挡层。
30.根据权利要求23的器件，其中活性层包含InxGa1-xN阱层、InyGa1-yN阻挡层和介于其间的第三SiNx团簇层。
31.根据权利要求23的器件，进一步包含形成于活性层和p型-氮化物半导体层之间的第四SiNx团簇层。
32.一种氮化物半导体发光器件，包含：
n-型第一电极接触层；
在第一电极接触层上形成的第一SiNx团簇层；
在第一SiNx团簇层上形成的第一含铟氮化镓层；
在第一含铟氮化镓层上形成的第二SiNx团簇层；
在第二SiNx团簇层上形成的用于发射光的活性层；
在活性层上形成的p-型氮化镓层；和
在p-型氮化镓层上形成的n-型第二电极接触层，
其中x表示大于0的任意值。
33.一种氮化物半导体发光器件，包含：
n-型第一电极接触层；
在第一电极接触层上形成的应变控制层；
在应变控制层上形成的用于发射光的活性层，具有InyGa1-yN阱层、原子尺度厚度的SiNx团簇层和InzGa1-zN阻挡层；
在活性层上形成的p-型氮化镓层；和
在p-型氮化镓层上形成的n-型第二电极接触层，
其中x表示大于0的任意值。
34.一种氮化物半导体发光器件，包含：
n-型第一电极接触层；
在第一电极接触层上形成的应变控制层；
在应变控制层上形成的活性层；
在活性层上形成的SiNx团簇层；
在SiNx团簇层上形成的p-型氮化物半导体层；和
在p-型氮化物半导体层上形成的n-型第二电极接触层，
其中x表示大于0的任意值。
35.一种氮化物半导体发光器件，包含：
n-型第一电极接触层；
在第一电极接触层上形成的SiNx团簇层，其中x表示大于0的任意值；
在SiNx团簇层上形成的活性层，具有第一量子阱层、第二量子阱层和介于第一量子阱层与第二量子阱层之间的InxGa1-xN层；
在活性层上形成的p-型氮化物半导体层；和
在p-型氮化物半导体层上形成的n-型第二电极接触层。
36.一种氮化物半导体发光器件，包含：
n-型第一电极接触层；
在第一电极接触层上形成的用于发射光的活性层；
在活性层上形成的p-型氮化物半导体层；
在p-型氮化物半导体层上形成的n-型第二电极接触层，具有InxGa1-xN/InyGa1-yN超晶格结构；和
在n-型第一电极接触层和活性层之间或在活性层和p-型氮化物半导体层之间形成的SiNx团簇层，其中SiNx中的x表示大于0的任意值。
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