CN100466313C - ppn型发光晶体管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管,包括衬底、缓冲层、n型布拉格反射层、n型电子发射层、发射电极、多量子阱有源发光层、窄带隙p-型基区层,与p-型基区层通过欧姆接触形成的电极、宽带隙p+型集电极层以及与p+型集电极层欧姆接触的电极;本发明还涉及所述ppn型发光晶体管的制备方法;本发明采用了p+型、p-型、n型晶体管结构;具有p-型基极可以控制发光。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种PPn型发光晶体管及其制备方法。
背景技术
II-VI族和III-V族化合物具有直接带间跃迁的半导体发光材料,材料的发光波长覆盖从红外到紫外整个波段。
在现有技术中,LED基本结构是由P型电极、有源发光区和N型电极构成。将LED的P端和N端接入电路中,通过恒流源供电,调节LED的端电压即可控制LED的发光强度,在LED显示屏技术中,一般采用控制LED发光时间占空比的方法控制发光强度,即通过控制发光时间与不发光时间的比例来调节发光效果。但是,这种调节方法,需要使用晶体管提供灌电流输入,产生大量的热,同时调节起来相对不是很方便。
目前,还没有成熟的制造发光晶体管的技术,尚处于初始研究阶段。主要方法有:一种是按照传统晶体管原理制造的NPN型发光晶体管器件,既利用器件的p型掺杂区发光,同时又作为基区进行控制,但是,由于基区很薄,绝大部分电子没有及时与基区中的空穴复合发光,而是直接穿过基区到达了n型掺杂集电区,大部分电子用来放大基区电流,只有少数电子参与发光,发光效率不高。另一种是实空间转移发光晶体管,是通过源极和漏极之间加正向电压时,电子在源极和漏极被加速到一定的能量后,就可以通过实空间转移效应,进入有源区,与栅极注入到有源区的空穴复合发光,但是,由于实空间转移效应的电子注入效率非常低,因此这种发光晶体管的发光效率也非常低。
发明内容
本发明的目的是针对现有发光晶体管的发光效率低的缺陷,提供一种基于III-V族化合物或者II-VI族化合物的高发光效率的ppn型发光晶体管。
本发明的另一个目的是提供上述ppn型发光晶体管的制备方法。
本发明的ppn型发光晶体管包括衬底、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的n型布拉格反射层、形成于n型布拉格反射层上的n型电子发射层、与n型电子发射层欧姆接触的发射电极、形成于n型电子发射层上的多量子阱有源发光层、形成于多量子阱有源发光层上的窄带隙p-型基区层,与p-型基区层通过欧姆接触形成的电极、通过突变同型异质结接触形成于p-型基区层之上的宽带隙p+型掺杂的集电极层以及与p+型集电极层欧姆接触的电极。
所述窄带隙p-型基区层厚度优选50—150nm。
所述衬底优选蓝宝石、硅、炭化硅、砷化镓或二氧化硅材料。
本发明中,III-V族化合物材料可以采用III族的Ga(镓)或Al(铝)元素,以及V族的N(氮)、As(砷)等元素组成的化合物,例如,p+型集电极层可由GaAs搀杂Mg材料制备得到,p-型基区层可由GaAs搀杂Mg、In材料制备得到,多量子阱有源发光层可由GaAs搀杂In材料制备得到。
II-VI族化合物材料可以采用II族Zn元素,以及VI族O元素等元素组成的化合物,例如,p+型集电极层、p-型基区层可由ZnO掺杂N、As材料制备得到,多量子阱有源发光层可由ZnO掺杂Be、Al材料制备得到。
本发明的发光晶体管的结构原理:由宽带隙的p+型集电区(空穴发射区)、窄带隙的p-型基极控制区、有源发光区和n型电子发射区组成。包括一个半导体化合物材料衬底,在衬底上形成缓冲层,形成n型布拉格反射层,然后是n型电子发射层,再生长多量子阱有源发光层,继续生长窄带隙p-型基区层,再生长突变窄宽带隙p+掺杂集电层,p-型基区层与p+型掺杂集电区层通过突变同型异质结接触,最后形成了外延片,通过半导体平面工艺技术制备成相应的p+型电极、p-型电极和n型电极,形成了晶体管器件。其中,在III-V族化合物中,如GaN、GaAs和GaP等材料,通过控制In材料的组分改变材料的带隙宽度形成控制区或发光区,利用Mg材料掺杂形成p型区,Si等掺杂形成n型区。
本发明的发光晶体管的工作原理:器件正常工作时,在p+型集电极和n型发射极之间加正向电压Vpn,p-基极和p+型集电极之间加正向电压Vpp,空穴由p+型集电区(空穴发射区)越过空穴量子阱进入p-基区,再通过p-型基区进入有源区,Vpp控制着基区空穴量子阱势垒的高度,控制了通过异质结的空穴数量,起到了调节器件发光强度的作用,进入有源区的电子与由p型空穴发射区注入的空穴复合发光,其中,1V<Vpn<15V,0.1V<Vpp<8V。
本发明所述ppn型发光晶体管的制备方法包括如下步骤:
(1)、利用金属有机气相淀积或分子束外延技术,生长III-V族GaN、GaAs或GaP材料;
(2)、选择一个蓝宝石、硅、砷化镓或二氧化硅材料的衬底,生长缓冲层;
(3)、缓冲层生长多周期的n型的布拉格反射层;
(4)、继续生长施主掺杂浓度为1017~1019cm-3的n型材料的电子发射区;
(5)、在In1-xGaxN、In1-xGaxAs或(AlGa)xIn1-xP材料中,通过改变x的值控制外延层In材料的组分,继续生长多周期的超晶格结构,形成多量子阱有源发光层,0.03<x<0.95;
(6)、再生长受主掺杂浓度为1015~1018cm-3、厚度在50nm到150nm之间的p-型基区层;
(7)、改变受主掺杂浓度1018~5×1019cm-3,生长突变的p+型集电极层,得到发光三极管的外延片;
(8)、利用光刻和化学腐蚀的方法,刻蚀n型层表面,再利用光刻的方法形成n型层欧姆接触电极图形,利用蒸发方法蒸镀Al/Au合金材料,形成发射区欧姆接触电极;
(9)、制作基区的p-电极和集电区的p+型电极,得到带有控制端的ppn型发光晶体管。
本发明与现有技术相比,具有如下优点:(1)采用了p+型、p-型、n型晶体管结构;(2)具有p-型基极可以控制发光;(3)发光晶体管的发光功率高于现有技术中发光晶体管的功率。
附图说明
图1是本发明发光晶体管剖面结构示意图;图中,1是衬底,2是缓冲层,3是n型布拉格反射层,4是n型发射区,5是有源区,6是p-型基区,7是p+型集电区。8是n电极,9是p-电极,10是p+电极。
图2是本发明发光晶体管的能带图,图中,11是6与7通过突变同型异质结接触形成的空穴量子阱。
具体实施方式
如图1所示,本发明的ppn型发光晶体管包括衬底1、形成于衬底1上的缓冲层2、形成于缓冲层2上的n型布拉格反射层3、形成于n型布拉格反射层3上的n型电子发射层4、与n型电子发射层4欧姆接触的发射电极8、形成于n型电子发射层4上的多量子阱有源发光层5、形成于多量子阱有源发光层5上的窄带隙p-型基区层6(厚度在50nm到150nm之间),与p-型基区层6通过欧姆接触形成的电极9、通过突变同型异质结接触形成于p-型基区层6之上的宽带隙p+型掺杂的集电极层7以及与p+型掺杂的集电极层7欧姆接触的电极10。
图1中,空穴由p+型集电区7,经过p-型基区6进入有源区5,然后在有源区5与由n型电子发射区4注入的电子复合发光。其中施加在p-型基区电极9上的电压控制着基区空穴量子阱势垒高度,进而控制了通过异质结的空穴数量,起到了调节器件发光强度的作用。
图2示意了本发明发光晶体管的能带图,通过能带图可以清楚看出,基区6与集电极7的突变同型异质结接触形成的量子阱11可以起到限制空穴的作用,通过控制基区6上的电压可以调节异量子阱11的势垒,控制了空穴通过量子阱11的数量,从而可以起到调节发光的作用。
实施例1
利用III-V族化合物材料GaAs材料制备晶体管。选用蓝宝石衬底,由宽带隙的n型电子发射区、有源发光区、窄带隙的p-型基极控制区和p型集电区(空穴发射区)构成。在n型GaAs材料衬底1上形成缓冲层2,再形成n型布拉格反射层3,然后是n型电子发射层4,再继续生长多量子阱有源发光层5,然后生长p-型基区层6,再继续生长突变的p+型重掺杂集电区层7,轻掺杂p-型基区层6与p+型重掺杂发射区层7通过突变同型异质结接触,在靠近p-型轻掺杂基区层6的结区一侧形成量子阱11,量子阱的势垒高度通过施加在基区6上的电压进行控制,形成了外延片。通过半导体平面工艺技术制备成相应的p+型电极10、p-型电极9和n型电极8,形成了晶体管器件。其中,在In1-xGaxAs材料中,通过变化x的值来改变In元素的组分,致使改变材料的带隙宽度形成控制区或发光区,在GaAs材料中利用Mg材料掺杂形成p型区,利用Si掺杂形成n型区。
本实施例的发光晶体管的制备方法是:利用MOCVD技术,生长GaAs材料。选择n型GaAs为半导体材料衬底1,生长0.5μm厚的缓冲层2。通过Si材料的掺杂生长多周期的n型的布拉格反射层3。继续生长Si材料掺杂浓度为1017cm-3的n型材料的电子发射区4。在生长In1-xGaxN材料时(0.03<x<0.95),通过改变x值控制In材料的掺杂组分,生长多周期的超晶格结构,形成多量子阱有源区5。在多量子阱有源区5上生长Mg掺杂浓度为1016cm-3的p-型基区6。再继续突变生长Mg掺杂浓度为1017cm-3的p+型集电区7,得到发光三极管的外延片。通过半导体平面工艺技术,利用光刻和化学腐蚀的方法,刻蚀n型层表面,再利用光刻的方法形成n型层欧姆接触电极图形,利用蒸发方法蒸镀Al/Au合金等材料,形成发射区欧姆接触电极8。利用上述方法,可以制作基区的p-电极9和集电区的p+型电极10,得到带有控制端的发光晶体管。
实施例2
利用II-VI族化合物材料ZnO材料制备晶体管。
与实施例1相比,实施例2的不同之处在于:采用ZnO材料,搀杂Al元素形成n型发射区4,搀杂N元素形成有源发光区5、p-型6、p+型区7。
其他同实施例1。
Claims (7)
1、一种ppn型发光晶体管,其特征在于包括衬底、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的n型布拉格反射层、形成于n型布拉格反射层上的n型电子发射层、与n型电子发射层欧姆接触的发射电极、形成于n型电子发射层上的多量子阱有源发光层、形成于多量子阱有源发光层上的窄带隙p-型基区层,与p-型基区层通过欧姆接触形成的电极、通过突变同型异质结接触形成于p-型基区层之上的宽带隙p+型掺杂的集电极层以及与p+型集电极层欧姆接触的电极。
2、根据权利要求1所述的发光晶体管,其特征在于所述窄带隙p-型基区层厚度为50—150nm。
3、根据权利要求1或2所述的发光晶体管,其特征在于所述衬底采用蓝宝石、硅、碳化硅、砷化镓或二氧化硅材料。
4、根据权利要求3所述的发光晶体管,其特征在于p+型集电极层由GaAs掺杂Mg材料制备得到,p-型基区层由GaAs掺杂Mg、In材料制备得到,多量子阱有源发光层由GaAs掺杂In材料制备得到。
5、根据权利要求3所述的发光晶体管,其特征在于p+型集电极层、p-型基区层由ZnO掺杂N、As材料制备得到,多量子阱有源发光层由ZnO掺杂Be、Al材料制备得到。
6、一种ppn型发光晶体管的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)、选择一个蓝宝石、硅、砷化镓或二氧化硅材料的衬底,利用金属有机气相淀积或分子束外延技术,首先生长缓冲层;
(2)、在缓冲层上生长多周期的n型的布拉格反射层;
(3)、继续生长施主掺杂浓度为1017~1019cm-3的n型材料的电子发射区;
(4)、在In1-xGaxN、In1-xGaxAs或(AlGa)xIn1-xP材料中,通过改变x的值控制外延层In材料的组分,继续生长多周期的超晶格结构,形成多量子阱有源发光层,0.03<x<0.95;
(5)、再生长受主掺杂浓度为1015~1018cm-3、厚度在50nm到150nm之间的p-型基区层;
(6)、生长突变的p+型集电极层,受主掺杂浓度1018~5×1019cm-3,得到发光晶体管的外延片;
(7)、利用光刻和化学腐蚀的方法,刻蚀n型材料的电子发射区,再利用光刻的方法形成n型材料的电子发射区欧姆接触电极图形,利用蒸发方法蒸镀Al/Au合金材料,形成发射区欧姆接触电极;
(8)、制作基区的p-电极和集电区的p+型电极,得到带有控制端的ppn型发光晶体管。
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