KR100670534B1 - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 위에 GaN층을 형성하는 단계;상기 GaN층 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극층 위에 InxGa1-xN층을 형성하는 단계;상기 InxGa1-xN층 위에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 p-GaN층을 형성하는 단계;상기 p-GaN층 위에 n-AlInN층 또는 p-AlInN층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 p-GaN층 위에, 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조의 n-InxGa1-xN층 또는 InGaN/AlInGaN 초격자 구조(super lattice structure)층 또는 InGaN/InGaN 초격자 구조층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 버퍼층은, AlInN/GaN 적층구조, InGaN/GaN 초격자 구조, InxGa1-xN/GaN 적층구조, AlxInyGa1-x,yN/InxGa1-xN/GaN의 적층구조 중에서 선택되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1 전극층은 실리콘과 인듐이 동시 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법..
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 InxGa1-xN층의 형성 단계 전후에 제 1 SiNx 클러스터층과 제 2 SiNx 클러스터층이 형성되는 단계가 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 5항에 있어서,상기 제 1 SiNx 클러스터층과 제 2 SiNx 클러스터층은 수~수십 옹스트롬(Å)의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 활성층은, InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층으로 형성되는 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소 자 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, SiNx 클러스터층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, 상기 InyGa1-yN 우물층의 인듐 변동량을 제어하는 GaN 캡(cap)층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 활성층과 p-GaN층 사이에, SiNx 클러스터층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층에 도핑되는 인듐 함량과 상기 InxGa1- xN 층에 도핑되는 인듐 함량은, 각각 0<x<0.1, 0<y<0.35, 0<z<0.1의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 n-AlInN층 또는 p-AlInN층 상부에, 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조의 n-InxGa1-xN층 또는 InGaN/AlInGaN 초격자 구조(super lattice structure)층 또는 InGaN/InGaN 초격자 구조층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 n-AlInN층 또는 p-AlInN층 위에 투명 전극이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 12항에 있어서,상기 수퍼 그레이딩 구조층 또는 초격자 구조층 위에 투명 전극이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법.
- 기판;상기 기판 위에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 위에 형성된 In이 도핑된 제 1 GaN층;상기 제 1 GaN층 위에 형성된 Si, In이 도핑된 제 2 GaN층;상기 제 2 GaN층 위에 형성된 InxGa1-xN층;상기 InxGa1-xN층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 p-GaN층;상기 p-GaN층 위에 형성된 n-AlInN층 또는 p-AlInN층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 n-AlInN층 또는 p-AlInN층 하부에, 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조 또는, In 또는 Al을 포함하는 초격자 구조의 질화물 반도체층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 n-AlInN층 또는 p-AlInN층 상부에, 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조 또는, In 또는 Al을 포함하는 초격자 구조의 질화물 반도체층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 버퍼층은, AlInN/GaN 적층구조, InGaN/GaN 초격자 구조, InxGa1-xN/GaN 적층구조, AlxInyGa1-x,yN/InxGa1-xN/GaN의 적층구조 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 제 2 GaN층과 p-GaN층 사이에 복수 개의 SiNx 클러스터층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항 또는 제 16항에 있어서,상기 n-AlInN층 또는 p-AlInN층 위에 투명 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 17항에 있어서,상기 수퍼 그레이딩 구조 또는 초격자 구조의 질화물 반도체층 위에 투명 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060058346A KR100670534B1 (ko) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060058346A KR100670534B1 (ko) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20040067495A Division KR100611003B1 (ko) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
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Publication Number | Publication Date |
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KR20060083947A KR20060083947A (ko) | 2006-07-21 |
KR100670534B1 true KR100670534B1 (ko) | 2007-01-16 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100670534B1 (ko) |
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- 2006-06-27 KR KR1020060058346A patent/KR100670534B1/ko active IP Right Grant
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