KR100611003B1 - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100611003B1 KR100611003B1 KR20040067495A KR20040067495A KR100611003B1 KR 100611003 B1 KR100611003 B1 KR 100611003B1 KR 20040067495 A KR20040067495 A KR 20040067495A KR 20040067495 A KR20040067495 A KR 20040067495A KR 100611003 B1 KR100611003 B1 KR 100611003B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- light emitting
- emitting device
- semiconductor light
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (47)
- 제 1 질화물 반도체층;상기 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층;상기 제 2 질화물 반도체층 위에 형성된 AlIn을 포함하는 제 3 질화물 반도체층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층 하부에는,기판;상기 기판 위에 형성된 버퍼층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층은,In이 도핑된 또는 도핑되지 않은 GaN층;상기 GaN층 위에 형성된 제 1 전극층;상기 제 1 전극층 위에 형성된 InxGa1-xN층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 2항에 있어서,상기 버퍼층은, AlInN/GaN 적층구조, InGaN/GaN 초격자 구조, InxGa1-xN/GaN 적층구조, AlxInyGa1-x,yN/InxGa1-xN/GaN의 적층구조 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 3항에 있어서,상기 제 1 전극층은 실리콘과 인듐이 동시 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층에 포함된 InxGa1-xN층의 하부와 상부에는 제 1 SiNx 클러스터층과 제 2 SiNx 클러스터층이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 6항에 있어서,상기 제 1 SiNx 클러스터층과 제 2 SiNx 클러스터층은 원자 척도(atomic scale)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 활성층은, InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층으로 형성되는 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 8항에 있어서,상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, SiNx 클러스터층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 8항에 있어서,상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, 상기 InyGa1-yN 우물층의 인듐 변동량을 제어하는 GaN 캡(cap)층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 활성층과 제 2 질화물 반도체층 사이에, SiNx 클러스터층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 8항에 있어서,상기 InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층에 도핑되는 인듐 함량과 상기 InxGa1-xN 층에 도핑되는 인듐 함량은, 각각 0<x<0.1, 0<y<0.35, 0<z<0.1의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 2 질화물 반도체층은 마그네슘이 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 3 질화물 반도체층은 실리콘 또는 마그네슘이 도핑되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 3 질화물 반도체층 상부에, 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조 또는, In 또는 Al을 포함하는 초격자 구조의 제 4 질화물 반도체층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 수퍼 그레이딩(super grading) 구조는 InxGa1-xN층으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 초격자 구조는, InGaN/AlInGaN 초격자 구조(super lattice structure)층 또는 InGaN/InGaN 초격자 구조층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 제 4 질화물 반도체층에는 실리콘이 도핑된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 3 질화물 반도체층 하부에, 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조 또는, In 또는 Al을 포함하는 초격자 구조의 제 4 질화물 반도체층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 19항에 있어서,상기 수퍼 그레이딩 구조는 InxGa1-xN층(0<x<0.2)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 19항에 있어서,상기 초격자 구조는, InGaN/AlInGaN 초격자 구조(super lattice structure)층 또는 InGaN/InGaN 초격자 구조층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 3 질화물 반도체층 위에 투명 전극이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 22항에 있어서,상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 23항에 있어서,상기 투과성 전도성 산화물은 ITO, ZnO, IrOx, RuOx, NiO의 물질 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 23항에 있어서,상기 투과성 저항성 금속은 Ni 금속을 포함하는 Au 합금층으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제 15항에 있어서,상기 제 4 질화물 반도체층 위에 투명 전극이 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040067495A KR100611003B1 (ko) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
CN 200810174254 CN101425556B (zh) | 2004-08-26 | 2005-08-19 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 |
JP2007529680A JP2008511154A (ja) | 2004-08-26 | 2005-08-19 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
PCT/KR2005/002757 WO2006022498A1 (en) | 2004-08-26 | 2005-08-19 | Nitride semicondctor light emitting device and fabrication method thereof |
EP20050781229 EP1794813B1 (en) | 2004-08-26 | 2005-08-19 | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
US11/661,186 US8053794B2 (en) | 2004-08-26 | 2005-08-19 | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
JP2012252910A JP2013058786A (ja) | 2004-08-26 | 2012-11-19 | 窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040067495A KR100611003B1 (ko) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060058346A Division KR100670534B1 (ko) | 2006-06-27 | 2006-06-27 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060019044A KR20060019044A (ko) | 2006-03-03 |
KR100611003B1 true KR100611003B1 (ko) | 2006-08-10 |
Family
ID=37126491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20040067495A KR100611003B1 (ko) | 2004-08-26 | 2004-08-26 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100611003B1 (ko) |
-
2004
- 2004-08-26 KR KR20040067495A patent/KR100611003B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060019044A (ko) | 2006-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100670531B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100661708B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
US7429756B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
JP5048496B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
EP1794813B1 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
JP2008526014A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
WO2007102627A1 (en) | Nitride semiconductor led and fabrication metho thereof | |
KR100946034B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 | |
CN100576585C (zh) | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | |
KR100611003B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100670534B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100593151B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130705 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140708 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150706 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160707 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170704 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180710 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190711 Year of fee payment: 14 |