JP2006509340A - プラズマディスプレイパネルの後面板 - Google Patents
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Abstract
プラズマディスプレイパネルの後面板が開示される。前記プラズマディスプレイパネルの後面板は、焼成された隔壁▲層▼をエッチングして隔壁を形成するので、完成された隔壁の形象の変更がない。したがって、隔壁と隔壁との間の中央部に電極が正確に位置される。また、前面板と後面板とを合着してPDPを完成した際、PDPの白色輝度、色の温度及びコントラスト等のような光学的特性、電圧マージン、消費電力及び効率等のような電気的特性が向上される。
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネルの後面板に関する。
プラズマディスプレイパネル(Plasma Display Panel:以下’PDP’)というのは、前面のグラス基板と後面のグラス基板との間に放電空間を形成し、前記放電空間をプラズマ放電させ、周りに存在する蛍光体を励起、発光させ、画面を表示する装置である。
PDPは直流形と交流形とで対別されるし、これらの中、交流形PDPが現在、主流を成している。交流形PDPの代表的な構造は、3電極の面放電の方式のフジツ方式であって、これは米国特許第5、446、344号に開示されている。
PDPは相互合着される前面板と後面板で構成される。前記前面板はグラス基板、前記グラス基板の下面に形成され、スキャン電極とサステイン電極とを有する透明電極、前記透明電極の抵抗を減らすために前記透明電極の下面に形成されたバス電極、前記透明電極と前記バス電極とを覆う形態に形成された誘電体▲層▼及び前記誘電体▲層▼のスパタリングを防いで2次電子の放出を高めるために前記誘電体▲層▼の下面に形成された酸化マグネシウム▲層▼を有する。そして、前記後面板はグラス基板、アドレス電極、誘電体▲層▼、前記前面板との間に放電空間を形成する隔壁及び蛍光体▲層▼を有する。
PDPの後面板は、一般的に日本特開▲平▼5−128966号に開示されたプラズマディスプレイパネルの基板の厚膜パターンの形成方法と類似のサンド・ブラスト(sand blast)工法で製造される。
前記のように、サンド・ブラスト工法で製造された従来の後面板は、サンド・ブラスト工法で隔壁▲層▼を加工して隔壁を形成した後、前記隔壁を焼成して隔壁を完成する。これによって、加工された隔壁の焼成の際、隔壁が捩られるのような形象の変形が発生する。すると、隔壁と隔壁との間の中央部に位置された電極が、隔壁と隔壁との間の中央部に位置されなくなる問題点がある。
PDPは直流形と交流形とで対別されるし、これらの中、交流形PDPが現在、主流を成している。交流形PDPの代表的な構造は、3電極の面放電の方式のフジツ方式であって、これは米国特許第5、446、344号に開示されている。
PDPは相互合着される前面板と後面板で構成される。前記前面板はグラス基板、前記グラス基板の下面に形成され、スキャン電極とサステイン電極とを有する透明電極、前記透明電極の抵抗を減らすために前記透明電極の下面に形成されたバス電極、前記透明電極と前記バス電極とを覆う形態に形成された誘電体▲層▼及び前記誘電体▲層▼のスパタリングを防いで2次電子の放出を高めるために前記誘電体▲層▼の下面に形成された酸化マグネシウム▲層▼を有する。そして、前記後面板はグラス基板、アドレス電極、誘電体▲層▼、前記前面板との間に放電空間を形成する隔壁及び蛍光体▲層▼を有する。
PDPの後面板は、一般的に日本特開▲平▼5−128966号に開示されたプラズマディスプレイパネルの基板の厚膜パターンの形成方法と類似のサンド・ブラスト(sand blast)工法で製造される。
前記のように、サンド・ブラスト工法で製造された従来の後面板は、サンド・ブラスト工法で隔壁▲層▼を加工して隔壁を形成した後、前記隔壁を焼成して隔壁を完成する。これによって、加工された隔壁の焼成の際、隔壁が捩られるのような形象の変形が発生する。すると、隔壁と隔壁との間の中央部に位置された電極が、隔壁と隔壁との間の中央部に位置されなくなる問題点がある。
本発明は、前記のような問題点を解消するために案出されたことであり、本発明の目的は、隔壁と隔壁との間の中央部に電極が正確に位置されるだけでなく、PDPの様々な特性を向上させられるプラズマディスプレイパネルの後面板を提供することである。
前記目的を達成するための本発明によるプラズマディスプレイパネルの後面板は、グラス基板、前記グラス基板の上面に形成されたパターン形象の電極、前記電極の上面に形成された誘電体▲層▼、前記誘電体▲層▼の上面に形成され、エッチングによって形成されたパターン形象の隔壁と、前記隔壁の横面及び底面に沿って形成された赤色蛍光体▲層▼と緑色蛍光体▲層▼及び青色蛍光体▲層▼を有し、電気信号によって各々可▲視▼光線を発光する蛍光体▲層▼を備えるプラズマディスプレイパネルの後面板において、
前記電極はAu、Ag、Pt、Pd、Ni及びCuの中から選択された1種以上の導電性金属粉末と第1グラス粉末の混合によって製造されるし、前記導電性金属粉末の▲平▼均立径は0.1〜7μmであり、前記第1グラス粉末の▲平▼均立径及び非抵抗は、各々0.5〜10μm及び1.0×10−6〜5.0×10−6Ωcmであり、前記導電性金属粉末 : 前記第1グラス粉末=51〜99.5重量% : 0.5〜49重量%であり、前記誘電体▲層▼は、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=30〜80重量%:0〜20重量%:0〜20重量%:5〜40重量%:0〜12重量%:0〜5重量%:0〜5重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は390〜550℃、熱膨張係数は63〜95×10−7/℃、誘電率は5〜26及びエッチング速度は0.1〜1.0μm/minである第2グラス粉末と、Bi2O3:B2O3:PbO:ZnO:Al2O3:SiO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=36〜84重量%:5〜28重量%:0〜46重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜10重量%:0〜5重量%:0〜3重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は390〜550℃、熱膨張係数は63〜95×10−7/℃、誘電率は5〜26及びエッチング速度は0.1〜1.0μm/minである第3グラス粉末の中から選択された1種以上に用意されたグラス粉末と、▲平▼均立径が0.5〜10μmであり、酸化物であり、前記誘電体▲層▼のグラス粉末に対する体積比が0.05〜0.30である白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意された第1フィ−ラーの混合によって製造され、450〜600℃で10〜60分間焼成された際の誘電率が11〜26、反射率が50%〜85%、エッチング速度が0.1〜1.0μm/min及び気孔率が5%以下であり、前記パターン形象の隔壁は、ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=0〜48重量%:0〜21重量%:25〜56重量%:0〜12重量%:0〜38重量%:0〜15重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第4グラス粉末と、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3+SnO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO:CaO+MgO+SrO=25〜65重量%:0〜35重量%:0〜26重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜19重量%:0〜26重量%:0〜13重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第5グラス粉末と、PbO:B2O3:ZnO:BaO:SiO2+Al2O3+SnO2:CoO+CuO+MnO2+Fe2O3:Na2O+K2O+Li2O:CaO+MgO+SrO=35〜55重量%:18〜25重量%:0〜35重量%:0〜16重量%:0〜9重量%:0〜15重量%:0〜19重量%:0〜13重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第6グラス粉末の中から選択された1種以上に用意されたグラス粉末と、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、混合され暗色を表す、NiO、Fe2O3、CrO、MnO2、CuO、Al2O3及びSiO2の中から選択された2種以上に用意された複合酸化物である第2フィラ−と、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意された第3フィラ−の中から選択された1種以上に用意されて、1▲層▼以上に用意され前記隔壁のグラス粉末に対する体積比が0.05〜0.67であるフィラ−の混合によって製造されて、450〜600℃で10〜60分間焼成された際、誘電率が5〜16、エッチング速度が2〜50μm/min及び前記隔壁を含める前記グラス基板のバンディングが0.3mm以下であり、酸系のエッチング液でエッチングした後、510℃で1時間にかけて熱処理した際の高さの変化が1%以下であると同時に、500gの鉄製棒を5mmの高さから垂直自由落下させる際の破壊率が50%以下であり、前記赤色蛍光体▲層▼は、酸化物であるY、Gd、B及びEuの中から選択された2種以上に用意され、前記緑色蛍光体▲層▼は、酸化物であるZn、Si、Mn、Y、B、Tb、Ba及びAlの中から選択された1種以上に用意されるし、前記青色蛍光体▲層▼は、酸化物であるBa、Mg、Al、Sr、Mn及びEuの中から選択された2種以上に用意され、PDPの駆動の際の色の温度が8、000〜13、000Kであるのに用意される、
前記電極はAu、Ag、Pt、Pd、Ni及びCuの中から選択された1種以上の導電性金属粉末と第1グラス粉末の混合によって製造されるし、前記導電性金属粉末の▲平▼均立径は0.1〜7μmであり、前記第1グラス粉末の▲平▼均立径及び非抵抗は、各々0.5〜10μm及び1.0×10−6〜5.0×10−6Ωcmであり、前記導電性金属粉末 : 前記第1グラス粉末=51〜99.5重量% : 0.5〜49重量%であり、前記誘電体▲層▼は、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=30〜80重量%:0〜20重量%:0〜20重量%:5〜40重量%:0〜12重量%:0〜5重量%:0〜5重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は390〜550℃、熱膨張係数は63〜95×10−7/℃、誘電率は5〜26及びエッチング速度は0.1〜1.0μm/minである第2グラス粉末と、Bi2O3:B2O3:PbO:ZnO:Al2O3:SiO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=36〜84重量%:5〜28重量%:0〜46重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜10重量%:0〜5重量%:0〜3重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は390〜550℃、熱膨張係数は63〜95×10−7/℃、誘電率は5〜26及びエッチング速度は0.1〜1.0μm/minである第3グラス粉末の中から選択された1種以上に用意されたグラス粉末と、▲平▼均立径が0.5〜10μmであり、酸化物であり、前記誘電体▲層▼のグラス粉末に対する体積比が0.05〜0.30である白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意された第1フィ−ラーの混合によって製造され、450〜600℃で10〜60分間焼成された際の誘電率が11〜26、反射率が50%〜85%、エッチング速度が0.1〜1.0μm/min及び気孔率が5%以下であり、前記パターン形象の隔壁は、ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=0〜48重量%:0〜21重量%:25〜56重量%:0〜12重量%:0〜38重量%:0〜15重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第4グラス粉末と、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3+SnO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO:CaO+MgO+SrO=25〜65重量%:0〜35重量%:0〜26重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜19重量%:0〜26重量%:0〜13重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第5グラス粉末と、PbO:B2O3:ZnO:BaO:SiO2+Al2O3+SnO2:CoO+CuO+MnO2+Fe2O3:Na2O+K2O+Li2O:CaO+MgO+SrO=35〜55重量%:18〜25重量%:0〜35重量%:0〜16重量%:0〜9重量%:0〜15重量%:0〜19重量%:0〜13重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第6グラス粉末の中から選択された1種以上に用意されたグラス粉末と、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、混合され暗色を表す、NiO、Fe2O3、CrO、MnO2、CuO、Al2O3及びSiO2の中から選択された2種以上に用意された複合酸化物である第2フィラ−と、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意された第3フィラ−の中から選択された1種以上に用意されて、1▲層▼以上に用意され前記隔壁のグラス粉末に対する体積比が0.05〜0.67であるフィラ−の混合によって製造されて、450〜600℃で10〜60分間焼成された際、誘電率が5〜16、エッチング速度が2〜50μm/min及び前記隔壁を含める前記グラス基板のバンディングが0.3mm以下であり、酸系のエッチング液でエッチングした後、510℃で1時間にかけて熱処理した際の高さの変化が1%以下であると同時に、500gの鉄製棒を5mmの高さから垂直自由落下させる際の破壊率が50%以下であり、前記赤色蛍光体▲層▼は、酸化物であるY、Gd、B及びEuの中から選択された2種以上に用意され、前記緑色蛍光体▲層▼は、酸化物であるZn、Si、Mn、Y、B、Tb、Ba及びAlの中から選択された1種以上に用意されるし、前記青色蛍光体▲層▼は、酸化物であるBa、Mg、Al、Sr、Mn及びEuの中から選択された2種以上に用意され、PDPの駆動の際の色の温度が8、000〜13、000Kであるのに用意される、
前記後面板は焼成された隔壁▲層▼をエッチングして隔壁を形成するので、完成された隔壁の形象の変更がない。従って、隔壁と隔壁との間の中央部に電極が正確に位置される。また、前面板と後面板とを合着してPDPを完成した際、PDPの白色輝度、色の温度及びコントラスト等のような光学的特性、電圧マージン、消費電力及び効率等のような電気的特性が向上されるによって信頼性が向上される。
以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態のプラズマディスプレイパネルの後面板を詳細に説明する。
図1に示したように、本実施形態のプラズマディスプレイパネル(以下‘PDP’)の後面板100はグラス基板110と、グラス基板110の上面に所定の間隔を有して形成されたパターン形象の電極120と、電極120の上面に形成された誘電体▲層▼130と、誘電体▲層▼130の上面に所定の間隔を有して形成されたパターン形象の隔壁140と、隔壁140の横面及び底面に沿って形成された蛍光体▲層▼150とを有する。
本実施形態の隔壁140の製造方法を簡単に説明する。誘電体▲層▼130の上面に隔壁ペイストを全面印刷した後、乾燥する工程を数回繰り返して隔壁▲層▼を形成する。そして、前記隔壁▲層▼を焼成して、フォートーリソグラフィ(photolithography)方式で前記隔壁▲層▼に潜象(latentimage)を形成した後、前記隔壁▲層▼をエッチングして隔壁140を製造する。
本実施形態の隔壁140は、エッチングによって製造されるので、前記隔壁▲層▼はエッチング液に対して適切なエッチングレートを有するべきであるし、電極120及び誘電体▲層▼130は前記エッチング液に対して耐エッチング性を有するべきである。このような特性を満たすために、本実施形態の後面板100の各機能▲層▼は特殊な組成を有する。これに関して説明する。
電極120は、導電性金属粉末と前記導電性金属粉末を低温で焼結させるための焼結剤である第1グラス粉末の混合によって製造される。前記導電性金属粉末:前記第1グラス粉末=51〜99.5重量%:0.5〜49重量%に用意される。前記導電性金属粉末の重量比が51重量%以下、即ち、前記第1グラス粉末の重量比が49重量%以上であると、抵抗が高くなるによって、後術する非抵抗を5.0×10−6Ωcm以下にすることができず、前記導電性金属粉末の重量比が99.5重量%以上、即ち、前記第1グラス粉末の重量比が0.5重量%以下であると、前記第1グラス粉末の含量が減るによって焼結が足りなくなる。
前記導電性金属粉末の▲平▼均立径は0.1〜7μmに用意される。前記導電性金属粉末の▲平▼均立径が0.1μm以下であると非表面積が急激に増加して分散されにくいし、7μm以上であると電極120の適切な厚さの10μm以下に電極120を形成することが困難である。前記第1グラス粉末の▲平▼均立径は0.5〜10μmに用意される。前記第1グラス粉末の▲平▼均立径が0.5μm以下であると非表面積が急激に増加するによって分散されにくいし、10μm以上であると前記導電性金属粉末をバインディングするバインダーとしての機能をすることが困難である。
前記導電性金属粉末と、前記第1グラス粉末の混合によって製造された電極120の非抵抗は1.0×10−6〜5.0×10−6Ωcmに用意される。これは、非抵抗が1.0×10−6Ωcm以下であると電極120に含まれた前記導電性金属粉末が過多に必要になるによって原価が上昇してしまうし、非抵抗が5.0×10−6Ωcm以上であるとPDPの駆動の際の必要なアドレス電圧が増加してしまう問題点があるためである。
前記のような特性を満たすために、前記導電性金属粉末は、Au、Ag、Pt、Pd、Ni及びCuの中から選択された1種以上の金属で構成されるし、第1グラス粉末は一般的なグラス成分の材料で構成される。
次は、電極120の上面に形成される誘電体▲層▼130に対して説明する。誘電体▲層▼130は第2グラス粉末と第3グラス粉末の中がら選択された1種以上のグラス粉末と第1フィラー(filler)で構成される。
前記第2及び第3グラス粉末の▲平▼均立径は0.5〜10μmに用意されるが好ましいが、これは▲平▼均立径が0.5μm以下であると加工性が減ってしまい、10μm以上であると誘電体▲層▼130の焼成の際の緻密化が十分にされないため、気孔が生じる恐れがあるためである。
前記第2及び第3グラス粉末の軟化温度は390〜550℃に用意される。これは、軟化温度が390℃以下であると隔壁140の製造の後、蛍光体▲層▼を焼成する工程及びPDPの前面板と後面板とを合着する工程において、誘電体▲層▼130が流動されるによって一数の正確度が減り、550℃以上であると誘電体▲層▼130の焼成温度が高くなるによって、グラス基板110の一数が変わってグラス基板110の一数制御が困難である。
前記第2及び第3グラス粉末の熱膨張係数は63×10−7〜83×10−7/℃に用意される。熱膨張係数が63×10−7/℃以下であるとグラス基板110がふくらっと(convex)たわんだり、83×10−7/℃以上であるとグラス基板110がべこんと(concave)たわんだり、誘電体▲層▼130の表面が亀裂されたりする恐れがあるためである。ところで、前記第2及び第3グラス粉末の熱膨張係数が95×10−7/℃であっても、前記第2及び第3グラス粉末に前記第1フィラ−を適切に混ぜて前記第2及び第3グラス粉末の熱膨張係数を83×10−7/℃に下げられるので、前記第2及び第3グラス粉末の自体の熱膨張係数は63×10−7〜95×10−7/℃であっても差し支えない。
前記第2及び第3グラス粉末の誘電率は11〜26であることが好ましい。これは誘電体▲層▼130の誘電率が11以下であると電極120の信号を、隔壁140によって形成される放電空間に伝達しにくいし、26以上であるとPDPの駆動の際、応答速度が遅くなるためである。この際、前記第2及び第3グラス粉末の誘電率を6以上にだけすると、前記第1フィラ−で誘電体▲層▼130の誘電率を11まで向上させられるため、前記第2及び第3グラス粉末の誘電率は6〜26であることがさらに好ましい。
前記第2及び第3グラス粉末のエッチング速度は0.1〜1.0μm/minに用意される。これはエッチング速度が0.1μm/min以下であると誘電体▲層▼130の焼成温度が700℃以上に上昇されるによって、グラス基板110の変更が発生してしまう問題があり、1.0μm/min以上であると耐エッチング性が低下されるによって、隔壁140をエッチングする際、誘電体▲層▼130及び電極120がエッチングされる恐れがあるためである。電極120がエッチングによって損傷されると抵抗がた高くなる問題点がある。
前記第1フィラ−の体積/前記誘電体▲層▼のグラス粉末の体積比は0.05〜0.30が好ましい。前記体積比が0.05以下であると反射率が50%以下になるが、これはPDPの輝度の向上のために必要である50%以上の反射率を有する誘電体▲層▼130の材料として採択しにくい問題点がある。そして、体積比が0.3以上である場合、グラス粉末の軟化温度が低いと、誘電率が高くなるによって応答速度が遅くなる問題点がある一方、グラス粉末の軟化温度が高いと、焼成度が減ってしまい、耐エッチング性を有しにくいことは勿論、誘電率も11以下になってしまう問題点がある。
前記のような特性を満たせるために、前記第2グラス粉末は、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=30〜80重量%:0〜20重量%:0〜20重量%:5〜40重量%:0〜12重量%:0〜5重量%:0〜5重量%の比率に用意されるし、前記第3グラス粉末は、Bi2O3:B2O3:PbO:ZnO:Al2O3:SiO2:Na2O+K2O+Li2:BaO+CaO+MgO+SrO=36〜84重量%:5〜28重量%:0〜46重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜10重量%:0〜5重量%:0〜3重量%の比率に用意されるし、前記第1フィラ−は▲平▼均立径が10μmであり、酸化物であり白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意される。
前記第2グラス粉末の成分の中、PbOが30重量%以下であると軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまって焼結の不足が生じる可能性があるし、80重量%以上であると熱膨張係数の増加によって表面の亀裂やバンディングが生じる可能性がある。そして、ZnOが20重量%以上、またはNa2O+Li2O+K2Oが5重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。また、SiO2が20重量%以上、またはAl2O3が12重量%以上、またはBaO+CaO+MgO+SrOが5重量%以上であると軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまい、焼結の不足が生じる可能性がある。そして、B2O3が5重量%以下であると軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまい、焼結の不足が生じる可能性があるし、40重量%以上であると分相が発生する可能性がある。
前記第3グラス粉末の成分の中、Bi2O3が36重量%以下であると軟化温度の増加によって流動性が減ってしまって、焼結の不足が生じる可能性があるし、84重量%以上であると軟化温度が減り過ぎる問題点がある。そして、B2O3が5重量%以下であると誘電体▲層▼130のグラス化が困難であるし、28重量%以上であると分相が発生する可能性がある。そして、PbOが46重量%以上であると熱膨張係数の増加によって表面亀裂やバンディングが生じる可能性があるし、ZnOが30重量%以上、またはNa2O+Li2O+K2Oが5重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。Al2O3が13重量%以上、またはSiO2が10重量%以上、またはBaO+CaO+MgO+SrOが3重量%以上であると、軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまい、焼結の不足が生じる可能性がある。
前記のような成分によって製造された誘電体▲層▼130の誘電率、反射率及びエッチング速度は、誘電体▲層▼130を450〜600℃で10〜60分焼成した際、各々11〜26、50%〜85%及び0.1〜1.0μm/minに用意される。そして、誘電体▲層▼130の気孔率は5%に用意される。
誘電体▲層▼130の誘電率を11〜26にした理由及びエッチング速度を0.1〜1.0μm/minにした理由は、前記第2及び第3グラス粉末の理由と同一である。そして、誘電体▲層▼130の反射率が50%以下であるとPDPの輝度が低下される。また、前記第1フィラ−が過量含まれたり焼成が不足したりすればこそ誘電体▲層▼130の反射率を85%以上にすることができるが、この場合には希望するエッチング速度が得にくい。これにしたがって、誘電体▲層▼130の反射率を50〜85%にする。
そして、誘電体▲層▼130の気孔率が5%以上であると、大形の気泡が存在する可能性がある。その場合、誘電体▲層▼130の耐電圧が低下されてしまい、PDPの駆動中に絶縁破壊が発生する恐れがある。
図1に示したように、本実施形態のプラズマディスプレイパネル(以下‘PDP’)の後面板100はグラス基板110と、グラス基板110の上面に所定の間隔を有して形成されたパターン形象の電極120と、電極120の上面に形成された誘電体▲層▼130と、誘電体▲層▼130の上面に所定の間隔を有して形成されたパターン形象の隔壁140と、隔壁140の横面及び底面に沿って形成された蛍光体▲層▼150とを有する。
本実施形態の隔壁140の製造方法を簡単に説明する。誘電体▲層▼130の上面に隔壁ペイストを全面印刷した後、乾燥する工程を数回繰り返して隔壁▲層▼を形成する。そして、前記隔壁▲層▼を焼成して、フォートーリソグラフィ(photolithography)方式で前記隔壁▲層▼に潜象(latentimage)を形成した後、前記隔壁▲層▼をエッチングして隔壁140を製造する。
本実施形態の隔壁140は、エッチングによって製造されるので、前記隔壁▲層▼はエッチング液に対して適切なエッチングレートを有するべきであるし、電極120及び誘電体▲層▼130は前記エッチング液に対して耐エッチング性を有するべきである。このような特性を満たすために、本実施形態の後面板100の各機能▲層▼は特殊な組成を有する。これに関して説明する。
電極120は、導電性金属粉末と前記導電性金属粉末を低温で焼結させるための焼結剤である第1グラス粉末の混合によって製造される。前記導電性金属粉末:前記第1グラス粉末=51〜99.5重量%:0.5〜49重量%に用意される。前記導電性金属粉末の重量比が51重量%以下、即ち、前記第1グラス粉末の重量比が49重量%以上であると、抵抗が高くなるによって、後術する非抵抗を5.0×10−6Ωcm以下にすることができず、前記導電性金属粉末の重量比が99.5重量%以上、即ち、前記第1グラス粉末の重量比が0.5重量%以下であると、前記第1グラス粉末の含量が減るによって焼結が足りなくなる。
前記導電性金属粉末の▲平▼均立径は0.1〜7μmに用意される。前記導電性金属粉末の▲平▼均立径が0.1μm以下であると非表面積が急激に増加して分散されにくいし、7μm以上であると電極120の適切な厚さの10μm以下に電極120を形成することが困難である。前記第1グラス粉末の▲平▼均立径は0.5〜10μmに用意される。前記第1グラス粉末の▲平▼均立径が0.5μm以下であると非表面積が急激に増加するによって分散されにくいし、10μm以上であると前記導電性金属粉末をバインディングするバインダーとしての機能をすることが困難である。
前記導電性金属粉末と、前記第1グラス粉末の混合によって製造された電極120の非抵抗は1.0×10−6〜5.0×10−6Ωcmに用意される。これは、非抵抗が1.0×10−6Ωcm以下であると電極120に含まれた前記導電性金属粉末が過多に必要になるによって原価が上昇してしまうし、非抵抗が5.0×10−6Ωcm以上であるとPDPの駆動の際の必要なアドレス電圧が増加してしまう問題点があるためである。
前記のような特性を満たすために、前記導電性金属粉末は、Au、Ag、Pt、Pd、Ni及びCuの中から選択された1種以上の金属で構成されるし、第1グラス粉末は一般的なグラス成分の材料で構成される。
次は、電極120の上面に形成される誘電体▲層▼130に対して説明する。誘電体▲層▼130は第2グラス粉末と第3グラス粉末の中がら選択された1種以上のグラス粉末と第1フィラー(filler)で構成される。
前記第2及び第3グラス粉末の▲平▼均立径は0.5〜10μmに用意されるが好ましいが、これは▲平▼均立径が0.5μm以下であると加工性が減ってしまい、10μm以上であると誘電体▲層▼130の焼成の際の緻密化が十分にされないため、気孔が生じる恐れがあるためである。
前記第2及び第3グラス粉末の軟化温度は390〜550℃に用意される。これは、軟化温度が390℃以下であると隔壁140の製造の後、蛍光体▲層▼を焼成する工程及びPDPの前面板と後面板とを合着する工程において、誘電体▲層▼130が流動されるによって一数の正確度が減り、550℃以上であると誘電体▲層▼130の焼成温度が高くなるによって、グラス基板110の一数が変わってグラス基板110の一数制御が困難である。
前記第2及び第3グラス粉末の熱膨張係数は63×10−7〜83×10−7/℃に用意される。熱膨張係数が63×10−7/℃以下であるとグラス基板110がふくらっと(convex)たわんだり、83×10−7/℃以上であるとグラス基板110がべこんと(concave)たわんだり、誘電体▲層▼130の表面が亀裂されたりする恐れがあるためである。ところで、前記第2及び第3グラス粉末の熱膨張係数が95×10−7/℃であっても、前記第2及び第3グラス粉末に前記第1フィラ−を適切に混ぜて前記第2及び第3グラス粉末の熱膨張係数を83×10−7/℃に下げられるので、前記第2及び第3グラス粉末の自体の熱膨張係数は63×10−7〜95×10−7/℃であっても差し支えない。
前記第2及び第3グラス粉末の誘電率は11〜26であることが好ましい。これは誘電体▲層▼130の誘電率が11以下であると電極120の信号を、隔壁140によって形成される放電空間に伝達しにくいし、26以上であるとPDPの駆動の際、応答速度が遅くなるためである。この際、前記第2及び第3グラス粉末の誘電率を6以上にだけすると、前記第1フィラ−で誘電体▲層▼130の誘電率を11まで向上させられるため、前記第2及び第3グラス粉末の誘電率は6〜26であることがさらに好ましい。
前記第2及び第3グラス粉末のエッチング速度は0.1〜1.0μm/minに用意される。これはエッチング速度が0.1μm/min以下であると誘電体▲層▼130の焼成温度が700℃以上に上昇されるによって、グラス基板110の変更が発生してしまう問題があり、1.0μm/min以上であると耐エッチング性が低下されるによって、隔壁140をエッチングする際、誘電体▲層▼130及び電極120がエッチングされる恐れがあるためである。電極120がエッチングによって損傷されると抵抗がた高くなる問題点がある。
前記第1フィラ−の体積/前記誘電体▲層▼のグラス粉末の体積比は0.05〜0.30が好ましい。前記体積比が0.05以下であると反射率が50%以下になるが、これはPDPの輝度の向上のために必要である50%以上の反射率を有する誘電体▲層▼130の材料として採択しにくい問題点がある。そして、体積比が0.3以上である場合、グラス粉末の軟化温度が低いと、誘電率が高くなるによって応答速度が遅くなる問題点がある一方、グラス粉末の軟化温度が高いと、焼成度が減ってしまい、耐エッチング性を有しにくいことは勿論、誘電率も11以下になってしまう問題点がある。
前記のような特性を満たせるために、前記第2グラス粉末は、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=30〜80重量%:0〜20重量%:0〜20重量%:5〜40重量%:0〜12重量%:0〜5重量%:0〜5重量%の比率に用意されるし、前記第3グラス粉末は、Bi2O3:B2O3:PbO:ZnO:Al2O3:SiO2:Na2O+K2O+Li2:BaO+CaO+MgO+SrO=36〜84重量%:5〜28重量%:0〜46重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜10重量%:0〜5重量%:0〜3重量%の比率に用意されるし、前記第1フィラ−は▲平▼均立径が10μmであり、酸化物であり白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意される。
前記第2グラス粉末の成分の中、PbOが30重量%以下であると軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまって焼結の不足が生じる可能性があるし、80重量%以上であると熱膨張係数の増加によって表面の亀裂やバンディングが生じる可能性がある。そして、ZnOが20重量%以上、またはNa2O+Li2O+K2Oが5重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。また、SiO2が20重量%以上、またはAl2O3が12重量%以上、またはBaO+CaO+MgO+SrOが5重量%以上であると軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまい、焼結の不足が生じる可能性がある。そして、B2O3が5重量%以下であると軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまい、焼結の不足が生じる可能性があるし、40重量%以上であると分相が発生する可能性がある。
前記第3グラス粉末の成分の中、Bi2O3が36重量%以下であると軟化温度の増加によって流動性が減ってしまって、焼結の不足が生じる可能性があるし、84重量%以上であると軟化温度が減り過ぎる問題点がある。そして、B2O3が5重量%以下であると誘電体▲層▼130のグラス化が困難であるし、28重量%以上であると分相が発生する可能性がある。そして、PbOが46重量%以上であると熱膨張係数の増加によって表面亀裂やバンディングが生じる可能性があるし、ZnOが30重量%以上、またはNa2O+Li2O+K2Oが5重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。Al2O3が13重量%以上、またはSiO2が10重量%以上、またはBaO+CaO+MgO+SrOが3重量%以上であると、軟化温度の上昇によって流動性が減ってしまい、焼結の不足が生じる可能性がある。
前記のような成分によって製造された誘電体▲層▼130の誘電率、反射率及びエッチング速度は、誘電体▲層▼130を450〜600℃で10〜60分焼成した際、各々11〜26、50%〜85%及び0.1〜1.0μm/minに用意される。そして、誘電体▲層▼130の気孔率は5%に用意される。
誘電体▲層▼130の誘電率を11〜26にした理由及びエッチング速度を0.1〜1.0μm/minにした理由は、前記第2及び第3グラス粉末の理由と同一である。そして、誘電体▲層▼130の反射率が50%以下であるとPDPの輝度が低下される。また、前記第1フィラ−が過量含まれたり焼成が不足したりすればこそ誘電体▲層▼130の反射率を85%以上にすることができるが、この場合には希望するエッチング速度が得にくい。これにしたがって、誘電体▲層▼130の反射率を50〜85%にする。
そして、誘電体▲層▼130の気孔率が5%以上であると、大形の気泡が存在する可能性がある。その場合、誘電体▲層▼130の耐電圧が低下されてしまい、PDPの駆動中に絶縁破壊が発生する恐れがある。
次は、前述の造成に誘電体▲層▼130を製造した後、その特性値の測定した実験結果を説明する。
まず、前記第2グラス粉末の成分を多様な形態に配合して、軟化温度とエッチング速度及び誘電率を測定した結果を説明する。
表1に表示されたように、例1乃至例6に従う前記第2グラス粉末の軟化温度とエッチング速度及び誘電率は、全て前述の軟化温度390〜550℃、エッチング速度0.1〜1.0μm/min、誘電率6〜26の範囲内に属することが分かる。
エッチング速度を測定する方法を説明する。グラス等のような基板の上面に、例1乃至例6に従う前記第2グラス粉末を全面にかけて塗布して焼成した後、前記焼成された第2グラス粉末の上面に5mmの間隔に耐酸性テープを付着する。そして、酸系のエッチング液で10分間エッチングした後、超音波で5分間及び流れる水で1分間洗滌してから乾燥する。その後、前記第2グラス粉末がエッチングされた深さを測定し、これをエッチングした時間で割るといい。
次は、前記第3グラス粉末の成分を多様な形態に配合して、軟化温度とエッチング速度及び誘電率を測定した結果を説明する。
表2に示したように、例7乃至例12に従う前記第3グラス粉末の軟化温度とエッチング速度及び誘電率も、全て前述の軟化温度390〜550℃、エッチング速度0.1〜1.0μm/min、誘電率6〜26の範囲内に属することが分かる。
即ち、表1及び表2を通じて分かるように、前期第2グラス粉末の成分及び前期第3グラス粉末の成分を、前述の比率の範囲内で配合すると、常に得ようとする範囲内の特性値が得られることが分かる。
次は、例3に従う前記第2グラス粉末、例11及び例12に従う前記第3グラス粉末に第1フィラ−を各々混合し焼成した後、製造した誘電体▲層▼130の各特性値を測定した結果を説明する。この際、第1フィラ−はTiO2を使用する。
表3に示したように、例1に従う誘電体▲層▼130は前記第1フィラ−と軟化温度が390〜550℃の範囲内である例3に従う前記第2グラス粉末の体積比を0.3以下に混合したのであり、これは全ての特性が条件の以内に該当するので使用できる。しかし、例2による誘電体▲層▼130は体積比を0.3以上に混合したのであり、誘電率が26以上になってしまうによって使用しにくくなる。例3に従う誘電体▲層▼130は例1に従う誘電体▲層▼130と同一であるが、誘電体▲層▼130を焼成した焼成温度だけが相違する。例1及び例3に従う誘電体▲層▼130を通じて分かるように、誘電体▲層▼130の焼成温度を調節することによって誘電体▲層▼130の特性が調節できる。
また、例4に従う誘電体▲層▼130は、前記第1フィラ−と軟化温度が390〜550℃の範囲内である例11による前記第3グラス粉末の体積比を0.3以下に混合したのとして、使用が可能であるが、例5に従う誘電体▲層▼130は体積比を0.3以上に混合したのとして、誘電体▲層▼130の誘電率が6以下であり、エッチング速度が1μm/min以上になってしまうによって使用しにくくなる。
また、例6に従う誘電体▲層▼130は、前記第1フィラ−と軟化温度が390〜550℃の範囲外である例12に従う前記第3グラス粉末の体積比を0.3以下に混合したのであり、これは誘電体▲層▼130の誘電率が6以下であり、エッチング速度が1μm/min以上になってしまうによって使用しにくくなる。
次は、誘電体▲層▼130の上面に形成された隔壁140に対して説明する。
隔壁140は第4グラス粉末と第5グラス粉末及び第6グラス粉末の中から選択された1種以上のグラス粉末と暗色の第2フィラ−と白色の第3フィラ−の中から選択された1種以上のフィラ−の混合によって製造されるし、1▲層▼以上に用意される。
前記第4、5及び6グラス粉末の▲平▼均立径は0.5〜10μm及に用意される。これは、▲平▼均立径が0.5μm以下であると隔壁用ペイスト製造が困難であり、10μm以上であると前記隔壁▲層▼の形成の後、焼成する際の緻密化が十分にされないため、気孔が生じる恐れがあるためである。
前記第4、5及び6グラス粉末の軟化温度は390〜630℃に用意される。これは、軟化温度が390℃以下であると隔壁140の製造の後、蛍光体▲層▼150を焼成する際及び前面板及び後面板とを合着し焼成する際、隔壁140の上部幅と高さとの変形の発生がひとくなり、630℃以上であると前記隔壁▲層▼の焼成温度が高くなるによって、グラス基板110の一数制御が困難になるからである。
前記第4、5及び6グラス粉末の熱膨張係数は63×10−7/℃〜83×10−7/℃に用意される。熱膨張係数が63×10−7/℃以下であるとグラス基板110がふくらっと(convex)たわむようになり、83×10−7/℃以上であるとグラス基板110の表面が亀裂されたりグラス基板110がべこんと(concave)たわむようになる。しかし、隔壁140のフィラ−の量を調節するによって隔壁140の熱膨張係数の調節ができるようになるので、前記第4、5及び6グラス粉末の熱膨張係数は63×10−7/℃〜110×10−7/℃であっても差し支えない。
前記第4、5及び6グラス粉末の誘電率は5〜20に用意される。これは、誘電率が5以下であるとPDPを製造し駆動する際、駆動電圧の特性が低下されるし、誘電率20以上であるとPDPの駆動の際、クロストークと誤放電が発生する恐れがあるからである。
前記第4、5及び6グラス粉末のエッチング速度は2.0〜50.0μm/minに用意される。これは、エッチング速度が2.0μm/min以下であると前記隔壁▲層▼を加工して隔壁140を形成するまでかかる時間が長くなる問題があるからである。そして、前記第4、5及び6グラス粉末の造成では50.0μm/min以上のエッチング速度の実現は困難である。
隔壁のフィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積=0.05〜0.67が好ましい。これは後術する。
前記のような特性を満たせるために、前記第4グラス粉末は、ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=0〜48重量%:0〜21重量%:25〜56重量%:0〜12重量%:0〜38重量%:0〜15重量%の造成に用意されるし、前記第5グラス粉末は、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3+SnO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO:CaO+MgO+SrO=25〜65重量%:0〜35重量%:0〜26重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜19重量%:0〜26重量%:0〜13重量%の造成に用意されるし、前記第6グラス粉末は、PbO:B2O3:ZnO:BaO:SiO2+Al2O3+SnO2:CoO+CuO+MnO2+Fe2O3:Na2O+K2O+Li2O:CaO+MgO+SrO=35〜55重量%:18〜25重量%:0〜35重量%:0〜16重量%:0〜9重量%:0〜15重量%:0〜19重量%:0〜13重量%の造成に用意されるし、前記第2フィラ−は、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、混合され暗色を表すNiO、Fe2O3、CrO、MnO2、CuO、Al2O3及びSiO2の中から選択された2種以上で構成された複合酸化物であり、前記第3フィラ−は、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意される。
第4グラス粉末の成分比を前記のようにした理由は、ZnOが48重量%以上であると誘電率が高くなるし、SiO2が21重量%以上、またはAl2O3が12重量%以上、またはBaO+CaO+MgO+SrOが15重量%以上であると軟化温度が高くなることによって焼結の不足が生じる。そして、B2O3が25重量%以下であると軟化温度が高くなることによって焼結の不足が発生するし、56重量%以上であると分相が発生しやすくなる。そして、Li2O+Na2O+K2Oが38重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。
前記第5グラス粉末の成分比を前記のようにした理由は、PbOが25重量%以下であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じるし、65重量%以上であると熱膨張係数の増加によって表面の亀裂やバンディングが生じる。そして、ZnOが35重量%以上であると、高温で粘度の変化がなだらかになるし、SiO2、B2O3及びAl2O3+SnO2が各々26重量%、30重量%及び13重量%以上であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じる。また、Na2O+Li2O+K2Oが19重量%以上であると結晶性が増加し、BaOが26重量%以上であると熱膨張係数の増加することによって隔壁140に亀裂が生じるし、CaO+MgO+SrOが13重量%以上であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じる。
前記第6グラス粉末の成分比を前記のようにした理由は、PbOが35重量%以下であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じるし、55重量%以上であると熱膨張係数の増加することによって隔壁140の表面の亀裂やバンディングが生じる。そして、B2O3が18重量%以下であると隔壁140のグラス化が困難であるし、25重量%以上、またはBaOが16重量%以上、またはSiO2+Al2O3+SnO2が9重量%以上、またはMgO+CaO+SrOが13重量%以上であると軟化温度が高くなるによって流動性が減る。そして、ZnOが35重量%以上、またはNa2O+Li2O+K2Oが19重量%以上、またはCoO+CuO+MnO2+Fe2O3が19重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。
前記のような成分に製造された隔壁▲層▼は、前記隔壁▲層▼を450〜600℃で10〜60分間焼成した際、誘電率が5〜16、エッチング速度が2〜50μm/min及びバンディングが0.5mm以下である。そして、前記隔壁▲層▼は高さの変化が1%以下に用意されるし、破壊率が50%以下に用意されるが、これは後術する。
次は、前述した造成を有する隔壁140用のグラス粉末を製造した後、その特性値を測定した実験結果を説明する。
前記第4、5及び6グラス粉末の成分を多様な形態に配合して、熱膨張係数、バンディング、誘電率及びエッチング速度を測定した結果を表4、表5及び表6に表示する。
表4、5及び6に示したように、前記第4、5及び6グラス粉末の成分を、前述した比率の範囲内で配合すると、熱膨張係数、誘電率及びエッチング速度は、常に63×10−7/℃〜110×10−7/℃、5〜20及び2.0〜50.0μm/min範囲内の値を有するのが分かる。
そして、バンディングは862mm×688mmのソーダタイム基板の上に、前記第4、5及び6グラス粉末の中から1種以上のグラス粉末が含まれた隔壁用ペイストを全面にかけて塗布した後、焼成して、焼成された前記隔壁用ペイストが凸面(convex)の方向に500μm以上しなうと(+)に、凹面(concave)の方向に500μm以上しなうと(−)にバンディングを表記する。
次は、前記第4、5及び6グラス粉末の中から選択されたいずれか一つと、前記第2及び第3フィラ−の中から選択されたいずれか一つとを混合して製造した隔壁▲層▼を説明する。
前記第2フィラ−は、PDPの画像コントラストを高める役割をするが、反面、輝度を低下させるので、必要によって前記第3フィラ−と選択して使用する。
前記第2フィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積比が0.05以下であるとエッチングの均一度はいいが、光吸収率が低下されるによってPDPの駆動の際、コントラストが低下してしまうし、0.67以上であると光吸収率はいいが、エッチングの均一度がよくない。光吸収率比とエッチングの均一度に対して図2を参照し説明する。
隔壁の最上部の幅をr、rの▲平▼均値をr’、rの範囲をRとする場合、エッチングの均一度(%)=[(R/r’)×100]に定義する。そして、光吸収率=(100%−光反射率−光透過率)に定義する。そして、第2フィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積=fとする場合、光吸収率比=(f/0.1)に定義する。この際、エッチングの均一度が7%以下であると、使用可能である良品として判断する。
図2に図示されたように、前記第2フィラ−と例25に従う前記第5グラス粉末とを混合して隔壁▲層▼を製造した際のその体積比が0.05〜0.67である場合は、エッチング均一度は7以下であるし、光吸収率比は1以上であることが分かる。したがって、本実施形態の隔壁▲層▼は良品である。
そして、体積比が0.67以上であるとエッチングの均一度が急激に高くなり、0.05以下であるとエッチングの均一度が低くなる。しかし、エッチングの均一度が低くすぎると、PDPの駆動の際、隣接した隔壁に塗布された蛍光体から発生された色の遮断が困難になるによって、混色が発生する問題点がある。
前記第3フィラ−は、酸系のエッチング液に対する化学的耐久性の弱い酸化物と、強い酸化物とに区別される。化学的耐久性の弱い酸化物は焼成の際、グラス粉末と反応して、反応されたグラス粉末の部位の化学的耐久性を低下させるし、化学的耐久性の強い酸化物は焼成の際、グラス粉末と反応して、反応されたグラス粉末の部位の化学的耐久性を上昇させる。そして、第3フィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積比が0.05以下であると、前記第3フィラ−の減少によっては白色度が減り、これによってPDPの駆動の際、相互隣接する隔壁に塗布された蛍光体▲層▼の色の遮断が困難になるによって、混色が発生する。そして、体積比が0.67以上であると酸化物に未反応する前記第3フィラ−の増加によって焼成強度が低下される。
隔壁のグラス粉末として前記第4グラス粉末だけを使用し、前記第3フィラ−としてはTiO2を使用して製造した隔壁▲層▼のエッチング速度を図3を参照して説明する。エッチング速度は分(Min)当たりエッチング液によってエッチングされた量+超音波の洗滌によって落ちた未焼成された部分及びエッチングによって焼成強度が低くなった部分の量に定義する。
図3に示したように、体積比が0.05〜0.67である隔壁▲層▼のエッチング速度は、隔壁▲層▼を450〜600℃で焼成すると、常に適正範囲である2.0〜50μm/minの範囲であることが分かる。
次は、隔壁のフィラ−の種類と隔壁▲層▼の▲層▼数及び隔壁のフィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積比に従う隔壁▲層▼の誘電率、エッチング速度、バンディング、高さの変化及び破壊率を測定した結果を表7に表示する。
表7に記載されたスピネルは、スピネル(spinel)系の複合酸化物を示す。
表7に表示されたように、隔壁▲層▼の誘電率及びエッチング速度は、各々5〜20及び2.0〜50.0μm/minの範囲に属するので適正である。
隔壁▲層▼140を含めたグラス基板110のバンディングが大きくなると、前面板と後面板とを合着しにくいし、前面板と後面板とを合着した後にもPDPの歪曲が発生する。したがって、隔壁▲層▼140を含めたグラス基板110のバンディングは1mm以下が好ましいが、本実施形態の隔壁▲層▼140を含めたグラス基板110のバンディングは0.3mmに過ぎないので非常に優秀である。
前記高さの変化は、酸系のエッチング液で前記隔壁▲層▼をエッチングし、隔壁を形成した後、測定した隔壁の高さをh1とし、前記形成された隔壁を510℃で1時間焼成した後、測定した隔壁の高さをh2とする場合、[{(h1−h2/h2)}×100]と定義する。前記高さの変化が1%以上であると隔壁の形成の後の工程である蛍光体▲層▼の焼成工程と、前面板と後面板の合着工程の際、隔壁の一数の変化が発生するによって、PDPを製造しにくくなる。ところで、本実施形態において製造された隔壁は、全ての高さの変化が0.5%以下であることが分かる。
前記破壊率は酸系のエッチング液によって前記隔壁▲層▼をエッチングし、隔壁を形成した後、前記隔壁を所定の構造物に置いて、先端の模様が半径3mmの球形であり、重量が500gの鉄製棒を前記隔壁の最上▲層▼の表面から5mm離れた距離から100回にかけて垂直落下させた後、前記隔壁と構造物とを10〜30°の傾斜角で肉眼で観察して、形象の変化が起きた隔壁の個数及び破壊された隔壁の個数を示す。破壊率が50%以上であると完成されたPDPの移送及び使用の途中で振動及び衝撃によって隔壁が破損される可能性がある。
次は、隔壁140の上面に形成される蛍光体▲層▼150を説明する。蛍光体▲層▼150は赤色、緑色及び青色蛍光体▲層▼を有する。
前記赤色蛍光体▲層▼は、酸化物であるY、Gd、B及びEuの中から選択された2種以上に用意されるし、電気信号によって赤色の可▲視▼光線を発光する。前記緑色蛍光体▲層▼は酸化物であるZn、Si、Mn、Y、B、Tb、Ba及びAlの中から選択された1種以上に用意されるし、電気信号によって緑色の可▲視▼光線を発光する。そして、前記青色蛍光体▲層▼は酸化物であるBa、Mg、Al、Sr、Mn及びEuの中から選択された2種以上に用意されるし、電気信号によって青色の可▲視▼光線を発光する。これに従って、蛍光体▲層▼150はPDPの駆動の際、色の温度が8、000〜13、000Kを維持する。
前記赤色、緑色及び青色蛍光体▲層▼の各成分比は、各蛍光体▲層▼の塗布面積と各蛍光体▲層▼の効率によって決定される色座標とによって自由図を有するので無制限である。
次は、従来の後面板と本実施形態の後面板との電気的、光学的、機械的特性を比較して説明する。
表8に表示された従来の後面板は、電極材料、誘電体▲層▼材料及び隔壁▲層▼材料はサンドブラスティング専用材料を使用した。本実施形態の例1乃至例5に従う後面板の電極120の材料としては、Ag粉末:グラス粉末=97重量%:3重量%で構成されたのを使用し、誘電体▲層▼130の材料としては、表3の例4に該当する誘電体を使用し、隔壁▲層▼140の材料としては表7の例3に該当する隔壁▲層▼を使用した。
この場合、従来の後面板が採択されたPDPと本実施形態の後面板が採択されたPDPとの駆動回路は同一であり、従来及び本実施形態の後面板を前面板に合着する工程も同一である。表8のピーチは隣接した隔壁の中心と中心との間の距離を示す。
前記のように、従来の後面板と本実施形態の後面板とが合着されたPDPの各特性値を表9を参照して説明する。
表9に表示されたように、本実施形態の後面板が採択されたPDPが、従来の後面板が採択されたPDPに比べて、白色輝度は約30%、色温度は約300K、コントラストは約30%、電圧マージンは約45%、PDPの効率は約25%優秀である。そして、消費電力は約10%、消音は約25%減る。
以上、本発明の一実施例によって本発明を説明したが、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有した者が、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲の内で変更及び変形したのも本発明に属することは当然である。
まず、前記第2グラス粉末の成分を多様な形態に配合して、軟化温度とエッチング速度及び誘電率を測定した結果を説明する。
エッチング速度を測定する方法を説明する。グラス等のような基板の上面に、例1乃至例6に従う前記第2グラス粉末を全面にかけて塗布して焼成した後、前記焼成された第2グラス粉末の上面に5mmの間隔に耐酸性テープを付着する。そして、酸系のエッチング液で10分間エッチングした後、超音波で5分間及び流れる水で1分間洗滌してから乾燥する。その後、前記第2グラス粉末がエッチングされた深さを測定し、これをエッチングした時間で割るといい。
次は、前記第3グラス粉末の成分を多様な形態に配合して、軟化温度とエッチング速度及び誘電率を測定した結果を説明する。
即ち、表1及び表2を通じて分かるように、前期第2グラス粉末の成分及び前期第3グラス粉末の成分を、前述の比率の範囲内で配合すると、常に得ようとする範囲内の特性値が得られることが分かる。
次は、例3に従う前記第2グラス粉末、例11及び例12に従う前記第3グラス粉末に第1フィラ−を各々混合し焼成した後、製造した誘電体▲層▼130の各特性値を測定した結果を説明する。この際、第1フィラ−はTiO2を使用する。
また、例4に従う誘電体▲層▼130は、前記第1フィラ−と軟化温度が390〜550℃の範囲内である例11による前記第3グラス粉末の体積比を0.3以下に混合したのとして、使用が可能であるが、例5に従う誘電体▲層▼130は体積比を0.3以上に混合したのとして、誘電体▲層▼130の誘電率が6以下であり、エッチング速度が1μm/min以上になってしまうによって使用しにくくなる。
また、例6に従う誘電体▲層▼130は、前記第1フィラ−と軟化温度が390〜550℃の範囲外である例12に従う前記第3グラス粉末の体積比を0.3以下に混合したのであり、これは誘電体▲層▼130の誘電率が6以下であり、エッチング速度が1μm/min以上になってしまうによって使用しにくくなる。
次は、誘電体▲層▼130の上面に形成された隔壁140に対して説明する。
隔壁140は第4グラス粉末と第5グラス粉末及び第6グラス粉末の中から選択された1種以上のグラス粉末と暗色の第2フィラ−と白色の第3フィラ−の中から選択された1種以上のフィラ−の混合によって製造されるし、1▲層▼以上に用意される。
前記第4、5及び6グラス粉末の▲平▼均立径は0.5〜10μm及に用意される。これは、▲平▼均立径が0.5μm以下であると隔壁用ペイスト製造が困難であり、10μm以上であると前記隔壁▲層▼の形成の後、焼成する際の緻密化が十分にされないため、気孔が生じる恐れがあるためである。
前記第4、5及び6グラス粉末の軟化温度は390〜630℃に用意される。これは、軟化温度が390℃以下であると隔壁140の製造の後、蛍光体▲層▼150を焼成する際及び前面板及び後面板とを合着し焼成する際、隔壁140の上部幅と高さとの変形の発生がひとくなり、630℃以上であると前記隔壁▲層▼の焼成温度が高くなるによって、グラス基板110の一数制御が困難になるからである。
前記第4、5及び6グラス粉末の熱膨張係数は63×10−7/℃〜83×10−7/℃に用意される。熱膨張係数が63×10−7/℃以下であるとグラス基板110がふくらっと(convex)たわむようになり、83×10−7/℃以上であるとグラス基板110の表面が亀裂されたりグラス基板110がべこんと(concave)たわむようになる。しかし、隔壁140のフィラ−の量を調節するによって隔壁140の熱膨張係数の調節ができるようになるので、前記第4、5及び6グラス粉末の熱膨張係数は63×10−7/℃〜110×10−7/℃であっても差し支えない。
前記第4、5及び6グラス粉末の誘電率は5〜20に用意される。これは、誘電率が5以下であるとPDPを製造し駆動する際、駆動電圧の特性が低下されるし、誘電率20以上であるとPDPの駆動の際、クロストークと誤放電が発生する恐れがあるからである。
前記第4、5及び6グラス粉末のエッチング速度は2.0〜50.0μm/minに用意される。これは、エッチング速度が2.0μm/min以下であると前記隔壁▲層▼を加工して隔壁140を形成するまでかかる時間が長くなる問題があるからである。そして、前記第4、5及び6グラス粉末の造成では50.0μm/min以上のエッチング速度の実現は困難である。
隔壁のフィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積=0.05〜0.67が好ましい。これは後術する。
前記のような特性を満たせるために、前記第4グラス粉末は、ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=0〜48重量%:0〜21重量%:25〜56重量%:0〜12重量%:0〜38重量%:0〜15重量%の造成に用意されるし、前記第5グラス粉末は、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3+SnO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO:CaO+MgO+SrO=25〜65重量%:0〜35重量%:0〜26重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜19重量%:0〜26重量%:0〜13重量%の造成に用意されるし、前記第6グラス粉末は、PbO:B2O3:ZnO:BaO:SiO2+Al2O3+SnO2:CoO+CuO+MnO2+Fe2O3:Na2O+K2O+Li2O:CaO+MgO+SrO=35〜55重量%:18〜25重量%:0〜35重量%:0〜16重量%:0〜9重量%:0〜15重量%:0〜19重量%:0〜13重量%の造成に用意されるし、前記第2フィラ−は、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、混合され暗色を表すNiO、Fe2O3、CrO、MnO2、CuO、Al2O3及びSiO2の中から選択された2種以上で構成された複合酸化物であり、前記第3フィラ−は、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意される。
第4グラス粉末の成分比を前記のようにした理由は、ZnOが48重量%以上であると誘電率が高くなるし、SiO2が21重量%以上、またはAl2O3が12重量%以上、またはBaO+CaO+MgO+SrOが15重量%以上であると軟化温度が高くなることによって焼結の不足が生じる。そして、B2O3が25重量%以下であると軟化温度が高くなることによって焼結の不足が発生するし、56重量%以上であると分相が発生しやすくなる。そして、Li2O+Na2O+K2Oが38重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。
前記第5グラス粉末の成分比を前記のようにした理由は、PbOが25重量%以下であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じるし、65重量%以上であると熱膨張係数の増加によって表面の亀裂やバンディングが生じる。そして、ZnOが35重量%以上であると、高温で粘度の変化がなだらかになるし、SiO2、B2O3及びAl2O3+SnO2が各々26重量%、30重量%及び13重量%以上であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じる。また、Na2O+Li2O+K2Oが19重量%以上であると結晶性が増加し、BaOが26重量%以上であると熱膨張係数の増加することによって隔壁140に亀裂が生じるし、CaO+MgO+SrOが13重量%以上であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じる。
前記第6グラス粉末の成分比を前記のようにした理由は、PbOが35重量%以下であると軟化温度が高くなるによって焼結の不足が生じるし、55重量%以上であると熱膨張係数の増加することによって隔壁140の表面の亀裂やバンディングが生じる。そして、B2O3が18重量%以下であると隔壁140のグラス化が困難であるし、25重量%以上、またはBaOが16重量%以上、またはSiO2+Al2O3+SnO2が9重量%以上、またはMgO+CaO+SrOが13重量%以上であると軟化温度が高くなるによって流動性が減る。そして、ZnOが35重量%以上、またはNa2O+Li2O+K2Oが19重量%以上、またはCoO+CuO+MnO2+Fe2O3が19重量%以上であると結晶化が発生する可能性がある。
前記のような成分に製造された隔壁▲層▼は、前記隔壁▲層▼を450〜600℃で10〜60分間焼成した際、誘電率が5〜16、エッチング速度が2〜50μm/min及びバンディングが0.5mm以下である。そして、前記隔壁▲層▼は高さの変化が1%以下に用意されるし、破壊率が50%以下に用意されるが、これは後術する。
次は、前述した造成を有する隔壁140用のグラス粉末を製造した後、その特性値を測定した実験結果を説明する。
前記第4、5及び6グラス粉末の成分を多様な形態に配合して、熱膨張係数、バンディング、誘電率及びエッチング速度を測定した結果を表4、表5及び表6に表示する。
そして、バンディングは862mm×688mmのソーダタイム基板の上に、前記第4、5及び6グラス粉末の中から1種以上のグラス粉末が含まれた隔壁用ペイストを全面にかけて塗布した後、焼成して、焼成された前記隔壁用ペイストが凸面(convex)の方向に500μm以上しなうと(+)に、凹面(concave)の方向に500μm以上しなうと(−)にバンディングを表記する。
次は、前記第4、5及び6グラス粉末の中から選択されたいずれか一つと、前記第2及び第3フィラ−の中から選択されたいずれか一つとを混合して製造した隔壁▲層▼を説明する。
前記第2フィラ−は、PDPの画像コントラストを高める役割をするが、反面、輝度を低下させるので、必要によって前記第3フィラ−と選択して使用する。
前記第2フィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積比が0.05以下であるとエッチングの均一度はいいが、光吸収率が低下されるによってPDPの駆動の際、コントラストが低下してしまうし、0.67以上であると光吸収率はいいが、エッチングの均一度がよくない。光吸収率比とエッチングの均一度に対して図2を参照し説明する。
隔壁の最上部の幅をr、rの▲平▼均値をr’、rの範囲をRとする場合、エッチングの均一度(%)=[(R/r’)×100]に定義する。そして、光吸収率=(100%−光反射率−光透過率)に定義する。そして、第2フィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積=fとする場合、光吸収率比=(f/0.1)に定義する。この際、エッチングの均一度が7%以下であると、使用可能である良品として判断する。
図2に図示されたように、前記第2フィラ−と例25に従う前記第5グラス粉末とを混合して隔壁▲層▼を製造した際のその体積比が0.05〜0.67である場合は、エッチング均一度は7以下であるし、光吸収率比は1以上であることが分かる。したがって、本実施形態の隔壁▲層▼は良品である。
そして、体積比が0.67以上であるとエッチングの均一度が急激に高くなり、0.05以下であるとエッチングの均一度が低くなる。しかし、エッチングの均一度が低くすぎると、PDPの駆動の際、隣接した隔壁に塗布された蛍光体から発生された色の遮断が困難になるによって、混色が発生する問題点がある。
前記第3フィラ−は、酸系のエッチング液に対する化学的耐久性の弱い酸化物と、強い酸化物とに区別される。化学的耐久性の弱い酸化物は焼成の際、グラス粉末と反応して、反応されたグラス粉末の部位の化学的耐久性を低下させるし、化学的耐久性の強い酸化物は焼成の際、グラス粉末と反応して、反応されたグラス粉末の部位の化学的耐久性を上昇させる。そして、第3フィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積比が0.05以下であると、前記第3フィラ−の減少によっては白色度が減り、これによってPDPの駆動の際、相互隣接する隔壁に塗布された蛍光体▲層▼の色の遮断が困難になるによって、混色が発生する。そして、体積比が0.67以上であると酸化物に未反応する前記第3フィラ−の増加によって焼成強度が低下される。
隔壁のグラス粉末として前記第4グラス粉末だけを使用し、前記第3フィラ−としてはTiO2を使用して製造した隔壁▲層▼のエッチング速度を図3を参照して説明する。エッチング速度は分(Min)当たりエッチング液によってエッチングされた量+超音波の洗滌によって落ちた未焼成された部分及びエッチングによって焼成強度が低くなった部分の量に定義する。
図3に示したように、体積比が0.05〜0.67である隔壁▲層▼のエッチング速度は、隔壁▲層▼を450〜600℃で焼成すると、常に適正範囲である2.0〜50μm/minの範囲であることが分かる。
次は、隔壁のフィラ−の種類と隔壁▲層▼の▲層▼数及び隔壁のフィラ−の体積/隔壁のグラス粉末の体積比に従う隔壁▲層▼の誘電率、エッチング速度、バンディング、高さの変化及び破壊率を測定した結果を表7に表示する。
表7に表示されたように、隔壁▲層▼の誘電率及びエッチング速度は、各々5〜20及び2.0〜50.0μm/minの範囲に属するので適正である。
隔壁▲層▼140を含めたグラス基板110のバンディングが大きくなると、前面板と後面板とを合着しにくいし、前面板と後面板とを合着した後にもPDPの歪曲が発生する。したがって、隔壁▲層▼140を含めたグラス基板110のバンディングは1mm以下が好ましいが、本実施形態の隔壁▲層▼140を含めたグラス基板110のバンディングは0.3mmに過ぎないので非常に優秀である。
前記高さの変化は、酸系のエッチング液で前記隔壁▲層▼をエッチングし、隔壁を形成した後、測定した隔壁の高さをh1とし、前記形成された隔壁を510℃で1時間焼成した後、測定した隔壁の高さをh2とする場合、[{(h1−h2/h2)}×100]と定義する。前記高さの変化が1%以上であると隔壁の形成の後の工程である蛍光体▲層▼の焼成工程と、前面板と後面板の合着工程の際、隔壁の一数の変化が発生するによって、PDPを製造しにくくなる。ところで、本実施形態において製造された隔壁は、全ての高さの変化が0.5%以下であることが分かる。
前記破壊率は酸系のエッチング液によって前記隔壁▲層▼をエッチングし、隔壁を形成した後、前記隔壁を所定の構造物に置いて、先端の模様が半径3mmの球形であり、重量が500gの鉄製棒を前記隔壁の最上▲層▼の表面から5mm離れた距離から100回にかけて垂直落下させた後、前記隔壁と構造物とを10〜30°の傾斜角で肉眼で観察して、形象の変化が起きた隔壁の個数及び破壊された隔壁の個数を示す。破壊率が50%以上であると完成されたPDPの移送及び使用の途中で振動及び衝撃によって隔壁が破損される可能性がある。
次は、隔壁140の上面に形成される蛍光体▲層▼150を説明する。蛍光体▲層▼150は赤色、緑色及び青色蛍光体▲層▼を有する。
前記赤色蛍光体▲層▼は、酸化物であるY、Gd、B及びEuの中から選択された2種以上に用意されるし、電気信号によって赤色の可▲視▼光線を発光する。前記緑色蛍光体▲層▼は酸化物であるZn、Si、Mn、Y、B、Tb、Ba及びAlの中から選択された1種以上に用意されるし、電気信号によって緑色の可▲視▼光線を発光する。そして、前記青色蛍光体▲層▼は酸化物であるBa、Mg、Al、Sr、Mn及びEuの中から選択された2種以上に用意されるし、電気信号によって青色の可▲視▼光線を発光する。これに従って、蛍光体▲層▼150はPDPの駆動の際、色の温度が8、000〜13、000Kを維持する。
前記赤色、緑色及び青色蛍光体▲層▼の各成分比は、各蛍光体▲層▼の塗布面積と各蛍光体▲層▼の効率によって決定される色座標とによって自由図を有するので無制限である。
次は、従来の後面板と本実施形態の後面板との電気的、光学的、機械的特性を比較して説明する。
この場合、従来の後面板が採択されたPDPと本実施形態の後面板が採択されたPDPとの駆動回路は同一であり、従来及び本実施形態の後面板を前面板に合着する工程も同一である。表8のピーチは隣接した隔壁の中心と中心との間の距離を示す。
前記のように、従来の後面板と本実施形態の後面板とが合着されたPDPの各特性値を表9を参照して説明する。
以上、本発明の一実施例によって本発明を説明したが、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有した者が、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲の内で変更及び変形したのも本発明に属することは当然である。
以上、詳しく説明したように、本発明形態のプラズマディスプレイパネルの後面板は、焼成された隔壁▲層▼をエッチングして隔壁を形成するので、完成された隔壁の形象の変更がない。したがって、隔壁と隔壁との間の中央部に電極が正確に位置される。
また、前面板と後面板とを合着してPDPを完成した際、PDPの白色輝度、色温度及びコントラスト等のような光学的特性、電圧マージン、消費電力及び効率等のような電気的特性が向上されるによって信頼性が向上される。
また、前面板と後面板とを合着してPDPを完成した際、PDPの白色輝度、色温度及びコントラスト等のような光学的特性、電圧マージン、消費電力及び効率等のような電気的特性が向上されるによって信頼性が向上される。
Claims (1)
- グラス基板、前記グラス基板の上面に形成されたパターン形象の電極、前記電極の上面に形成された誘電体▲層▼、前記誘電体▲層▼の上面に形成され、エッチングによって形成されたパターン形象の隔壁と、前記隔壁の横面及び底面に沿って形成された赤色蛍光体▲層▼と緑色蛍光体▲層▼及び青色蛍光体▲層▼を有し、電気信号によって各々可▲視▼光線を発光する蛍光体▲層▼とを備えるプラズマディスプレイパネルの後面板において、
前記電極はAu、Ag、Pt、Pd、Ni及びCuの中から選択された1種以上の導電性金属粉末と第1グラス粉末の混合によって製造され、前記導電性金属粉末の▲平▼均立径は0.1〜7μmであり、前記第1グラス粉末の▲平▼均立径及び非抵抗は、各々0.5〜10μm及び1.0×10−6〜5.0×10−6Ωcmであり、前記導電性金属粉末:前記第1グラス粉末=51〜99.5重量%:0.5〜49重量%であり、前記誘電体▲層▼は、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=30〜80重量%:0〜20重量%:0〜20重量%:5〜40重量%:0〜12重量%:0〜5重量%:0〜5重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は390〜550℃、熱膨張係数は63〜95×10−7/℃、誘電率は5〜26及びエッチング速度は0.1〜1.0μm/minである第2グラス粉末と、Bi2O3:B2O3:PbO:ZnO:Al2O3:SiO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=36〜84重量%:5〜28重量%:0〜46重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜10重量%:0〜5重量%:0〜3重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は390〜550℃、熱膨張係数は63〜95×10−7/℃、誘電率は5〜26及びエッチング速度は0.1〜1.0μm/minである第3グラス粉末の中から選択された1種以上に用意されたグラス粉末と、▲平▼均立径が0.5〜10μmであり、酸化物であり、前記誘電体▲層▼のグラス粉末に対する体積比が0.05〜0.30である白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意された第1フィ−ラーの混合によって製造され、450〜600℃で10〜60分間焼成された際の誘電率が11〜26、反射率が50%〜85%、エッチング速度が0.1〜1.0μm/min及び気孔率が5%以下であり、前記パターン形象の隔壁は、ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3:Na2O+K2O+Li2O:BaO+CaO+MgO+SrO=0〜48重量%:0〜21重量%:25〜56重量%:0〜12重量%:0〜38重量%:0〜15重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第4グラス粉末と、PbO:ZnO:SiO2:B2O3:Al2O3+SnO2:Na2O+K2O+Li2O:BaO:CaO+MgO+SrO=25〜65重量%:0〜35重量%:0〜26重量%:0〜30重量%:0〜13重量%:0〜19重量%:0〜26重量%:0〜13重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第5グラス粉末と、PbO:B2O3:ZnO:BaO:SiO2+Al2O3+SnO2:CoO+CuO+MnO2+Fe2O3:Na2O+K2O+Li2O:CaO+MgO+SrO=35〜55重量%:18〜25重量%=0〜35重量%:0〜16重量%:0〜9重量%:0〜15重量%:0〜19重量%:0〜13重量%であり、▲平▼均立径は0.5〜10μm、軟化温度は460〜630℃、熱膨張係数は63〜110×10−7/℃、誘電率は5〜20及びエッチング速度は2.0〜50.0μm/minである第6グラス粉末の中から選択された1種以上に用意されたグラス粉末と、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、混合され暗色を表すNiO、Fe2O3、CrO、MnO2、CuO、Al2O3及びSiO2の中から選択された2種以上に用意された複合酸化物である第2フィラ−と、▲平▼均立径が0.1〜10μmであり、白色のTiO2、ZrO2、ZnO、Al2O3、BN、SiO2及びMgOの中から選択された1種以上に用意された第3フィラ−の中から選択された1種以上に用意されて、1▲層▼以上に用意され前記隔壁のグラス粉末に対する体積比が0.05〜0.67であるフィラ−の混合によって製造されて、450〜600℃で10〜60分間焼成された際、誘電率が5〜16、エッチング速度が2〜50μm/min及び前記隔壁を含める前記グラス基板のバンディングが0.3mm以下であり、酸系のエッチング液でエッチングした後、510℃で1時間にかけて熱処理した際の高さの変化が1%以下であると同時に、500gの鉄製棒を5mmの高さから垂直自由落下させる際の破壊率が50%以下であり、前記赤色蛍光体▲層▼は酸化物であるY、Gd、B及びEuの中から選択された2種以上に用意されるし、前記緑色蛍光体▲層▼は酸化物であるZn、Si、Mn、Y、B、Tb、Ba及びAlの中から選択された1種以上に用意されるし、前記青色蛍光体▲層▼は酸化物であるBa、Mg、Al、Sr、Mn及びEuの中から選択された2種以上に用意されるし、PDPの駆動の際の色の温度が8、000〜13、000Kであるのに用意されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの後面板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0077251A KR100495487B1 (ko) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 |
PCT/KR2002/002305 WO2004053914A1 (en) | 2002-12-06 | 2002-12-07 | Rear plate for plasma display panel |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006509340A true JP2006509340A (ja) | 2006-03-16 |
Family
ID=36165409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004558492A Pending JP2006509340A (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-07 | プラズマディスプレイパネルの後面板 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060119265A1 (ja) |
EP (1) | EP1568058A1 (ja) |
JP (1) | JP2006509340A (ja) |
KR (1) | KR100495487B1 (ja) |
CN (1) | CN1329939C (ja) |
AU (1) | AU2002368431A1 (ja) |
WO (1) | WO2004053914A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100495488B1 (ko) * | 2002-12-07 | 2005-06-16 | 엘지마이크론 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 |
KR100533723B1 (ko) * | 2003-04-25 | 2005-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
CN100377283C (zh) * | 2004-09-10 | 2008-03-26 | 南京Lg同创彩色显示系统有限责任公司 | 等离子显示器及其制造方法 |
JP4399344B2 (ja) | 2004-11-22 | 2010-01-13 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
KR100670270B1 (ko) * | 2005-01-17 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100755306B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2007-09-05 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR20070097949A (ko) * | 2006-03-30 | 2007-10-05 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
KR100852705B1 (ko) * | 2006-09-15 | 2008-08-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성용 조성물과 이로부터 제조되는 플라즈마디스플레이 패널 |
US8183168B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-05-22 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing electrode-formed glass substrate |
CN102070302A (zh) * | 2010-11-22 | 2011-05-25 | 珠海彩珠实业有限公司 | 一种介质浆料用透明低熔点玻璃粉及其制备方法 |
KR20120078109A (ko) | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지의 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지 |
CN102491645A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-06-13 | 安徽鑫昊等离子显示器件有限公司 | 等离子显示面板用后介质玻璃粉、后介质浆料及其制备方法 |
CN102496549A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-06-13 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏及其前基板介质层的制作工艺 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3510761B2 (ja) * | 1997-03-26 | 2004-03-29 | 太陽インキ製造株式会社 | アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル |
EP1030339B1 (en) * | 1997-11-06 | 2004-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Phosphor material, phosphor material powder, plasma display panel, and processes for producing these |
KR19990082911A (ko) * | 1998-04-06 | 1999-11-25 | 기타지마 요시토시 | 플라즈마 디스플레이 패널과 플라즈마 디스플레이 패널의 배면판 및 그 형광면 형성방법 |
US20010051585A1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-12-13 | Lg Electronics Inc. | Composition for barrier ribs of plasma display panel and method of fabricating such barrier ribs using the composition |
JP2000169764A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Jsr Corp | ガラスペースト組成物、転写フィルムおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
TW484158B (en) * | 2000-01-26 | 2002-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | A plasma display panel and a plasma display panel production method |
KR100395594B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-08-21 | 엘지마이크론 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 후면판용 유전체재료 |
KR100390347B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-07 | 엘지마이크론 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법 |
JP3770194B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2006-04-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP2003002692A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Asahi Glass Co Ltd | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
JP2003002693A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Asahi Glass Co Ltd | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
US7067979B2 (en) * | 2001-10-02 | 2006-06-27 | Noritake Co., Limited | Gas-discharge display device and its manufacturing method |
KR100455121B1 (ko) * | 2002-02-20 | 2004-11-06 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체 제조방법 |
-
2002
- 2002-12-06 KR KR10-2002-0077251A patent/KR100495487B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-12-07 EP EP02791050A patent/EP1568058A1/en not_active Withdrawn
- 2002-12-07 WO PCT/KR2002/002305 patent/WO2004053914A1/en not_active Application Discontinuation
- 2002-12-07 CN CNB028299949A patent/CN1329939C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-07 JP JP2004558492A patent/JP2006509340A/ja active Pending
- 2002-12-07 AU AU2002368431A patent/AU2002368431A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-07 US US10/537,762 patent/US20060119265A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060119265A1 (en) | 2006-06-08 |
WO2004053914A1 (en) | 2004-06-24 |
KR20040049468A (ko) | 2004-06-12 |
CN1695219A (zh) | 2005-11-09 |
AU2002368431A1 (en) | 2004-06-30 |
KR100495487B1 (ko) | 2005-06-16 |
EP1568058A1 (en) | 2005-08-31 |
CN1329939C (zh) | 2007-08-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080728 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090311 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090806 |