KR100390347B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법 Download PDF

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Abstract

포토레지스트의 도포, 노광, 현상 및 박막공정 없이 소성이후 가공을 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법이 개시된다. 상기 제조방법은 포토레지스트의 도포, 노광, 현상 및 박막 공정없는 소성공정후 바로 가공을 하므로 제조원가를 절감할 수 있다. 또한, 소성공정후 가공을 행함으로써 가공 도중의 불량을 억제할 수 있으며, 패턴상의 상부격벽층의 적절한 배치에 의해 에칭시간을 줄이면서 용이하게 높이를 확보할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법 {FABRICATING METHOD OF REAR PANEL OF PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 포토레지스트의 도포, 노광, 현상 및 박막공정없이 소성이후 가공을 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 전면 글라스기판과 후면 글라스기판 사이에 방전공간을 형성하고 전극 사이에서 플라즈마 방전을 일으켜 주위에 존재하는 형광체로 하여금 여기되도록 발광시킴으로써 화면을 표시하는 장치이다. 여기서 플라즈마 방전의 확산을 일정 영역에서만 목표한 위치에서 균일하게 제어하기 위한 격벽을 방전공간과 방전공간들을 사이에 형성한다.
플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 후면판의 격벽층을 형성하기 위한 제조방법으로는 유리기판위에 유색재료를 소정의 두께로 도포ㆍ건조하고 그 위에 내샌드블러스터성을 가진 마스크를 패턴상으로 형성한 뒤 샌드블러스트 가공을 행하여 격벽 이외의 부분을 제거하고 소성하여 원하는 격벽을 형성하는 샌드블라스트법(Sand blast) 등이 있다.
상기 샌드블라스트법에 의한 PDP 후면판의 제조방법은, 후면 글라스기판에 전극용 페이스트를 전극제판 위에 올려놓고 스퀴지로 전극패턴인쇄를 실시하여 전극패턴을 형성하고, 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분정도 건조시킨후 500∼600℃로 10분 정도 소성을 행한다. 이어, 상기 소성체에 유전체용 페이스트를 유전체제판 위에 올려놓고 스퀴지로 유전체 전면인쇄를 실시하여 유전체층을 형성하고, 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분정도 건조시킨 후, 550∼580℃로 10분정도 소성을 행한다. 그후, 유전체층 위에 격벽용 페이스트를 격벽제판 위에 올려놓고 스퀴지로 격벽 전면인쇄를 실시하여 격벽층을 형성하고, 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분정도 건조시킨후, 다시 형성된 격벽층 위에 격벽 전면인쇄공정과 건조공정을 8∼10회 정도 실시한 후 포토레지스트를 상기 건조체 위에 코팅하여 노광현상을 실시한 뒤 샌드로 샌드블라스팅하여 격벽층을 형성한다. 그리고, 포토레지스트를 제거하고, 이어 550∼600℃로 10분정도 소성을 행하여 격벽을 완성한다.
그후, 상기 소성체에 적색형광체용 페이스트를 적색형광체제판 위에 올려놓고 스퀴지로 적색형광체 패턴인쇄를 실시하여 적색형광체층을 형성하고, 이를 120∼150℃의 온도로 5∼10분정도 건조시킨후 녹색형광체용 페이스트를 녹색형광체 제판 위에 올려놓고 상기와 동일한 방법으로 녹색형광체층을 형성한다.
그리고, 청색형광체용 페이스트를 청색형광체제판 위에 올려놓고 상기와 동일한 방법으로 청색형광체층을 형성하고 난 뒤 450∼490℃로 30∼60분정도로 소성을 행하여 PDP 후면판을 완성한다
그런데, 상기 샌드블러스트법에 있어서, 최종 제품의 일부로 포함되지 않은상기 포토레지스트를 패턴상으로 형성하기 위해, 노광공정, 현상공정 및 박막공정이 필요하므로 공정이 길어지고, 제조 원가가 증가하는 문제점이 있다.
또한, 강도가 약한 격벽 재료의 건조공정 이후에 상기 노광, 현상, 샌드블라스팅 및 박막공정이 있으므로, 가공도중 강도가 약한 건조체의 파손에 의한 불량이 증가하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 포토레지스트의 도포, 노광, 현상 및 박막공정없이, 소성이후 가공을 행함으로써 가공도중의 불량을 억제할 수 있는 플라즈마 디스플레이의 후면판 제조방법을 제공함에 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 보인 도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 따른 패턴상의 상부격벽층 재료의 에칭속도에 따른 격벽의 단면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴상의 상부격벽층의 두께에 따른 따른 격벽의 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴상의 상부격벽층 재료의 적어도 1종 이상을 이용하여 패턴상의 제 1 상부격벽층 위에 패턴상의 제 2 상부격벽층을 도포하고, 각 상부격벽층 패턴의 중심이 최종 에칭 가공하여 형성하고자 하는 격벽의 중심과 같고, 패턴상의 제 1 상부격벽층과 패턴상의 제 2 상부격벽층의 폭을 서로 다르게 형성함에 따른 격벽의 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴상의 상부격벽층을 같은 패턴 폭으로 2회 도포할 때, 패턴의 이동에 따른 격벽의 단면도.
<도면중 주요부분에 대한 부호의 설명>
11 : 후면기판 12 : 전극패턴
13 : 유전체층 14 : 하부격벽층
15 : 패턴상의 상부격벽층 15a : 패턴상의 제 1 상부격벽층
15b : 패턴상의 제 2 상부격벽층
16 : 최종 에칭 가공하여 형성한 격벽의 폭
16a : 오버행이 남은 경우에서의 최종 에칭 가공하여 형성한 격벽의 폭
17 : 피치 18 : 오버행(Overhang)
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법은,후면기판, 상기 후면기판 위에 형성된 전극패턴, 상기 전극패턴 위에 형성된 유전체층, 상기 유전체층 위에 형성된 격벽층을 가공하여 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 있어서,상기 격벽층은 상기 유전체층 위에 적어도 1종 이상의 하부격벽층 재료를 적어도 1회 이상 전면에 도포/건조하여 하부격벽층을 형성하는 단계와 상기 하부격벽층 위에 상기 하부격벽층 재료 보다 에칭속도가 느리고, 패턴의 폭이 피치보다 작은, 적어도 1종 이상의 상부격벽층 재료를 상기 하부격벽층 위에 적어도 1회 이상 도포/소성하여 패턴상의 상부격벽층을 형성하는 단계에 의하여 형성되고,상기 격벽은 산계 액체 조합물로 상기 패턴상의 상부격벽층 및 상기 하부격벽층을 선택적으로 에칭하여 형성하며,상기 하부격벽층 재료는 PbO 43∼91wt%, SiO221wt%이하, B2O326wt%이하, Al2O37wt%이하, ZnO 35wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 15wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 1 유리분말, 또는 PbO 25-55wt%, ZnO 6∼35wt%, SiO226wt%이하, B2O329wt%이하, Al2O313wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 19wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 13wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 2 유리분말, 또는 ZnO 25∼52wt%, SiO226wt%이하, B2O325wt%이하, Al2O36wt%이하, PbO 45wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 18wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 3 유리분말, 또는 ZnO 48wt%이하, SiO221wt%이하, B2O325~56wt%, Al2O312wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 38wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종 이상을 혼합한 제 4 유리분말이거나, 또는 상기 제 1, 2, 3, 4 유리분말을 적어도 2 종 이상을 혼합한 유리분말과, 산화물이며, 평균입경이 0.1∼10㎛이고, 암색인 스피넬계 복합산화물, 또는 바나듐 글라스, 또는 납 글라스, 또는 CrO, 또는 MnO2, 또는 CuO와 백색인 TiO2, 또는 ZrO2, 또는 ZnO, 또는 Al2O3, 또는 BN, 또는 뮬라이트, 또는 마그네시아 중에서 적어도 1종 이상으로 구성된 필러(Filler)와, 이를 지지하는 유기물질로 구성되되, 상기 유리분말은 유리연화온도가 360∼590℃(열팽창계수는 64∼105×10-7/℃), 입경은 1∼10㎛이고, 상기 필러/유리분말의 중량비가 0.67이하고,상기 상부격벽층 재료는 유리연화온도가 390∼550℃, 평균입경은 1∼10㎛이며, PbO 30~80wt%, ZnO 20wt%이하, SiO220wt%이하, B2O35~40wt%, Al2O312wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 5wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 5wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종 이상을 혼합한 유리분말과, 산화물이며 평균입경이 0.1∼10㎛이고, 암색인 스피넬계 복합산화물, 또는 바나듐 글라스, 또는 납 글라스, 또는 CrO, 또는 MnO2, 또는 CuO와 백색인 TiO2, 또는 ZrO2, 또는 ZnO, 또는 Al2O3, 또는 BN, 또는 뮬라이트, 또는 마그네시아 중 적어도 1종 이상으로 구성된 필러(Filler)와, 이를 지지하는 유기물질로 구성되되, 상기 필러/유리분말의 중량비는 0.67이하 이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 보인 도로써, 이를 먼저 설명한다.
도시된 바와 같이, 후면 기판(11)에 전극재료를 이용하여 전극패턴(12)을 형성하고(S10), 단계(S20)에서는 전극패턴(12) 위에 유전체 재료를 이용하여 유전체층(13)을 형성한다. 그후, 단계(S30)에서는 유전체층(13) 위에 적어도 1종 이상의 하부격벽층(14) 재료를 적어도 1회 이상 전면에 도포/건조하여 하부격벽층(14)을 형성하고, 하부격벽층(14) 위에 에칭속도가 하부격벽층(14) 재료 보다 느리며 패턴의 폭이 피치(17)보다 작으며, 적어도 1종 이상의 상부격벽층(15) 재료를 하부격벽층(14) 위에 적어도 1회 이상 도포/소성하여 패턴상의 상부격벽층(15)을 형성한다(S40). 그리고, 산계 액체 조합물에 의해 선택적으로 에칭하고(S50), 상기 에칭체 내의 산계 액체 조합물 및 이물질을 제거하는 세정공정(S60)을 한다.
이하에서는 본 실시예에 따른 후면판 제조방법을 더욱 상세히 설명한다.
도 2는 본 실시예에 따른 후면판 제조방법을 수행함에 있어서, 하부격벽층 재료의 에칭속도와 패턴상의 상부격벽층 재료의 에칭속도에 따른 격벽의 단면 형상을 나타낸 도이다.
표 1은 본 실시예에 사용된 하부격벽층 재료와 상부격벽층 재료의 특성을 나타낸다.
조성＼＼＼재료번호 유리구성성분(wt%) 필러함량(wt%) 에칭속도(㎛/min)
PbO SiO2 B2O3 Al2O3 ZnO Na2O +K2O +Li2O + BaO +CaO +MgO +SrO
(가) 45 12 20 5 12 6 0 20 8.91
(나) 29 10 26 7 27 0 1 30 7.00
(다) 0 11 40 6 40 0 3 20 6.24
(라) 72 10 8 5 2 2 1 30 10.3
(마) 51 19 18 3 7 2 0 30 0.21
(바) 43 15 12 15 10 1 4 30 0.53
(사) 31 17 39 5 7 1 0 10 1.32
(아) 73 5 6 15 1 0 0 20 0.98
즉, 하부격벽층 재료는 PbO 43∼91wt%, SiO221wt%이하, B2O326wt%이하, Al2O37wt%이하, ZnO 35wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 15wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 1 유리분말, 또는 PbO 25-55wt%, ZnO 6∼35wt%, SiO226wt%이하, B2O329wt%이하, Al2O313wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 19wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 13wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 2 유리분말, 또는 ZnO 25∼52wt%, SiO226wt%이하, B2O325wt%이하, Al2O36wt%이하, PbO 45wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 18wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 3 유리분말, 또는 ZnO 48wt%이하, SiO221wt%이하, B2O325~56wt%, Al2O312wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 38wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종 이상을 혼합한 제 4 유리분말이거나, 또는 상기 제 1, 2, 3, 4 유리분말을적어도 2 종 이상을 혼합한 유리분말과,
산화물이며, 평균입경이 0.1∼10㎛이고, 암색인 스피넬계 복합산화물, 또는 바나듐 글라스, 또는 납 글라스, 또는 CrO, 또는 MnO2, 또는 CuO와 백색인 TiO2, 또는 ZrO2, 또는 ZnO, 또는 Al2O3, 또는 BN, 또는 뮬라이트, 또는 마그네시아 중에서 적어도 1종 이상으로 구성된 필러(Filler)와, 이를 지지하는 유기물질로 구성되되, 유리분말은 유리연화온도가 360∼590℃(열팽창계수는 64∼105×10-7/℃), 입경은 1∼10㎛이고, 상기 필러/유리분말의 중량비가 0.67이하이다.
상부격벽층 재료는
유리연화온도가 390∼550℃, 평균입경은 1∼10㎛이며, PbO 30~80wt%, ZnO 20wt%이하, SiO220wt%이하, B2O35~40wt%, Al2O312wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 5wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 5wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종 이상을 혼합한 유리분말과, 산화물이며 평균입경이 0.1∼10㎛이고, 암색인 스피넬계 복합산화물, 또는 바나듐 글라스, 또는 납 글라스, 또는 CrO, 또는 MnO2, 또는 CuO와 백색인 TiO2, 또는 ZrO2, 또는 ZnO, 또는 Al2O3, 또는 BN, 또는 뮬라이트, 또는 마그네시아 중 적어도 1종 이상으로 구성된 필러(Filler)와, 이를 지지하는 유기물질로 구성되되, 상기 필러/유리분말의 중량비는 0.67이하이다.
다음은, 표 1의 에칭속도를 측정하는 방법이다.
후면기판(11)위에 격벽층를 전면 도포ㆍ소성 후, 상기 소성체에 폭 5mm의 간격으로 내산성 테이프를 부착하고, 산계액체조합물로 10분간 에칭 후, 초음파로 5분, 흐르는 물에 1분 세척한 다음 건조한다. 상기와 같이 건조된 에칭체의 깊이를 측정하고, 이를 에칭한 분(min)으로 나누어 분당 에칭속도를 구하고 이를 에칭속도라 한다.
도 2에 도시된 패턴상의 상부격벽층(15)의 두께는 20㎛이다.
패턴상의 상부격벽층(15)의 에칭속도가 하부격벽층(14)의 에칭속도에 비해 매우 느리면, 격벽의 가공 후 최종형상은 상부에 오버행(18:Overhang)이 남는 형상이 되어 원하는 격벽의 형상을 얻을 수 없다. 또, 패턴상의 상부격벽층(15)의 에칭속도와 하부격벽층(14)의 에칭속도의 차이가 작으면, 격벽이 형성되기 전에 패턴상의 상부격벽층(15)이 에칭되어 버림으로써, 원하는 격벽 형상을 얻을 수 없다.
그러나, 하부격벽층(14)의 에칭속도의 절대값과 패턴상의 상부격벽층(15)의 에칭속도의 절대값은 패턴상의 상부격벽층(15)의 두께와 폭 및 도포방법에 의존하고 서로 상대적이므로 제한할 필요가 없다.
도 3은 본 발명에 일 실시예에 따른 후면판 제조방법을 수행함에 있어서, 패턴상의 상부격벽층(15)의 두께에 따른 따른 격벽의 단면도이다.
도 3에서 사용된 하부격벽층 재료는 표 1의 (나)이고, 상부격벽층 재료는 표 1의 (바)이다. 또한, 하부격벽층의 두께는 140㎛이고, 패턴상의 상부격벽층의 폭은 96㎛이며, 에칭시간은 20분이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 에칭속도가 패턴상의 상부격벽층(15)과 같은 하부격벽층(14) 위에 패턴상의 상부 격벽층을 도포함에 있어서, 두께가 너무 두꺼우면,격벽의 가공 후 최종 형상은 상부에 오버행이 남는 형상이 되어, 원하는 격벽의 형상을 얻을 수 없다. 또, 패턴상의 상부격벽층(15)의 두께가 너무 얇으면, 격벽이 형성되기 전에 상부격벽층(15)이 에칭되어 버림으로써 격벽의 높이가 급속히 낮아지는 문제점이 있다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면판 제조방법을 수행함에 있어서, 패턴상의 상부격벽층 재료의 적어도 1종 이상을 이용하여 패턴상의 제 1 상부격벽층 위에 패턴상의 제 2 상부격벽층을 도포하고, 각 상부격벽층 패턴의 중심이 최종 에칭 가공하여 형성하고자 하는 격벽의 중심과 같고, 패턴상의 제 1 상부격벽층과 패턴상의 제 2 상부격벽층의 폭을 서로 다르게 형성함에 따른 격벽의 단면도이다.
도 4에서 사용된 하부격벽층(14) 재료는 표 1의 (나)이고, 상기 제 1 상부 격벽층(15a)의 재료와 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)의 재료는 표 1의 (마)와 (바)를 번갈아 사용하였다. 또한, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)의 폭은 96㎛이고, 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)의 폭은 48㎛이며, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)과 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)의 두께는 동일하게 20㎛이다. 또한, 하부격벽층(14)의 두께는 140㎛이고, 에칭시간은 20분이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)의 에칭속도가 상기 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)과 같고 하부격벽층(14)의 에칭속도 보다 매우 작으면, 격벽의 가공 후 최종 형상은 상부에 오버행이 남는 형상이 되어, 원하는 격벽의 형상을 얻을 수 없다. 또한, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)의 에칭속도가 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)과 같고, 하부격벽층(14)과의 에칭속도 차이가 바람직한 격벽의 형상을 가지는 정도의 에칭속도를 가지는 상부격벽층(15)을 선택할 경우에는, 상기 상부격벽층(15)이 에칭속도가 상대적으로 빨라서 격벽의 높이의 손실이 발생한다.
또한, 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)의 에칭속도가 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a) 보다 빠른 경우에는, 상부에 도포되는 제 2 상부격벽층(15b)의 상대적으로 빠른 에칭속도에 의해 격벽의 높이의 손실이 발생하고, 격벽의 가공 후 최종 형상은 상부에 오버행이 남는 형상이 되어 원하는 격벽의 형상을 얻을 수 없다. 따라서, 짧은 에칭시간으로 높이를 용이하게 확보하기 위해 상기 패턴상의 상부격벽층(15)을 두껍게 형성하는 방법으로는, 상기 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a) 위에 에칭 속도가 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)보다 낮고, 패턴의 폭이 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)보다 좁은 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)을 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a) 위에 형성하는 것이 바람직하다.
패턴상의 격벽층을 형성하는 또 다른 방법으로, 패턴상의 상부격벽층(15)을 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)과 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)으로 구성하며, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)과 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)은 패턴의 폭과 재료가 서로 같게 하고, 제 1 상부격벽층(15a)과 제 2 상부격벽층(15b)을, 최종 에칭가공으로 형성하고자 하는 격벽의 중심을 기준으로 서로 대칭되게 패턴을 이동하여 형성함으로써 효과적으로 원하는 격벽을 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 후면판 제조방법을 수행함에 있어서, 패턴상의 상부격벽층을 같은 패턴 폭으로 2회 도포할 때, 패턴의 이동에 따른 격벽의단면도이다. 이때, 격벽의 폭이 48㎛인 격벽을 형성한다.
도 5에서 사용된 하부격벽층(14) 재료는 표 1의 (나)이고, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a) 재료와 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b) 재료는 표 1의 (바)로 서로 같으며, 하부격벽층(14)의 두께는 140㎛이다. 또한, 각 패턴상의 상부격벽층(15)의 1회 도포 두께는 20㎛이고, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)과 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)의 폭이 일부 겹쳐서 합해진 전체 패턴상의 상부격벽층(15)의 폭은 실시된 3조건 모두 96㎛으로 같으며, 에칭시간은 20분이다.
패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)과 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)의 각각의 폭을 a라 하고, 최종 에칭가공하여 형성하고자 하는 격벽의 폭을 b라 하고, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)과 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)이 최종 에칭가공하여 형성하고자 하는 격벽의 중심을 기준으로 서로 대칭되도록 패턴을 이동한 각각의 거리를 c라 할 때, 원하는 격벽 형상을 얻기 위해서, c는 0.5 x (a-b) 보다 작거나 같은 것이 바람직하다. 여기서 a > b이다.
도 5에 도시된 바와 같이, c가 0.5 x (a-b) 보다 크면 격벽의 상부의 형상이 내충격성이 약한 형상이 되므로, 원하는 형상을 얻을 수 없다. 그러나, c가 0.5 x (a-b)보다 작거나 같은 경우에는 패턴이 이동한 길이 c와, 패턴상의 제 1 상부격벽층(15a)과 패턴상의 제 2 상부격벽층(15b)의 폭이 일부 겹쳐서 합해진 전체 패턴상의 상부격벽층(15)의 폭은, 하부격벽층(14)의 에칭속도와 패턴상의 상부격벽층(15)의 에칭속도에 의해 서로 상대적으로 결정되며, 패턴상의 상부격벽층(15)의 1회 도포 두께와 도포방법을 조절하여 제어할 수 있으므로 제한할 필요가 없다.
이상에서와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법은 포토레지스트의 도포, 노광, 현상 및 박막 공정없는 소성공정후 바로 가공을 하므로 제조원가를 절감할 수 있다.
또한, 소성공정후 가공을 행함으로써 가공 도중의 불량을 억제할 수 있으며, 패턴상의 상부격벽층의 적절한 배치에 의해 에칭시간을 줄이면서 용이하게 높이를 확보할 수 있다.
이상에서는, 본 발명의 일 실시예에 따라 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 변경 및 변형한 것도 본 발명에 속함은 당연하다.

Claims (5)

  1. 후면기판, 상기 후면기판 위에 형성된 전극패턴, 상기 전극패턴 위에 형성된 유전체층, 상기 유전체층 위에 형성된 격벽층을 가공하여 격벽을 형성하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법에 있어서,
    상기 격벽층은 상기 유전체층 위에 적어도 1종 이상의 하부격벽층 재료를 적어도 1회 이상 전면에 도포/건조하여 하부격벽층을 형성하는 단계와 상기 하부격벽층 위에 상기 하부격벽층 재료 보다 에칭속도가 느리고, 패턴의 폭이 피치보다 작은, 적어도 1종 이상의 상부격벽층 재료를 상기 하부격벽층 위에 적어도 1회 이상 도포/소성하여 패턴상의 상부격벽층을 형성하는 단계에 의하여 형성되고,
    상기 격벽은 산계 액체 조합물로 상기 패턴상의 상부격벽층 및 상기 하부격벽층을 선택적으로 에칭하여 형성하며,
    상기 하부격벽층 재료는 PbO 43∼91wt%, SiO221wt%이하, B2O326wt%이하, Al2O37wt%이하, ZnO 35wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 15wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 1 유리분말, 또는 PbO 25-55wt%, ZnO 6∼35wt%, SiO226wt%이하, B2O329wt%이하, Al2O313wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 19wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 13wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 2 유리분말, 또는 ZnO 25∼52wt%, SiO226wt%이하, B2O325wt%이하, Al2O36wt%이하, PbO 45wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 18wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종을 이상을 혼합한 제 3 유리분말, 또는 ZnO 48wt%이하, SiO221wt%이하, B2O325~56wt%, Al2O312wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 38wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 15wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종 이상을 혼합한 제 4 유리분말이거나, 또는 상기 제 1, 2, 3, 4 유리분말을 적어도 2 종 이상을 혼합한 유리분말과, 산화물이며, 평균입경이 0.1∼10㎛이고, 암색인 스피넬계 복합산화물, 또는 바나듐 글라스, 또는 납 글라스, 또는 CrO, 또는 MnO2, 또는 CuO와 백색인 TiO2, 또는 ZrO2, 또는 ZnO, 또는 Al2O3, 또는 BN, 또는 뮬라이트, 또는 마그네시아 중에서 적어도 1종 이상으로 구성된 필러(Filler)와, 이를 지지하는 유기물질로 구성되되, 상기 유리분말은 유리연화온도가 360∼590℃(열팽창계수는 64∼105×10-7/℃), 입경은 1∼10㎛이고, 상기 필러/유리분말의 중량비가 0.67이하고,
    상기 상부격벽층 재료는 유리연화온도가 390∼550℃, 평균입경은 1∼10㎛이며, PbO 30~80wt%, ZnO 20wt%이하, SiO220wt%이하, B2O35~40wt%, Al2O312wt%이하, Na2O+K2O+Li2O 5wt%이하 및 BaO+CaO+MgO+SrO 5wt%이하로 조성된 것들 중에서 적어도 1종 이상을 혼합한 유리분말과, 산화물이며 평균입경이 0.1∼10㎛이고, 암색인 스피넬계 복합산화물, 또는 바나듐 글라스, 또는 납 글라스, 또는 CrO, 또는 MnO2, 또는 CuO와 백색인 TiO2, 또는 ZrO2, 또는 ZnO, 또는 Al2O3, 또는 BN, 또는 뮬라이트, 또는 마그네시아 중 적어도 1종 이상으로 구성된 필러(Filler)와, 이를 지지하는 유기물질로 구성되되, 상기 필러/유리분말의 중량비는 0.67이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부격벽층을 형성하는 단계는,
    상기 상부격벽층 재료 중 적어도 1종 이상을 상기 하부격벽층 위에 도포하여 패턴상의 제 1 상부격벽층을 형성하는 단계와 상기 패턴상의 제 1 상부격벽층 위에 패턴상의 제 2 상부격벽층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 상부격벽층 패턴의 중심은 최종 에칭가공하여 형성하고자 하는 격벽의 중심과 같게 형성되며,
    상기 제 1 상부격벽층의 폭은 상기 제 2 상부격벽층의 폭 보다 크고 상기 제 1 상부격벽층의 에칭속도는 상기 제 2 상부격벽층의 에칭속도 보다 빠른 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부격벽층은 순차적으로 적층되어 형성된 패턴상의 제 1 상부격벽층과 패턴상의 제2 상부격벽층을 포함하고,
    상기 제 1 상부격벽층과 상기 제 2 상부격벽층의 패턴의 폭과 재료는 같으며,
    상기 제 1 상부격벽층과 상기 제 2 상부격벽층의 각각의 폭을 a라 하고, 최종 에칭 가공하여 형성하고자 하는 격벽의 폭을 b라 하며, 상기 제 1 상부격벽층과 상기 제 2 상부격벽층을 에칭 가공하여 형성한 격벽의 중심을 기준으로 상기 제 1 상부격벽층과 상기 제 2 상부격벽층이 대칭되도록 상기 제 1 상부격벽층 또는 상기 제 2 상부격벽층의 패턴을 상기 최종 형성된 격벽의 중심측으로 이동한 거리를 c라 할 때,
    c는 0.5 x (a-b)보다 작거나 같고, a > b인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 후면판 제조방법.
  4. 삭제
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