JP2006504710A - 10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの両エナンチオマーのエナンチオ選択的製造方法およびその新規結晶形 - Google Patents

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Abstract

本発明は、10−オキソ−ジヒドロジベンズ[b,f]アゼピンの移動水素化による、置換エナンチオピュア10−ヒドロキシ−ジヒドロジベンズ[b,f]アゼピン(Ia)または(Ib)
【化1】
Figure 2006504710

〔式中、RおよびRは、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アミノまたはニトロであり;そしてRおよびRは、それぞれ独立して、水素またはC−Cアルキルである。〕で示される化合物の製造方法、ならびに式(III'a)および(III'b)
【化2】
Figure 2006504710

〔式中、Mは、Ru、Rh、Ir、Fe、CoまたはNiであり;Lは、水素であり;Lは、アリールまたはアリール−脂肪族残基を表し;そしてさらなるラジカルは、本明細書において定義した意義を有する。〕で示される新規触媒;当該新規製法により入手可能な10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの両方のエナンチオマーの新規結晶形;医薬調製物の製造におけるそれらの使用;これらの新規結晶形を含んでなる新規医薬調製物、および/または癲癇のような障害の処置における、もしくはこれらの処置に適したい約製剤の製造における、これらの新規結晶形の使用に関する。

Description

発明の詳細な説明
本発明は、10−オキソ−ジヒドロジベンズ[b,f]アゼピンの移動水素化(transfer hydrogenation)によるエナンチオピュアの置換10−ヒドロキシ−ジヒドロジベンズ[b,f]アゼピンの新規製造方法、当該新規製造方法により入手可能な10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの両エナンチオマーの新規触媒および新規結晶形に関する。
置換ジヒドロジベンズ[b,f]アゼピンは、好ましくは、いくつかの中枢および末梢神経系障害を予防および処置するために使用され得る活性剤であると理解されている。これらの化合物は周知であり、そしてこれらのいくつかはヒトにおけるいくつかの病理学的状態の処置に広く使用されている。たとえば、5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミド(カルバマゼピン)は、癲癇の管理において有効な剤として確立されている。カルバマゼピンのアナログ、10,11−ジヒドロ−10−オキソ−5H−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルバミド(オクスカルバゼピン、たとえばドイツ国特許第2.011.087号参照)は、カルバマゼピンよりも少ない副作用を有する比較可能な抗癲癇作用を示す。オクスカルバゼピンは、哺乳類において、10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドに代謝される(たとえばベルギー国特許第747.086号参照)。
本発明の目的は、高い収率をもたらし、さらに環境汚染の最小化を保証し、たとえば10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造のための反応および/または製造順序におけるより少ない工程を用いることにより経済的に魅力的であり、そして概して鏡像異性体的に純粋な目的生成物および結晶化可能な生成物をもたらす、置換10−ヒドロキシ−ジヒドロジベンゾ[b,f]アゼピンのエナンチオ選択的合成を提供することである。さらに、本発明の別の目的は、比較的大規模で行われ、したがって製造方法として使用され得る方法を提供することである。
驚くべきことに、本発明の方法は、明らかに、上記の目的を満たす。
したがって、本発明は、式IaまたはIb
Figure 2006504710
〔式中、
およびRは、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アミノまたはニトロであり;そして
およびRは、それぞれ独立して、水素またはC−Cアルキルである。〕
で示される化合物の製造方法であって、
式II
Figure 2006504710
〔式中、R、R、RおよびRは、上で定義したとおりである。〕
の化合物を、式(IIIa)、(IIIb)、(IVa)、(IVb)、(Va)、(Vb)、(VIa)または(VIb)
Figure 2006504710
〔式中、
Mは、Ru、Rh、Ir、Fe、CoまたはNiであり;
は、水素であり;
は、アリールまたはアリール−脂肪族残基を表し;
Halは、ハロゲンであり;
は、脂肪族、環状脂肪族、環状脂肪族−脂肪族、アリールまたはアリール−脂肪族残基であり、これは、それぞれの場合において、ポリマーと結合していてもよく;
およびRは、それぞれ独立して、脂肪族、環状脂肪族、環状脂肪族−脂肪族、アリールまたはアリール−脂肪族残基であり;
およびRは、それぞれ独立して、フェニルであるか、またはRおよびRは、それらが結合している炭素原子と一体となってシクロヘキサンまたはシクロペンタン環を形成し;そして
17は、H、ハロゲン、アミノ、ニトロまたはC−Cアルコキシである。〕
で示される化合物からなる群から選択される還元剤の存在下で還元する工程を含む方法を提供する。
式(IVa)、(IVb)、(Va)、(Vb)、(VIa)または(VIb)の化合物について、可能性のある(R)−または(S)−BINAPの組合せが存在する。
式(IIIa)、(IIIb)、(IVa)、(IVb)、(Va)、(Vb)、(VIa)または(VIb)の任意の芳香族残基は置換されているか、または好ましくは非置換である。置換されている場合、それは、たとえば1またはそれ以上、たとえば2または3個の残基、たとえばC−Cアルキル、ヒドロキシ、−O−CH−O−、CHO、C−Cアルコキシ、C−Cアルカノイル−オキシ、ハロゲン、たとえばClまたはF、ニトロ、シアノ、およびCFからなる群から選択されるものにより置換されていてもよい。
脂肪族炭化水素残基は、たとえば、C−Cアルキル、C−Cアルケニルまたは第二次的には、C−Cアルキニルである。C−Cアルケニルは、特にC−Cアルケニルであり、そして、たとえば、2−プロペニルまたは1−、2−もしくは3−ブテニルである。C−Cアルケニルが好適である。C−C−アルキニルは、特にC−Cアルキニルであり、そして好ましくはプロパルギルである。
環状脂肪族残基は、たとえば、C−Cシクロアルキルまたは、第二次的には、C−Cシクロアルケニルである。
−Cシクロアルキルは、たとえば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシクロヘプチルである。シクロペンチルおよびシクロヘキシルが好適である。C−Cシクロアルケニルは、特にC−Cシクロアルケニルであり、そして好ましくはシクロペンタ−2−エニルおよびシクロペンタ−3−エニル、またはシクロヘキサ−2−エニルおよびシクロヘキサ−3−エニルである。
環状脂肪族−脂肪族残基は、たとえば、C−Cシクロアルキル−C−Cアルキル、好ましくはC−C−シクロアルキル−C−Cアルキルである。シクロプロピルメチルが好適である。
アリール残基は、たとえば、炭素環または複素環芳香族残基、特にフェニルまたは特に適当な5−もしくは6−員および単環または多環残基であり、これは4までの同一もしくは異なるヘテロ原子、たとえば窒素、酸素もしくは硫黄原子、好ましくは1、2、3または4個の窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を有する。適当な5−員のヘテロアリール残基は、たとえば、モノアザ−、ジアザ−、トリアザ−、テトラアザ−、モノオキサ−またはモノチア−環状アリールラジカル、たとえばピロリル、ピラゾリル、イミダゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、フリルおよびチエニルであり、適当な6員のラジカルは特にピリジルである。適当な多環ラジカル残基は、アントラセニル、フェナントリル、ベンゾ[1,3]−ジオキソールまたはピレニルである。アリール残基は、たとえばNH、OH、SOH、CHOによりモノ置換されているか、またはOHもしくはCHOおよびSOHによりジ置換されていてもよい。
アリール−脂肪族残基は、特にフェニル−C−Cアルキル、フェニル−C−Cアルケニルまたはフェニル−C−Cアルキニルである。
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を表す。
ポリマーは、ポリスチレン(PS)、架橋PS(J)、ポリエチレングリコール(PEG)またはシリカゲル残基(Si)であり得る。例は、NH−R15〔式中、R15はC(O)(CH−PSまたはC(O)NH(CH−PSである。〕;および−O−Si(R18(CH16〔式中、nは1〜7であり、R18はC−Cアルキル、たとえばエチルであり、そしてR16はPS、J、PEGまたはSiである。〕である(Aldrich, Switzerlandから入手可能)。
式(IIIa)、(IIIb)、(IVa)、(IVb)、(Va)、(Vb)、(VIa)または(VIb)において、下記の意味が、独立的に、集合的または任意のコンビネーションまたはサブコンビネーションで好適である:
Mは、Ru、Rh、Ir、好ましくはRuである。
は、イソプロピルメチルベンゼン、ベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、メシチレンであり、イソプロピルメチルベンゼンが好適である。
は、2−または3−または4−ピリジル、4−クロロ−4−フェノキシ−フェニル、4−フェノキシ−フェニル、5−ジ(メ)エチルアミノ−1−ナフチル、5−ニトロ−1−ナフチル、2−、3−、4−ニトロフェニル、4−ビニルフェニル、4−ビフェニリル、9−アントラセニル、2−、3−または4−ヒドロキシフェニル、トリル、フェナントリル、ベンゾ[1,3]−ジオキソール、ジメチル(ナフタレン−1−イル)−アミン、トリフルオロメチル−フェニル、ビス(トリフルオロメチル)−フェニル、トリス(トリフルオロメチル)−フェニル、クリセニル、ペリレニルまたはピレニルである。
およびRは、それぞれ独立して、フェニル、4−メチルフェニルまたは3,5−ジメチルフェニルであり、フェニルが好適である。
およびRは、フェニルまたはシクロヘキシルまたは置換フェニルであり、好ましくはフェニルである。
好適なHalは塩素である。
好適なR15はHである。
好適なR17はHである。
は上で定義したとおりである。
好適な水素ドナーは、たとえば、アミン、たとえばトリエチルアミン、DBUまたは他の第三級アミンの存在下の、2−プロパノール、3−ペンタノール、または最も好ましくはHOOCHを含んでなる系である。水素ドナー、とりわけ2−プロパノールおよび最も好ましくは、HCOOHは、また、不活性溶媒としても使用され得る。別の水素ドナーは、さまざまな触媒および塩基、たとえばRu[(1S,2S)−p−TsNCH(C)CH(C)NH](η−p−シメン)および塩基、またはキラルリガンド(R,R−またはS,S−TsDPEN、アミノ−アルコール)および塩基での「インシツ」[Ru(η−p−シメン)Clの存在下の2−プロパノールである。好適な塩基は、t−BuOK、KOHまたはi−PrOKである。
好適な態様において、本発明は、式I'aまたはI'b
Figure 2006504710
の化合物の製造方法であって、上記の式(IIIa)、(IIIb)、(IVa)、(IVb)、(Va)、(Vb)、(VIa)または(VIb)からなる群から選択される還元剤および水素ドナーの存在下で式II'
Figure 2006504710
の化合物を還元する工程を含んでなる方法を提供する。
式IIおよびII'の化合物は既知であり、そしてWO−A2−0156992において記載されているように製造され得る。
本発明は、さらに、式III'aおよびIII'b
Figure 2006504710
〔式中、M、L、L、RおよびRは、上で定義したとおりであり、そしてR5'は、式
Figure 2006504710
[式中、
nは、0、1、2、3、4、5、6または7であり;
Xは、OまたはSであり;
10は、ポリスチロールであり;
11は、シリカゲルであり;
12は、架橋ポリスチロールであり;
13は、ポリエチレン−グリコールであり;
14は、C−Cアルキルであり;そして
mは、1、2または3である。]
で示される基である。〕
で示される新規化合物を提供する。
、LおよびR5'が上で定義したとおりである以下の式(III'a)または(III'b):
Figure 2006504710
が好適である。
式(III'a)または(III'b)の化合物は、式VII
Figure 2006504710
〔式中、R5'、RおよびRは上で定義したとおりである。〕
で示される化合物を、[MCl(p−シメン)]と慣用的方法で、たとえば実施例3においてM=Ruについて記載したように反応させることにより製造され得る。
いくつかの式(IIIa)、(IIIb)、(IVa)、(IVb)、(Va)、(Vb)、(VIa)または(VIb)の化合物は既知であり、そしてHaack et al., Angew. Chem., Int. Ed. Engl. 1997, 36, 285-288において記載されたように製造され得る。
上記の水素化は、たとえば適当な溶媒もしくは希釈剤またはそれらの混合物の不存在下、または通常存在下で行われ、必要ならば、反応は、冷却して、室温にて、または加温して、たとえば約−80℃〜反応媒質の沸点まで、好ましくは約−10℃〜約+200℃の温度にて、および、必要ならば、密閉容器中、加圧下、不活性ガス雰囲気中、および/または無水条件下で行われる。
水素化は、適当な不活性溶媒、たとえばエーテル、たとえばテトラヒドロフラン、エステル、たとえば酢酸エチル、ハロゲン化された溶媒、たとえば塩化メチレン、超臨界CO、イオン性液体、ニトリル、とりわけアセトニトリル、アミド、たとえばジメチルホルムアミドまたはジメチルアセトアミド中で、そして、たとえば、−78℃から溶媒の沸点まで、好ましくは室温にて、たとえば実施例において記載したように行われ得る。
Ru(II)触媒(とりわけNoyori触媒)を用いる不斉水素移動型水素化が水の不存在下かつ不活性ガス条件下で行われることは、当分野において既知である。驚くべきことに、本発明の水素移動型水素化工程は、水含有溶媒系中かつ不活性ガス不存在下で行われ得る。このことは、使用される溶媒が(たとえば、Karl−Fischer滴定で3%まで)水を含むとしても、反応が進行することを意味する。
所望により、式(I)の化合物は、式(VIII)
Figure 2006504710
〔式中、
Yは、非分枝鎖もしくは分枝鎖C−C18アルキルカルボニル、アミノC−C18アルキルカルボニル、C−Cシクロアルキルカルボニル、C−CシクロアルキルC−C18アルキルカルボニル、ハロゲンC−C18アルキルカルボニル、非非置換もしくはアリールが置換されているC−C10アリールC−C18アルキルカルボニル、非置換もしくはヘテロアリールが置換されているC−C10ヘテロアリールC−C18アルキルカルボニル、C−C18アルコキシカルボニルであり;そして
、R、RおよびRは上で記載したとおりである(また、製造条件に関してはEP−B1−751129参照)。〕
で示されるそれらの対応するプロドラッグエステルに変換され得る。
本発明のさらなる目的は、上記の新規製造方法により入手可能な10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの両方のエナンチオマーの新規結晶形、医薬調製物の製造におけるそれらの使用、これらの新規結晶形を含んでなる新規医薬調製物および/または障害、たとえば癲癇の処置における、もしくは当該処置に適した医薬製剤の製造におけるこれらの新規結晶形の使用を提供することである。
したがって、本発明は、また、10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの両方のエナンチオマーの新規結晶形、とりわけ、本明細書において修飾結晶形(modification)Aおよび修飾結晶形Bと記載される結晶形を提供する。
修飾結晶形Aも修飾結晶形Bも吸湿性ではない。(S)−もしくは(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドのアモルファス形態と比較して、本明細書において記載した結晶形は、より良いバルク安定性を示す。さらに、結晶化の製造工程により、化合物の純度はアモルファス物質と比べて上昇している。
修飾結晶形Aは、たとえば、粉末X線回折技術、IRスペクトルおよび融点により、修飾結晶形Bから区別され得る。
結晶形は、特にそれらの粉末X線回折パターンにより区別され得る。粉末X線回折パターンは回折計を用いて、そしてCu−Kα−照射を用いて取得され、好ましくは有機化合物の固体を特徴づけるために使用される。粉末X線回折パターンは、物質の結晶形を測定するために特にうまく使用される。(R)−および(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形AおよびBを特徴づけるために、それぞれ、室温で維持された物質の試料を用いて、たとえば2°および45°の角度範囲(2θ)で測定が行われる。
(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドおよび(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形Aからかくして測定された粉末X線回折パターンは、ともに、表1により特徴づけられる。
Figure 2006504710
(vs:非常に強い、s:強い、m:中程度、w:弱い、vw:非常に弱い;PXRDはCuKα照射を用いるPhilips 1710粉末X線回折計で測定した。格子面間隔(d-spacing)を、1.54060 AのCuKα1照射の波長を用いて、2θから計算した。CuKα1とCuKα2照射の比は2:1であった。X線管を40kVの電位、および40mAの電流で操作した。0.02°のステップサイズ、およびステップあたり2.4秒の計測時間を適用した。一般に、2θ値は±0.1〜0.2°の誤差の範囲内である。したがって、格子面間隔値の実験誤差は、ピークの位置に依存する。)
かくして測定された粉末X線回折パターン((R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドおよび(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドのピークの位置および強度)は、ともに、表2により特徴づけられる。
Figure 2006504710
(vs:非常に強い、s:強い、m:中程度、w:弱い、vw:非常に弱い;PXRDはCuKα照射を用いるPhilips 1710粉末X線回折計で測定した。格子面間隔を、1.54060 AのCuKα1照射の波長を用いて、2θから計算した。CuKα1とCuKα2照射の比は2:1であった。X線管を40kVの電位、および40mAの電流で操作した。0.02°のステップサイズ、およびステップあたり2.4秒の計測時間を適用した。一般に、2θ値は±0.1〜0.2°の誤差の範囲内である。したがって、格子面間隔値の実験誤差は、ピークの位置に依存する。)
それゆえ、本発明は、以下のものを提供する。
・ 12.6、8.8、7.5、6.28、5.24、4.93、3.84、3.74および3.42Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Aを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、さらに好ましくは、12.6、8.8、7.5、6.28、5.24、4.93、4.58、4.44、4.37、4.08、3.84、3.74、3.67、3.54、3.42、3.12および2.71Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Aを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、
・ 8.9、7.8、6.8、6.3、5.59、4.13、3.90、3.69、3.29および2.60Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Bを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、さらに好ましくは8.9、7.8、6.8、6.3、5.59、4.69、4.47、4.39、4.13、4.07、3.90、3.69、3.42、3.36、3.29、2.98、2.90および2.60Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Bを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、
・ 12.6、8.8、7.5、6.28、5.24、4.93、3.84、3.74および3.42Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Aを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、さらに好ましくは12.6、8.8、7.5、6.28、5.24、4.93、4.58、4.44、4.37、4.08、3.84、3.74、3.67、3.54、3.42、3.12および2.71Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Aを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、ならびに
・ 8.9、7.8、6.8、6.3、5.59、4.13、3.90、3.69、3.29および2.60Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Bを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、さらに好ましくは8.9、7.8、6.8、6.3、5.59、4.69、4.47、4.39、4.13、4.07、3.90、3.69、3.42、3.36、3.29、2.98、2.90および2.60Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Bを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
赤外スペクトルにおいて、2つの結晶形の間の多くの相異、たとえば主要なカルボニル吸収のシフトが観察され得る。たとえば、(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形BのIRスペクトルにおいて、強い吸収(おそらく、カルボニルの吸収)が約1657〜1659cm−1に観察されるが、(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形AのIRスペクトルにおいて、強い吸収が約1649〜1651cm−1に観察される。(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形BのIRスペクトルにおいて、別の強い吸収が約1584〜1586cm−1に観察されるが、(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形AのIRスペクトルにおいて、この吸収は約1564〜1566cm−1の間の値にシフトする。
さらに、(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形Bは、193.0〜197.0℃の融点、とりわけ194.0〜196.0℃、たとえば195.5℃の融点を有することが見いだされた。それゆえ、本発明は、また、193.0〜197.0℃の融点、とりわけ194.0〜196.0℃、たとえば195.5℃の融点を有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形に関する。
本発明は、また、122J/g〜136J/g、好ましくは126〜131J/g、さらに好ましくは128〜129J/gの融解エンタルピーにより特徴づけられる、(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの新規無水結晶形に関する。
(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形Aは、それぞれ、(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを、適当な溶媒、たとえばジクロロメタン、アセトンまたはアルコール、たとえばエタノールもしくはイソプロパノール中のその溶液から急速に沈澱させることにより、たとえば最初に、それぞれ、(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの飽和溶液を還流温度まで加温し、その後、室温で結晶化させることにより得られ得る。
(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形Bは、対応する結晶形Aから、または、たとえば室温にてアセトンまたはエタノール中で12〜200時間、たとえば24時間振動を加えることにより、適当な溶媒中での相平衡によりアモルファス物質から得られ得る。純粋な形態Bを得るのに必要な時間は、使用されるエナンチオマーおよび特定の溶媒に依存する。たとえば、結晶形Aを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドは、結晶形Bを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドに、アセトン中で室温にて24時間以内に変換され得る。
さらに、(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形Bは、適当な溶媒、たとえばアルコール、たとえばエタノールもしくはイソプロパノール中のその溶液からの(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶化により、とりわけ、それぞれ、結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形を添加することにより、得られ得る。
本明細書において記載した手順により、(R)−および(S)−エナンチオマーの相異なる結晶形AおよびBは、それぞれ、純粋な形態で得られ得、すなわち純粋なエナンチオマーは10%未満の他の結晶形、好ましくは5%未満の他の結晶形、さらに好ましくは1%未満の他の結晶形を含有する結晶形で得られる。
それゆえ、本発明は以下のものを提供する。
・ (a)(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドが式I'aまたはI'bの化合物のエナンチオ選択的製造のために請求項2〜4のいずれか1項に記載の方法にしたがって製造され、そして(b)結晶形Aを有するか、またはアモルファス形態である生成物を適当な溶媒中で相平衡に付す、結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法;
・ (R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドが式I'aまたはI'bの化合物のエナンチオ選択的製造のために請求項2〜4のいずれか1項に記載の方法にしたがって製造され、そして結晶形Aを有するか、またはアモルファス形態の生成物を適当な溶媒に溶かし、そして結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶を添加する、結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法;
・ 結晶形Aを有するか、またはアモルファスの形態である(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを適当な溶媒中で相平衡または結晶化に付す、結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法;ならびに
・ 結晶形Aを有するか、またはアモルファスの形態である(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを適当な溶媒に溶かし、そして結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶を、それぞれ、添加する(シーディング)、結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法、
・ 5%未満の修飾結晶形Aを含んでなる本明細書において記載した修飾結晶形Bを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形、
・ 5%未満の修飾結晶形Aを含んでなる本明細書において記載した修飾結晶形Bを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
当該新規結晶形は、とりわけ安定であり、特に結晶形Bは、熱力学的に安定な結晶形とみなされるべきであり、したがって、それらは固体の形態での貯蔵のために、または固体もしくは液体投与形態の製造における中間体(特に優れた貯蔵性を有する)として、活性成分として固体の投与形態に適している。修飾結晶形Bの保存中に、修飾結晶形Aの結晶は全く形成され得ない。かかる安定な形態は、医薬の製造に好適である。
他方、修飾結晶形Aは修飾結晶形Bよりも有機および水性溶液に溶けやすく、それゆえ、注入液の製造により適している。さらに、修飾結晶形Aは、修飾結晶形Bよりも改善された、特により迅速な、バイオアベイラビリティーを有するために、固体投与形態、たとえば錠剤に組み込まれ得る。
本発明は、また、医薬調製物の製造における新規結晶形の使用、これらの結晶形を含有する新規医薬調製物、および/または癲癇の処置におけるそれらの使用に関する。以下において、その結晶形自体をもはや含有しない液体組成物または組成物の場合において、活性成分を含有する医薬調製物または組成物という場合、たとえそれらが(たとえばそれらが溶液中に存在するために)それぞれの結晶形態を含有しない場合であっても、これは、常に、その結晶形を用いて得られる医薬調製物も意味すると理解されるべきである。
本発明は、また、とりわけ、結晶形AまたはBを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの新規結晶形を1またはそれ以上の担体と混合することを特徴とする、医薬調製物の製造における、結晶形Aまたは、好ましくは、Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの新規結晶形の使用に関する。
本発明は、また、癲癇のような障害を患う温血動物の処置方法であって、かかる処置を必要としている温血動物に、1つの新規結晶形で当該疾患の処置に有効な(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの用量を投与することを特徴とする方法、また、特に新規結晶形の1つを用いて製造されるそれらの調製物での処置;および/またはかかる処置における結晶形AまたはBを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの新規結晶形の使用に関する。
医薬調製物を製造するために、活性成分を、たとえば、相当量の1またはそれ以上の有機または無機液体または固体の医薬上許容される担体とともにまたは混合して活性成分の有効量を含有するように、使用してもよい。
本発明の医薬組成物は、温血動物、とりわけヒトへの経腸的、とりわけ経鼻的、経直腸的もしくは経口的、または非経腸投与を意図したものであり、そしてそれらは、単独で、または相当量の医薬上許容される担体とともに活性成分の有効量を含有する。有効成分の用量は、温血動物の種、体重、年齢および個々の状態、個々の薬物動態学的状況、処置されるべき疾患および投与の種類に依存する。
以下の実施例により本発明を説明する。
Figure 2006504710
示差走査熱量測定(DSC)
DSC試験を、Perkin Elmer DSC 7装置またはPerkin Elmer Pyris DSCで行う。約2〜4mgの医薬物質を金製サンプルパンに置き、これを窒素下で密閉し、加熱相中の酸化を防ぐ。10℃/分の加熱速度を25℃〜210℃に適用する。
粉末X線回折(PXRD)
PXRDを、CuKα照射を用いるPhilips 1710 粉末X線回折装置で行う。X線管を40kVの電圧および40mAの電流で操作する。0.02°のステップサイズ、およびステップあたり2.4秒の計測時間を適用する。
赤外スペクトル(IR)
IRを、Perkin-Elmer BX II FT-IRスペクトロメーターで行う。約1mgの医薬物質をKBrペレットに圧縮する。2cm−1の分解能にて12スキャンを得る。多形の特長化のために、ATR−IRを、Greasby Specac Golden Gate Diamond ATR Accessory, Serial No. 2585を用いて行う。約10mgの試験物質を、70cNmを用いてATRセル中で圧縮する。
実施例1:10−オキソ−10,11−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボン酸 アミドからR(−)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドへのエナンチオ選択的移動水素化のための手順
CHCl(15ml)中の10−オキソ−10,11−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボン酸アミド(300mg、1.189mmol)およびRuCl[(1R,2R)−p−TsNCH(C)CH(C)NH](η−p−シメン、Aldrich, Switzerland)(8.8mg、0.0138mmol)の混合物に、ギ酸およびNEt(5:2、328mg:289mg)の予め混合した溶液を23℃にて滴下し、そして10分間撹拌する。透明な溶液を16時間加熱還流する。反応混合物を室温まで冷却し、CHCl(20ml)で希釈し、そして水性NaHCOで中和する。ブラインでの洗浄後、溶液を減圧下で濃縮する。残渣を、溶出液として6:1 EtOAc−MeOH混合物を用いるシリカゲルのフラッシュクロマトグラフィーにより精製すると、R(−)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを得る(Chiracel ODを付けたHPLCにより測定されたエナンチオ的純度(ee)>99%)。保持時間:9.46分。[α] rt=−195.3°(エタノール)。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): 7.70-7.20 (m, 8 H), 5.30 (br s, 1 H), 5.10-4.60 (br s, 2 H), 3.75-3.40 (m, 1 H), 3.20-2.90 (m, 1 H), 2.50 (br s, 2 H).
NMRデータについては文献を参照:Benes, J et al., J. Med. Chem. 1999, 42, 2582-2587. 分子量:254.291
実施例2:10−オキソ−10,11−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボン酸 アミドからS(+)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドへのエナンチオ選択的移動水素化のための手順
CHCl(15ml)中の10−オキソ−10,11−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボン酸アミド(300mg、1.189mmol)およびRuCl[(1S,2S)−p−TsNCH(C)CH(C)NH](η−p−シメン)(11mg、0.0173mmol)の混合物に、23℃にてギ酸およびNEt(5:2、656mg:578mg)の予め混合した溶液を2回に分けて添加し、そして10分間撹拌する。ギ酸(50μl)の添加後、透明溶液を16時間加熱還流する。反応混合物を室温まで冷却し、CHCl(20ml)で希釈し、そして水性NaHCOで中和する。ブラインで洗浄後、溶液を減圧下で濃縮する。残渣を、溶出液として6:1 EtOAc−MeOH混合物を用いるシリカゲルのフラッシュクロマトグラフィーにより精製すると、S(+)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを得る(Chiracel ODを付けたHPLCによりee>99%)。保持時間:12.00分。[α] rt=+196.6°(エタノール)。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): 7.70-7.20 (m, 8 H), 5.30 (br s, 1 H), 5.10-4.60 (br s, 2 H), 3.75-3.40 (m, 1 H), 3.20-2.90 (m, 1 H), 2.50 (br s, 2 H).
NMRデータについては文献を参照:Benes, J et al., J. Med. Chem. 1999, 42, 2582-2587. 分子量:254.291
別の製法:CHCl(15ml)中の10−オキソ−10,11−ジヒドロ−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボン酸アミド(300mg、1.189mmol)およびRuCl[(1S,2S)−p−ダンシルNCH(C)CH(C)NH](η−p−シメン)(8.5mg、0.012mmol)の混合物に、23℃にてギ酸およびNEt(5:2、328mg:289mg)の予め混合した溶液を滴下し、そして10分間撹拌する。透明な溶液を16時間加熱還流する。反応混合物を室温まで冷却し、CHCl(20ml)で希釈し、そして水性NaHCOで中和する。ブラインでの洗浄後、溶液を減圧下で濃縮する。残渣を、溶出液として6:1 EtOAc−MeOH混合物を用いるシリカゲルのフラッシュクロマトグラフィーにより精製すると、S(+)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンゾ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを得る。
実施例3:RuCl[(1S,2S)−p−ダンシルNCH(C)CH(C)NH](η−p−シメン)の製造
a)(S,S)−5−ジメチルアミノ−ナフタレン−1−スルホン酸(2−アミノ−1,2−ジフェニル−エチル)−アミドの製造:(S,S)−ジフェニルエチレンジアミン(250mg、1.2mmol)およびトリエチルアミン(0.5ml)のTHF溶液に、ダンシルクロライド(318mg、1.2mmol)のTHF(2ml)溶液を0℃にて滴下する。室温にて16時間撹拌した後に、溶媒を真空中で除去し、そして残渣を塩化メチレン(20ml)に溶かす。有機溶液をNaHCO溶液(5ml)で洗浄し、NaSOで乾燥し、そして濾過後、溶媒を除去する。フラッシュクロマトグラフィーにより、黄色のオイルとして(S,S)−5−ジメチルアミノ−ナフタレン−1−スルホン酸(2−アミノ−1,2−ジフェニル−エチル)−アミドを得、これを真空中で乾燥することにより結晶化させる。M:445.59。
1H-NMR (400 MHz, CDCl3): 8.36 (t, J=7.5 Hz, 2 H), 8.17 (dd, J=7.2, 1.2 Hz, 1 H), 7.47 (dd, J=8.8 Hz, 1 H), 7.34 (dd, J=8.5 Hz, 1 H), 7.24-7.16 (m, 4 H), 7.11 (d, J=7.5 Hz, 1 H), 6.99-6.74 (m, 6 H), 4.61 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 4.20 (d, J=8.5 Hz, 1 H), 2.80 (s, 6 H).
b)RuCl[(1S,2S)−p−ダンシルNCH(C)CH(C)NH](η−p−シメン)の製造:(S,S)−5−ジメチルアミノ−ナフタレン−1−スルホン酸(2−アミノ−1,2−ジフェニル−エチル)−アミド(80mg、0.18mmol)、NEt(36mg、0.36mmol)および[RuCl(p−シメン)](55mg、0.09mmol)の2−プロパノール溶液を80℃にて1時間加熱する。その後、溶媒を除去し、暗赤色の残渣を水(2ml)で洗浄する。固体を真空中で乾燥し、そして全く精製することなく使用する。M:715.34。
実施例4:(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形B
120mgの結晶形Aの(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを1.0mlのアセトンに懸濁させ、そして得られた懸濁液をマグネチックスターラーで21〜25℃にて160時間撹拌する。生成物を濾過し、そして室温にて風乾すると、白色の結晶の形態で結晶形Bの(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを得る。
実施例5:(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形B
120mgの結晶形Aの(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを1.0mlのアセトンに懸濁させ、そして得られた懸濁液をマグネチックスターラーで21〜25℃にて24時間撹拌する。生成物を濾過し、そして室温にて風乾すると、白色の結晶の形態で結晶形Bの(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを得る。

Claims (21)

  1. 式IaまたはIb
    Figure 2006504710
    〔式中、
    およびRは、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アミノまたはニトロであり;そして
    およびRは、それぞれ独立して、水素またはC−Cアルキルである。〕
    で示される化合物の製造方法であって、
    式II
    Figure 2006504710
    〔式中、R、R、RおよびRは、式IaまたはIbの化合物について定義したとおりである。〕
    の化合物を、式(IIIa)、(IIIb)、(IVa)、(IVb)、(Va)、(Vb)、(VIa)または(VIb)
    Figure 2006504710
    〔式中、
    Mは、Ru、Rh、Ir、Fe、CoまたはNiであり;
    は、水素であり;
    は、アリールまたはアリール−脂肪族残基を表し;
    Halは、ハロゲンであり;
    は、脂肪族、環状脂肪族、環状脂肪族−脂肪族、アリールまたはアリール−脂肪族残基であり、これは、それぞれの場合において、ポリマーと結合していてもよく;
    およびRは、それぞれ独立して、脂肪族、環状脂肪族、環状脂肪族−脂肪族、アリールまたはアリール−脂肪族残基であり;
    およびRは、それぞれ独立して、フェニルであるか、またはRおよびRは、それらが結合している炭素原子と一体となってシクロヘキセンまたはシクロペンテン環を形成し;そして
    17は、H、アルキル、ハロゲン、アミノ、ジアルキルアミノ、ニトロまたはC−Cアルコキシである。〕
    で示される化合物からなる群から選択される還元剤の存在下で還元する工程を含む方法。
  2. 式I'aまたはI'b
    Figure 2006504710
    で示される化合物の製造のための、請求項1に記載の方法。
  3. 移動水素化工程が含水溶媒系で起こる、請求項1に記載の方法。
  4. 移動水素化工程が不活性ガスの不存在下で起こる、請求項3に記載の方法。
  5. 式III'aおよびIII'b
    Figure 2006504710
    〔式中、
    Mは、Ru、Rh、Ir、Fe、CoまたはNiであり;
    は、水素であり;
    は、アリールまたはアリール−脂肪族残基を表し;
    およびRは、それぞれ独立して、フェニルであるか、またはRおよびRは、それらが結合している炭素原子と一体となってシクロヘキセンまたはシクロペンテン環を形成し
    5'は、式
    Figure 2006504710
    〔式中、
    nは、0、1、2、3、4、5、6または7であり;
    Xは、OまたはSであり;
    10は、ポリスチロールであり;
    11は、シリカゲルであり;
    12は、架橋ポリスチロールであり;
    13は、ポリエチレン−グリコールであり;
    14は、C−Cアルキルであり;そして
    mは、1、2または3である。〕
    で示される化合物またはその塩。
  6. 12.6、8.8、7.5、6.28、5.24、4.93、3.84、3.74、3.42Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Aを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
  7. 8.9、7.8、6.8、6.3、5.59、4.13、3.90、3.69、3.29、2.60Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Bを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
  8. 12.6、8.8、7.5、6.28、5.24、4.93、3.84、3.74、3.42Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Aを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
  9. 8.9、7.8、6.8、6.3、5.59、4.13、3.90、3.69、3.29、2.60Åの格子面間隔を有する粉末X線回折ダイアグラムにより特徴づけられる、修飾結晶形Bを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
  10. 122J/gおよび136J/gの融解エンタルピーにより特徴づけられる、(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの無水結晶形。
  11. 5%未満の修飾結晶形Aを含む請求項7に記載の修飾結晶形Bを有する(R)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
  12. 5%未満の修飾結晶形Aを含む請求項9に記載の修飾結晶形Bを有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶形。
  13. 193.0〜197.0℃の融点を有する(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの修飾結晶形。
  14. 医薬上許容される担体とともに請求項6〜13の少なくとも1項に記載の修飾結晶形を含んでなる医薬組成物。
  15. 処置を必要としている温血動物に癲癇を処置するのに有効な請求項6〜13の少なくとも1項に記載の10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの用量を投与することによる、癲癇を患う温血動物の処置方法。
  16. 癲癇の処置における請求項6〜13の少なくとも1項に記載の結晶形の使用。
  17. 医薬調製物の製造における請求項6〜13の少なくとも1項に記載の10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの新規結晶形の使用であって、この種の結晶形が1またはそれ以上の医薬上許容される担体と混合される、使用。
  18. (a)(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドが式I'aまたはI'bの化合物のエナンチオ選択的製造のための請求項2〜4のいずれか1項に記載の方法にしたがって製造され、そして
    (b)修飾結晶形Aを有するかまたはアモルファス形態である得られた生成物が適当な溶媒中で相平衡に付される、
    結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法。
  19. (a)(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドが式I'aまたはI'bの化合物のエナンチオ選択的製造のために請求項2〜4のいずれか1項に記載の方法にしたがって製造され、そして
    (b)修飾結晶形Aを有するか、またはアモルファス形態である得られた生成物を適当な溶媒に溶かし、そして修飾結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶をそれぞれ添加する、
    結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法。
  20. 修飾結晶形Aを有するか、またはアモルファス形態である(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドが適当な溶媒中で相平衡に付される、(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法。
  21. 修飾結晶形Aを有するか、あるいはアモルファス形態である(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドを適当な溶媒に溶かし、そして修飾結晶形Bを有する(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの結晶をそれぞれ添加する、
    結晶形Bの(R)−または(S)−10,11−ジヒドロ−10−ヒドロキシ−5H−ジベンズ[b,f]アゼピン−5−カルボキサミドの製造方法。

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