JP2006350039A - レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のレジスト組成物は、タンニン及びその誘導体のいずれかを少なくとも含む。本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像する。本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。
【選択図】 なし
Description
しかし、これらのポリマーを用いたレジスト組成物は、現像液に溶解する単位分子が巨大なポリマー分子であることから、解像時のパターン端に数十nmオーダーのラフネス(以下、「ナノエッジラフネス」と称することがある)を生じ、近年、ますますパターンが微細化されるにつれて、該ナノエッジラフネスの発生が大きな問題となっている。
しかし、これらの分子レジストは、特殊な分子形状をしており高価(1グラム数千円〜数万円)であり、ポリマーと比較して結晶性が高いため成膜性が低く、塗布液として用いる場合には、溶媒として有機溶媒しか使用することができないこと、現像に専用の現像液が必要とされること、及びレジスト膜の剥離に専用剥離液が必要とされることから、コスト及び環境への負荷が増大するという問題がある。
前記タンニンの使用例としては、例えば、有機物の一例として架橋剤や重合開始剤が添加されて使用されることが知られているが(特許文献1〜2参照)、この場合、無機繊維を練り込んで積層し、印刷配線ボード用の所謂プリプレグを作製するために使用するものであり、パターニングするために用いられるレジストとして使用するものではない。また、前記特許文献1及び2には、リグニン(木材の成分)については記載されているが、タンニンがどのように使用されるかという点については、何ら開示されていない。
また、タンニンは、感光性組成物の成分として使用可能なことが知られている(特許文献3〜7)。しかし、これらの場合、タンニンはポリマーの構成単位であり、タンニンを共重合してポリマー化してから使用しているため、ナノエッジラフネスの低減、コスト削減、及び環境負荷低減を図ることができないという問題がある。
ナノエッジラフネスの発生を抑制可能で微細かつ高精細なレジストパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能で、しかも環境への負荷が小さいレジスト組成物、該レジスト組成物を用い、問題を生じ得るナノエッジラフネスがなく微細かつ高精細なレジストパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターンの形成方法、前記レジスト組成物を用い、問題を生じ得るナノエッジラフネスがなく微細かつ高精細なレジストパターンを形成可能であり、該レジストパターンを用いて形成した微細な配線パターンを有する高性能な半導体装置を効率的に量産可能な半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造され、微細な配線パターンを有し、高性能な半導体装置を提供することを目的とする。
本発明のレジスト組成物は、いわゆる「分子レジスト」としての作用効果を示すものであり、タンニン及びその誘導体のいずれかを少なくとも含むことを特徴とする。該レジスト組成物は、前記タンニン及びその誘導体がモノマー分子である分子レジストであり、該レジスト組成物においては、巨大なポリマー分子を用いた場合に生ずるナノエッジラフネス(解像時のパターン端に生ずる数十nmオーダーのラフネス)の発生が抑制される。即ち、本発明のレジスト組成物を用いて配線層100上にレジスト層102を形成すると、図10Aに示すように、レジスト層102が複数の微小なタンニン分子104で構成されるため、露光及び現像後に形成されたレジストパターン106においては、図10Bに示すように、パターン寸法の差が小さく、ナノエッジラフネスの発生が抑制される。一方、従来のレジスト組成物を用いて配線層100上にレジスト層110を形成すると、図11Aに示すように、レジスト層110が大きさの異なる複数の巨大なポリマー分子112で構成されるため、露光及び現像後に形成されたレジストパターン114においては、図11Bに示すように、パターン寸法の差が大きく、大きなナノエッジラフネスが発生する。該ナノエッジラフネスの発生は、パターンエッジ116においてポリマー分子112が現像時に除去されるかどうかにより相違し、該相違によりパターン寸法の違いが顕著に現れる。
また、前記タンニン及びその誘導体は、低分子であるにもかかわらず成膜性が良好である。このため、微細かつ高精細なレジストパターンの形成に好適に使用可能である。更に、前記タンニン及びその誘導体は水溶性であるため、塗布溶媒及び現像液として水を使用することができ、コスト及び環境への負荷が低減され、特に前記タンニンが天然物である場合には、より環境への負荷が低減される。
該半導体装置の製造方法では、まず、前記レジストパターン形成工程において、配線パターン等のパターンを形成する対象である前記被加工表面上に本発明の前記レジスト組成物を用いてレジスト膜が形成された後、露光され、現像される。すると、問題を生じ得るナノエッジラフネスがなく微細かつ高精細なレジストパターンが形成される。次に、前記パターニング工程においては、前記レジストパターン形成工程において形成されたレジストパターンをマスクとして用いてエッチングを行うことにより、前記被加工表面が微細かつ高精細にしかも寸法精度よくパターニングされ、極めて微細かつ高精細で、しかも寸法精度に優れた配線パターン等のパターンを有する高品質かつ高性能な半導体装置が効率よく製造される。
本発明のレジスト組成物は、タンニン及びその誘導体のいずれかを少なくとも含んでなり、必要に応じて適宜選択した、架橋剤、アルコール類、ピナコール類、酸発生剤、溶媒、その他の成分などを含んでなる。
前記タンニンは、植物から抽出され、動物の皮をなめすことができる物質の総称であり、一般的には植物が動物に刺された部分等に特に多く存在するため、該部分から抽出することができる。
前記タンニンは、通常、100グラム2千円程度であり、安価に入手可能である。また、重量平均分子量としては、500〜20,000程度であり、低分子量であるにもかかわらず、成膜性が良好である。
前記タンニンには、加水分解型タンニンと縮合型タンニンとがあり、これらの分子構造は複雑で、単一成分ではないのが通常である。
前記保護基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、置換反応が容易で、前記保護基の比率をコントロールし易く、少量の前記保護基で水溶性を大きく変えることが可能である点で、例えば、アルキル基、フェニル基などが好適に挙げられる。
なお、レジスト組成物の塗布性の向上を目的として、例えば、界面活性剤等を少量添加することがあり、該界面活性剤が前記ポリマー成分に該当することがあるが、この場合でも、その添加量が前記レジスト組成物の固形分に対する質量比で1/100を超えることはない。
前記架橋剤は、前記タンニン及びその誘導体と併用することにより、該タンニン及びその誘導体どうしを架橋反応させて高分子量化及びゲル化させることができる。このため、本発明のレジスト組成物を水不溶化させることができ、ネガ型レジストとして使用することができる。
前記架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、メラミン誘導体、ユリア誘導体、ウリル誘導体、ピロガロール誘導体などが好適に挙げられる。
前記アルコールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、1,4−ジ(ヒドロキシメチル)ベンゼン、2,6−ビス(ヒドロキシメチル)−p−クレゾールなどが挙げられる。
前記含有量が、5質量部未満であると、反応性に劣り、露光感度が低下して膜減りが顕著となることがあり、50質量部を超えると、成膜性が低下することがある。
前記架橋剤を添加して前記タンニン及びその誘導体をゲル化させる代わりに、前記アルコール類、前記ピナコール類などを添加し、前記タンニン及びその誘導体を極性変化させ
ることにより、本発明の前記レジスト組成物をネガ型レジストとして機能させることができる。
前記アルコール類としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、1−アダマンタノール、2−アダマンタノール、2−メチル−2−アダマンタノール、ベンジルアルコールなどが好適に挙げられる。
前記ピナコール類としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ピナコール、ベンゾピナコールなどが好適に挙げられる。
前記含有量が、5質量部未満であると、反応性に劣り、露光感度が低下して膜減りが顕著となることがあり、50質量部を超えると、成膜性が低下することがある。
前記酸発生剤は、添加することにより、露光による反応を有効に開始させることができる。
前記酸発生剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記構造式(11)〜(18)で表されるハロゲン化有機物、下記構造式(19)〜(33)で表されるスルホン酸エステル、下記構造式(34)〜(37)で表される各種オニウム塩などが好適に挙げられる。これらの中でも、露光感度及び解像性に優れる点で、前記オニウム塩が特に好ましい。
前記使用量が、1質量部未満であると、反応性に劣り、露光感度が低下することがあり、30質量部を超えると、成膜性が低下し、コントラストが低下して解像性が悪化することがある。
前記タンニン及びその誘導体の少なくともいずれかは、前記溶媒に溶解されてなるのが好ましい。この場合、前記レジスト組成物を塗布液として使用することができる。
前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、塗布溶媒として一般的に使用されている、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、水、などが挙げられる。これらの中でも、コスト及び環境への負荷を低減することができる点で、水が好ましい。
前記水は、中性であるのが好ましく、該水のpHとしては、例えば、4〜10が好ましい。該pHが4未満であると、溶液全体が酸性に傾くため前記レジスト組成物の反応が露光しなくても進み、該レジスト組成物の保存安定性に悪影響を及ぼすことがあり、10を超えると、反応性が低下し、露光感度が低下することがある。
前記その他の成分としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の各種添加剤が挙げられ、例えば、前記レジスト組成物の溶解性や塗布性の向上を目的とした場合には、イソプロピルアルコール、界面活性剤などを添加することができる。
前記界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、金属イオンを含有しない点で非イオン性界面活性剤が好ましい。
前記カチオン性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド型4級カチオン系界面活性剤、エステル型4級カチオン系界面活性剤などが挙げられる。
前記両性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アミンオキサイド系界面活性剤、ベタイン系界面活性剤などが挙げられる。
前記界面活性剤の前記レジストカバー膜形成材料における含有量としては、前記アルカリ可溶性基を少なくとも有するケイ素含有ポリマー、前記有機溶剤等の種類や含有量などに応じて適宜決定することができる。
エッチング速度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ガス種、圧力、電圧などにより変化し、例えば、電極電圧50W/cm2、圧力0.03Torrの条件で、四フッ化炭素と酸素との比が96:4である混合気体をエッチングガスとして用いた場合、一般的に使用されるノボラックレジストのエッチング速度に対して、125%以下が好ましく、充分に実用に耐えることが可能な点で、110%以下がより好ましい。
なお、前記エッチング速度は、例えば、公知のエッチング装置を用いて所定時間エッチング処理を行い試料の減膜量を測定し、単位時間当たりの減膜量を算出することにより測定することができる。
また、本発明の前記レジスト組成物は、エッチング用途に好適であり、本発明のレジストパターンの形成方法、本発明の半導体装置の製造方法などに特に好適に使用することができる。
本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工表面上に本発明の前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
前記レジスト膜形成工程は、前記被加工表面上に本発明の前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程である。
前記レジスト膜は、公知の方法、例えば塗布等により形成することができる。該塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。該スピンコート法の場合、その条件としては例えば、回転数が100〜10,000rpm程度であり、800〜5,000rpmが好ましく、時間が1秒〜10分程度であり、1秒〜90秒が好ましい。
前記塗布の際の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記塗布の際乃至その後で、塗布した前記レジスト組成物をベーク(加温及び乾燥)するのが好ましく、その条件、方法などとしては、前記レジスト膜を軟化させない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、その温度としては、40〜150℃程度が好ましく、80〜120℃がより好ましく、また、その時間としては、10秒〜5分程度が好ましく、30秒〜90秒がより好ましい。
前記露光工程は、前記レジスト膜に対して露光光を照射する工程である。
前記露光は、公知の露光装置により好適に行うことができ、前記レジスト膜に対し前記露光光が照射されることにより行われる。該露光光の照射は、前記レジスト膜の一部の領域に対して行われることにより、該一部の領域が硬化され、後述の現像工程において、該硬化させた一部の領域以外の未硬化領域が除去されてレジストパターンが形成される。
前記現像工程は、前記露光工程により前記レジスト膜を露光し、該レジスト膜の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、レジストパターンを形成する工程である。
前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、水溶性である前記タンニン及びその誘導体を含む本発明の前記レジスト組成物により形成されたレジスト膜を溶解除去することができる点で、水を少なくとも含むのが好ましい。該水の使用により、環境への負荷を低減することができ、現像後の廃現像液も、その大部分が前記水と天然物である前記タンニン等からなるため、処理コストを低減することができる。
前記現像を行うことにより、前記レジスト膜の前記露光光が照射されていない部分が溶解除去され、レジストパターンが形成(現像)される。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体装置の製造方法により得られる。
本発明の半導体装置の製造方法は、レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
前記レジストパターン形成工程は、被加工表面上に本発明の前記レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成する工程である。該レジストパターン形成工程により、前記被加工表面上にレジストパターンが形成される。
該レジストパターン形成工程における詳細は、本発明の前記レジストパターンの形成方法と同様である。
なお、前記被加工表面としては、半導体装置における各種部材の表面層が挙げられるが、シリコンウェハー等の基板乃至その表面、各種酸化膜などが好適に挙げられる。前記露光の方法は上述した通りである。前記レジストパターンは上述した通りである。
前記パターニング工程は、前記レジストパターンをマスクとして用いて(マスクパターンなどとして用いて)、エッチングにより前記被加工表面をパターニングする工程である。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ドライエッチングが好適に挙げられる。該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、レジストパターン剥離工程などが挙げられる。
前記レジストパターン剥離工程は、前記パターニング工程の後、前記レジストパターンを剥離する工程であり、例えば、剥離液を用いて行うことができる。
前記アルカリ水溶液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液等のアルカリ現像液などをそのまま使用することができるが、前記アルカリ水溶液のpHとしては、13以上であるのが好ましい。
前記pHが13未満であると、前記タンニンの加水分解が遅くなり、前記レジストパターンの剥離に長時間を要することがある。
−レジスト組成物の調製−
下記組成に基づいて、レジスト組成物(塗布液)を調製した。
チャイナタンニン(前記加水分解型タンニン、関東化学製)・・・100質量部
下記構造式(9)で表されるウリル誘導体(前記架橋剤、三和ケミカル製)・・・20質量部
トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート(前記酸発生剤、みどり化学製)・・・3質量部
乳酸エチル(前記溶媒、関東化学製)・・・1,000質量部
得られたレジスト組成物(塗布液)を、シリコンウェハー上に0.3μmの厚みに塗布し、110℃にて1分間プリベークを行い、これを露光試料とした。該露光試料に対して、波長248nmの露光光を照射して露光を行い、更に110℃にて1分間ベークを行った後、pHが7の水を用いて20秒間にわたって現像を行った。このときの前記露光試料の感度曲線を図1に示した。また、露光光として電子線を用いた場合の前記露光試料の感度曲線を図2に示した。
図1及び図2より、本発明のレジスト組成物は、ネガ型レジストとしての挙動を示すことが判った。
次いで、前記現像後の露光試料を、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム溶液(日本ゼオン製、pH=14)に浸漬したところ、前記露光試料における残膜部(露光部分)が2秒以内に消失し、該残膜部がアルカリ水溶液により剥離可能であることが判った。
実施例1において、前記架橋剤としてのウリル誘導体を、下記構造式(8)で表されるユリア誘導体、下記構造式(38)で表されるピロガロール誘導体、及び下記構造式(7)で表されるメラミン誘導体に、それぞれ代えた以外は、実施例1と同様にしてレジスト組成物を調製し、得られたレジスト組成物の特性評価実験を行った。
次いで、現像後の露光試料を、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム溶液(ゼオン製)に浸漬したところ、前記露光試料における残膜部(露光部分)が2秒以内に消失し、該残膜部がアルカリ水溶液により剥離可能であることが判った。
実施例1において、前記架橋剤としてのウリル誘導体を、極性変化を付与する1−アダマンタノール(関東化学製)に代えた以外は、実施例1と同様にしてレジスト組成物を調製し、得られたレジスト組成物の特性評価実験を行った。
次いで、現像後の露光試料を、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム溶液(ゼオン製)に浸漬したところ、前記露光試料における残膜部(露光部分)が2秒以内に消失し、該残膜部がアルカリ水溶液により剥離可能であることが判った。
実施例1において、前記溶媒としての乳酸エチル1,000質量部を、水700質量部及びイソプロピルアルコール70質量部に変えた以外は、実施例1と同様にしてレジスト組成物を調製し、得られたレジスト組成物の特性評価実験を行った。なお、前記イソプロピルアルコールは、前記タンニン等の溶解性を向上させる目的で添加した。
得られたレジスト組成物は、塗布性が良好であり、前記溶媒として水を好適に使用することができることが判った。
次いで、現像後の露光試料を、2.38質量%水酸化テトラメチルアンモニウム溶液(ゼオン製)に浸漬したところ、前記露光試料における残膜部(露光部分)が2秒以内に消失し、該残膜部がアルカリ水溶液により剥離可能であることが判った。
実施例1において、前記チャイナタンニンを、水酸基の一部を保護基で置換(ブロック)したタンニンに代えた以外は、実施例1と同様にして、レジスト組成物を調製し、得られたレジスト組成物の特性評価実験を行った。
トルコタンニン(前記加水分解型タンニン、稲垣薬品興業製)5グラムを、THF(テトラヒドロフラン)200mlに溶解させ、これに酸化銀(I)0.9グラムを添加して攪拌した。これに、30分間にわたって、ヨードメタン1グラム及びTHF50mlを滴下し、2時間室温にて攪拌及び濾過を行って精製し、水酸基の一部がメチル基(前記保護基)で置換(ブロック)されたタンニンを得た。
下記組成に基づいて、レジスト組成物を調製した。
水酸基の一部がメチル基でブロックされたタンニン・・・100質量部
1,1,2,2−テトラフェニル−1,2−エタンジオール(前記架橋剤、アルドリッチ製)・・・20質量部
トリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネート(前記酸発生剤、みどり化学)・・・3質量部
乳酸エチル(前記溶媒、関東化学製)・・・1,000質量部
実施例1と同様な方法により作製した露光試料の感度曲線を図6に示した。また、比較として、前記水酸基が保護基で置換(ブロック)されていないタンニンを用いて作製した露光試料の感度曲線を図6に併せて示した。
図6より、水酸基が保護基でブロックされていないタンニンは、高露光量域において膜減りに起因するとみられる凹凸が観られるが、水酸基がメチル基でブロックされたタンニンは、膜減りが低減されていることが判った。これは、水酸基の一部がメチル基でブロックされたことにより、現像溶解速度が小さくなり、膜減りが抑制されたためであると考えられる。
−レジストパターンの形成−
実施例1〜5で得られたレジスト組成物(塗布液)を、シリコンウェハー上に0.3μmの厚みとなるように塗布し、レジスト膜を形成した。次いで、該レジスト膜に対してKrFエキシマレーザー光を、0.3μmのライン&スペースパターン状に照射した後、pHが7の水を用いて現像し、レジストパターンを形成した。得られたレジストパターンについて、下記方法によりナノエッジラフネスを測定した。また、前記レジスト膜について、下記方法によりエッチン耐性を評価した。
得られたレジストパターンを、走査型電子顕微鏡(SEM)(「S−4500」:日立製作所製)を用いて観察し、該観察した領域にて、レジストパターン端部における最も大きな凹凸差をナノエッジラフネスとして測定した。
その結果、実施例1〜5で得られたレジスト組成物を用いて形成したレジストパターンは、いずれもナノエッジラフネス(凹凸差)が5nm以内であった。
また、実施例6では、水を用いて現像を行ったので、コスト及び環境への負荷を低減することができ、現像後の廃液現像も、その大部分が前記タンニン及び水であるので、処理コストを低減することができた。
実施例1〜5で得られたレジスト組成物(塗布液)によるレジスト膜に対し、エッチング装置(平行平板型RIE装置、富士通(株)製)を用いて、電極電圧50W/cm2、圧力=0.03Torrの条件で、四フッ化炭素と酸素との比が96:4である混合気体をエッチングガスとして、3分間エッチングを行い、レジスト膜の減膜量を測定し、エッチング速度を算出した。また、比較として、ノボラックレジストであるAZ 6100(AZ エレクトロニックマテリアルズ)についても同様に測定し、該ノボラックレジストのエッチング速度を基準として、相対評価を行った。結果を表1に示す。
実施例6において、前記タンニンを、ポリマーとしてのポリビニルフェノール及びノボラックにそれぞれ代えた以外は、実施例6と同様にしてレジスト組成物を調製し、レジストパターンを形成し、ナノエッジラフネスを測定した。その結果、ポリビニルフェノールを用いて形成したレジストパターンにおけるナノエッジラフネス(凹凸差)は約20nmであり、ノボラックを用いて形成したレジストパターンにおけるナノエッジラフネスは約30nmであった。
−MOSトランジスタの製造−
以下のようにして、MOSトランジスタを製造した。図8Aに示すように、シリコン基板1の表面にゲート酸化膜2を形成し、ポリシリコン膜3をCVDにより形成し、リンなどのn型不純物を注入して低抵抗化した。その後、スパッタあるいはCVDによりWSi膜4を形成した。次いで、図8Bに示すように、本発明のレジスト組成物5を塗布した後、プリベークを行い、電子線又はエキシマレーザーにより露光し、露光後ベーク、異方性エッチングを行い、WSi膜4及びポリシリコン膜3をエッチングし、ポリシリコン膜3及びWSi膜4からなるゲート電極を形成した。次に、イオン注入によりリンを注入してLDD構造のN−拡散層6を形成した。図8Cに示すように、レジスト剥離後、CVDにより酸化膜7を全面に形成した。次に、図8Dに示すように、酸化膜7を異方性エッチングし、WSi膜4及びポリシリコン膜3からなるゲート電極側壁部サイドウォール8を形成した。次に、WSi膜4及びサイドウォール8をマスクとしてイオン注入によりN+拡散層9を形成した。図8Eに示すように、これを活性化させるために窒素雰囲気中で熱処理し、その後、酸素雰囲気中で加熱しゲート電極を熱酸化膜10で覆った。その後、図8Fに示すように、層間絶縁膜11をCVDにより形成し、更に層間絶縁膜11にコンタクトホールを開孔し、アルミ配線12を形成しNチャンネルの微細MOSトレンジスタを完成した。
−薄膜磁気ヘッドの製造−
実施例8は、本発明のレジスト組成物を用いて形成したレジストパターンの応用例としての薄膜磁気ヘッドの製造に関する。
そして、図9Cに示すように、レジスト膜30(レジストパターン)をマスクとして、イオンミリングにより磁気抵抗硬化膜26をテーパー状にエッチングした。
次に、得られた微細パターンをマスクとして、FeNi膜44をパターニングした後、ライト磁極48を形成し、薄膜磁気ヘッドを製造した。
(付記1) タンニン及びその誘導体のいずれかを少なくとも含むことを特徴とするレジスト組成物。
(付記2) ポリマー成分の含有量が、レジスト組成物の固形分に対する質量比で1/100以下である付記1に記載のレジスト組成物。
(付記3) レジスト膜形成時のレジスト組成物におけるタンニン及びその誘導体のいずれかの含有量の質量比が、他の成分の中で最も大きい付記1から2のいずれかに記載のレジスト組成物。
(付記4) タンニン及びその誘導体における水酸基の少なくとも一部が、保護基により置換された付記1から3のいずれかに記載のレジスト組成物。
(付記5) 保護基が、アルキル基及びフェニル基から選択される少なくとも1種である付記4に記載のレジスト組成物。
(付記6) 架橋剤を含む付記1から5のいずれかに記載のレジスト組成物。
(付記7) 架橋剤が、メラミン誘導体、ユリア誘導体、ウリル誘導体、及びピロガロール誘導体から選択される少なくとも1種である付記6に記載のレジスト組成物。
(付記8) アルコール類及びピナコロール類から選択される少なくとも1種を含む付記1から7のいずれかに記載のレジスト組成物。
(付記9) 酸発生剤を含む付記1から8のいずれかに記載のレジスト組成物。
(付記10) タンニン及びその誘導体の少なくともいずれかが溶媒に溶解されてなり、該溶媒が少なくとも水を含む付記1から9に記載のレジスト組成物。
(付記11) 水のpHが、4〜10である付記10に記載のレジスト組成物。
(付記12) エッチング用レジスト組成物である付記1から11のいずれかに記載のレジスト組成物。
(付記13) 得られたレジスト膜のエッチング速度が、電極電圧50W/cm2、圧力0.03Torrの条件で、四フッ化炭素と酸素との比が96:4である混合気体をエッチングガスとして用いてエッチングを行ったとき、ノボラックレジストのエッチング速度の125%以下である付記1から12のいずれかに記載のレジスト組成物。
(付記14) 被加工表面上に付記1から13のいずれかに記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
(付記15) 現像が、水を用いて行われる付記14に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記16) 水のpHが、4〜10である付記15に記載のレジストパターンの形成方法。
(付記17) 被加工表面上に付記1から13のいずれかに記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記18) パターニング工程の後に、レジストパターンをアルカリ水溶液を用いて剥離する付記17に記載の半導体装置の製造方法。
(付記19) アルカリ水溶液のpHが13以上である付記18に記載の半導体装置の製造方法。
(付記20) 付記17から19のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
本発明のレジストパターンの形成方法は、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、LCD(液晶ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプレイパネル)、SAWフィルタ(弾性表面波フィルタ)等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置の製造に好適に適用することができ、本発明の半導体装置の製造方法に好適に用いることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、フラッシュメモリ、DRAM、FRAM、等を初めとする各種半導体装置、特に本発明の半導体装置の製造に好適に用いることができる。
2 ゲート酸化膜
3 ポリシリコン膜
4 WSi膜
5 レジスト組成物
6 N−拡散層
7 酸化膜
8 ゲート電極側壁部サイドウォール
9 N+拡散層
10 熱酸化膜
11 層間絶縁膜
12 アルミ配線
20 基板
22 シールド膜
24 ギャップ絶縁膜
26 磁気抵抗効果膜
28 PMGI膜
30 レジスト膜(レジストパターン)
32 TiW膜
34 MR素子
36 電極
38 ギャップ絶縁膜
40 シールド膜
42 ギャップ膜
44 FeNi膜
46 レジスト膜
48 ライト磁極
100 配線層
102,110 レジスト層
104 タンニン分子
106,114 レジストパターン
112 ポリマー分子
Claims (10)
- タンニン及びその誘導体のいずれかを少なくとも含むことを特徴とするレジスト組成物。
- ポリマー成分の含有量が、レジスト組成物の固形分に対する質量比で1/100以下である請求項1に記載のレジスト組成物。
- レジスト膜形成時のレジスト組成物におけるタンニン及びその誘導体のいずれかの含有量の質量比が、他の成分の中で最も大きい請求項1から2のいずれかに記載のレジスト組成物。
- タンニン及びその誘導体における水酸基の少なくとも一部が保護基により置換され、該保護基が、アルキル基及びフェニル基から選択される少なくとも1種である請求項1から3のいずれかに記載のレジスト組成物。
- 架橋剤を含み、該架橋剤がメラミン誘導体、ユリア誘導体、ウリル誘導体、及びピロガロール誘導体から選択される少なくとも1種である請求項1から4のいずれかに記載のレジスト組成物。
- アルコール類及びピナコロール類から選択される少なくとも1種を含む請求項1から5のいずれかに記載のレジスト組成物。
- エッチング用レジスト組成物である請求項1から6のいずれかに記載のレジスト組成物。
- 被加工表面上に請求項1から7のいずれかに記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
- 現像が、水を用いて行われる請求項8に記載のレジストパターンの形成方法。
- 被加工表面上に請求項1から7のいずれかに記載のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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