JP2006319293A - フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に形成されたトンネル誘電膜と、前記トンネル誘電膜上に形成され、セル単位で島状に分離されるフローティングゲートと、前記フローティングゲートを含んだ全面に形成された層間誘電膜と、前記層間誘電膜上に形成され、前記フローティングゲートの上面および側面を完全に覆いながら一方向に配列されるコントロールゲートとを含む。
【選択図】図4
Description
11 素子分離膜
12 トンネル誘電膜
13 フローティングゲート
14 層間誘電膜
15 コントロールゲート
16 ハードマスク膜
17 ハードマスクスペーサ
Claims (11)
- 半導体基板と、
半導体基板上に形成されたトンネル誘電膜と、
前記トンネル誘電膜上に形成され、セル単位で島状に分離されるフローティングゲートと、
前記フローティングゲートを含んだ全面に形成された層間誘電膜と、
前記層間誘電膜上に形成され、前記フローティングゲートの上面および側面を完全に覆いながら一方向に配列されるコントロールゲートとを含むことを特徴とするフラッシュメモリ素子。 - 前記コントロールゲートの前記一方向に垂直な他方向への幅は、前記フローティングゲートの他方向への幅と前記層間誘電膜の厚さの2倍とオーバーレイマージンとを加算した値に該当することを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子。
- 前記オーバレイマージンは、前記他方向での前記フローティングゲートの両側面に形成されるコントロールゲートの最小厚さとミスアラインマージンとの和であることを特徴とする請求項2記載のフラッシュメモリ素子。
- 前記他方向での前記フローティングゲートの両側面に形成されるコントロールゲートの最小厚さは10nmであることを特徴とする請求項3記載のフラッシュメモリ素子。
- 前記フローティングゲートは、四角形、円形、楕円形または多角形であることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子。
- 素子分離膜によって活性領域とフィールド領域とに分離された半導体基板上にトンネル誘電膜を形成する段階と、
前記活性領域および前記活性領域に隣接したフィールド領域上に、セル単位で島状に分離されるフローティングゲートを形成する段階と、
全面に層間誘電膜を形成する段階と、
前記層間誘電膜上にコントロールゲート用電極物質を形成する段階と、
前記コントロールゲート用電極物質をパターニングして、前記フローティングゲートの上面および側面を完全に覆うコントロールゲートラインを形成する段階とを含んでなることを特徴とするフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記コントロールゲート用電極物質を形成した後、コントロールゲート用電極物質の一定の領域上にハードマスク膜パターンを形成する段階と、
前記ハードマスク膜パターンの側面にハードマスク膜スペーサを形成する段階とをさらに含み、
前記コントロールゲート用電極物質のパターニングの際に前記ハードマスク膜パターンおよびハードマスク膜をマスクとして用いることを特徴とする請求項6記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記ハードマスク膜およびハードマスク膜スペーサは、酸化膜で形成することを特徴とする請求項7記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記コントロールゲートを形成した後、エッチングダメージを緩和するための再酸化工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項6記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記トンネル誘電膜は、酸化膜で形成し、前記層間誘電膜は、酸化膜、または酸化膜と窒化膜との積層膜で形成することを特徴とする請求項6記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記フローティングゲートと前記コントロールゲートは、ポリシリコンまたは金属化合物で形成することを特徴とする請求項6記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
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