JP2006312235A - 薄い耐摩耗性被膜 - Google Patents

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Abstract

【課題】本発明は、基材及び被膜を含む切削工具インサート、中実エンドミルまたはドリルに関する。
【解決手段】被膜は、少なくとも1層がh−(Me1、Me2)X相を含んで成る1層以上の耐熱性化合物からなり、Me1がV、Cr、Nb及びTaの元素の1種以上であり、Me2がTi、Zr、Hf、Al及びSiの元素の1種以上であり且つXがN、C、O及びBの元素の1種以上である。前記h−Me1Me2X相の比率R=(Xのat%)/(Me1のat%+Me2のat%)が、0.5〜1.0好ましくは0.75〜1.0の間にあり、且つXが30at%未満のO+Bを含む。本発明は、切屑の厚みが薄くて加工物が硬い金属切削用途に有益であり、例えば中実エンドミル、インサートフライスカッタを使用する倣いフライス加工または硬質鋼の穿孔加工である。
【選択図】図1

Description

本発明は切屑除去による機械加工用の切削工具に関し、この工具は超硬合金とサーメットとセラミックと立方晶窒化ボロンを基にする材料または高速度鋼及び硬くて耐摩耗性の耐熱性被膜から成り、この耐熱性被膜の少なくとも1層は単一相のような蒸着または第2の相との互いの相互蒸着のいずれかの蒸着の際に、その場で形成される六方晶のMeX相を含む。この成果は幾つかの方法において使用することができ、例えば別のタイプまたは同じタイプの結晶組織の被膜マトリックスに六方晶の組織粒子のように、または多層の規則格子構造内の分離層のように、仕上げ工具の特性に注文どおりの高い可能性を与える。六方晶タイプの組織は、例えば立方晶の組織より種々の機械的及び化学的な特性を有するので、種々のタイプの結晶質の組み合わせは、単一組織材料に比較して完全に新しい特性を与える。
切屑除去により機械加工するため金属切削に今日用いられる大部分のPVD層は、立方晶Naclタイプの組織を有する結晶質のTiN、Ti(C、N)及び(Ti、Al)Nから成る。しかしながら、準安定な(Ti、Al)N層は、熱処理の際または使用時の温度上昇時に充分なエネルギが供給される場合、c−TiN及びh−AlNに相分離する。これらのc−AlN及び/またh−AlNの析出が、この層において硬化材として作用することができる。立方晶c−(Ti、Al)Nマトリックス内のC−AlN及び/またはh−AlNの析出最適量が、ヨーロッパ特許A−1400609号及びヨーロッパ特許A−1452621号に記載するようにこの層の性能を改良することを開示する。しかしながら、六方晶組織(ウルツ鉱タイプ)中の原子あたりに占める体積は、立方晶組織(NaClタイプ)中より25%多い。したがって、適用された(Ti、Al)N層の組織変化の割合が極端である場合、これは、この層の接着力の不具合と摩耗を加速することをもたらす。
切屑除去により機械加工するための切削工具に適用するために、h−MeX相を含む少なくとも1層より成る被膜を提供することを本発明の目的とする。
PVD技術を用いてh−MeX相より成る蒸着層のための方法を提供することをさらに本発明の目的とする。
化学組成、熱エネルギ量及び成長の際のイオンで誘起された表面活性割合、成長速度、及び圧力を釣り合わせることにより、先行技術品に比較して金属切削において性能を増加したh−MeX相を含む層が得られることが判明した。この層は、窒化物及び/または炭化物及び/または酸化物のc−NaClタイプの結晶組織を共存するかまたは共存しないh−MeXの結晶を含む。この層は、PVD技術好ましくはアーク蒸発を使用して堆積される。
本発明にしたがい、切屑除去により機械加工するために切削工具は、超硬合金とセラミックと立方晶窒化ボロン基材料または高速度鋼の硬質合金のボディを含み、このボディの上に結晶質のH−MeXから成る少なくとも1層を含む1層以上の耐熱性化合物から成る耐摩耗性の被膜が蒸着されて提供される。追加層は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Si及びAlから選択された元素を有する窒化物及び/または炭化物及び/または酸化物から成り、且つ化学蒸着(PVD)またはプラズマ強化化学蒸着(PACVD)及び/または化学蒸着(PVD)のような他の蒸着技術を用いて成長させる。本発明にしたがう工具は、切屑の厚みが薄くて加工物が硬くて、中実のエンドミル及びインサートフライスカッタを使用する倣いフライス加工または硬化鋼の穿孔加工のような金属切削の適用に特に有益である。
このh−MeX層は、h−MeX相の結晶を含む。この化学組成はMe1Me21−aとして記載され、Me1はV、Cr、Nb及びTaの元素の1種以上であり、Me2はTi、Zr、Hf、Al及びSiの元素の1種以上であり、且つa>0.5であり且つXがN、C、O及びBの元素の1種以上である。ここではR=(Xのat%)/(Me1のat%+Me2のat%)として定義されたh−(Me1、Me2)X相の金属に対する非金属の原子比率は、0.5〜1好ましくは0.75〜1.0の間である。
h−(Me1、Me2)X相から成るh−MeX層は、下記を特徴とする。
θ−2θ及び/または猶予入射形状寸法におけるX線回折(XRD)によって検出された結晶質六方晶相h−(Me1、Me2)Xの存在は、次の特徴の1以上を示し、すなわち、
約35°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(100)ピーク、
約39°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(101)ピーク、
約48°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(102)ピーク、
約62°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(110)ピーク、
約62°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(103)ピーク、
約72°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(112)ピーク、
約75°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(201)ピーク、
約83°の2θでCuΚα照射を使用したh−NbNの場合、h−(Me1、Me2)X(202)ピーク、
h−(Me1、Me2)Xの組織は、好ましくは非NiAsタイプである。
θ−2θ形状寸法においてCuΚα照射を使用したh−(Me1、Me2)X(100)ピーク、及びh−(Me1、Me2)X(110)+(103)ピークの領域の比率Kとして定義されるテクスチャが、0〜0.5好ましくは0.0〜0.25である。
小さな粒と不均一応力に起因し、θ−2θ形状寸法においてCuΚα照射を使用するFWHM(全幅で最大の半分)の値は、次の:
h−(Me1、Me2)X(110)+(103)ピークは、0.5〜3.0°の2θであり、及び/または
h−(Me1、Me2)X(100)ピークは、0.4〜2.5°の2θである。
Xは、N及び/またはCの残部を有し30at%未満のO及び/またはBから成る。
h−(Me1、Me2)Xを含んでいる層は、NaClタイプc−MeXの立方晶単相の層に比較してかなり増加した硬度を有し、h−(Nb、Zr)N及びc−(Nb、Zr)Nの系で実施されたように、実施例1に示される。
合計被膜厚みは、本発明にしたがう単層(複層)を含有するh−(Me1、Me2)Xが他の単層(複層)と組み合わされる場合、0.5〜10μmで変化する無h−(Me1、Me2)Xを含んでいる単層(複層)の合計厚みと共に0.1〜15μm好ましくは0.5〜12μmである。
他の代わりの実施態様において、0.5〜12μm厚みの単層(複層)を含むh−(Me1、Me2)Xは、上記にしたがう他の単層(複層)を含むか含まないで、MoS、DLC(ダイヤモンド状被膜)またはMeC/C(MeはCr、W、TiまたはTaである)を基にした低摩擦固体材料からなる0.5〜5μmの厚みの外側層を、この被膜の頂部に堆積することができる。
他の代わりの実施態様において、0.1〜2μm厚みの単層(複層)を含むh−(Me1、Me2)Xは、個々に2〜500好ましくは5〜200層から成る1.0〜15μm厚みの多層被膜の1種〜5種の異なる材料である。
他の代わりの実施態様において、0.5〜20μm厚みの単層(複層)を含むh−(Me1、Me2)Xは、1層以上の結晶質Al2O3を含むことができるCVD被膜の頂部に蒸着することができる。
さらに、他の代わりの実施態様において、0.1〜1.0μm厚みの単層(複層)を含むh−(Me1、Me2)Xは、切屑の厚みが非常に薄い金属切削用途に使用される。
本発明のh−(Me1、Me2)X相を含んで成る層を成長させるために使用する方法は、ここではNB−Zr−N系で例示され、次に示す条件を基に、合金化または複合化した陰極のアーク蒸発を基にする。すなわち、
Nb−Zr陰極の化学組成は、>70at%のNb好ましくは80at%のNb及び残部Zrである。
蒸発電流は、陰極の大きさと陰極材料に依存して50A〜200Aである。直径63mmの陰極を用いた場合、蒸発電流は好ましくは70A〜140Aである。
基材のバイアスは、−10V〜−300V好ましくは−40V〜−120Vである。
堆積温度は400℃〜700℃好ましくは500℃〜700℃である。
純Nb及び/またはZrの陰極が使用された場合、蒸発電流は、好ましくはNbに対しては80A〜140A及びZRに対しては60A〜100Aである。この相の正確な化学組成を得るために、単一純元素陰極を作動させて、アーク電流及び元素あたりの陰極数は、適切に最適化しなければならない。Zr陰極と同様に沢山のNb陰極を2回使用することにより、及び/またはNb陰極に高アーク電流を使用することにより、正確は層化学組成とNb−Zr系の組織が達成される。
h−(Me1、Me2)Xを含む単層(複層)を成長させる場合、0.5〜9.0Pa好ましくは1.5〜5.0Paの合計圧力で0〜50vol%Ar好ましくは0〜20vol%ArのAr+N2雰囲気を使用する。
XがC及びOを含むh−(Me1、Me2)Xを含む単層(複層)の成長のため、炭素及び/または酸素を含んでいるガスが、雰囲気(例えば、C、CH、CO、CO、O)N及び/またはAr+Nに添加しなければならない。Xがまたボロンを含んでいる場合、ボロンでターゲットを合金化すること、または雰囲気にボロン含有ガスを添加することのいずれによっても添加することができる。
本発明にしたがい好ましい組織のものを得るために、すなわちここではh−(Nb、Zr)Nによって実施されたh−(Me1、Me2)Xを含む層は、幾つかの堆積パラメータを定義すべきであることが判明した。重要な因子は、陰極からのNbフラックスとN部分圧Pn2との割合である。本発明は特別な理論で境界付けすることではないので、Nbフラックスに直接関係する堆積速度が、大部分の堆積が生じる角のセグメントにおいてむしろ低いと考えられる。堆積速度は、あまり高くすべきでなくて、ここでは、180°離れた二つのNb陰極で、一回回転において約4μm/時間以下であり、または三回回転で約15μm/時間である。上記で得られる堆積速度は、実質的に平均値であり且つ重要なパラメータでなくて、350℃の堆積温度での粗い指針としてみることができる。さらに速い蒸着速度を使用した場合、さらに高い堆積温度も必要となる。全ての堆積速度に対しては、この工程のPn2に対して低い制限がある。あまり低いPn2は、この層に金属的なNb(N)及び/またはc−NbNを生じる。この使用される系においては、最良の結果が0.5より高い圧力で達成された。一つの重要な因子は最大堆積速度を低く保持することであるので、陰極表面と基材との距離が重要であり、好ましくは150mmまたはそれ以上にする。ここでは、130mmの距離が最も短くなると思われる。
上記のタイプのh−(Me1、Me2)X相を含む堆積単層(複層)は、Nbとの類似性のために、Me1としてV及び/またはTaを使用することも可能である。合金化元素のようなMe1としてのTi、Zr及びHfを使用することは、Nb−Zr−N系に対して表1における報告された硬さ対化学組成値を基にして、合計金属含有量の好ましくは20at%最も好ましくは15at%未満の最大合金化含有量を使用することを有効にすべきである。この合金化手段に基づく実施例は、好ましくは<0.2最も好ましくは<0.15のXを有するh−(V、Nb、Ta)N、h−(V、Nb、Ta)1−X(Ti、Zr、Hf)Nである。
良好な高温耐酸化性を得るために、窒化物が、炭窒化物及び炭化物に比較して好まれる。したがって、改良された耐酸化性は、Me2元素としてのTi、Al及びSiの1種以上、及びMe1としてのCrと合金化することにより達成することができる。これらの合金化元素は、h−(Me1、Me2)X相並びにC−NaClである第2層に存在させることができる。
h−(Me1、Me2)X相を含む単層(複層)を成長させるとき、圧縮残留応力が非常に高くなる危険があり、0.5%〜1.5%(h−MeX相の)の歪に相当する3〜8GPaのレベルまでなり、これは、鋭い切刃を使用した場合及び/または良好な付着性についての要求が最重要である場合の切削用途において、性能にマイナスの影響を及ぼす。圧縮残留応力を減少させるための可能性は、後焼鈍工程またはその場焼鈍を適用することであり、好ましくはAr及び/またはNの雰囲気中で600℃〜1000℃の温度で20〜600分の期間である。
本発明は、アーク蒸発を用いて堆積したh−(Me1、Me2)X相を含む単層(複層)を参照して記載した。単層(複層)を含むh−(Me1、Me2)X相は、マグネトロンスパッタリング、電子線蒸発、イオンプレーティングまたはレーザアブレーションのような他のPVD技術を使用して製造することができる。
実施例1
93.5wt%のWC、6wt%のCo、0.5wt%の(Ta、Nb)Cの化学組成を有する磨かれた超硬合金基材が使用された。WCの粒径は約1μmであり、且つ硬さは1630HV10であった。
堆積前に、この基材はアルキル溶液とアルコールを用いた超音波浴内で洗浄され、その後1回回転の固定具を用いてPVD装置に配置される。最も短い陰極と基材との距離は、160mmであった。この装置が2.0×10−3Pa未満の圧量に排気され、その後基材はArイオンでスパッタ洗浄された。この層は、Nb0.97Zr0.03からNb0.29Zr0.71まで変化する垂直金属組成勾配(EDSで測定)のように装着されたNb及びZr陰極(直径63mm)のアーク蒸発を用いて成長させた。h−AlNを含む変種の窒素含有量(EDSで測定)は、(Nb、Zr)N0.77〜0.92であった。このことは、比率R=(at%X)/(at%Me1+at%Me2)が、0.77〜0.92であることを意味する。XはNであり、Me1はNbであり、且つMe2はZrである。
堆積は、99.995%の純N雰囲気で3.0Paの合計圧力で、−110Vの基材バイアスを使用して、60分間実施した。層の厚みは約3.5μmであった。堆積温度は約530℃であった。堆積後直ちに、このチャンバは乾燥Nが送り込まれた。
NbN層は、基本純Nb陰極だけを使用したのを除き上述の同じ堆積データを用いて、分離された堆積装置を用いて成長させた。
堆積したままのNbN及びNb0.29Zr0.71N層のX線回折パターンを、それぞれ図1及び図2に示す。WC−Co基材に相当するピークは別にして、NbN及びNb0.29Zr0.71N試料のパターンに幾つかの類似性がある。図2の堆積したままの層Nb0.29Zr0.71Nは、(111)、(200)、(220)及び(311)識別表示で見られるようにNaClタイプの組織からなる。しかしながら、XRDパターンは全く相違する。特に、立方晶NaClタイプ組織の欠乏、及び62°2Θ(FWHM=1.2°2Θ)ピークと38°2Θ(FWHM=1.3°2Θ)ピークとの出現、それらの双方がNb0.29Zr0.71Nに見られない。さらに、NbNの70から75°2Θに向かう強度に僅かな増加があるが、一方、Nb0.29Zr0.71Nの同じ領域に強度の減少がある。また、NbN層に対する34.0°2Θでのピークと比較して、Nb0.29Zr0.71Nにおける4.5°2Θでのピークのピーク位置に明確な相違がある。h−(Me1、Me2)X(100)ピークとh−(Me1、Me2)X(110)+(103)ピークの領域の間の比率(K)として定義されるテクスチャはNbN資料0.12に対してである。h−NbN(100)+(103)ピークのFWHMは、1.2°及びh−NbN(100)ピーク0.7°2Θである。
堆積したままの条件におけるNbN相の識別表示は、図3に示すように、1次ビームと試料表面との間の1°の一定猶予入射角を使用して、且つ皮膜から発生する拡大ピークのために検出器を操作するX線回折で作られた。h−NbNの存在は、非NiAsタイプ組織における回折パターン表示付けによって確認された。Zr含有量の増加でもって、c−(Nb、Zr)N(NaCl−タイプ組織)の量が増加する。図4は、堆積したままの条件におけるNb/Zr=86/14(試料E)の原子比を有する層からのX線パターンを示す。約62°2Θ(=A(h−(Me1、Me2)X)110)でのh−(Me1、Me2)X(110)ピークと約41°2Θ(=A(c−(Me1、Me2)X)200)でのc−(Me1、Me2)X(200)ピーク領域での間の比率のLは、すなわち、L=A(h−(Me1、Me2)X)110)/A(c−(Me1、Me2)X)200)は、この試料の0.25に対してである。
表1に見られる選択された試料に対しては、h−(Nb、Zr)N(110)+(103)ピークのピークに対するバックグランドの比は、それぞれ153(A)、92(B)、109(C)、79(D)及び4.5(E)である。
Nb−Zr−N層の硬さとヤング率は、約200nmの最大浸透深さが得られる25mNの最大荷重を用い、磨いたテーパ断面にナノインデンタII装置(登録商標)を用いて、ナノ識別表示によって測定された。Nb−Zr−N層の硬さとヤング率の値は、表1に表示される。h−(Nb、Zr)Nがこの層に存在する場合に硬さが劇的に増加することが、表1に明確に示されている。Nb/Zr=86/14を備えるこの層:変種Eは、h−(Nb、Zr)Nの約43〜48GPaとc−(Nb、Zr)N層の約33GPaのレベルの中間の硬さを有する。
表1
変種 Nb/Zr 硬さ ヤング率 検出相 FWHM FWHM 残留歪 テクスチャ
(at%) (GPa) (GPa) h-(100) h-(110) (%) 因子K
°2θ +h-(103)
°2θ
A 100/0 h-NbN, 0.7 1.2 0.12
a=2.98,
c=5.49
B 97/3 47 595 h-NbN, 0.8 1.5 -1.6 0.12
a=3.00,
c=5.49
c-(Nb,Zr)N
a=4.44
C 95/5 43 578 h-NbN, 0.8 1.5 0.11
a=2.98,
c=5.53
c-(Nb,Zr)N
a=4.44
D 93/7 38 493 h-NbN, 0.8 1.6 -1.7 0.19
a=3.00,
c=5.49
c-(Nb,Zr)N
a=4.45
E 86/14 38 493 h-NbN, 0.8 2.2 0.52
a=3.00,
c=5.49
c-(Nb,Zr)N
a=4.443
F 75/25 33 474 c-(Nb,Zr)N,
a=4.47
G 57/43 33 473 c-(Nb,Zr)N,
a=4.50
H 43/57 33 497 c-(Nb,Zr)N, -0.9
a=4.53
I 33/67 33 491 c-(Nb,Zr)N,
a=4.55
J 29/71 33 515 c-(Nb,Zr)N, -0.6
a=4.55
実施例2
90wt%のWC−10wt%のCo(WC粒径:0.8μm)の組成を有するMM12−12012−B90P−M05タイプの超硬合金交換可能エンドミルが、実施例1(実施例2の同一名の変種は同一組成を有する実施例1の変種名を言及する)と同一条件を用いて被覆された。3回回転の固定物を使用した。エンドミルは、種々の組成を得るために種々のレベルに配置された。堆積期間は、フランク面に3.0μmを得るために、例えば1から140分まで調整した。基準として、同じ形状と基材のTiN被覆エンドミルが用いられ、ここではTiNと呼ぶ。この変種のフランク面の層厚みは、1.4ミクロンであった。
中止上げ倣いフライス加工試験が、次の切削データを用いて実施された。
材料:DINX100CrMoV51、59HRC
n=4050回転/分
ap=ac=0.9mm
Vf=900mm/分
hm=0.015mm
切削30分後、最大フランク摩耗Vbmaxは、二つの異なる位置で測定され(頂部と頂部から1mmで)、表2を参照。
表2
変種 Vbmax[mm] Vbmax[mm]
頂部 頂部から1mm
C 0.20 0.12
E 0.47 0.28
I 0.68 0.24
TiN 0.82 0.18
この倣いフライス加工試験は、変種C(本発明)が最も低い摩耗速度を示し、続いてh−(NB、Zr)N及びc−(Nb,Zr)Nの間で混合した変種Eであった。
実施例3
RDHW10T3M0T−MD06インサートを用いる倣いフライス加工試験は、実施例1(変種A、C及びE)におけるように同じ被覆がされた。工具寿命は、輝きが作り出され材料が平らでない表面になったと定義されたような摩耗したときに測定された。工具寿命は表3に示される。
材料:DINX155CrMoV121
乾式機械加工
Vc=250m/分
fz=0.2mm/歯
ap=1mm,ac=2mm
表3
変種 工具寿命 工具寿命
刃1(mm) 刃2(mm)
A 5.2 4.5
C 4.3 5.4
E 2.5 2.8
TiN 3.1 2.5
この試験において、変種A(単相のh−NbN)及びCのような高量のh−(Nb、Zr)Nを有する変種は、最も長い工具寿命を有する。
図1は、本発明にしたがう蒸着したままの条件のh−NbN−層から得られたCuKα照射及びθ−2θ形状寸法を用いたX線回折パターンである。 図2は、蒸着したままの条件のNb/Zr=29/71の原子比率を有する(Nb、Zr)N−層から得られたCuKα照射及びθ−2θ形状寸法を用いたX線回折パターンである。 図3は、本発明にしたがう蒸着したままの条件のNbN−層から得られた検出器のみの走査法によってCuKα照射及び1°の一定猶予角を用いたX線回折パターンである。 図4は、蒸着したままの条件のNb/Zr=86/14の原子比率を有する(Nb、Zr)N−層から得られたCuKα照射及びθ−2θ形状寸法を用いたX線回折パターンである。

Claims (7)

  1. 基材、及び1層以上の耐熱性化合物から成る被膜を含む切削工具インサート、中実エンドミルまたはドリルであって、
    少なくとも1層が、Me1Me21−aの化学組成で記載されるh−(Me1、Me2)Xの結晶質六方相を含み、Me1がV、Cr、Nb及びTaの元素の1種以上であり、Me2がTi、Zr、Hf、Al及びSiの元素の1種以上であり、且つa>0.5であり且つXがN、C、O及びBの元素の1種以上であり、前記Me1Me21−aの相の比率R=(Xのat%)/(Me1のat%+Me2のat%)が0.5〜1.0好ましくは0.75〜1.0の間であり、且つ
    Xが、30at%未満のO+Bを含み、
    結晶質六方晶相h−(Me1、Me2)からのθ−2θ及び/または猶予入射形状寸法におけるX線回折(XRD)のパターンが、次のピーク、
    h−(Me1、Me2)X(100)ピーク、
    h−(Me1、Me2)X(101)ピーク、
    h−(Me1、Me2)X(102)ピーク、
    h−(Me1、Me2)X(110)ピーク、
    h−(Me1、Me2)X(103)ピーク、
    h−(Me1、Me2)X(112)ピーク、
    h−(Me1、Me2)X(201)ピーク、
    h−(Me1、Me2)X(202)ピーク、
    の1以上を示すことを特徴とする基材、及び1層以上の耐熱性化合物から成る被膜を含む切削工具インサート、中実エンドミルまたはドリル。
  2. h−(Me1、Me2)X(110)+(103)ピーク(=A(h−(Me1、Me2)X110+103))及びc−(Me1、Me2)X(200)ピーク(=A(c−(Me1、Me2)X200)の領域間の比率L、換言すれば前記層からのθ−2θ形状寸法におけるX線回折パターンのL=A(h−(Me1、Me2)X110+103)/A(c−MeX200)が、0.1好ましくは0,2より大きく、及び/または
    h−(Me1、Me2)X(110)+(103)ピークのバックグランド対するピークの比率が、2好ましくは4より大きいことを特徴とする請求項1記載の切削工具。
  3. 前記Me1が元素V、CrまたはNbの一つ以上であり、且つ前記Me2が元素Ti、Zr、AlまたはSiの一つ以上であることを特徴とする請求項1記載の切削工具。
  4. 前記層からのθ−2θ寸法形状のけるX線回折パターンのh−(Me1、Me2)X(100)ピーク及びh−(Me1、Me2)X(110)+(103)ピークの領域間の比率Κとして定義されるテクスチャが、0〜0.5好ましくは0.0〜0.25の間にあることを特徴とする請求項1記載の切削工具。
  5. 前記被膜からのθ−2θ形状寸法におけるX線回折パターンのh−(Me1、Me2)X(110)ピークのFWHM(全幅で最大の半分)の値は、0.5〜3.0°2θであり、且つh−(Me1、Me2)X(110)ピークは0.4〜0.25°2θであることを特徴とする請求項1記載の切削工具。
  6. 前記h−(Me1、Me2)Xの組織が非NiAsタイプであることを特徴とする請求項1記載の切削工具。
  7. 基材及び被膜を含む切削工具インサート、中実エンドミルまたはドリルを製造する方法であって、
    前記被膜が、少なくとも1層がMe1Me21−aの組成で記載されるh−(Me1、Me2)X相を含んで成る1層以上の耐熱性化合物からなり、Me1がV、Cr、Nb及びTaの元素の1種以上であり、Me2がTi、Zr、Hf、Al及びSiの元素の1種以上であり、且つa>0.5であり且つXがN、C、O及びBの元素の1種以上であり、前記Me1Me21−aの相の比率R=(Xのat%)/(Me1のat%+Me2のat%)が0.5〜1.0好ましくは0.75〜1.0の間であることを特徴とする基材及び被膜を含む切削工具インサート、中実エンドミルまたはドリルを製造する方法。
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