JP5403058B2 - 被覆部材 - Google Patents

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Description

本発明は、焼結合金、セラミックス、cBN焼結体、ダイヤモンド焼結体などの基材の表面に被膜を被覆した被覆部材に関する。その中でも、特にチップ、ドリル、エンドミルに代表される切削工具、各種の耐摩耗工具、各種の耐摩耗部品に好適な被覆部材に関する。
焼結合金、セラミックス、cBN焼結体、ダイヤモンド焼結体などの基材の表面にTiC、TiCN、TiN、(Ti,Al)N、CrNなどの被膜を被覆した被覆部材は、基材の高強度、高靱性と、被膜の優れた耐摩耗性、耐酸化性、潤滑性、耐溶着性などを兼備しているため、切削工具、耐摩耗工具、耐摩耗部品として多用されている。
被膜の従来技術としては、(Ti,Al,Cr)(C,N)からなる切削工具用硬質皮膜がある(例えば、特許文献1参照。)。また、耐酸化性に優れた皮膜として、Al−Cr−N系皮膜がある(例えば、非特許文献1参照。)。しかしながら、被削材、切削条件などの変化から、これらの皮膜を被覆した切削工具では、長寿命が得られないという問題があった。
特開2003−71610号公報
井手幸夫、稲田和典、中村崇、高武勝彦、「耐高温酸化特性に優れたAl−Cr−N系皮膜の開発」、「まてりあ」第40巻第9号、2001年、p.815-816
近年、切削加工において高速度加工、高送り加工などの過酷な切削条件や被削材の高硬度化など厳しい加工条件が増えており、被覆工具にはさらなる長寿命化が求められる傾向があり、従来の被覆工具ではこれらの厳しい加工要求に応えられなくなってきた。本発明はこのような事情を鑑みてなされたものであり、高速度加工、高送り加工、難削材の加工など加工条件が厳しい切削加工において、長寿命を実現する被覆部材の提供を目的とする。
従来の切削加工において、基材の表面に(TiAl)N、(TiCr)N、(CrAl)N、(TiAlCr)Nなど立方晶の金属化合物からなる硬質膜を被覆した被覆部材からなる切削工具が用いられてきた。本発明者らは、基材の表面に(TiAl)N、(TiCr)N、(CrAl)N、(TiAlCr)Nなどを被覆した被覆部材の性能向上に取り組んできたところ、硬質膜の(111)面と(200)面についてX線回折の正極点図測定を行ったとき、硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角50〜65度の範囲に最高強度を示し、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角60〜80度の範囲に最高強度を示すと、耐摩耗性が向上し、切削工具として使用すると長寿命になるという知見が得られた。
すなわち、本発明の被覆部材は、基材の表面に被膜を被覆した被覆部材において、被膜の少なくとも1層は周期表4、5、6族元素、Al、Si、B、YおよびMnの中から選ばれた少なくとも1種の元素と、C、N、Oの中から選ばれた少なくとも1種の元素とからなる立方晶の金属化合物からなる硬質膜であり、硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角50〜65度の範囲に最高強度を示し、硬質膜の(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角60〜80度の範囲に最高強度を示すことを特徴とする被覆部材である。
本発明の硬質膜は、基材との密着性に優れ、耐摩耗性に優れる。本発明の被覆部材は耐摩耗性、耐欠損性および耐酸化性に優れる。本発明の被覆部材を切削工具として用いると工具寿命が長くなるという効果が得られる。特に高速度加工、高送り加工、硬さの高い被削材の加工、難削材の加工などの加工条件が厳しい切削加工において効果が高い。
Schulzの反射法の光学系を示す模式図 α角とβ角の位置を示した正極点図 発明品1の硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布 発明品1の硬質膜の(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布 比較品1の硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布 比較品1の硬質膜の(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布
1…発散スリット(DS)
2…試料中心
3…発散縦制限スリット(Schulzスリット)
4…受光スリット(RS)
5…散乱スリット(SS)
6…カウンター
本発明者らは、正極点図測定により硬質膜を構成している立方晶の(111)面の傾きの角度分布と(200)面の傾きの角度分布とを調べ、それを制御することによって、従来の硬質膜よりも耐摩耗性を向上させることができた。
本発明の硬質膜にX線回折の正極点図測定を行ったとき、硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布がα角50〜65度の範囲に最高強度を示し、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布がα角60〜80度の範囲に最高強度を示す。その中でも硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布がα角50〜65度の範囲に最高強度を示し、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布がα角65〜75度の範囲に最高強度を示すとより好ましい。このことは、硬質膜を構成している立方晶の結晶の中で、(111)面が被覆部材表面に対して60度ほど傾いた結晶と、(200)面が被覆部材表面に対して70度ほど傾いた結晶が多いことを示している。硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布がα角50度未満もしくはα角65度を超えるα角に最高強度を示す被覆部材、または、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布がα角60度未満もしくはα角80度を超えるα角に最高強度を示す被覆部材に比較して耐摩耗性を向上させることができた。
本発明の硬質膜の(111)面、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布は、Schulzの反射法により測定することができる。Schulzの反射法は、図1に示すように2θを回折角として入射角と反射角がそれぞれθになっている等角度反射の光学系を使用し、試料面内のA軸を中心とするα回転と、試料面法線(B軸)を中心とするβ回転すなわち試料面内回転により、入射X線に対する試料の方向を変えて回折線の強度分布を測定する方法である。B軸が入射線と回折線とで決まる平面上にあるとき、α角を90度と定義する。α角が90度のときは、図2に示すように正極点図上で中心の点になる。具体的な測定方法として、例えば株式会社リガク製X線回折装置RINT−TTRIIIの正極点測定プログラムを使用し、下記の測定条件および測定手法により、硬質膜の(111)面、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布を測定することができる。
[測定条件]
(1)TTRIII水平ゴニオメータ
(2)極点用多目的試料台
(3)走査方法:同心円
(4)β走査範囲:0〜360度/5度ピッチ
(5)βスキャンスピード:180度/min
(6)γ振幅:0mm
[測定手法(Schulzの反射法)]
(1)θ固定角度:硬質膜の(111)面の回折角度は36.0度から37.5度までの間で回折強度が最も高くなる角度とし、硬質膜の(200)面の回折角度は42.0度から44.0度までの間で回折強度が最も高くなる角度とする。
(2)α走査範囲:20〜90度(5度ステップ)
(3)ターゲット:Cu、電圧:50kV、電流:250mA
(4)発散スリット:1/4度
(5)散乱スリット:6mm
(6)発散縦制限スリット:5mm
(111)面、(200)面に関する正極点図の等高線からも最高強度を示すα角を読みとることができるが、(111)面、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布から、最高強度を示すα角を容易に求めることができる。
本発明の被覆部材の基材として、具体的には焼結合金、セラミックス、cBN焼結体、ダイヤモンド焼結体などを挙げることができる。その中でも焼結合金は耐欠損性と耐摩耗性に優れるため好ましく、その中でもサーメット、超硬合金がさらに好ましく、その中でも超硬合金がさらに好ましい。
本発明の被膜は、周期表4(Ti,Zr,Hf等)、5(V,Nb,Ta等)、6(Cr,Mo,W等)族元素、Al、Si、B、YおよびMnの中から選ばれた少なくとも1種の元素と、C、NおよびOの中から選ばれた少なくとも1種の元素とからなる金属化合物膜で構成され、具体的には、TiC、TiCN、TiCNO、TiN、(TiAl)N、(CrAl)N、Al23、(CrAl)23、(AlTiSi)N、(AlCrW)N、(TiAl)BN、(HfAlMn)N、(TiSi)N、(ZrAl)CN、(TiNb)BNなどを挙げることができる。本発明の被膜の少なくとも1層が硬質膜である。本発明の被膜は、硬質膜のみからなる単層膜、硬質膜と硬質膜以外の膜との2層以上の複層膜のいずれの膜構成も含む。本発明の被膜全体の平均膜厚は、0.1μm以上であると耐摩耗性、耐酸化性が向上し、15μmを超えると耐欠損性が低下する。このため本発明の被膜の平均膜厚は0.1〜15μmの範囲が好ましく、その中でも0.5〜10μmの範囲がより好ましく、0.7〜8μmの範囲がさらに好ましく、1〜5μmの範囲が特に好ましい。
本発明の硬質膜は、周期表4(Ti,Zr,Hf等)、5(V,Nb,Ta等)、6(Cr,Mo,W等)族元素、Al、Si、B、YおよびMnの中から選ばれた少なくとも1種の元素と、C、NおよびOの中から選ばれた少なくとも1種の元素とからなる立方晶の金属化合物からなる。その中でも、Al、Ti、Cr、Siの中から選ばれた少なくとも1種の金属元素と、C、N、Oの中から選ばれた少なくとも1種の非金属元素とからなる立方晶の金属化合物であると硬さが高く耐摩耗性に優れるので好ましい。これらの中でも、Al、Ti、Cr、Siの中から選ばれた少なくとも1種の金属元素の窒化物からなるものであることが好ましい。具体的には、TiN、TiC、TiCN、TiCNO、(TiNb)N、(TiZr)CN、(AlTi)N、(AlTi)C、(AlTi)(CN)、(AlTi)(CNO)、(AlCr)N、(AlCr)C、(AlCr)(CN)、(AlCr)(CNO)、(AlTiCr)N、(AlTiCr)C、(AlTiCr)(CN)、(AlTiCr)(CNO)、(AlTiSi)N、(AlTiSi)C、(AlTiSi)(CN)、(AlTiSi)(CNO)、(AlTiCrSi)N、(AlTiCrSi)C、(AlTiCrSi)(CN)、(AlTiCrSi)(CNO)などを挙げることができる。本発明の硬質膜の平均膜厚は、0.1μm以上であると耐摩耗性、耐酸化性が向上し、15μmを超えると耐欠損性が低下する。このため本発明の硬質膜の平均膜厚は0.1〜15μmの範囲が好ましく、その中でも0.5〜10μmの範囲がより好ましく、0.7〜8μmの範囲がさらに好ましく、1〜5μmの範囲が特に好ましい。
その中でも、本発明の硬質膜は、(Alab)(Cxy)(但し、JはTiおよびCrの1種または2種を表し、aはAlとJとの合計に対するAlの原子比を表し、bはAlとJとの合計に対するJの原子比を表し、a、bは、a+b=1、0.5≦a≦0.7、0.3≦b≦0.5を満足し、xはCとNとの合計に対するCの原子比を表し、yはCとNとの合計に対するNの原子比を表し、x+y=1、0≦x≦1、0≦y≦1を満足する。)で表される金属化合物であると好ましい。これは以下の理由による。aが0.5以上、bが0.5以下になると、硬質膜の硬さが高くなり耐摩耗性が向上する。一方、aが0.7を超え、bが0.3未満になると立方晶以外の金属化合物が生成されやすくなり、硬質膜の硬さが低下して耐摩耗性が低下する。また、非金属元素がC、Nの1種または2種からなると耐欠損性や耐チッピング性が向上する。具体的には、(Al0.50Ti0.50)N、(Al0.55Ti0.45)N、(Al0.60Ti0.40)N、(Al0.70Ti0.30)N、(Al0.60Ti0.20Cr0.20)N、(Al0.50Cr0.50)Nなどを挙げることができる。
本発明の硬質膜は、(AlcdSie)(Czw)(但し、JはTiおよびCrの1種または2種を表し、cはAlとJとSiとの合計に対するAlの原子比を表し、dはAlとJとSiとの合計に対するJの原子比を表し、eはAlとJとSiとの合計に対するSiの原子比を表し、c、d、eは、c+d+e=1、0.3≦c≦0.6、0.3≦d≦0.6、0.01≦e≦0.1を満足し、zはCとNとの合計に対するCの原子比を表し、wはCとNとの合計に対するNの原子比を表し、z+w=1、0≦z≦1、0≦w≦1を満足する。)で表される金属化合物であると好ましい。これは以下の理由による。cが0.3以上、dが0.6以下、eが0.01以上になると、硬質膜の硬さがさらに高くなり耐摩耗性が向上する。一方、cが0.6を超え、dが0.3未満になると立方晶以外の金属化合物が生成されやすくなり、eが0.1を超えると硬さを高くするSi添加効果が低下して、硬質膜の硬さが低くなり耐摩耗性が低下する。また、非金属元素がC、Nの1種または2種からなると耐欠損性や耐チッピング性が向上する。具体的には、(Al0.45Ti0.40Si0.15)N、(Al0.55Ti0.35Si0.10)N、(Al0.60Ti0.35Si0.05)N、(Al0.30Cr0.30Ti0.30Si0.10)N、(Al0.45Cr0.30Ti0.20Si0.05)N、(Al0.55Ti0.30Cr0.10Si0.05)N 、(Al0.60Ti0.29Cr0.10Si0.01)N、(Al0.55Ti0.05Cr0.3Si0.1)(C0.50.5)、(Al0.4Ti0.4Cr0.15Si0.05)(C0.30.7)、(Al0.5Ti0.38Cr0.08Si0.04)N、(Al0.55Ti0.4Si0.05)(C0.10.9)などを挙げることができる。
本発明の硬質膜は、立方晶の金属化合物からなり、その中でも、(200)面の回折線の半価幅が0.90〜1.60度であるものが、耐摩耗性に優れるので好ましい。
本発明の被膜の組成に関しては、二次イオン質量分析装置(SIMS)、エネルギー分散元素分析装置(EDS)、グロー放電型分析装置(GDS)などの元素分析装置を使って測定することができる。
本発明の硬質膜の製造には、例えばアークイオンプレーティング装置(以下、AIP装置という。)を使用することができるが、他の装置、例えばスパッタリング装置を使用することもできる。AIP装置を使用する場合は、AIP装置内に基材を入れて、ヒーターにより基材温度を500〜750℃まで、好ましくは500〜700℃まで加熱し、基材に対して、Arガスボンバードした後、Ar、N2、O2、CH4、C22またはこれらの混合ガスを導入して、AIP装置内の圧力を2〜5Pa、好ましくは2〜4Paとし、基材に直流バイアス電圧:−20〜−70Vを、好ましくは−30〜−60Vを、さらに好ましくは−30〜−45Vを印加して、アーク放電電流:80〜180A、好ましくは100〜150Aの第1被覆工程により硬質膜の平均膜厚の3〜15%に相当する膜厚分を時間調整して被覆する。これにより、柱状組織の硬質膜が被覆される。その後、基材温度を下げて450〜700℃、好ましくは450〜550℃とし、圧力を維持したまま、徐々に基材バイアス電圧を−20〜−70Vから調整して、基材バイアス電圧を−80〜−180V、好ましくは−80〜−120V、さらに好ましくは−80〜−95V、アーク放電電流:130〜180A、好ましくは150〜180Aの第2被覆工程により硬質膜の平均膜厚の85〜97%に相当する膜厚分を時間調整して硬質膜を被覆する。この方法により、立方晶の金属化合物からなり、(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角50〜65度の範囲に最高強度を示し、(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角60〜80度の範囲に最高強度を示す硬質膜が形成される。
[実施例1]
基材として形状がCNMG120408のS10相当超硬合金製インサートを用意した。発明品については、表1に示す被膜の金属元素およびSi元素の組成に対応する金属ターゲットをAIP装置内に設置した。AIP装置内に基材を入れ、ヒーターにより基材温度を700℃まで加熱し、基材に対してArガスボンバードした。AIP装置内に、被膜の組成によってAr、N2、O2およびCH4の中から選択した原料ガスを導入して、圧力を3Paに調整して基材バイアス電圧:−20〜−70V、アーク放電電流:160Aの第1被覆工程により表2に示す時間被覆した。第1被覆工程による被覆を終了した後、圧力を維持したまま、基材温度を550℃まで下げて、徐々に基材バイアス電圧を−20〜−70Vから−100〜−150Vに調整し、基材バイアス電圧:−100〜−150V、アーク放電電流:160Aの第2被覆工程により表2に示す時間被覆した。
比較品1および2については、表1に示す被膜の金属元素の組成に対応する金属ターゲットをAIP装置内に設置し、発明品と同じように基材をAIP装置内に入れ、ヒーターにより基材温度を600℃まで加熱し、発明品と同様に基材に対してArガスボンバードした後、AIP装置内にArとN2の混合ガスを導入して圧力を2Paに調整し、基材バイアス電圧:−50V、アーク放電電流:150Aという被覆条件で被膜を被覆した。
基材の表面に被覆された被膜の組成に関しては、エネルギー分散元素分析装置(EDS)を使用し、被膜表面から測定を行った。基材の表面に被覆された被膜の平均膜厚については、各試料を切断して、断面を鏡面仕上げして得られた断面を光学顕微鏡で観察して測定した。これらの値は表1に併記した。
Figure 0005403058
Figure 0005403058
発明品1〜7および比較品1,2の被膜について、株式会社リガク製X線回折装置RINT−TTRIIIを用いて、2θ/θスキャン法のX線回折測定を行ったところ、全試料の被膜は立方晶のNaCl型構造であった。さらに、株式会社リガク製X線回折装置RINT−TTRIIIを用いて、下記に示す測定条件および測定手法により全試料の被膜の(111)面と(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布を測定した。測定結果は表3に示した。
[測定条件]
(1)TTRIII水平ゴニオメータ
(2)極点用多目的試料台
(3)走査方法:同心円
(4)β走査範囲:0〜360度/5度ピッチ
(5)βスキャンスピード:180度/min
(6)γ振幅:0mm
[測定手法(Schulzの反射法)]
(1)θ固定角度:被膜の(111)面の回折角度は36.0度から37.5度までの間で回折強度が最も高くなる角度とし、被膜の(200)面の回折角度は42.0度から44.0度までの間で回折強度が最も高くなる角度とする。
(2)α走査範囲:20〜90度(5度ステップ)
(3)ターゲット:Cu、電圧:50kV、電流:250mA
(4)発散スリット:1/4度
(5)散乱スリット:6mm
(6)発散縦制限スリット:5mm
Figure 0005403058
発明品1〜7、比較品1、2の被覆超硬合金工具を用いて、被削材:Ni基耐熱合金Inconel718、切削速度:60m/min、切り込み:0.7mm、送り:0.3mm/revの条件で湿式旋削加工試験を行った。工具寿命は、最大逃げ面摩耗量VBmax=0.30mmを目安とした。切削時間10minまでに最大逃げ面摩耗量VBmax=0.30mmに達しない場合は、切削時間10min時点の最大逃げ面摩耗量VBmaxを測定した。これらの結果を表4に示す。
Figure 0005403058
表4に示されるように、比較品1は切削時間7分で最大逃げ面摩耗量が0.30mmとなったため寿命となり、比較品2は切削時間9分で欠損となり寿命となった。発明品1〜7は、切削時間10分まで加工ができ、さらに加工が可能であった。発明品の中でも、発明品6の被膜はAl,Cr,Siを含み、発明品7の被膜はAl,Ti,Siを含むので、特に優れた耐摩耗性を示した。
[実施例2]
基材として形状がCNMG120408のS10相当超硬合金製インサートを用意した。発明品については、表5に示す被膜の金属元素およびSi元素の組成に対応する金属ターゲットをAIP装置内に設置した。AIP装置内に基材を入れ、ヒーターにより基材温度を650℃まで加熱し、基材に対してArガスボンバードした。AIP装置内に、被膜の組成によってAr、N2およびCH4の中から選択した原料ガスを導入して、圧力を3.5Paに調整して基材バイアス電圧:−30〜−60V、アーク放電電流:150Aの第1被覆工程により表6に示す時間被覆した。第1被覆工程による被覆を終了した後、圧力を維持したまま、基材温度を500℃まで下げて、徐々に基材バイアス電圧を−30〜−60Vから−80〜−100Vに調整し、基材バイアス電圧:−80〜−100V、アーク放電電流:130Aの第2被覆工程により表6に示す時間被覆した。
比較品3については、表5に示す被膜の金属元素の組成に対応する金属ターゲットをAIP装置内に設置し、発明品と同じように基材をAIP装置内に入れ、ヒーターにより基材温度を600℃まで加熱し、発明品と同様に基材に対してArガスボンバードした後、AIP装置内にArとN2の混合ガスを導入して圧力を2Paに調整し、基材バイアス電圧:−50V、アーク放電電流:150Aという被覆条件で被膜を被覆した。
基材の表面に被覆された被膜の組成に関しては、エネルギー分散元素分析装置(EDS)を使用し、被膜表面から測定を行った。基材の表面に被覆された被膜の平均膜厚については、各試料を切断して、断面を鏡面仕上げして得られた断面を光学顕微鏡で観察して測定した。これらの値は表5に併記した。
Figure 0005403058
Figure 0005403058
発明品8〜15および比較品3の被膜について、実施例1と同様に株式会社リガク製X線回折装置RINT−TTRIIIを用いて、2θ/θスキャン法のX線回折測定を行ったところ、全試料の被膜は立方晶のNaCl型構造であった。さらに、実施例1と同様に株式会社リガク製X線回折装置RINT−TTRIIIを用いて全試料の被膜の(111)面と(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布を測定した。測定結果は表7に示した。
Figure 0005403058
発明品8〜15、比較品3の被覆超硬合金工具を用いて、被削材:Ni基耐熱合金Inconel718、切削速度:75m/min、切り込み:1.0mm、送り:0.2mm/revの条件で湿式旋削加工試験を行った。工具寿命は、チッピングまたは欠損が生じるまでの切削時間とし、チッピングまたは欠損が生じない場合は、最大逃げ面摩耗量VBmax=0.30mmになるまでの切削時間とした。これらの結果を表8に示す。
Figure 0005403058
表8に示されるように、比較品3は切削時間7分で寿命となったが、発明品8〜15は、切削時間10分以上加工ができ、比較品3に対して1.4倍以上の工具寿命を示した。発明品8〜15の中でも、発明品9〜11、13〜15は比較品3の2倍以上の工具寿命を示した。
[実施例3]
基材として形状がCNMG120408のS10相当超硬合金製インサートを用意した。発明品については、表9に示す被膜の金属元素の組成に対応する金属ターゲットをAIP装置内に設置した。AIP装置内に基材を入れ、ヒーターにより基材温度を650℃まで加熱し、基材に対してArガスボンバードした。AIP装置内に、被膜の組成によってAr、N2およびCH4の中から選択した原料ガスを導入して、圧力を3.5Paに調整して基材バイアス電圧:−30〜−50V、アーク放電電流:120〜160Aの第1被覆工程により表10に示す時間被覆した。第1被覆工程による被覆を終了した後、圧力を維持したまま、基材温度を500℃まで下げて、徐々に基材バイアス電圧を−30〜−50Vから−80〜−110Vに調整し、基材バイアス電圧:−80〜−110V、アーク放電電流:130〜170Aの第2被覆工程により表10に示す時間被覆した。
比較品4については、表9に示す被膜の金属元素の組成に対応する金属ターゲットをAIP装置内に設置し、発明品と同じように基材をAIP装置内に入れ、ヒーターにより基材温度を600℃まで加熱し、発明品と同様に基材に対してArガスボンバードした後、AIP装置内にArとN2の混合ガスを導入して圧力を2Paに調整し、基材バイアス電圧:−50V、アーク放電電流:150Aという被覆条件で被膜を被覆した。
基材の表面に被覆された被膜の組成に関しては、エネルギー分散元素分析装置(EDS)を使用し、被膜表面から測定を行った。基材の表面に被覆された被膜の平均膜厚については、各試料を切断して、断面を鏡面仕上げして得られた断面を光学顕微鏡で観察して測定した。これらの値は表9に併記した。
Figure 0005403058
Figure 0005403058
発明品16〜23および比較品4の被膜について、実施例1と同様に株式会社リガク製X線回折装置RINT−TTRIIIを用いて、2θ/θスキャン法のX線回折測定を行ったところ、全試料の被膜は立方晶のNaCl型構造であった。さらに、実施例1と同様に株式会社リガク製X線回折装置RINT−TTRIIIを用いて全試料の被膜の(111)面と(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布を測定した。測定結果は表11に示した。
Figure 0005403058
発明品16〜23、比較品4の被覆超硬合金工具を用いて、被削材:Ni基耐熱合金Inconel718、切削速度:90m/min、切り込み:0.5mm、送り:0.15mm/revの条件で湿式旋削加工試験を行った。工具寿命は、最大逃げ面摩耗量VBmax=0.20mmになるまでの切削時間とした。これらの結果を表12に示す。
Figure 0005403058
表12に示されるように、比較品4は切削時間7分で寿命となったが、発明品16〜23は、切削時間11分以上加工ができ、比較品4に対して1.5倍以上の工具寿命を示した。発明品の中でも、発明品17、18、19、21、22、23は比較品4の2倍以上の工具寿命を示した。

Claims (12)

  1. 基材の表面に被膜を被覆した被覆部材において、被膜の少なくとも1層は周期表4、5、6族元素、Al、Si、B、YおよびMnの中から選ばれた少なくとも1種の元素と、C、NおよびOの中から選ばれた少なくとも1種の元素とからなる立方晶の金属化合物からなる硬質膜であり、硬質膜の(111)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角50〜65度の範囲に最高強度を示し、硬質膜の(200)面に関する正極点図のα軸のX線強度分布はα角60〜80度の範囲に最高強度を示すことを特徴とする被覆部材。
  2. 硬質膜が、Al、Si、TiおよびCrの中から選ばれた少なくとも1種の金属元素と、C、N、Oの中から選ばれた少なくとも1種の非金属元素とからなる金属化合物層である請求項1に記載の被覆部材。
  3. 硬質膜が、TiN、TiC、TiCN、TiCNO、(AlTi)N、(AlTi)C、(AlTi)(CN)、(AlTi)(CNO)、(AlCr)N、(AlCr)C、(AlCr)(CN)、(AlCr)(CNO)、(AlTiCr)N、(AlTiCr)C、(AlTiCr)(CN)、(AlTiCr)(CNO)、(AlTiSi)N、(AlTiSi)C、(AlTiSi)(CN)、(AlTiSi)(CNO)、(AlTiCrSi)N、(AlTiCrSi)C、(AlTiCrSi)(CN)及び(AlTiCrSi)(CNO)からなる群より選択された少なくとも1種である請求項2に記載の被覆部材。
  4. 硬質膜が、(Alab)(Cxy
    但し、JはTiおよびCrの1種または2種を表し、aはAl
    とJとの合計に対するAlの原子比を表し、bはAlとJとの
    合計に対するJの原子比を表し、a、bは、a+b=1、0.
    5≦a≦0.7、0.3≦b≦0.5を満足し、xはCとNと
    の合計に対するCの原子比を表し、yはCとNとの合計に対す
    るNの原子比を表し、x+y=1、0≦x≦1、0≦y≦1を
    満足する、
    で表される金属化合物層である請求項2に記載の被覆部材。
  5. 硬質膜が、(Al0.50Ti0.50)N、(Al0.55Ti0.45)N、(Al0.60Ti0.40)N、(Al0.70Ti0.30)N、(Al0.60Ti0.20Cr0.20)N及び(Al0.50Cr0.50)Nからなる群より選択された少なくとも1種である請求項4に記載の被覆部材。
  6. 硬質膜が、(AlcdSie)(Czw
    但し、JはTiおよびCrの1種または2種を表し、cはAl
    とJとSiとの合計に対するAlの原子比を表し、dはAlと
    JとSiとの合計に対するJの原子比を表し、eはAlとJと
    Siとの合計に対するSiの原子比を表し、c、d、eは、c
    +d+e=1、0.3≦c≦0.6、0.3≦d≦0.6、0
    .01≦e≦0.1を満足し、zはCとNとの合計に対するC
    の原子比を表し、wはCとNとの合計に対するNの原子比を表
    し、z+w=1、0≦z≦1、0≦w≦1を満足する、
    で表される金属化合物層である請求項2に記載の被覆部材。
  7. 硬質膜が、(Al0.45Ti0.40Si0.15)N、(Al0.55Ti0.35Si0.10)N、(Al0.60Ti0.35Si0.05)N、(Al0.30Cr0.30Ti0.30Si0.10)N、(Al0.45Cr0.30Ti0.20Si0.05)N、(Al0.55Ti0.30Cr0.10Si0.05)N 、(Al0.60Ti0.29Cr0.10Si0.01)N、(Al0.55Ti0.05Cr0.3Si0.1)(C0.50.5)、(Al0.4Ti0.4Cr0.15Si0.05)(C0.30.7)、(Al0.5Ti0.38Cr0.08Si0.04)N及び(Al0.55Ti0.4Si0.05)(C0.10.9)からなる群より選択された少なくとも1種である請求項6に記載の被覆部材。
  8. 硬質膜の(200)面の回折線の半価幅が0.90〜1.60度である請求項4〜7のいずれか1項に記載の被覆部材。
  9. 被膜全体の平均膜厚は0.1〜15μmである請求項1〜8のいずれか1項に記載の被覆部材。
  10. 硬質膜が、基材をアークイオンプレーティング装置内に入れ、ヒーターにより基材温度を500〜750℃まで加熱し、基材に対して、Arガスボンバードした後、Ar、N2、O2、CH4、C22またはこれらの混合ガスを導入して、装置内の圧力を2〜5Paとし、基材に直流バイアス電圧:−20〜−70Vを印加して、アーク放電電流:80〜180Aの第1被覆工程により硬質膜の平均膜厚の3〜15%に相当する膜厚分を時間調整して被覆し、次いで、基材温度を下げて450〜700℃とし、圧力を維持したまま、徐々に基材バイアス電圧を−20〜−70Vから調整して、基材バイアス電圧を−80〜−180V、アーク放電電流:130〜180Aの第2被覆工程により硬質膜の平均膜厚の85〜97%に相当する膜厚分を時間調整して被覆することにより形成する請求項1〜9のいずれか1項に記載の被覆部材。
  11. 硬質膜が、基材をアークイオンプレーティング装置内に入れ、ヒーターにより基材温度を500〜700℃まで加熱し、基材に対して、Arガスボンバードした後、Ar、N2、O2、CH4、C22またはこれらの混合ガスを導入して、装置内の圧力を2〜4Paとし、基材に直流バイアス電圧:−30〜−60Vを印加して、アーク放電電流:100〜150Aの第1被覆工程により硬質膜の平均膜厚の3〜15%に相当する膜厚分を時間調整して被覆し、次いで、基材温度を下げて450〜550℃とし、圧力を維持したまま、徐々に基材バイアス電圧を−0〜−0Vから調整して、基材バイアス電圧を−80〜−120V、アーク放電電流:150〜180Aの第2被覆工程により硬質膜の平均膜厚の85〜97%に相当する膜厚分を時間調整して被覆することにより形成する請求項1〜10のいずれか1項に記載の被覆部材。
  12. 請求項1〜11のいずれか1項に記載の被覆部材を切削工具として用いる切削工具用被覆部材。
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