JP2006281400A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006281400A JP2006281400A JP2005106895A JP2005106895A JP2006281400A JP 2006281400 A JP2006281400 A JP 2006281400A JP 2005106895 A JP2005106895 A JP 2005106895A JP 2005106895 A JP2005106895 A JP 2005106895A JP 2006281400 A JP2006281400 A JP 2006281400A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- top ring
- mounting table
- base
- polishing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 abstract 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
【解決手段】 受け渡し装置18は、搬入されるワークWの外周を受け部によって案内することによりワークのセンタリングを行う案内部材45と、案内部材45に対し相対的に上下動し、センタリングされたワークWを、ワークW上面が上方に突出するように案内部材45から受け取る載置部54を有する載置台53と、載置台53を沈み込み可能に支持する支持機構56、57、60、64とを具備し、載置台53がトップリング16に対し、相対的に接近動して、載置部54上に受け取られているワークWをトップリング16下面に押圧し、ワークWをトップリング16に受け渡すことを特徴とする。
【選択図】 図4
Description
これら研磨装置は、上面に研磨布が張られた定盤と、下面側にワークが保持され、ワークの下面を研磨布に押しつけるトップリングとを具備し、定盤とトップリングとを相対運動させてワーク下面側を研磨(ポリシング)するものである。
トップリングへのワークの受け渡しは、ロボットハンドにより、ワークを受け渡し装置に搬入し、受け渡し装置ではワークのセンタリングを行い、トップリングがワーク受け渡し装置にワークを受け取りに行く構成が一般に採用されている。
このワーク受け渡し装置は、半導体ウエーハ(ワーク)を載置する支持面を有したプッシャーステージと、該プッシャーステージを昇降させる昇降機構と、プッシャーステージの外周側に位置し逆円錐状の案内面を有する案内部材とを有する。
半導体ウエーハは、ロボットハンドによりプッシャーステージ上に搬入され、プッシャーステージの支持面上に載置、支持される。次いでプッシャーステージが下降され、これと共にウエーハも下降し、案内部材内に進入して、外周面が、案内部材の逆円錐状の案内面に当接してセンタリングされる。そして、再度プッシャーステージが上昇され、センタリングされているウエーハを再び受け取り、トップリング下面に押圧して、トップリング下面にウエーハを保持させるようにしている。
ウエーハの研磨後は、上記と逆にして、トップリングから受け渡し装置上に搬入され、受け渡し装置からロボットハンドにより外部に搬出される。
本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、ワークをずれることなくトップリングに受け渡すことができ、精度よく研磨を行える研磨装置を提供するにある。
前記案内部材が、上端部側が先細部となり、該先細部がワークセンタリングの際のワークの案内部となる複数本のピンを具備することを特徴とする。
前記載置台は、外周部にリング状に起立した前記載置部を有することを特徴とする。
基台に、前記載置台が弾性部材を介して沈み込み可能に支持されていることを特徴とする。
前記弾性部材がコイルスプリングであり、該コイルスプリングが、前記載置台から垂下され、前記基台を貫通するシャフト上に装着され、かつ載置台と基台との間に弾装されていることを特徴とする。
前記載置台が、ガイドロッドを介して、前記基台に、水平状態を維持した状態で上下動可能にガイドされていることを特徴とする。
前記ガイドロッドが、前記昇降部材をガイドするガイドロッドを兼用することを特徴とする。
前記載置台に弾性部材を介して沈み込み可能に設けられた支持部材と、該支持部材に複数個配設され、前記載置台にセンタリングされて受け取られたワークの外周に当接してワークを位置決めするずれ止め片とを具備することを特徴とする。
図1は研磨装置10の正面説明図である。
図1において、12は、上面にポリウレタン等の研磨布13が接着剤等により張られた定盤であり、スピンドル14により、水平面内で回転するようになっている。スピンドル14は公知の駆動機構(図示せず)により回転駆動される。
トップリング16は、公知の機構により、軸線を中心に回転、かつ上下動自在に支持された回転シャフト17の下端に取りつけられている。またトップリング16は、定盤12上に位置する位置と、定盤12外に位置するワーク受け渡し位置Xとの間で移動可能に設けられている。
受け渡し装置18から、トップリング16下面にワークが受け渡され、トップリング16によりワークが定盤12の研磨布13に押圧されつつ、定盤12およびトップリング16が回転することによりワークの研磨が行われる。研磨終了後は、トップリング16から受け渡し装置18にワークが受け渡され、受け渡し装置18からロボットハンドにより、ワークが搬出される。
20は、ヘッド本体であり、シャフト17に固定される天板部21と、この天板部21の下面側外周部に固定された筒体部22を有する。
24は保持板であり、ヘッド本体20の下方に位置して、リング状のダイアフラム25を介して上下動可能に取り付けられている。すなわち、ダイアフラム25の外周側は、固定具26により筒体部22下面に固定され、ダイアフラム25の内周側は固定具27により保持板24の外周部に固定されている。
保持板24内には、同心状の第2の流体室31が形成されている。この同心状の第2の流体室31は、ラジアル方向に延びる溝(図示せず)によって連通している。また、保持板24下面には第2の流体室31に通じる多数の細孔32が均一に開口している。
なお、ワークを保持する際には、第2の流体室31内空気を吸引し、これによりワークをバッキングパッド36下面に吸着して保持するようにする。
なおまた、筒体部22の内壁面と、固定具27外壁面とには、互いに逆テーパとなる係合テーパ面38が形成され、この係合テーパ面38が係合することによって、保持板24の芯出し、並びに抜け止めがなされる。
図4は、受け渡し装置18の一例を示す説明断面図である。
基台40には、シリンダ装置(駆動装置)41により昇降動される昇降台(昇降部材)42が設けられている。すなわち、ピストンロッド41aに昇降部材42が連結され、ガイドロッド43がガイドブッシュ44にガイドされており、シリンダ装置41が駆動されることにより、昇降部材42は水平状態を保って昇降動される。
昇降部材42は、円板状に設けられ、その外周部には、上方に向けて延びる6本のピン(案内部材)45が、周方向に間隔をおいて配設されている(図5参照)。
なお、図4において、51、51はセンサであり、投光部と受光部からなり、ピン45の上部ピン47間をワークWが通過したか否かを検出する。
載置台53は円板状をなし、外周部にリング状に起立する載置部54を有する。載置部54には、ピン45が下降することによって、ピン45からワークWが受け渡される。この載置部54のワーク載置面54aは、下方に向けてすぼまるテーパ面に形成されている。このワーク載置面54aにワークWが受け渡された際、図3に示されるように、ワークWの上面の高さが、ワーク載置面54aの最上部の高さよりも高く、すなわち上方に突出するよう、テーパ面54aとワークWとの大きさ関係が設定されている。このワークWの突出高さは、図3に示されるように、トップリング16が下降し、バッキングパッド36がワークWの上面に当接し、押圧する際、テンプレート37が、載置部54の上部に当接しない、すなわち干渉されない十分な高さとなるようにする。
載置台53は、コイルスプリング(弾性部材)64を介して基台40に沈みこみ可能に支持されている。この載置台53を沈み込み可能に支持する支持機構についてさらに詳細に説明する。
載置台53の下面側には、4本の前記ガイドロッド43と、4本のシャフト56とが、同一円周上に位置して、交互に固定して設けられ、下部は共に基台40を貫通して下方に延びている。図5にその配置関係を、わかりやすくするために実線で示した。
シャフト56の、基台40下方に突出する部分はネジ部56bに形成され、該ネジ部56bにナット57が螺合されている。また、シャフト56の、基台40を貫通する部分に、外周にネジ部60aが形成されて基台40に螺合されたネジ筒60が外挿されている。ネジ筒60は、スパナ掛部60bにスパナをかけて回すことにより、基台40に対する位置を調整可能となっている。62は調整位置でネジ筒60を固定するためのナットである。
ネジ筒60の基台40に対する螺合位置とナット57の締め付け位置とを調整することにより、基台40に対する載置台53の高さとコイルスプリング64の弾性力とを調整可能となっていることが理解されよう。
続いて動作について説明する。
図4に示すように、昇降台42は上昇されており、そのとき、ピン45の上部ピン47は、載置台53の載置部54上面よりも十分に高い位置に位置している。
この状態で、ロボットハンドHにより、マガジン(図示せず)等に収納されているワークWはその外周を保持された状態で、6本の上部ピン47間に搬入され、ロボットハンドHから開放される。すると、ワークWは、上部ピン47の外周面で案内されてセンタリングされ、テーパ面48上部に落ち込み、位置決めされる。この状態が図4に示されている。
研磨後、ワークWは、トップリング16から、図4に示す状態に受け渡し装置18に搬入され、次いでロボットハンドHにより所要外部に搬出される。
なお、上記ではトップリング16が下降してワークWがトップリング16下面に吸着保持されるようにしたが、受け渡し装置18が上昇して、トップリング16にワークWを受け渡すようにしてもよい。この場合にあっても、従来のように、プッシャーステージによるワークの受け渡し、再度の受け取りのような無駄な動作がないから、ワークWの位置ずれを防止できる。
上記実施の形態と同一の部材は同一の符号を付し、説明を省略する。
70は支持台(支持部材)であり、載置台53の下方に沈み込み可能に配設されている。
すなわち、載置台53下面に複数本の支持シャフト71を下方に向けて固定して設け、この支持シャフト71を支持台70を貫通させて下方に延出させ、この支持シャフト71下部にワッシャ72をナット73によって固定し、ワッシャ72と支持台70下面との間の支持シャフト71上にコイルスプリング(弾性部材)74を配設している。
なお、76は、載置台53下面に設けたガイドロッド、77は支持台70に設けたガイドブッシュである。
支持台70は、円板状、もしくは放射状に設けられ、その外周側に上方に起立してずれ止め片80が設けられている。
また、ずれ止め片80は、リング状の載置部54に設けた切欠部54cから上方に突出するように設けられ、その上部には、図4および図10に示すように、ワークWが、載置部54の載置面54a上に載置された際、ワークWの外周面を囲んでワークWの位置決め(ずれ止め)をする突出部80aを有する。
12 定盤
13 研磨布
16 トップリング
18 受け渡し装置
36 バッキングパッド
37 テンプレート
40 基台
41 シリンダ装置(駆動装置)
42 昇降台(昇降部材)
43 ガイドロッド
45 ピン(案内部材)
51 センサ
53 載置台
54 載置部
56 シャフト
57 ナット
60 ネジ筒
64 コイルスプリング(弾性部材)
70 支持台(支持部材)
71 シャフト
74 コイルスプリング(弾性部材)
80 ずれ止め片
Claims (12)
- 上面に研磨布が張られた定盤と、下面側にワークが保持され、ワークの下面を研磨布に押しつけるトップリングと、該トップリングへワークを受け渡しする位置に配置された受け渡し装置とを具備し、定盤とトップリングとを相対運動させてワーク下面側を研磨する研磨装置において、
前記受け渡し装置は、
搬入されるワークの外周を受け部によって案内することによりワークのセンタリングを行う案内部材と、
該案内部材に対し相対的に上下動し、センタリングされたワークを、ワーク上面が上方に突出するように前記案内部材から受け取る載置部を有する載置台と、
該載置台を沈み込み可能に支持する支持機構とを具備し、
前記載置台が前記トップリングに対し、相対的に接近動して、載置部上に受け取られているワークをトップリング下面に押圧し、ワークをトップリングに受け渡すことを特徴とする研磨装置。 - 前記トップリングが下降し、前記載置台にセンタリングされて載置されているワークを載置台を沈みこませるようにして押圧し、ワークをトップリング下面に受け渡すことを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
- 前記案内部材が、上端部側が先細部となり、該先細部がワークセンタリングの際のワークの案内部となる複数本のピンを具備することを特徴とする請求項1または2記載の研磨装置。
- 前記載置台は、外周部にリング状に起立した前記載置部を有することを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載の研磨装置。
- 前記載置部のワーク載置面が下方に向けてすぼまるテーパ面をなすことを特徴とする請求項1〜4いずれか1項記載の研磨装置。
- 基台に、前記載置台が弾性部材を介して沈み込み可能に支持されていることを特徴とする請求項1〜5いずれか1項記載の研磨装置。
- 前記弾性部材がコイルスプリングであり、該コイルスプリングが、前記載置台から垂下され、前記基台を貫通するシャフト上に装着され、かつ載置台と基台との間に弾装されていることを特徴とする請求項6記載の研磨装置。
- 前記シャフトの、前記基台下方に突出する部分がネジ部に形成され、該ネジ部にナットが螺合され、かつ、前記シャフトの、前記基台を貫通する部分に、外周にネジ部が形成されて基台に螺合されたネジ筒が外挿され、該ネジ筒の基台に対する螺合位置と前記ナットの締め付け位置とを調整することにより、基台に対する前記載置台の高さと前記コイルスプリングの弾性力とを調整可能となっていることを特徴とする請求項7記載の研磨装置。
- 前記載置台が、ガイドロッドを介して、前記基台に、水平状態を維持した状態で上下動可能にガイドされていることを特徴とする請求項6〜8いずれか1項記載の研磨装置。
- 前記基台に、駆動装置により昇降動自在に昇降部材が配置され、該昇降部材に前記案内部材が設けられていることを特徴とする請求項6〜9いずれか1項記載の研磨装置。
- 前記ガイドロッドが、前記昇降部材をガイドするガイドロッドを兼用することを特徴とする請求項10記載の研磨装置。
- 前記載置台に弾性部材を介して沈み込み可能に設けられた支持部材と、
該支持部材に複数個配設され、前記載置台にセンタリングされて受け取られたワークの外周に当接してワークを位置決めするずれ止め片とを具備することを特徴とする請求項1〜11いずれか1項記載の研磨装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005106895A JP4642532B2 (ja) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | 研磨装置 |
TW095110700A TWI377113B (en) | 2005-04-01 | 2006-03-28 | Polishing apparatus |
KR1020060028228A KR101228178B1 (ko) | 2005-04-01 | 2006-03-29 | 연마 장치 |
DE602006001415T DE602006001415D1 (de) | 2005-04-01 | 2006-03-30 | Poliervorrichtung |
EP06251753A EP1707314B1 (en) | 2005-04-01 | 2006-03-30 | Polishing apparatus |
MYPI20061432A MY144252A (en) | 2005-04-01 | 2006-03-30 | Polishing apparatus |
US11/392,697 US7235001B2 (en) | 2005-04-01 | 2006-03-30 | Polishing apparatus |
CN200610074767A CN100591480C (zh) | 2005-04-01 | 2006-04-03 | 抛光设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005106895A JP4642532B2 (ja) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | 研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006281400A true JP2006281400A (ja) | 2006-10-19 |
JP4642532B2 JP4642532B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=36615722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005106895A Active JP4642532B2 (ja) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | 研磨装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7235001B2 (ja) |
EP (1) | EP1707314B1 (ja) |
JP (1) | JP4642532B2 (ja) |
KR (1) | KR101228178B1 (ja) |
CN (1) | CN100591480C (ja) |
DE (1) | DE602006001415D1 (ja) |
MY (1) | MY144252A (ja) |
TW (1) | TWI377113B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7644922B2 (en) * | 2004-06-14 | 2010-01-12 | Wms Gaming Inc. | Gaming terminal with transformable cabinet |
JP5033354B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-09-26 | 不二越機械工業株式会社 | ワークセンタリング装置 |
JP2009194134A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Ebara Corp | 研磨方法及び研磨装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09225822A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Ebara Corp | ポリッシング装置のプッシャー |
JP2002009021A (ja) * | 2000-05-23 | 2002-01-11 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2002184732A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Ebara Corp | 受け渡し装置 |
JP2004006559A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Ebara Corp | 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4944119A (en) | 1988-06-20 | 1990-07-31 | Westech Systems, Inc. | Apparatus for transporting wafer to and from polishing head |
US5885138A (en) * | 1993-09-21 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device |
EP0911114B1 (en) | 1997-10-20 | 2007-08-01 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
WO1999026763A2 (en) * | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JPH11347992A (ja) | 1998-06-02 | 1999-12-21 | Komoda Kogyo:Kk | 配管切断システムおよびこのシステムにおいて使用されるコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP3675237B2 (ja) * | 1999-07-09 | 2005-07-27 | 株式会社東京精密 | 平面加工装置 |
US6609950B2 (en) * | 2000-07-05 | 2003-08-26 | Ebara Corporation | Method for polishing a substrate |
KR100472959B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 언로딩구조가 개선된 반도체 웨이퍼의 표면평탄화설비 |
US7101253B2 (en) * | 2002-08-27 | 2006-09-05 | Applied Materials Inc. | Load cup for chemical mechanical polishing |
-
2005
- 2005-04-01 JP JP2005106895A patent/JP4642532B2/ja active Active
-
2006
- 2006-03-28 TW TW095110700A patent/TWI377113B/zh active
- 2006-03-29 KR KR1020060028228A patent/KR101228178B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-30 DE DE602006001415T patent/DE602006001415D1/de active Active
- 2006-03-30 MY MYPI20061432A patent/MY144252A/en unknown
- 2006-03-30 EP EP06251753A patent/EP1707314B1/en active Active
- 2006-03-30 US US11/392,697 patent/US7235001B2/en active Active
- 2006-04-03 CN CN200610074767A patent/CN100591480C/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09225822A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-02 | Ebara Corp | ポリッシング装置のプッシャー |
JP2002009021A (ja) * | 2000-05-23 | 2002-01-11 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JP2002184732A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Ebara Corp | 受け渡し装置 |
JP2004006559A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Ebara Corp | 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101228178B1 (ko) | 2013-01-30 |
KR20060105511A (ko) | 2006-10-11 |
TWI377113B (en) | 2012-11-21 |
CN100591480C (zh) | 2010-02-24 |
MY144252A (en) | 2011-08-29 |
DE602006001415D1 (de) | 2008-07-24 |
CN1840290A (zh) | 2006-10-04 |
TW200635705A (en) | 2006-10-16 |
EP1707314A1 (en) | 2006-10-04 |
EP1707314B1 (en) | 2008-06-11 |
US20060223421A1 (en) | 2006-10-05 |
JP4642532B2 (ja) | 2011-03-02 |
US7235001B2 (en) | 2007-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5645348B2 (ja) | 可動式台座部を用いた研磨ヘッド試験 | |
US6872129B2 (en) | Edge contact loadcup | |
JP2017076807A (ja) | 基板把持装置 | |
WO2015194092A1 (ja) | 自動ハンドリング装置 | |
JP6278807B2 (ja) | ワークハンドリング装置 | |
JPH11262856A (ja) | 平面状物の保持装置 | |
JP4642532B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP4174453B2 (ja) | ディスクのチャック機構 | |
KR102370447B1 (ko) | 편면 연마 장치로의 웨이퍼 접착 장치 및, 편면 연마 장치로의 웨이퍼 접착 방법 | |
JP2010182814A (ja) | ウェーハ保持機構 | |
JPH05277929A (ja) | ポリッシング装置の上軸機構 | |
JP5033354B2 (ja) | ワークセンタリング装置 | |
JP6349131B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JP2017157646A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
JPH11347922A (ja) | ポリッシング装置 | |
JP4715837B2 (ja) | 円筒状部材の中心位置合わせ装置 | |
JP4081246B2 (ja) | スライダ支持機構及び倣い装置 | |
JP2770087B2 (ja) | ウェーハの研磨方法及びその研磨用トップリング | |
JP7258566B2 (ja) | 平面加工装置 | |
JP3247708B2 (ja) | 半導体ウェハーのポリッシング装置 | |
JP2009200390A (ja) | プローブカード移載装置 | |
JP2008235494A (ja) | 半導体基板の受け渡し方法 | |
JP2022126248A (ja) | 研磨装置および研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101109 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4642532 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |