JP2006273418A - キャリアテープ、半導体装置担持体、及びキャリアテープの製造方法 - Google Patents

キャリアテープ、半導体装置担持体、及びキャリアテープの製造方法 Download PDF

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Yukio Ando
幸男 安藤
Misao Inoke
操 猪野毛
Hideyasu Hashiba
英靖 橋場
Kenichi Yazaki
健一 矢崎
Yuzo Hamanaka
雄三 濱中
Keiichi Sasamura
計一 笹村
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Abstract

【課題】 本発明は、切り起こした部分の幅を小さく維持しながら、切断面が帯電しても半導体装置に影響を及ぼさない構造のキャリアテープ、半導体装置担持体、及びキャリアテープの製造方法を提供すること課題とする。
【解決手段】 キャリアテープ11は本体3bの周囲からリード3aが延在する半導体装置3を凹部11a内に保持する。突出部11dは、半導体装置3の下面を支持する支持部11cの周囲に起立した状態でキャリアテープの一部により形成され、リード3b本体3aとの間に入り込む。突出部11dの表面に導電層11fが形成される。突出部11dの先端面11gは、半導体装置3が凹部11aに収容された状態で、リード3aとは実質的に反対の方向に向いている。
【選択図】 図7

Description

本発明はキャリアテープに係り、特に、半導体装置を出荷する際などに半導体装置の担持体として用いられるキャリアテープ、半導体装置担持体、及びキャリアテープの製造方法に関する。
半導体装置の基板実装を容易にするための半導体装置の供給形態として、エンボステーピング出荷がある。エンボステーピング出荷では、テープに沿って連続して凹部が形成されたエンボステープ(キャリアテープ)の各凹部に半導体装置が収容された状態で、半導体装置が搬送され出荷される。このようなエンボステーピング出荷は、LSI等の半導体装置を一括して大量に搬送でき、且つ出荷先において半導体装置を高速で実装できるなどのメリットがあることから需要が拡大している。
半導体装置の2局化(大型化と短小化)が進む中、大型のLSIパッケージ(特に、LQFP/QFPなどの4方向リード端子品)にもエンボステーピング出荷が求められているが、キャリアテープの精密加工が難しいという問題がある。したがって、現状では、大型のLSIパッケージにはエンボステーピング出荷を適用することができず、トレイ出荷/トレイ実装で対応している。
トレイ出荷の場合、出荷先で半導体装置を基板に実装する際に、エンボステーピング出荷に比べ、実装スピードが1/2〜1/3であり、実装効率が悪い。すなわち、トレイ出荷の場合、高速実装が可能な実装機を使用することができず、トレイ対応可能な汎用実装機を用いて実装を行なう必要がある。このような汎用実装機では、中間テーブル等を用いて半導体装置をトレイから中間テーブルに移載する工程が必要なため、半導体装置の搬送効率が悪く、エンボステーピング出荷に比べて実装スピードを向上させることができない。
従来のエンボステーピング出荷におけるキャリアテープ(エンボステープ)の概要を図1に示す。キャリアテープ1には長手方向に整列して半導体装置を収容する凹部1aが連続して設けられる。半導体装置が収容されたキャリアテープ1は、リール2に巻回されてコンパクトにまとめられた状態で搬送、出荷される。
図2は図1に示すキャリアテープの一部を拡大して示す平面図である。プラスチックフィルム製のキャリアテープ1には、エンボス加工により凹部1aが形成され、凹部の中に半導体装置3が収容される。キャリアテープ1の片側にはテープをリール2から繰り出す際に用いられるスプロケットホール1bが設けられている。
図3はキャリアテープ1の凹部1aの拡大断面図であり、(A)は底上げタイプの凹部、(B)はリブタイプの凹部を示す。図3(A)に示す底上げタイプの凹部は、凹部の底面が持ち上がって支持部1cが形成されており、半導体装置3はその下面が支持部1cに支持された状態で凹部1a内に収容される。底上げタイプの場合、半導体装置3のリード3aは凹部1aの底面から浮いた状態で半導体装置3が支持されるが、搬送中の衝撃などで半導体装置3が凹部1a内で動くと、リード3aの先端が凹部1aの内面に接触して変形したり損傷したりするおそれがある。
そこで、図3(B)に示すリブタイプの凹部は、持ち上がった支持部1cの周囲がリブ状に突出しており、リブ状の突出部1dが半導体装置3のリード3aと本体3bとの間に入りこむことで、半導体装置3が動かないようにして、リード3aの保護を図っている。
図4は図3(B)に示すリブ状の突出部1d付近の拡大図である。リブ状の突出部1dが半導体装置3のリード3aと本体3bとの間に入り込むようにするには、リブ状の突出部1dの幅X2は、半導体装置3のリード3aと本体3bとの間の距離X1より小さく設定する必要がある。
ところが、図3(B)に示す突出部1dはキャリアテープ1を屈曲させて形成するため、突出部1cはキャリアテープ1が折り重なった状態となり、キャリアテープ1の2枚分の厚みとなる。キャリアテープ1は強く屈曲させても突出部1dの根元部分で僅かに開いた形状となるため、根元部分はキャリアテープ1の2枚分の厚みよりも更に大きくなる。
近年、半導体装置3のリード3aと本体3bとの間の空間は狭まる傾向にあり、キャリアテープ1を屈曲して形成した突出部1dの幅では大きすぎて、リード3aと本体3bとの間の空間に入らなくなってしまう。
また、図3(B)に示すリブ状の突出部1dは、半導体装置3のリード3aと本体3bとの間に入り込むため、リード3aの内側とリブ状の突出部1dとが接触するおそれがある。突出部1dは誘電体であるプラスチックテープを屈曲して形成されているため帯電するおそれがあり、帯電した突出部1dがリード3aに接触すると半導体素子3内の回路に悪影響を及ぼすそれがある。
そこで、図5に示すようにキャリアテープ1の凹部1aの底面を切り起こして幅の狭い突出部1eを形成し、突出部1eの両面に図6に示すように導電層又は帯電防止層1fを設けたキャリアテープが提案されている(例えば、特許文献1及び2参照。)。なお、図6は図5のA部を拡大して示す図である。
特開平9−92689号公報 特開平9−169386号公報
図5及び図6に示す構造では、切り起こした部分1eの先端面1gにおいてキャリアテープ1の母材が剥き出しになる。すなわち、導電層又は帯電防止層1fはキャリアテープ1にエンボス加工を施す前にキャリアテープ1の両面に形成されるが、切り起こした部分1eはキャリアテープ1を切断して形成するため、先端面1gはキャリアテープ1の切断面となり、テープの母材が剥き出しになる。
したがって、プラスチック等の誘電体材料であるキャリアテープ1の切断面1gが半導体装置3のリード3aに接触、もしくは近接するおそれがあり、このため、半導体装置3が帯電し回路破壊するという問題が発生するおそれがある。
そこで、本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、切り起こした部分の幅を小さく維持しながら、切断面が帯電しても半導体装置に影響を及ぼさない構造のキャリアテープ、半導体装置担持体、及びキャリアテープの製造方法を提供すること目的とする。
上述の目的を達成するために、本発明によれば、本体の周囲からリードが延在する半導体装置を保持するためのキャリアテープであって、該半導体装置を収容する凹部と、該凹部内で該キャリアテープの一部により形成され、該半導体装置の下面を支持する支持部と、 該支持部の周囲に起立した状態で前記キャリアテープの一部により形成され、前記半導体装置が前記凹部に収容された状態で、前記半導体装置の前記リードと前記本体との間に入り込む突出部と、該突出部の表面に形成された導電層とを有し、前記突出部の先端面は、前記半導体装置が前記凹部に収容された状態で、前記半導体装置の前記リードとは実質的に反対の方向に向いていることを特徴とするキャリアテープが提供される。
上述のキャリアテープにおいて、前記突出部の先端部は前記半導体装置の本体が収容される部分の側に屈曲され、前記突出部の前記先端面は、屈曲された部分の近傍に位置することが好ましい。
また、本発明によれば、上述のキャリアテープと、該キャリアテープの凹部に収容された半導体装置とを有することを特徴とする半導体装置搬送体が提供される。
さらに、本発明によれば、本体の周囲からリードが延在する半導体装置を保持するためのキャリアテープの製造方法であって、該キャリアテープの母材となるテープ材に、前記半導体装置の前記形状に基づいて決定した位置に切り込み又は貫通開口を形成し、前記テープ材に、前記半導体装置のリードを含む形状に対応した凹部を形成し、前記切り込みを利用して前記テープ材の一部を前記凹部の底面側から起立させ、前記半導体装置が前記凹部内に収容された際に前記本体と前記リードとの間に入り込む形状の突出部を形成する ことを特徴とするキャリアテープの製造方法が提供される。
上述のキャリアテープの製造方法において、前記突状部を起立させて形成する際に、前記突状部の先端部分を、前記凹部の内側に向かって屈曲させることが好ましい。
本発明によれば、キャリアテープにエンボス加工を施す際に、キャリアテープの一部を切り起こして突出部を形成し、この切り起こした突出部を半導体装置のリードと本体との間に入り込ませて半導体装置が動かないように支持することができる。突出部の厚みが小さいので、半導体装置の本体とリードとの間の距離が小さくても、半導体装置の本体とリードとの間に突出部を入れ込むことができる。また、突出部の先端を屈曲したり先端面に傾斜をつけることで、先端面が半導体装置のリードに対向しないように構成し、先端面に誘電体材料が露出して帯電していても、半導体装置に影響を及ぼすことはない。
次に、本発明の第1の実施の形態について図7を参照しながら説明する。図7は本発明の第1の実施の形態によるキャリアテープの一部の断面図である。
図7にはキャリアテープ11の一部が示されており、キャリアテープ11は、図1及び図2示すキャリアテープ1と同様なプ形状に加工されたプラスチックテープであり、連続して形成された凹部11aを有している。
凹部11aの中央部分には半導体装置3の下面を支持する支持部11cが形成されており、凹部11a内において、半導体装置3の下面は支持部11cに支持される。支持部11cの周囲には、突出部11dが切り起こされて形成されている。突出部11dは、半導体装置3のリード3aと本体3bとの間に入り込むように形成されている。
図8は図7のA部における突出部11dを拡大して示す図である。突出部11dはキャリアテープ11をV字状に屈曲して形成された部分であるが、屈曲したすぐ後の部分で切り落とされている。すなわち、本実施の形態による突出部11dにおいて、キャリアテープ11が2重となる部分は、屈曲した先端部分だけである。
このように、突出部11dを屈曲部分以外の部分を削除したような形状とすることにより、突出部11d全体としての幅を小さくすることができる。
図9は突出部11dの全体を示す拡大断面図である。図9において、突出部11dで削除された部分が点線で示されている。図9に示すように、削除された部分に対応する距離yだけ突出部11dの幅は狭くなっており、半導体装置3のリード3aと本体3bとの間が狭くても、十分入り込ませることができる。
ここで、図8に戻って説明を続ける。突出部11dを形成するキャリアテープ11には、金属などの導電材料をめっきやスパッタ等で堆積した導電層又は帯電防止層11fが形成されている。したがって、突出部11dの表面は帯電しないように構成されており、リード3aが突出部11dに接触しても問題はない。ただし、突出部11dが屈曲した後の先端面11gは、後述する製造方法によれば、キャリアテープ11の切断面となり、先端面11gには導電層又は帯電防止層11fは形成されていない。
しかし、本実施の形態では、先端面11gは半導体装置3のリード3a側ではなく、本体3b側に屈曲した部分に位置しており、リード3aから離間しており接触することはない。したがって、先端面11gに導電層又は帯電防止層11fが形成されていなくても、先端面11gにおける帯電が半導体装置のリード3aに影響を及ぼすことはない。
次に、本実施の形態によるキャリアテープ11の製造方法について、図10乃至図12を参照しながら説明する。
キャリアテープ11にエンボス加工を施す前に、キャリアテープ11の表面及び裏面に上述の導電層又は帯電防止層11fが形成される。導電層又は帯電防止層11fを形成する工程は、エンボス加工の工程とは全く異なる工程であり、エンボス加工の途中で導電層又は帯電防止層11fを形成する工程に移行すると工程が複雑となるため、エンボス加工を施す前に導電層又は帯電防止層11fを形成しておくことが好ましい。
キャリアテープ11となるプラスチックテープ材(キャリアテープの母材であるテープ材)を準備したら、まず、図10(A)に示すように、切り起こして突出部11dを形成するための貫通開口12及び切り込み13を入れる。図10は凹部11aが形成される前のキャリアテープ11の一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。なお、図10(B)の1点鎖線で囲まれた部分は、図中で拡大して示されている。キャリアテープ11の片側には連続してスプロケットホール11bが設けられている。
キャリアテープ11に貫通開口12及び切り込み13を形成したら、次に、図11に示すように凹部11aの外形をプレス等により形成する。凹部11aは、収容する半導体装置3のリード3aを含む外形より僅かに大きい寸法の開口を有する凹部である。図11は凹部11aを形成する途中のキャリアテープ11の一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。なお、図11(B)の1点鎖線で囲まれた部分は、図中で拡大して示されている。
キャリアテープ11に凹部11aが形成されたら、次に、突出部11dを形成する。突出部11dは、図12(A)に示すように、キャリアテープ11の凹部11aが形成された部分を金型20の上型21と下型21とで挟み込みながら、切り込み13を入れた部分を起立させ、起立した部分の先端を屈曲させることにより形成することができる。図12(A)はキャリアテープ11が上型21と下型22との間に挟まれて、突出部11dを形成している状態を示す断面図であり、図12(B)は金型20から取り出したキャリアテープ11を示す断面図である。なお、図12では突出部11dを形成するための金型20の一部が示されているものであり、図12(B)に示すように支持部11cも金型20により同時に形成される。
以上のように、突出部11dは、金型を用いてキャリアテープ11の切り込みを入れた部分を起立するように変形させ、且つ同じ金型で突出部11dの先端を屈曲させることで、短時間で容易に形成することができる。突出部11dの先端面11gに近い部分で屈曲させることにより、誘電体材料(プラスチック)が露出した先端面11gが半導体装置3のリード3aに対向せずに、反対側を向くようにし、先端面11gが帯電していても、リード3aには影響を及ぼすことなない。
なお、図10に示す工程において、貫通開口12を形成してその端部が突出部11dの先端面11gとなるようにしたが、必ずしも開口12を設ける必要はなく、図13に示すように、突出部11dに対応する切り込み13Aを入れておくだけでもよい。
次に、本発明の第2の実施の形態によるキャリアテープ31について、図14乃至図16を参照しながら説明する。
図14は凹部31aが形成される前のキャリアテープ31(キャリアテープの母材であるテープ材)の一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。なお、図14(B)の1点鎖線で囲まれた部分は、図中で拡大して示されている。図15はキャリアテープ31の凹部31aの断面図である。図16は図15のA部を拡大して示す図である。
上述の第1の実施の形態と同様に、キャリアテープ31にエンボス加工を施す前に、導電層又は帯電防止層31fがキャリアテープ31の表面及び裏面に形成されている。また、キャリアテープ31の片側には連続してスプロケットホール31bが設けられている。
キャリアテープ31となるプラスチックテープ材を準備したら、まず、図14(A)に示すように、切り起こして突出部31dを形成するための貫通開口32及び切り込み33を入れる。
ここで、図14の拡大図に示すように、貫通開口32の切り口は斜めとなっている。すなわち、本実施の形態では、図15及び図16に示すように、突出部31dを屈曲せずにそのままとし、その代わりに先端面31gに傾斜をつけている。先端面31gを傾斜させることで、誘電体材料(プラスチック)が露出した先端面31gが半導体装置3のリード3aに対向せずに、反対側を向くようにし、先端面31gが帯電していても、リード3aには影響を及ぼすことはない。
突出部31dは、上述の第1の実施の形態と同様に、金型を用いて切り込み33を入れた部分が起立するように変形させることで、短時間で容易に形成することができる。
次に、本発明の第3の実施の形態によるキャリアテープ41について、図17乃至図19を参照しながら説明する。
図17は凹部41aが形成される前のキャリアテープ41(キャリアテープの母材であるテープ材)の一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。なお、図17(B)の1点鎖線で囲まれた部分は、図中で拡大して示されている。図18はキャリアテープ41の凹部41aの断面図である。図19は図18のA部を拡大して示す図である。
上述の第1の実施の形態と同様に、キャリアテープ41にエンボス加工を施す前に、導電層又は帯電防止層41fがキャリアテープ41の表面及び裏面に形成されている。また、キャリアテープ41の片側には連続してスプロケットホール41bが設けられている。
キャリアテープ41となるプラスチックテープ材を準備したら、まず、図17(A)に示すように、切り起こして突出部41dを形成するための貫通開口42及び切り込み43を入れる。
ここで、図17の拡大図に示すように、貫通開口42の切り口は斜めとなっている。すなわち、本実施の形態では、図18及び図19に示すように、突出部41dの先端をリード3a側に屈曲し、且つ屈曲した後の突出部41aの先端面41gに傾斜を持たせて、先端面41gが半導体装置3のリード3aに対向せずに、反対側を向くようにしている。したがって、先端面41gが帯電していても、リード3aに影響を及ぼすことはない。
突出部41dは、上述の第1の実施の形態と同様に、金型を用いて切り込み43を入れた部分が起立するように変形させることで、短時間で容易に形成することができる。
以上のように、上述の本発明の実施の形態によれば、本体3bの周囲からリード3aが延在する半導体装置3を保持するためのキャリアテープであって、半導体装置3を収容する凹部11a,31a,41aと、凹部内でキャリアテープの一部により形成され、半導体装置の下面を支持する支持部11c,31c,41cと、支持部の周囲に起立した状態でキャリアテープの一部により形成され、半導体装置3が凹部11a,31a,41aに収容された状態で、半導体装置3のリード3aと本体3bとの間に入り込む突出部11d,31d,41dと、突出部の表面に形成された導電層または帯電防止層11f,31f,41fとを有し、突出部11d,31d,41dの先端面11g,31g,41gは、半導体装置が前記凹部に収容された状態で、半導体装置3のリード3aとは実質的に反対の方向に向いていることを特徴とするキャリアテープ11,31,41が提供される。
また、突出部11dの先端部は半導体装置3の本体3bが収容される部分の側に屈曲され、突出部11dの先端面11gは、屈曲された部分の近傍に位置する。あるいは、突出部31dの先端面31gは、突出部を形成するキャリアテープの一部の表裏面に対して傾斜している。あるいは、突出部41dの先端部は半導体装置3の本体3bが収容される部分の反対側に屈曲され、突出部41dの先端面41gは屈曲された部分の近傍に位置し、且つ突出部を形成するキャリアテープの一部の表裏面に対して傾斜している。
すなわち、キャリアテープにエンボス加工を施す際に、キャリアテープの一部を切り起こして突出部を形成し、この切り起こした突出部を半導体装置のリードと本体との間に入り込ませて半導体装置が動かないように支持する。突出部の厚みが小さいので、半導体装置の本体とリードとの間の距離が小さくても、半導体装置の本体とリードとの間に突出部を入れ込むことができる。また、突出部の先端を屈曲したり先端面に傾斜をつけることで、先端面が半導体装置のリードに対向しないように構成し、先端面に誘電体材料が露出して帯電していても、半導体装置に影響を及ぼすことはない。
なお、上述の各実施の形態において、各凹部に半導体装置が収容されたキャリアテープには、凹部を塞ぐように上からカバーテープが被せられ、半導体装置が凹部内に保持された状態の半導体装置搬送体となる。テープ状の半導体装置搬送体は、図1に示すようにリールに巻かれた状態で搬送され、保管あるいは出荷される。出荷先では、半導体装置搬送体をリールから繰り出しながらカバーテープを除去し、凹部から半導体装置を順次取り出して実装機に供給する。
以上の如く、本明細書は以下の発明を開示している。
(付記1)
本体の周囲からリードが延在する半導体装置を保持するためのキャリアテープであって、
該半導体装置を収容する凹部と、
該凹部内で該キャリアテープの一部により形成され、該半導体装置の下面を支持する支持部と、
該支持部の周囲に起立した状態で前記キャリアテープの一部により形成され、前記半導体装置が前記凹部に収容された状態で、前記半導体装置の前記リードと前記本体との間に入り込む突出部と、
該突出部の表面に形成された導電層と
を有し、
前記突出部の先端面は、前記半導体装置が前記凹部に収容された状態で、前記半導体装置の前記リードとは実質的に反対の方向に向いていることを特徴とするキャリアテープ。
(付記2)
付記1記載のキャリアテープであって、
前記突出部の先端部は前記半導体装置の本体が収容される部分の側に屈曲され、前記突出部の前記先端面は、屈曲された部分の近傍に位置することを特徴とするキャリアテープ。
(付記3)
付記1記載のキャリアテープであって、
前記突出部の前記先端面は、前記突出部を形成する前記キャリアテープの一部の表裏面に対して傾斜していることを特徴とするキャリアテープ。
(付記4)
付記1記載のキャリアテープであって、
前記突出部の先端部は前記半導体装置の本体が収容される部分の反対側に屈曲され、前記突出部の前記先端面は屈曲された部分の近傍に位置し、前記突出部の前記先端面は前記突出部を形成する前記キャリアテープの一部の表裏面に対して傾斜していることを特徴とするキャリアテープ。
(付記5)
付記1乃至4のうちいずれか一項記載のキャリアテープと、
該キャリアテープの凹部に収容された半導体装置と
を有することを特徴とする半導体装置搬送体。
(付記6)
本体の周囲からリードが延在する半導体装置を保持するためのキャリアテープの製造方法であって、
該キャリアテープの母材となるテープ材に、前記半導体装置の前記形状に基づいて決定した位置に切り込み又は貫通開口を形成し、
前記テープ材に、前記半導体装置のリードを含む形状に対応した凹部を形成し、
前記切り込みを利用して前記テープ材の一部を前記凹部の底面側から起立させ、前記半導体装置が前記凹部内に収容された際に前記本体と前記リードとの間に入り込む形状の突出部を形成する
ことを特徴とするキャリアテープの製造方法。
(付記7)
付記6記載のキャリアテープの製造方法であって、
前記テープ材に切り込み又は貫通開口を形成する前に、前記テープ材の表面及び裏面に導電層を形成することを特徴とするキャリアテープの製造方法。
(付記8)
付記7記載のキャリアテープの製造方法であって、
前記テープ材に切り込み又は貫通開口を形成する際に、前記突状部の先端面となる切断面が前記テープ材の表裏面に対して傾斜するように切断することを特徴とするキャリアテープの製造方法。
(付記9)
付記6記載のキャリアテープの製造方法であって、
前記突状部を起立させて形成する際に、前記突状部の先端部分を、前記凹部の内側に向かって屈曲させることを特徴とするキャリアテープの製造方法。
(付記10)
付記6記載のキャリアテープの製造方法であって、
前記テープ材に切り込み又は貫通開口を形成する際に、前記突状部の先端面となる切断面が前記テープ材の表裏面に対して傾斜するように切断し、
前記突状部を起立させて形成する際に、前記突状部の先端部分を、前記凹部の外側に向かって屈曲させることを特徴とするキャリアテープの製造方法。
(付記11)
付記6記載のキャリアテープの製造方法であって、
前記突状部を起立させて形成する際に、前記突状部の内側の前記凹部の底面を変形させて前記半導体装置の前記本体を支持する支持部を形成することを特徴とするキャリアテープの製造方法。
従来のエンボステーピング出荷におけるエンボステープの斜視図である。 図1に示すエンボステープの一部を拡大して示す平面図である。 エンボステープの凹部の拡大断面図であり、(A)は底上げタイプの凹部、(B)はリブタイプの凹部を示す図である。 図3Bに示すリブ状の突出部付近の拡大図である。 凹部の底面を切り起こして幅の狭い突出部が形成されたエンボステープの断面図である。 図5のA部を拡大して示す図である。 本発明の第1の実施の形態によるキャリアテープの一部の断面図である。 図7のA部における突出部を拡大して示す図である。 図7に示す突出部の全体を示す拡大断面図である。 凹部が形成される前のキャリアテープの一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。 凹部を形成する途中のキャリアテープの一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。 キャリアテープが上型と下型との間に挟まれて、突出部を形成している状態を示す断面図であり、(B)は金型から取り出したキャリアテープを示す断面図である。 凹部が形成される前のキャリアテープの一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。 本発明の第2の実施の形態によるキャリアテープにおいて、凹部が形成される前のキャリアテープの一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。 図14に示すキャリアテープの凹部の断面図である。 図15のA部を拡大して示す図である。 本発明の第3の実施の形態によるキャリアテープにおいて、凹部が形成される前のキャリアテープの一部を示す図であり、(A)は平面図であり、(B)は断面図である。 図17に示すキャリアテープの凹部の断面図である。 図17のA部を拡大して示す図である。
符号の説明
3 半導体装置
3a リード
3b 本体
11,31,41 キャリアテープ
11a,31a,41a 凹部
11b,31b,41b スプロケットホール
11c,31c,41c 支持部
11d,31d,41d 突出部
11f,31f,41f 導電層または帯電防止層
11g,31g,41g 先端面
12,32,42 貫通開口
13,13A,33,43 切り込み
20 金型
21 上型
22 下型

Claims (5)

  1. 本体の周囲からリードが延在する半導体装置を保持するためのキャリアテープであって、
    該半導体装置を収容する凹部と、
    該凹部内で該キャリアテープの一部により形成され、該半導体装置の下面を支持する支持部と、
    該支持部の周囲に起立した状態で前記キャリアテープの一部により形成され、前記半導体装置が前記凹部に収容された状態で、前記半導体装置の前記リードと前記本体との間に入り込む突出部と、
    該突出部の表面に形成された導電層と
    を有し、
    前記突出部の先端面は、前記半導体装置が前記凹部に収容された状態で、前記半導体装置の前記リードとは実質的に反対の方向に向いていることを特徴とするキャリアテープ。
  2. 請求項1記載のキャリアテープであって、
    前記突出部の先端部は前記半導体装置の本体が収容される部分の側に屈曲され、前記突出部の前記先端面は、屈曲された部分の近傍に位置することを特徴とするキャリアテープ。
  3. 請求項1又は2記載のキャリアテープと、
    該キャリアテープの凹部に収容された半導体装置と
    を有することを特徴とする半導体装置搬送体。
  4. 本体の周囲からリードが延在する半導体装置を保持するためのキャリアテープの製造方法であって、
    該キャリアテープの母材となるテープ材に、前記半導体装置の前記形状に基づいて決定した位置に切り込み又は貫通開口を形成し、
    前記テープ材に、前記半導体装置のリードを含む形状に対応した凹部を形成し、
    前記切り込みを利用して前記テープ材の一部を前記凹部の底面側から起立させ、前記半導体装置が前記凹部内に収容された際に前記本体と前記リードとの間に入り込む形状の突出部を形成する
    ことを特徴とするキャリアテープの製造方法。
  5. 請求項4記載のキャリアテープの製造方法であって、
    前記突状部を起立させて形成する際に、前記突状部の先端部分を、前記凹部の内側に向かって屈曲させることを特徴とするキャリアテープの製造方法。
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