JP2006270906A - 温度高安定・高結合溝構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 - Google Patents
温度高安定・高結合溝構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006270906A JP2006270906A JP2005121549A JP2005121549A JP2006270906A JP 2006270906 A JP2006270906 A JP 2006270906A JP 2005121549 A JP2005121549 A JP 2005121549A JP 2005121549 A JP2005121549 A JP 2005121549A JP 2006270906 A JP2006270906 A JP 2006270906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- groove
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【目的】本発明は、溝(グレーティンググルーブ)を設けた圧電性基板上にすだれ状電極を作製することにより、温度の変化に対する中心周波数の変化の小さい擬似弾性表面波基板、或いは電気機械結合係数の大きな基板を得ることを目的としている。
【構成】圧電性基板1の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝(グルーブ)2を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Y−X伝搬のLiTaO3、LiNbO3、或いは水晶、ランガサイトなどの零TCF基板を用いて従来の特性より大きなk2の基板、或いは従来より優れたTCFの基板を得るのが本特許の構成である。
【選択図】図2
【構成】圧電性基板1の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝(グルーブ)2を作製した構造の圧電性基板上に溝に埋め込まれたすだれ状電極を用いた構造であって、圧電性基板として、回転Y−X伝搬のLiTaO3、LiNbO3、或いは水晶、ランガサイトなどの零TCF基板を用いて従来の特性より大きなk2の基板、或いは従来より優れたTCFの基板を得るのが本特許の構成である。
【選択図】図2
Description
本発明は元の圧電性基板より大きな電気機械結係数(k2)、及び周波数温度特性(Temperature Coefficient of Frequency、TCF)がより優れた零或いは零に近い値をもつ温度安定性に優れた電極/溝/圧電体基板、及びSiO2/電極/溝/圧電体基板を用いた擬似弾性表面波及び弾性表面波、及びこれらの基板を用いた弾性表面波フィルタ及び機能素子に関する。
圧電性基板表面にすだれ状電極を設けた弾性表面波変換器を用いた弾性表面波フィルタ及び弾性表面波機能素子は、テレビの中間周波数帯のフィルタ、移動体通信用のフィルタとして、広く応用されている。これらのフィルタでは、比較的帯域幅が広い特性が要求される。また、温度の変化に対する周波数特性の変化の小さい変換器及びフィルター要求されている。しかし、従来の広い帯域幅をもつフィルタは電気機械結合係数(k2)の大きな圧電体基板が用いられているが、k2の大きな基板は一般に温度特性が悪く、温度安定性に欠ける。一方、温度安定性に優れた弾性表面波基板として、ST−カット水晶、LST−カット水晶などが提案されいるが、これらの単結晶基板は、高安定の発振器として有用であるが、電気機械結合係数が小さいので、広い帯域幅をもち、挿入損失の小さいフィルタには向かない。
これからの超高速を目指したUWB通信システムに向けて超広帯域フィルタ、信号源、VCOなどのデバイスが求められている中で、弾性表面波材料もより大きなk2をもつ基板、或いは温度安定性に優れ基板が求められている。
本発明は、圧電性基板表面に伝搬方向に直角な方向に周期的な溝(グルーブ)を作製し、その溝部分にすだれ状電極を埋め込んだ構造を弾性表面波変換器を構成することにより、基板のオリジナルな値より大きなk2をもつ基板、及びオリジナルなTCFより小さいTCFをもつ基板を得ることによい、従来より優れた弾性表面波基板を得ることを目的としている。
実施例の1は、図1のように、圧電性基板1の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝(グルーブ)2を作製した構造の圧電性基板であって、弾性表面波の波長をλ、その溝の深さをH1,溝の伝搬方向の幅をa、溝の周期をpとして、p=λ、λ/2、λ/4、或いはλからλ/6の範囲で可変させた構造であり、その深さH1/λが0.005から0.5の範囲であり、その溝の幅a/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板及びこれらの基板を用いた弾性表面波機能素子が実施例の1である。
実施例の2は、図2のように、溝構造の表面に膜厚H2の金属薄膜を付けた構造であって、金属薄膜の膜厚H2/λが、0.005から0.5の範囲にある構造であり、その金属膜の構造として、溝と基板表面を一様に覆った金属膜、或いは溝の部分に埋め込まれた構造、或いは溝にかかるように付着させた構造、或いは溝にまたがるように付着させた構造であって、金属電極の接続法として、開放型及び短絡型構造のグレーティング構造電極、或いはλ/2周期の溝に対して正規型構造のすだれ状電極、或いはλ/4周期の電極に対してダブル電極構造のすだれ状電極からなる弾性表面波基板及びこれらの基板を用いた弾性表面波機能素子が実施例の2である。
実施例の3は、実施例1、及び実施例2の構造の圧電性基板1として、圧電性基板1を伝搬する弾性表面波として、レーレー型の弾性表面波より速い速度をもつブランチの擬似弾性表面波を用いた擬似弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が25度から50度の範囲のLiTaO3基板であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がX軸或いはX軸からプラス・マイナス5度の範囲である弾性表面波基板を用いたのが実施例の3でる。この基板を用いることにより、図3のように、溝の深さH1/λ=0.25の場合、ほぼ零TCFの基板が得られることが判る。
実施例の4は、実施例1及び実施例2の構造の圧電性基板1として、圧電性基板1を伝搬する弾性表面波として、レーレー型の弾性表面波より速い速度をもつブランチの擬似弾性表面波を用いた擬似弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が−10度から40度の範囲のLiNbO3基板であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がX軸或いはX軸からプラス・マイナス5度の範囲である弾性表面波基板を用いたのが、実施例の4でる。この基板を用いることにより、図5のように、溝の深さH1/λ=0.05の場合、k2=0.35が得られることが判る。
実施例5は、実施例1及び実施例2の構造の圧電性基板1として、圧電性基板1として、この基板を伝搬する弾性表面波として、レーレー型の弾性表面波より速い速度をもつブランチの擬似弾性表面波を用いた擬似弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が100度から130度の範囲の水晶基板及び零周波数温度特性をもつ水晶基板、及び遅い横波より遅い速度のレーレー型の弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が36度から50度の範囲の水晶、回転Y板のカット角が120度から140度の範囲のLiNbO3基板及びLiTaO3基板であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がX軸或いはX軸からプラス・マイナス5度の範囲である基板、及びLiTaO3基板のX−カットの伝搬方向が112度を中心としてプラス・マイナス5度の範囲である基弾性表面波基板が実施例の5である。本構造の溝構造のすだれ状電極を用いることにより、溝の深さH1/λ=0.05で約2倍のk2が得られる。
実施例の1から5までの基板上に薄膜3として、SiO2薄膜、正の周波数温度特許をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造であり、弾性表面波の波長をλとして、薄膜の膜厚をH3として、H3/λを、0.001から0.5の範囲で付着させた構造の擬似弾性表面波及び弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子が実施例の6である。本構造とすることにより、零TCFの弾性表面波基板が得られる。
実施例の1から6までの金属薄膜3として、アルミニューム薄膜、銅薄膜、タングステン薄膜、チタン薄膜、或いはアルミニューム金属膜と銅、チタン、或いは銅とチタン、クロムなどとの組み合わせ金属薄膜などからなる擬似弾性表面波及び弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子が実施例の7である。
実施例の8は、実施例の1から7において、溝の中に付着させる金属膜膜の膜厚として、基板表面がほぼ平坦になるように金属膜を付着させた構造であり、平坦度として、基板表面からの膜厚をΔHとして、ΔH/λが±0.06以下である構造の擬似弾性表面波及び弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子が実施例の8である。
実施例の1から8において、弾性表面波を励振する“すだれ状電極”部分のSiO2薄膜の膜厚と、弾性表面波が伝搬する部分、或いは弾性表面波を反射させる周期構造の電極部分のSiO2の膜厚が同じ構造及び異なる構造の弾性表面波基板とこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子、及びこの弾性表面波が擬似弾性表面波である擬似弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子が実施例の9である。
実施例の1から9において、上記の基板の周波数温度特性(TCF)として、表面短絡に近い場合のTCFと表面開放に近いTCFの和が−15ppm/°C以下である弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子が実施例の10である。
実施例の1から9において、上記の薄膜基板を用いた高周波帯の多位相型一方向性“すだれ状電極”弾性表面波変換器を用いたフィルタ、集積型のすだれ状電極を用いたフィルタ、内部反射型の一方向性すだれ状電極弾性表面波変換器を用いたフィルタ、共振器構造の“すだれ状電極”弾性表面波変換器を用いたフィルタ或いはこの共振器をラダー型に用いたフィルタ或いはラティス型に用いたフィルタ、或いは、すだれ状電極がタップ電極からなるマッチドフィルタが実施例の9である。
回転25°〜50°Y−XLiTaO3弾性表面波基板を用いた溝構造電極に対するTCFが図3であり、溝の深さH1/λ=0.25の場合、零TCFが得られることが判る。また、この場合のk2が図4であり、溝構造とすることにより、H1/λ=0.25では、k2=0.11と溝の無い場合の2倍の値が得るれる。また、回転5°Y−X伝搬基板のk2が図5であり、溝の深さH1/λ=0.05の場合、k2=0.35と大きな値が得られていることが判る。また、128°Y−XLiNbO3基板でも、溝の深さH1/λ=0.1の場合、k2=0.09と大な値が得られていることが判る。また、溝構造すだれ状電極構造基板上に正のTCFをもつSiO2薄膜を付着させることにより、大きなk2をもつ零TCF基板が得られる。特に、図7のように、36°Y−XLiTaO3を中心とした基板では、非常に薄いSiO2膜であるH3/λ=0.15で零TCF基板が得られる。また、表面短絡のTCFと表面開放のTCFの和が零TCFとなる基板を用いることにより、ラダー型フィルタの周波数特性が零TCFに近い値のフィルタが得られる。
また、溝構造とすることにより、平坦な表面をもつSiO2/溝構造圧電基板が容易に得られる。
また、溝構造とすることにより、平坦な表面をもつSiO2/溝構造圧電基板が容易に得られる。
1−圧電体基板、2−グレーティング溝、3−溝に埋め込まれたすだれ状電極、4−取り出し電極、5−短絡のTCF、6−開放のTCF
Claims (11)
- 圧電性基板の表面に弾性表面波の伝搬方向に直角な溝(グレーティンググルーブ)を作製した構造の圧電性基板であって、弾性表面波の波長をλ、溝の周期をp、その溝の深さをH1,溝の伝搬方向の幅をaとして、その周期pがλ、λ/2、λ/4、であり、その深さH1/λが0.005から0.5の範囲であり、その溝の幅a/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板及びこれらの基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1において、上記の溝構造の表面に膜厚H2の金属薄膜を付けた構造であって、金属薄膜3の膜厚H2/λが、0.005から0.5の範囲にある構造であり、その金属膜の構造として、溝と基板表面を一様に覆った金属膜、或いは溝の部分に埋め込まれた構造、或いは溝にかかるように付着させた構造、或いは溝にまたがるように付着させた構造であって、金属電極の接続法として、開放型及び短絡型構造のグレーティング構造電極、或いはλ/2周期の溝に対して正負交互となる構造のすだれ状電極、或いはλ/4周期の電極に対してダブル電極構造のすだれ状電極からなる弾性表面波基板及びこれらの基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2において、圧電性基板1を伝搬する弾性表面波として、レーレー型の弾性表面波より速い速度をもつブランチの擬似弾性表面波を用いた擬似弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が25度から50度の範囲のLiTaO3基板であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がX軸或いはX軸からプラス・マイナス5度の範囲であり、弾性表面波の波長をλ、溝の周期p、その溝の深さをH1,溝の幅をaとして、溝の周期がλ、λ/2、λ/4、であり、その深さH1/λが0.005から0.5の範囲であり、その溝の幅a/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板であり、かつ膜厚H2の金属薄膜を付けた構造であって、金属薄膜の膜厚H2/λが、0.005から0.5の範囲にある構造であり、その金属膜の構造として、一様な金属膜、或いはその電極の幅b/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板であり、その電極が溝の部分に埋め込まれた構造、或いは溝にかかるように付着させた構造、或いは溝にまたがるように金属膜を付着させた構造の弾性表面波基板であって、電極の接続法として、開放型及び短絡型構造のグレーティング構造電極、或いはλ/2周期の溝に対して正負交互となるすだれ状電極、或いはλ/4電極に対してダブル電極構造のすだれ状電極、及び及びこれらの基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2において、圧電性基板1を伝搬する弾性表面波として、レーレー型の弾性表面波より速い速度をもつブランチの擬似弾性表面波を用いた擬似弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が−10度から40度の範囲のLiNbO3基板であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がX軸或いはX軸からプラス・マイナス5度の範囲であり、弾性表面波の波長をλ、溝の周期p、その溝の深さをH1,溝の幅をaとして、溝の周期がλ、λ/2、λ/4、であり、その深さH1/λが0.005から0.5の範囲であり、その溝の幅a/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板であり、かつ膜厚H2の金属薄膜を付けた構造であって、金属薄膜の膜厚H2/λが、0.005から0.5の範囲にある構造であり、その金属膜の構造として、一様な金属膜、或いはその電極の幅b/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板であり、その電極が溝の部分に埋め込まれた構造、或いは溝にかかるように付着させた構造、或いは溝にまたがるように金属膜を付着させた構造の弾性表面波基板であって、開放型及び短絡型構造のグレーティング構造電極、或いはλ/2周期の溝に対して正負交互となるすだれ状電極、或いはλ/4電極に対してダブル電極構造のすだれ状電極、及び及びこれらの基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2において、圧電性基板1として、この基板を伝搬する弾性表面波として、レーレー型の弾性表面波より速い速度をもつブランチの擬似弾性表面波を用いた擬似弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が100度から130度の範囲の水晶基板及び零或いは±8ppm/°C周波数温度特性をもつ水晶基板、及び遅い横波より遅い速度のレーレー型の弾性表面波基板であって、回転Y板のカット角が36度から50度の範囲の水晶、回転Y板のカット角が120度から140度の範囲のLiNbO3基板及びLiTaO3基板であり、かつ弾性表面波の伝搬方向がX軸或いはX軸からプラス・マイナス5度の範囲である基板、及びLiTaO3基板のX−カットの伝搬方向が112度を中心としてプラス・マイナス5度の範囲である基板であって、弾性表面波の波長をλとして、溝の周期をp、その溝の深さをH1,溝の幅をaとして、溝の周期がλ、λ/2、λ/4、であり、その深さH1/λが0.005から0.5の範囲であり、その溝の幅a/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板であり、かつ膜厚H2の金属薄膜を付けた構造であって、金属薄膜の膜厚H2/λが、0.005から0.5の範囲にある構造であり、その金属膜の構造として、一様な金属膜、或いはその電極の幅b/pが0.01から0.9の範囲の構造の弾性表面波基板であり、その電極が溝の部分に埋め込まれた構造、或いは溝にかかるように付着させた構造、或いは溝にまたがるように金属膜を付着させた構造の弾性表面波基板であって、開放型及び短絡型構造のグレーティング構造電極、λ/2周期の溝に対して正負交互となるすだれ状電極、λ/4電極に対してダブル電極構造のすだれ状電極、及び及びこれらの基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5において、上記の基板の上に薄膜3を付着させた構造であり、薄膜3として、SiO2薄膜、正の周波数温度特性をもつガラスなどの誘電体膜を付着させた構造であり、弾性表面波の波長をλとして、薄膜の膜厚をH3として、H3/λを、0.001から0.8の範囲で付着させた構造の擬似弾性表面波及び弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6において、金属薄膜3として、アルミニューム薄膜、銅薄膜、タングステン薄膜、チタン薄膜、或いはアルミニューム金属膜と銅、チタン、或いは銅とチタン、クロムなどとの組み合わせた金属薄膜などからなる擬似弾性表面波及び弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7において、溝の中に付着させる金属膜膜の膜厚として、基板表面がほぼ平坦になるように金属膜を付着させた構造であり、平坦度として、基板表面からの膜厚をΔHとして、ΔH/λが±0.06以下である構造の擬似弾性表面波及び弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求6項、請求項7、請求項8おいて、弾性表面波を励振する“すだれ状電極”部分のSiO2薄膜の膜厚と、弾性表面波が伝搬する部分、或いは弾性表面波を反射させる周期構造の電極部分のSiO2の膜厚が同じ構造及び異なる構造の弾性表面波基板とこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子、及びこの弾性表面波が擬似弾性表面波である擬似弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9において、上記の基板の周波数温度特性(TCF)として、表面短絡に近い場合のTCFと表面開放に近いTCFの和が−15ppm/°C以下である弾性表面波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた弾性表面波機能素子。
- 特許請求の範囲の請求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項6、請求項7、請求項8、請求項9、請求項10において、上記の薄膜基板を用いた高周波帯の多位相型一方向性“すだれ状電極”弾性表面波変換器を用いたフィルタ、集積型のすだれ状電極を用いたフィルタ、内部反射型の一方向性すだれ状電極弾性表面波変換器を用いたフィルタ、共振器構造の“すだれ状電極”弾性表面波変換器を用いたフィルタ或いはこの共振器をラダー型に用いたフィルタ或いはラティス型に用いたフィルタ、或いは、すだれ状電極がタップ電極からなるマッチドフィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005121549A JP2006270906A (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 温度高安定・高結合溝構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005121549A JP2006270906A (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 温度高安定・高結合溝構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006270906A true JP2006270906A (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=37206327
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005121549A Pending JP2006270906A (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 温度高安定・高結合溝構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006270906A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008123131A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
WO2008149620A1 (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
WO2009011101A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Panasonic Corporation | アンテナ共用器とそれを用いた通信機器 |
WO2010016192A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2010058570A1 (ja) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
WO2010058544A1 (ja) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
WO2010070816A1 (ja) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2011018913A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
WO2011145449A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP2012129735A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及び磁気センサ |
WO2012099083A1 (ja) * | 2011-01-19 | 2012-07-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP2014176076A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波・擬似弾性表面波・弾性境界波を用いた弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 |
CN110212884A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-09-06 | 上海交通大学 | 适用于声表面波器件的填埋式电极结构 |
CN112688650A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-20 | 广东广纳芯科技有限公司 | 兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备 |
-
2005
- 2005-03-23 JP JP2005121549A patent/JP2006270906A/ja active Pending
Cited By (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008123131A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
JP4811517B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-11-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JPWO2008149620A1 (ja) * | 2007-06-06 | 2010-08-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2008149620A1 (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
CN101682308B (zh) * | 2007-06-06 | 2013-07-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
JP4968334B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2012-07-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
US7876021B2 (en) | 2007-06-06 | 2011-01-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device including an IDT defined by a metal filled in grooves in a piezoelectric substrate |
US8531252B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-09-10 | Panasonic Corporation | Antenna duplexer and communication apparatus employing the same |
WO2009011101A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Panasonic Corporation | アンテナ共用器とそれを用いた通信機器 |
US8183737B2 (en) | 2008-08-08 | 2012-05-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device including electrode fingers partially disposed in grooves in a piezoelectric substrate |
JP5035421B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2012-09-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2010016192A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
WO2010058570A1 (ja) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
US8310321B2 (en) | 2008-11-18 | 2012-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Tunable filter including a variable capacitor connected with a surface acoustic wave resonator |
JP2013066250A (ja) * | 2008-11-18 | 2013-04-11 | Murata Mfg Co Ltd | チューナブルフィルタ |
WO2010058544A1 (ja) * | 2008-11-18 | 2010-05-27 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
JP5120461B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2013-01-16 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
JP5420564B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2014-02-19 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
CN102217194A (zh) * | 2008-11-18 | 2011-10-12 | 株式会社村田制作所 | 可调滤波器 |
CN102204091A (zh) * | 2008-11-18 | 2011-09-28 | 株式会社村田制作所 | 可调滤波器 |
US8305163B2 (en) | 2008-11-18 | 2012-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Tunable filter including a surface acoustic wave resonator and a variable capacitor |
WO2010070816A1 (ja) * | 2008-12-17 | 2010-06-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
CN102257729B (zh) * | 2008-12-17 | 2014-03-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性表面波装置 |
JP5152342B2 (ja) * | 2008-12-17 | 2013-02-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
US8169121B2 (en) | 2008-12-17 | 2012-05-01 | Murata Manufactoring Co., Ltd. | Surface acoustic wave device including electrode fingers partially disposed in grooves in a piezoelectric substrate |
US8344589B2 (en) | 2009-08-10 | 2013-01-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave device |
WO2011018913A1 (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
JPWO2011145449A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2013-07-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
WO2011145449A1 (ja) * | 2010-05-19 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
US9368712B2 (en) | 2010-05-19 | 2016-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
JP2012129735A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及び磁気センサ |
WO2012099083A1 (ja) * | 2011-01-19 | 2012-07-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
DE112012000503T5 (de) | 2011-01-19 | 2013-12-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenschallwellen-Bauelement |
US8680744B2 (en) | 2011-01-19 | 2014-03-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
JP5617936B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2014-11-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
DE112012000503B4 (de) | 2011-01-19 | 2017-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Oberflächenschallwellen-Bauelement |
JP2014176076A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波・擬似弾性表面波・弾性境界波を用いた弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 |
CN110212884A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-09-06 | 上海交通大学 | 适用于声表面波器件的填埋式电极结构 |
CN112688650A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-20 | 广东广纳芯科技有限公司 | 兰姆波谐振器及具备该兰姆波谐振器的滤波器和电子设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006270906A (ja) | 温度高安定・高結合溝構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 | |
JP4757860B2 (ja) | 弾性表面波機能素子 | |
JP5720797B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP6415469B2 (ja) | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ並びに弾性波共振器の製造方法 | |
JP6250697B2 (ja) | 電子音響部品 | |
US5432392A (en) | Surface wave device | |
JP4337816B2 (ja) | 弾性境界波装置 | |
JP4109877B2 (ja) | 弾性表面波機能素子 | |
JP2008078739A (ja) | 弾性波デバイスおよびフィルタ | |
JP7278305B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
JP5213708B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
JP2002176333A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
JP2003037467A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP2004135267A (ja) | 表面波装置 | |
JP2021093570A (ja) | 弾性波共振器、フィルタ、及びマルチプレクサ | |
JP2000188521A (ja) | 弾性表面波装置及び2ポ―ト弾性表面波共振子 | |
JP2006186623A (ja) | 弾性表面波素子、その製造方法、及び弾性表面波デバイス | |
JP2006203839A (ja) | 温度高安定薄膜構造弾性表面波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子 | |
JPH05335879A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP2008092610A (ja) | 弾性表面波基板及び弾性表面波機能素子 | |
JP2002076835A (ja) | 弾性表面波素子 | |
JP7392734B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP2007295504A (ja) | 超低速薄膜を用いた弾性表面波基板及び弾性波基板とその基板を用いた弾性表面波機能素子及び弾性波機能素子 | |
WO2021090861A1 (ja) | 弾性波装置 | |
JP3341596B2 (ja) | 表面波装置 |