JP2006261323A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
貫通電極となる導電層とその周囲の半導体基板とを絶縁する絶縁層を、簡便かつ確実に形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板表面に第1非貫通孔及びこれを囲む環状の第2非貫通孔を形成し、第2非貫通孔内に絶縁層を形成し、第1非貫通孔内壁に導電層を形成し、前記絶縁層及び導電層が基板裏面に露出するように、基板裏面を後退させる工程を備えることを特徴とする。
【選択図】図10
Description
スクリーン印刷による塗布方法などである。非貫通孔の開口部を塞ぐように絶縁樹脂を印刷により塗布し、絶縁樹脂が非貫通孔の内部に流れ落ちることで、非貫通孔の内壁に絶縁樹脂層が形成される。絶縁樹脂の粘性・チクソ性や、内壁の濡れ性などにより絶縁樹脂層による被覆性が決まる。
レジストパターン9を形成するためのフォトレジスト液には、一般的なポジ型レジストを用いることができ、ポジ型レジストとしてはたとえばノボラック・ジアゾナフトキノン系のものが挙げられる。フォトレジスト液は、半導体基板3にスピンコート法を用いて塗布される。スピンコート法で塗布されて形成されるレジストパターン9は、たとえば8μm程度の厚みを有する。
以下、図6(a)〜(c)及び図8を用いて、この手段について説明する。
Claims (13)
- 半導体基板表面に第1非貫通孔及びこれを囲む環状の第2非貫通孔を形成し、第2非貫通孔内に絶縁層を形成し、第1非貫通孔内壁に導電層を形成し、前記絶縁層及び導電層が基板裏面に露出するように、基板裏面を後退させる工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁層は、第2非貫通孔に絶縁材料を充填し、充填した絶縁材料を硬化させることによって形成させる請求項1に記載の方法。
- 前記絶縁層は、第2非貫通孔内壁に絶縁材料を電着させることによって行う請求項1に記載の方法。
- 絶縁材料の充填は、第2非貫通孔の入口に絶縁材料を塗布することによって行う請求項2に記載の方法。
- 絶縁材料の充填は、所定雰囲気圧力下で第2非貫通孔の入口に樹脂を塗布してこの入口を塞ぎ、その状態で雰囲気圧力を増大させることによって行う請求項2に記載の方法。
- 絶縁材料の塗布は、孔版印刷によって行う請求項4又は5に記載の方法。
- 絶縁材料は、樹脂からなる請求項2又は3に記載の方法。
- 樹脂は、液状であり、熱又は紫外線硬化性である請求項7に記載の方法。
- 第1及び第2非貫通孔は、エッチングにより同時に形成される請求項1に記載の方法。
- 第1非貫通孔は、容積が第2非貫通孔より大きい請求項1に記載の方法。
- 第1貫通孔及びこれを囲む環状の第2非貫通孔を備える半導体基板と、
第1貫通孔内に形成された導電層と、
第2非貫通内に形成された絶縁層とを備える半導体装置。 - 第1貫通孔及びこれを囲む環状の第2非貫通孔を備える半導体基板と、
第1貫通孔内に第1絶縁層を介して形成された導電層と、
第2非貫通内に形成された第2絶縁層とを備える半導体装置。 - 請求項11又は12に記載の半導体装置が複数個積層された半導体モジュール。
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