JP2010182734A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010182734A JP2010182734A JP2009022674A JP2009022674A JP2010182734A JP 2010182734 A JP2010182734 A JP 2010182734A JP 2009022674 A JP2009022674 A JP 2009022674A JP 2009022674 A JP2009022674 A JP 2009022674A JP 2010182734 A JP2010182734 A JP 2010182734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- electrode
- semiconductor substrate
- conductive film
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 202
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 115
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 106
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 106
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 93
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 8
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 4
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006164 NiV Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置1は、半導体基板10と、半導体基板10に形成された貫通孔7内に設けられるとともに、半導体基板10の能動面10Aと反対側の裏面10Bに部分的に突出する貫通電極5と、を有し、貫通電極5は、樹脂コア9と、樹脂コア9の少なくとも一部を覆う導電膜15と、を有し、貫通孔7は、内壁面7aの少なくとも一部が能動面10A側に向かって貫通孔7の内径を狭めるテーパー形状となっている。
【選択図】図1
Description
したがって、ハンダなど低融点金属を用いた接合に問題とされていた、ハンダのはみ出しによる半導体基板とのショートや端子間のショートも回避できることになるので、従来に比べて接続信頼性が向上する。さらに、貫通孔の内壁面のテーパー形状により樹脂コアの変形応力を受け止めることができるので、圧着時に貫通電極が能動面側に抜けてしまう(突出してしまう)といった不具合が防止され、高い接続信頼性を得ることができる。
したがって、ハンダなど低融点金属を用いた接合に問題とされていた、ハンダのはみ出しによる半導体基板とのショートや端子間のショートも回避できることになるので、従来に比べて接続信頼性が向上する。さらに、貫通孔の内壁面の凹部により樹脂コアが保持されるため、圧着時に貫通電極が能動面側に抜けてしまう(突出してしまう)といった不具合の発生が防止され、高い接続信頼性を得ることができる。
この構成によれば、電子素子側の端子との接合時において貫通電極が容易に変形するようになる。
この構成によれば、展延性を有する単体または複数の金属膜により形成された導電膜であれば、樹脂コアとともに変形し易い。
この構成によれば、変形した貫通電極と半導体基板との間のショートを回避することができる。
この構成によれば、一つの貫通孔の開口内に複数の貫通電極が設けられていることから、狭ピッチ化が可能となり装置の小型化が図れる。
この構成によれば、裏面側に突出した貫通電極の先端を、電子素子側の端子と接続するための端子として機能させることができる。
この構成によれば、貫通電極の先端を曲面状に形成することができるので、接合時に変形し易く且つ接合強度も確実に得られる端子となる。
この構成によれば、電子素子との接合時において、変形した貫通電極(導電膜)と半導体基板との間のショートを回避することができる。
この構成によれば、一つの貫通孔内に複数の貫通電極を形成することができるので、端子の狭ピッチ化が可能となり、装置の小型化が図れる。
この構成によれば、樹脂コアバンプの形成と同時に半導体基板の表裏導通が得られるので、製造工程を短縮することができる。
以下に、本発明の第1実施形態の半導体装置およびその製造方法について説明する。
(半導体装置)
図1は、本実施形態の半導体装置1の概略構成を示す断面図である。
図1に示すように、半導体装置1は、シリコンウエハを切断して得たシリコン基材の一方の面上に、図示しないトランジスタやメモリ素子、その他の電子素子からなる集積回路などが公知の方法によって形成された半導体基板10を備えている。ここで、半導体基板10における、集積回路などが形成された面を能動面10Aとし、能動面10Aとは反対側の面を裏面10Bとする。半導体基板10は、例えば、矩形のシリコン基板などからなるもので、その他にも、例えばセラミックス基板や樹脂基板などを用いてもよい。
次に、半導体装置1の製造方法について図2〜図6を用いて説明する。図2は、半導体装置1の製造方法のフローチャート図、図3〜図6は、半導体装置1の製造方法の工程図である。ここで、本実施形態においては、半導体装置1を形成するに際して、W−CSP(Wafer level Chip Scale Package)技術を用いることで、シリコンウエハ100上に複数の半導体装置1を同時に一括して形成し、再配置配線を形成した後に、半導体装置1に個片化する製造方法について説明する。
なお、半導体装置1を製造する途中工程を示す図3〜図6においては、図を簡略化し、シリコンウエハ100上に形成した1つの半導体装置1を示している。なお、以下の製造工程の説明に用いるシリコンウエハ100と半導体基板10とは同じものとする。
ここでは、半導体基板10の能動面10Aおよびビア7b内に、スパッタ法を用いてTiW膜13Aを1000Åの膜厚で成膜する。
続けて、図3(d)に示すように、金属層13上にAu膜15Aを形成する(S4)。
ここでは、半導体基板10の能動面10Aおよびビア7b内に、スパッタ法を用いてAu膜15Aを5000Åの膜厚で成膜する。
また、後の工程においてビア7b内に充填される樹脂材料との密着性を確保するためにさらに別の金属層を形成してもよい。
まず、電極パッド3が形成された半導体基板10の能動面10A側を、接着剤121を介して設けたガラス基板などからなる支持部材120によって支持する。そして、支持部材120に半導体基板10を貼り付けた状態で、半導体基板10の裏面10B側から、例えばCMP(化学的機械的研磨)を行うことにより、半導体基板10を所定の厚さになるまで研磨する。具体的には、下地層11が露出する直前まで加工する。支持部材120によって補強しておくことにより、半導体基板10の反りを矯正し、且つ加工またはハンドリング時に発生するクラックを防止することができる。
ここで、金属層13がTiWからなることからウェットエッチングを用いて除去し、導電膜15を露出させる。Auは酸化膜が形成されないため、電子素子を実装するまで露出させた状態であっても、実装時の接続信頼性を確保できる。
これにより、半導体基板10を貫通する貫通電極5と、半導体基板10の裏面10Bから突出するバンプ電極5Aと、が形成される。また、同時に貫通電極5によって半導体基板10の表裏導通が得られることになる。
半導体装置1上に電子素子60を積層するには、まず、半導体装置1の上面(裏面10B)側に、例えば熱硬化性を有する樹脂53を配置し(S15)、例えば半硬化状態となるように加熱処理しておく。その後、樹脂53を挟み込むようにして、半導体装置1の電極バンプと、積層する電子素子60に形成された電極端子61とが平面視で重なるように、双方の位置合わせを行って半導体装置1上に電子素子60を積層させる。
このようにして半導体装置1を製造する。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図8(a)は、第2実施形態の半導体装置30の概略構成断面図であって、図8(b)は、第2実施形態の半導体装置30における接続部38を拡大して示す斜視図である。なお、以下に示す本実施形態の半導体装置30は、先の第1実施形態と略同様であるが、貫通電極32(バンプ電極32A)の構成および製造方法において異なる。よって、以下の説明では、貫通電極32(バンプ電極32A)とその製造方法について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図1〜図7と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
そして、これら貫通電極32の、貫通孔34から裏面10B側に突出した各々の端部が本実施形態のバンプ電極32Aとなっている。
このような接続部38において、導電膜43同士の間の樹脂コア41の表面が部分的に露出した状態となっている。
電極パッド3は、貫通孔34の長手方向に沿って複数設けられ、各々が導電膜43と接合(導通)している。
つまり、各導電膜43の露出部分とその内側に位置する樹脂コア41とともにそれぞれが独立してバンプ電極32Aとして機能するようになっている。
このようにして、電子素子60を半導体装置30上に実装する。
さらに、本実施形態では、各バンプ電極32Aの先端側がテーパー形状となっているので、バンプ電極32Aと電子素子60側の電極端子61との接触面積をより広げることができ、接続信頼性がさらに向上する。
次に、本発明の変形例について説明する。以下に述べる変形例は、貫通電極の形状が上述の実施形態と異なっており、それ以外の構成は共通となっている。よって、以下の説明では、貫通電極の形状について詳しく説明し、共通な箇所の説明は省略する。また、説明に用いる各図面において、図1と共通の構成要素には同一の符号を付すものとする。
なお、樹脂コア9の位置に応じて硬度が異なる複数種類の材料を用いて樹脂コア9を形成するようにしてもよい。具体的には、裏面10Bから突出する部分は弾性変形し易い硬度の低い材料を用い、樹脂コア9の変形応力が最も加わる凹部200近傍には硬度の高い材料を用いる。このようにすれば、バンプ電極5Aを良好に変形させることができつつ、樹脂コア全体としての機械的強度を向上させることができ、貫通電極5の能動面10A側への抜けをより確実に防止できる。
次に、本発明の半導体装置1を備えた回路基板150(電子機器)について説明する。
図14は、本発明の一実施形態による回路基板の概略構成を示す斜視図である。図14に示す通り、この実施形態の回路基板150には、半導体装置1上に半導体チップ等が積層された積層体2が搭載されている。回路基板150は、例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板からなるもので、例えば銅等からなる配線パターン(図示せず)が所望の回路となるように形成され、更にこれら配線パターンに電極パッド(図示せず)が設けられている。
そして、この電気パッドに半導体装置1のハンダボール23が電気的に接続されることにより、積層体2は回路基板150上に実装されている。
また、再配置配線での断線を防止し、小型化及び薄型化が図られた半導体装置1を備えているので、この半導体装置1を含む積層体2を備えた回路基板150自体も小型で信頼性が高いものとなる。
本発明の携帯電話300によれば、前述した小型で信頼性の高い回路基板150を備えているので、この回路基板150を備えた電子機器自体も小型で信頼性が高いものとなる。
Claims (14)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された貫通孔内に設けられるとともに、前記半導体基板の能動面と反対側の裏面に部分的に突出する貫通電極と、を備え、
前記貫通電極は、前記樹脂コアと、前記樹脂コアの少なくとも一部を覆う導電膜と、を有し、
前記貫通孔は、内壁面の少なくとも一部が前記能動面側に向かって当該貫通孔の内径を狭めるテーパー形状となっていることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に形成された貫通孔内に設けられるとともに、前記半導体基板の能動面と反対側の裏面に部分的に突出する貫通電極と、を備え、
前記貫通電極は、前記樹脂コアと、前記樹脂コアの少なくとも一部を覆う導電膜と、を有し、
前記貫通孔の内壁面の少なくとも一部に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記貫通電極の先端が、外方に向かって凸となる曲面状になっていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記導電膜が、展延性を有する単体または複数の金属膜により形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記貫通孔内に設けられるとともに前記基板の一面側に部分的に突出する下地層によって、前記貫通電極の突出部分の基部側の側面が覆われていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記貫通孔が一方向に長手の平面形状を有しており、
前記貫通電極は、前記貫通孔に沿って延びる前記樹脂コアと、
前記樹脂コアの表面に形成された複数の前記導電膜と、を有することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の前記能動面上に前記導電膜と導通する電極端子が形成されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の能動面側からビアを形成する工程と、
前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に導電膜を形成する工程と、
前記ビア内に樹脂を充填する工程と、
前記半導体基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、
前記能動面とは反対側の裏面に突出させた前記下地層を除去して前記導電膜を露出させる工程と、を備え、
前記ビアを形成する工程において、前記ビアの内壁面の少なくとも一部が前記能動面側に向かって当該ビアの内径を狭めるテーパー状に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の能動面側からビアを形成する工程と、
前記ビアの内面に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に導電膜を形成する工程と、
前記ビア内に樹脂を充填する工程と、
前記半導体基板を薄くして前記ビアを貫通させる工程と、
前記能動面とは反対側の裏面に突出させた前記下地層を除去して前記導電膜を露出させる工程と、を備え、
前記ビアを形成する工程において、前記ビアの内壁面の少なくとも一部に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ビアを形成する工程において、前記ビアの底面を曲面状に形成することを特徴とする請求項8又は9記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下地層を除去する工程において、前記貫通電極の突出部分の基部側に前記下地層を部分的に残すことを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ビアを形成する工程において、前記ビアを一方向に長手の平面形状に形成し、
前記下地層上に導電膜を形成する工程の後に、前記導電膜を複数の領域にパターニングする工程を有することを特徴とする請求項8ないし11のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体基板の前記能動面上に前記導電膜と導通する電極端子を形成する工程を有することを特徴とする請求項8ないし12のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記請求項1ないし7のいずれか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009022674A JP5423020B2 (ja) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009022674A JP5423020B2 (ja) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010182734A true JP2010182734A (ja) | 2010-08-19 |
JP5423020B2 JP5423020B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=42764103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009022674A Active JP5423020B2 (ja) | 2009-02-03 | 2009-02-03 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5423020B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012069919A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2012209480A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電極が埋設されたウエーハの加工方法 |
JP5128712B1 (ja) * | 2012-04-13 | 2013-01-23 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP2013544033A (ja) * | 2010-11-12 | 2013-12-09 | ザイリンクス インコーポレイテッド | 信頼性を向上したスルーシリコンビア |
JP5561811B1 (ja) * | 2013-09-02 | 2014-07-30 | 国立大学法人東北大学 | エッチング方法及びlsiデバイスの製造方法、並びに3d集積化lsiデバイス製造方法 |
CN104916577A (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 斜孔刻蚀方法 |
JP2016034030A (ja) * | 2015-09-29 | 2016-03-10 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板および貫通電極基板の製造方法 |
JP2022065028A (ja) * | 2017-03-24 | 2022-04-26 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210018633A (ko) | 2019-08-07 | 2021-02-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053218A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004296488A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電子機器 |
JP2005167093A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Rohm Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法、ならびに半導体装置 |
JP2005183548A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Fujikura Ltd | 基板及びその製造方法 |
JP2007258233A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置および回路基板 |
JP2010153822A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 電子装置、電子装置の製造方法、電子機器 |
-
2009
- 2009-02-03 JP JP2009022674A patent/JP5423020B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001053218A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004296488A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電子機器 |
JP2005167093A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Rohm Co Ltd | 半導体チップおよびその製造方法、ならびに半導体装置 |
JP2005183548A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Fujikura Ltd | 基板及びその製造方法 |
JP2007258233A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置および回路基板 |
JP2010153822A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-07-08 | Seiko Epson Corp | 電子装置、電子装置の製造方法、電子機器 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012069919A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2013544033A (ja) * | 2010-11-12 | 2013-12-09 | ザイリンクス インコーポレイテッド | 信頼性を向上したスルーシリコンビア |
JP2012209480A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電極が埋設されたウエーハの加工方法 |
JP5128712B1 (ja) * | 2012-04-13 | 2013-01-23 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
JP2013222753A (ja) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 半導体装置 |
JP5561811B1 (ja) * | 2013-09-02 | 2014-07-30 | 国立大学法人東北大学 | エッチング方法及びlsiデバイスの製造方法、並びに3d集積化lsiデバイス製造方法 |
WO2015029092A1 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-03-05 | 国立大学法人東北大学 | エッチング方法及びlsiデバイスの製造方法、並びに3d集積化lsiデバイス製造方法 |
CN104916577A (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-16 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 斜孔刻蚀方法 |
JP2016034030A (ja) * | 2015-09-29 | 2016-03-10 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板および貫通電極基板の製造方法 |
JP2022065028A (ja) * | 2017-03-24 | 2022-04-26 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及びその製造方法 |
JP7307898B2 (ja) | 2017-03-24 | 2023-07-13 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5423020B2 (ja) | 2014-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5423020B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 | |
US9257404B2 (en) | Semiconductor device, having through electrodes, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus | |
KR100554779B1 (ko) | 반도체 장치, 회로 기판 및 전자 기기 | |
JP3778256B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP4492196B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、回路基板、並びに電子機器 | |
JP5135246B2 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法、ならびに携帯機器 | |
JP4105202B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005175019A (ja) | 半導体装置及び積層型半導体装置 | |
JP4967340B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 | |
JP4155154B2 (ja) | 半導体装置、回路基板、及び電子機器 | |
WO2020090601A1 (ja) | 半導体パッケージ用配線基板及び半導体パッケージ用配線基板の製造方法 | |
US20100140797A1 (en) | Device mounting board and method of manufacturing the board, semiconductor module and method of manufacturing the module | |
JP5061010B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2008147367A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003273107A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置並びに回路基板及び電子機器 | |
JP5022963B2 (ja) | 突起電極の構造、素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュール、ならびに携帯機器 | |
JP2005347678A (ja) | 半導体チップおよびその製造方法、半導体装置、並びに電子機器 | |
JP5002633B2 (ja) | 半導体モジュールおよび携帯機器 | |
JP4873144B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法、及び、半導体装置 | |
JP4280907B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005236318A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
JP5140565B2 (ja) | 素子搭載用基板、半導体モジュール、および携帯機器 | |
JP2009049154A (ja) | 半導体装置、実装構造体、電気光学装置、電子機器 | |
JP2005072203A (ja) | 端子電極、半導体装置、半導体モジュール、電子機器および半導体装置の製造方法 | |
JP2009212114A (ja) | 突起電極の構造、素子搭載用基板およびその製造方法、半導体モジュール、ならびに携帯機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111121 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5423020 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |