JP2006259728A - 可撓性液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

可撓性液晶表示装置及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は液晶表示装置に係り、特に、曲げられることのできる可撓性液晶表示装置に関するものである。
【解決手段】第1絶縁基板、前記第1絶縁基板と対向している第2絶縁基板、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に注入されている液晶層、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に形成されており、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間の間隔を一定に維持するスペーサ、及び前記第2絶縁基板の表面に形成されており、前記スペーサと前記第2絶縁基板を固着する高分子層を含む液晶表示装置を提供する。
【選択図】図1

Description

本発明は液晶表示装置に係り、特に、曲げられることのできる可撓性液晶表示装置に関するものである。
一般的な液晶表示装置は、電界生成電極が備えられた二つの表示板とその間に入っている誘電率異方性(dielectric anisotropy)を有する液晶層を含む。電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、この電場の強さを調節することによって液晶層を通過する光の透過率を調節して所望の画像を得る。この時の光は、別途に備えられた人工光源が提供するものであることもでき、自然光であることもできる。
このような液晶表示装置において、二つの表示板の間の間隔(cell gap)は液晶が満たされる空間であって、液晶表示装置が正しく表示されるためにはセルギャップが均一に維持されなければならない。
一方、紙のように曲げられることのできる表示装置を開発するための研究が進められており、プラスチック基板を使用する液晶表示装置が可撓性表示装置として有力視されている。
ところが、可撓性液晶表示装置を曲げる場合、セルギャップが一定に維持されないという問題がある。セルギャップが一定に維持されないと所望の画像を表示できなくなる。
本発明が目的とする技術的課題は、液晶表示装置のセルギャップを均一に維持することができる手段を提供することにある。
本発明の他の技術的課題は、液晶表示装置の上下表示板を堅固に固定することができる手段を提供することにある。
このような技術的課題を解決するために、本願第1発明は、液晶に光重合される単量体を混合して置き、後で光重合させることによって高分子層を形成して、スペーサを基板に堅固に固定する。
具体的には、第1絶縁基板、前記第1絶縁基板と対向している第2絶縁基板、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に注入されている液晶層、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に形成されており、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間の間隔を一定に維持するスペーサ、及び前記第2絶縁基板の表面に形成されており、前記スペーサと前記第2絶縁基板を固着する高分子層を含む液晶表示装置を用意する。
スペーサにより第1及び第2基板間を一定に保つことができる。また、高分子層により、スペーサと第2基板とを固着することで、液晶表示装置を曲げる場合に発生し得る基板の浮き立つ現象やセルギャップの変動を防止することができる。また、スペーサのばらつきが必要ないので、ロール−ツ−ロール(roll-to-roll)工程に適している。
本願第2発明は、第1発明において、前記第1絶縁基板上に形成されている第1電極、及び前記第2絶縁基板上に形成されている第2電極をさらに含むことができる。
本願第3発明は、第1発明において、前記スペーサは格子パターンを有することができる。
本願第4発明は、第3発明において、前記液晶層は、前記スペーサによって複数の微小領域に分割されていることができる。
本願第5発明は、第1発明において、前記スペーサは、感光剤を露光及び現像してなることができ、前記高分子層は、前記液晶層内に光硬化性単量体を混合した状態で光を照射して相分離させることによってなることができる。例えば、光によって重合される高分子の単量体を液晶と混合して滴下注入する。光の照射を受けた高分子単量体は、重合され始めながら液晶から相分離され、上部基板の画素電極と保護膜の表面に固着して高分子層を形成する。この高分子層によりスペーサを基板に堅固に固定する。したがって、液晶表示装置を曲げる場合に発生し得る基板の浮き立つ現象やセルギャップの変動を防止することができる。
また、スペーサのばらつきが必要ないので、ロール−ツ−ロール(roll-to-roll)工程に適している。
本願第6発明は、第5発明において、前記光硬化性単量体を相分離させる光は紫外線であることを特徴とする。
本願第7発明は、第6発明において、前記光硬化性単量体を相分離させる光は紫外線であり、前記光硬化性単量体は、ノーランド(Norland)社のUV硬化性エポキシNOA−65であることができる。
本願第8発明は、第2発明において、前記第1絶縁基板上に形成されており、前記第1電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含むことができる。
本願第9発明は、第2発明において、または、前記第2絶縁基板上に形成されており、前記第2電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含むことができる。
本願第10発明は、第1発明において、前記スペーサは複数の棒パターンに形成されており、前記スペーサと交差する線状高分子突起をさらに含むことができる。
本願第11発明は、第1発明において、前記スペーサは弾性重合体からなることができる。
本願第12発明は、第11発明において、前記スペーサは、PDMS[poly(dimethylsiloxane)]からなることができる。
本願第13発明は、第1絶縁基板、前記第1絶縁基板と対向している第2絶縁基板、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に注入されている液晶層、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に形成されており、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間の間隔を一定に維持するスペーサ、及び前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間を固着する高分子突起を含む液晶表示装置を用意する。
本願第14発明は、第13発明において、前記スペーサは複数の棒パターンに形成されており、前記高分子突起は、前記スペーサと交差する線状突起であることができる。
本願第15発明は、第13発明において、前記第1絶縁基板上に形成されている第1電極、及び前記第2絶縁基板上に形成されている第2電極をさらに含むことができる。
本願第16発明は、第13発明において、前記液晶層は、前記スペーサ及び前記高分子突起によって複数の微小領域に分割されていることができる。
本願第17発明は、第13発明において、前記スペーサは感光剤を露光及び現像してなることができ、前記高分子突起は、前記液晶層内に光硬化性単量体を混合した状態で光を照射して相分離させることによってなることができる。
本願第18発明は、第17発明において、前記光硬化性単量体を相分離させる光は紫外線である。
本願第19発明は、第18発明において、前記光硬化性単量体は、ノーランド(Norland)社のUV硬化性エポキシNOA−65であることができる。
本願第20発明は、第15発明において、前記第1絶縁基板上に形成されており、前記第1電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含む。
本願第21発明は、第15発明において、前記第2絶縁基板上に形成されており、前記第2電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含むことができる。
本願第22発明は、第13発明において、前記スペーサは弾性重合体からなることができる。
本願第23発明は、第22発明において、前記スペーサは、PDMS[poly(dimethylsiloxane)]からなることができる。
本願第24発明の液晶表示装置は、第1絶縁基板上に第1電極を形成する段階、前記第1電極上に固定スペーサを形成する段階、前記固定スペーサが形成されている前記第1電極上に高分子単量体を含む液晶物質を塗布する段階、前記固定スペーサ上に第2絶縁基板を配置する段階、及び前記高分子単量体を前記液晶物質から相分離させて前記第2絶縁基板の表面に凝着させることにより、前記スペーサと前記第2絶縁基板を固着する段階を含む方法によって製造する。
本願第25発明は、第24発明において、前記第2絶縁基板の一表面には第2電極が形成されており、前記第2絶縁基板を前記スペーサ上に配置する際、前記第2電極が前記スペーサと接触することができる。
本願第26発明は、第24発明において、前記液晶物質を塗布する段階以前に、前記固定スペーサ上に配向膜を塗布しラビングする段階をさらに含むことができる。
本願第27発明は、第24発明において、前記固定スペーサを形成する段階は、前記第1電極上に感光剤を塗布する段階、前記感光剤を所定のマスクを通して露光する段階、露光された前記感光剤を現像する段階を含むことができる。
本願第28発明は、第26発明において、前記固定スペーサを形成する段階は、スペーサ枠組を形成する段階、前記スペーサ枠組上に弾性重合体を塗布する段階、前記第1電極が形成されている前記第1絶縁基板を前記弾性重合体上に載せて加圧及び加熱する段階を含むことができる。
本願第29発明は、第28発明において、前記スペーサ枠組を形成する段階は、SU−8感光剤を塗布する段階、前記SU−8感光剤を所定のマスクを通して露光する段階、露光された前記SU−8感光剤を現像する段階を含むことができる。
本願第30発明は、第24発明において前記高分子単量体を前記液晶物質から相分離させて前記第2絶縁基板の表面に凝着させることによって前記スペーサと前記第2絶縁基板を固着する段階は、前記第2絶縁基板の外側から前記高分子単量体を含む液晶物質に紫外線を照射して進行することができる。
本願第31発明は、第30発明において、前記紫外線照射は所定のマスクを通して行われることができる。
本発明によれば、液晶表示装置のセルギャップを均一に維持することができる手段を提供することができる。
添付した図面を参照して、本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相違した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
図面においては、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似な部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とする場合、これは他の部分の直上にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。
以下では、図1及び図2を参照して本発明の一実施例による液晶表示装置について説明する。
図1は、本発明の一実施例による液晶表示装置の斜視図であり、図2は、図1の実施例による液晶表示装置用共通電極表示板にスペーサが形成されている状態の斜視図である。
図1を見れば、上部絶縁基板110と共通電極270が形成されている下部絶縁基板210の間に格子パターンのスペーサ321が配置されており、上部絶縁基板110の下面には高分子層331が形成されている。
ここで、二つの絶縁基板110、210の間の間隔はスペーサ321によって維持され、二つの絶縁基板110、210の間の空間は、スペーサ321によって複数の微小領域に分割されている。ここで、各微小領域は画素領域と一致したり、または複数の画素領域を合わせた大きさに形成されることができる。各微小領域内にはネマチック(nematic)液晶3が満たされる。
スペーサ321は、感光剤を下部基板210上に塗布し、所定の光マスクを通して露光及び現像して形成したものであって、格子パターン以外の他の形態を有することもできる。ただし、格子パターンが構造的に丈夫であるので、上下両基板110、210を強く結合するのに有利である。また、スペーサ321は、後述のように、弾性重合体などの他の物質で形成することもできる。
上部絶縁基板110の下面に形成されている高分子層331は、上部基板110とスペーサ321を付着している。高分子層331は、紫外線(UV)によって高分子化される単量体、例えばノーランド(Norland)社のエポキシNOA−65を液晶3に混合して注入し、上部基板110をスペーサ321上に配置した後、上部基板110の外側から紫外線を照射することによって単量体を高分子化させたものである。単量体は、高分子化しながら液晶から非等方的に相分離されて上部基板110の表面に固着する。
それでは、図1の実施例による液晶表示装置について、図3を参照してより詳細に説明する。
図3は、図1の実施例による液晶表示装置の断面図である。
図3は、図1とは上下が逆になった状態で示されている。
まず、上部基板110について説明する。
図3を見れば、上部基板110の内部表面にゲート電極124と維持電極133が形成されている。ゲート電極124は、ゲート線(図示せず)の一部であって走査信号を供給し、維持電極133は、維持電極線(図示せず)の一部であって、保持容量を形成するための所定の電圧の印加を受ける。
ゲート電極124と維持電極133の上にはゲート絶縁膜140が形成されている。
ゲート絶縁膜140の上には非晶質シリコンパターン154が形成されており、非晶質シリコンパターン154上には、抵抗性接触層163、165が形成されて両側に分離されている。
抵抗性接触層163、165上には、データ線(図示せず)に連結されているソース電極173と、ソース電極173と所定の距離離隔して対向しているドレーン電極175とが形成されている。
ソース電極173及びドレーン電極175の上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁膜、樹脂などの有機絶縁膜、PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)方法によって蒸着されたa−Si:C:O膜またはa−Si:O:F膜(低誘電率CVD膜)などからなる保護膜180が形成されている。
保護膜180には、ドレーン電極175の一部を露出する接触孔が形成されており、保護膜180上には、接触孔を介してドレーン電極175と接触する画素電極190が形成されている。画素電極190は、ITO(インジウムスズ酸化物)またはIZO(インジウム亜鉛酸化物)などの透明な導電体からなる。反射型液晶表示装置の場合には、画素電極190をアルミニウムなどの光反射特性に優れた導電体で形成する。
次に、下部基板210について説明する。
下部基板210の内部表面に、画素境界部での光漏れを遮断するための遮光膜220が形成されており、遮光膜220によって区画される各画素領域に赤色、緑色、及び青色の色フィルター230が形成されている。色フィルター230は、白色光をそのまま透過させる白色色フィルターをさらに含んだり、黄色(yellow)、青緑色(cyan)、深紅色(magenta)色フィルターからなることもできる。
色フィルター230上には、ITOまたはIZOなどの透明な導電物質からなる共通電極270が形成されている。
共通電極270上には、液晶層3の液晶を所定の方向に配向するための配向膜23が形成されている。
このような上部基板110と下部基板210との間にはスペーサ321が形成されている。スペーサ321は、高分子層322によって上部基板110の保護膜180及び画素電極190と堅固に固着されている。
スペーサ321によって形成された両基板110、210の間の空間には、液晶物質が満たされて液晶層3を形成している。
上部基板110の外側表面には第1偏光フィルム12が配置されており、下部基板110の外側表面には、補償フィルム21と第2偏光フィルム22が配置されている。ここで、補償フィルム21は省略されたりまたは複数に配置されることができ、第1偏光フィルム12と上部基板110との間にも補償フィルムを配置することができる。
以下、このような構造の液晶表示装置を製造する方法について説明する。
まず、上部絶縁基板110に薄膜トランジスタをなどの素子を形成する過程を説明する。
絶縁基板110上に金属を蒸着し、写真エッチングして、ゲート電極124を含むゲート線及び維持電極133を含む維持電極線を形成し、ゲート電極124を含むゲート線及び維持電極133を含む維持電極線上に、ゲート絶縁膜140、非晶質シリコン層、及びn型不純物が高濃度にドーピングされた非晶質シリコン層を連続して蒸着する。
非晶質シリコン層とドーピングされた非晶質シリコン層を同時に写真エッチングして、非晶質シリコンパターン154と分離される前の未完成抵抗性接触層163、165を形成する。
未完成抵抗性接触層163、165上に金属層を蒸着し、写真エッチングして、ソース電極173を含むデータ線とドレーン電極175を形成する。
次に、ソース電極173とドレーン電極175をエッチングマスクとして露出されている抵抗性接触層163、165をエッチングして、抵抗性接触層163、165を両側に分離して完成する。
データ線とドレーン電極175上に保護膜180を蒸着または塗布し、写真エッチングして、ドレーン電極175を露出する接触孔を形成する。
保護膜180上にITOまたはIZOなどの透明な導電物質を蒸着し、写真エッチングして、画素電極190を形成する。
次に、下部基板210に色フィルターなどを形成する過程を説明する。
下部基板210上にクロムまたはクロムと酸化クロムの二重層を蒸着し、写真エッチングして、各画素領域または画素列を区画する遮光膜220を形成する。
遮光膜上に顔料を含む感光剤を塗布、露光、及び現像する過程を繰り返して、赤色、緑色、及び青色色フィルター230を形成する。
色フィルター230上にITOまたはIZOなどの透明な導電物質を蒸着して共通電極270を形成する。
このような下部基板210と上部基板110とを結合する方法を説明する。
下部基板210の共通電極270上に感光膜を塗布し、所定のマスクを通して露光し現像して、スペーサ321を形成する。
次に、スペーサ321上に配向剤を塗布しラビングして、配向膜23を形成する。
次に、スペーサ321によって区画されている各微小領域に、紫外線によって重合される高分子の単量体を液晶と混合して滴下注入する。紫外線によって重合される高分子の単量体としては、ノーランド(Norland)社のUV硬化性エポキシNOA−65などがある。
次に、スペーサ321上に、薄膜トランジスタと画素電極190などが形成されている上部基板110を位置させ、上部基板110側から紫外線を照射する。紫外線の照射を受けた高分子単量体は、重合され始めながら液晶から相分離され、上部基板110の画素電極190と保護膜180の表面に固着して高分子層331を形成する。
このような高分子層331は、スペーサ321を上部基板110に堅固に付着する役割を果たす。
図4は、図1の実施例によって形成されたスペーサを上から見た正面図であり、図5は、図1の実施例によって形成されたスペーサの斜視図である。
図4及び図5に示したように、100μm×300μmの単位格子領域を有する格子パターンスペーサを製作して実験に使用した。このようなパターンに形成されたスペーサを有する液晶表示装置の二つの駆動電極に電圧を印加してブラック状態とホワイト状態を撮影した写真を、図6及び図7に示した。
図6は、図1の実施例による液晶表示装置のブラック状態の写真であり、図7は、図1の実施例による液晶表示装置のホワイト状態の写真である。
図8は、図1の実施例による液晶表示装置の電圧透過率グラフである。
図8から分かるように、電圧が0Vである時に最高の光透過率を示し、電圧が高まるほど光透過率が落ちるノーマリホワイト(normally white)モード液晶表示装置の典型的なV−T曲線を示す。
図9は、図1の実施例による液晶表示装置の応答時間グラフである。
図9において、黒い点は電圧印加時の応答速度を示し、白い点は電圧除去時の応答速度を示す。電圧印加時と電圧除去時全て30ms以下の応答速度を示すので、表示装置として使用するのに問題がないことが分かる。
図10及び図11は、各々図1の実施例による液晶表示装置の合着されていた二つの表示板を分離した状態の写真である。図10は上部基板であり、図11は下部基板である。
図10及び図11によれば、図11の下部基板と図10の上部基板とを接合していた高分子層が、両基板を分離することで引き剥がされようとしている様子がわかる。特に、下側基板に形成されているスペーサが上側基板表面に固着される高分子層によって堅固に付着されていたことが分かる。
図12は、本発明の他の実施例による液晶表示装置の斜視図であり、図13は、図12の実施例による液晶表示装置用共通電極表示板にスペーサが形成されている状態の斜視図である。
図12を見れば、上部絶縁基板110と共通電極270が形成されている下部絶縁基板210の間に複数の棒パターンのスペーサ322が互いに並んで配置されており、スペーサ322と交差する線状高分子突起332が形成されている。
ここで、二つの絶縁基板110、210の間の間隔はスペーサ322によって維持され、二つの絶縁基板110、210の間の空間は、スペーサ322と線状高分子突起332によって複数の微小領域に分割されている。ここで、各微小領域は、画素領域と一致したり、または複数の画素領域を合わせた大きさに形成されることができる。各微小領域内にはネマチック(nematic)液晶3が満たされる。
スペーサ322は、感光剤を下部基板210上に塗布し、所定の光マスクを通して露光及び現像して形成したものである。また、スペーサ322は、後述のように、弾性重合体などの他の物質で形成することもできる。
線状高分子突起332は、上部基板110とスペーサ322及び下部基板210を付着している。線状高分子突起332は、紫外線(UV)によって重合されて高分子化する単量体、例えばノーランド(Norland)社のエポキシNOA−65を液晶3に混合して注入し、上部基板110をスペーサ321上に配置した後、上部基板110または下部基板210の外側から所定のマスクを通して紫外線を照射することによって単量体を重合させて形成したものである。単量体は、重合されながら液晶から非等方的に相分離され、上部基板110と下部基板210との間に突起を形成する。
上下部基板110、210には図3に示したように、薄膜トランジスタ、画素電極、共通電極などが形成されている。
このような構造の液晶表示装置を製造する方法において、下部基板210と上部基板110を結合する方法を図14を参照して説明する。
図14は、図12の実施例による液晶表示装置を製造するために紫外線を照射する工程図である。
下部基板210の共通電極270上に感光膜を塗布し、所定のマスクを通して露光し現像して、スペーサ322を形成する。
次に、スペーサ322上に配向剤を塗布しラビングして、配向膜(図示せず)を形成する。
次に、スペーサ322が区画する領域に、紫外線によって重合される高分子の単量体を液晶と混合して滴下注入する。紫外線によって重合される高分子の単量体としては、ノーランド(Norland)社のUV硬化性エポキシNOA−65などがある。
次に、スペーサ322上に薄膜トランジスタと画素電極などが形成されている上部基板110を位置させ、上部基板110または下部基板210側から紫外線を照射する。ここで、紫外線照射は、図14に示したように、複数のスリットが並んで形成されている光マスクを通して進行する。紫外線の照射を受けた高分子単量体は、重合され始めながら液晶から相分離され、上部基板110と下部基板210との間に固着して線状高分子突起332を形成する。
このような線状高分子突起332は、スペーサ322と下部基板210を上部基板110に堅固に付着する役割を果たす。
図15は、図12の実施例による液晶表示装置のホワイト状態の写真であり、図16は、図12の実施例による液晶表示装置のブラック状態の写真である。
図15及び図16によれば、図12の実施例による液晶表示装置もホワイトとブラック表示が可能であることが分かり、同時に階調表示も可能である。
図17及び図18は、各々図12の実施例による液晶表示装置の合着されていた二つの表示板を分離した状態の写真である。図17は上部基板であり、図18は下部基板である。
図17及び図18によれば、図17の下部基板と図18の上部基板とを接合していた高分子層が、両基板を分離することで引き剥がされようとしている様子がわかる。特に、下側基板に形成されているスペーサが下側基板と上側基板との間に固着される線状高分子突起によって堅固に付着されていたことが分かる。
図19A乃至図19Eは、本発明の他の実施例によって液晶表示装置を製造する過程を示す工程断面図である。
図19A乃至図19Eは、弾性重合体を使用してスペーサを形成する方法を示す。
まず、図19Aに示したように、SU−8のような感光剤を塗布し、所定の光マスクを通して露光した後、現像して、スペーサを印刷するための枠組を形成する。
次に、図19Bに示したように、PDMS[poly(dimethylsiloxane)]などの弾性重合体の単量体を枠組上に塗布し、その上にITOが蒸着されている絶縁基板を載せる。
次に、図19Cに示したように、絶縁基板を加圧しながら100度で10分間ベイキングし、枠組を絶縁基板から剥がせば、PDMSからなるスペーサが絶縁基板上に残る。
次に、図19Dに示したように、スペーサ上に配向膜をスピンコーティングしラビングして、配向膜を形成する。次いで、配向膜上に液晶、例えばメルク(Merck)社のE7ネマチック液晶と紫外線によって重合される光重合体の単量体、例えばノーランド(Norland)社のエポキシNOA−65を95:5程度の比率で混合して滴下し、ITOが蒸着されてある絶縁基板をスペーサ上に配置する。
次に、図19Eに示したように紫外線を照射して、液晶に混ざっている単量体を重合させて高分子層を形成する。実際に試験のための試片製作時には約350nmの波長を有する紫外線を使用しており、紫外線のソースとしては、200Wの電力を使用するゼノン(Xenon)ランプを使用した。
このように、枠組を使用してスペーサを印刷するスタンピング(stamping)方法を使用すれば、スペーサを形成する工程を単純化して製造費用を節減することができる。
図20は、図19A乃至図19Eの実施例に使用するためのスタンプのSEM写真であり、図21は、スタンプを使用して形成したスペーサのSEM写真であり、図22は、図21の円部分に対する拡大断面図である。
図20乃至図22によれば、スタンピング方法によってもスペーサを均一に形成することができることが分かる。
図19A乃至図19Eの実施例では、感光膜を塗布し、露光及び現像して枠組を形成し、枠組上にPDMSのような弾性重合体の単量体を塗布してスペーサを形成したが、これと反対に、PDMSのような弾性重合体で枠組を形成し(写真エッチング工程などを通じて形成)、感光膜を使用してスペーサを形成することもできる。
図23A及び図23Bは、各々図19A乃至図19Eの実施例によって製造した液晶表示装置のブラック状態とホワイト状態の写真であり、図23C及び図23Dは、図19A乃至図19Eの実施例によって製造した液晶表示装置の中間階調(各々階調電圧を3Vと6Vに印加した場合)写真である。
図23A乃至図23Bによれば、スタンピング方法を通じて製造した液晶表示装置も階調表示をするには何らの問題も無いことが分かる。ただし、図23Aを見れば、ブラック状態で少しの光漏れが現れることが分かる。しかし、このような光漏れは遮光膜を形成することによって容易に遮断することができる。
図24は、本発明の他の実施例による液晶表示装置の斜視図である。
図24の実施例は、図12の実施例で高分子突起332と共に上部基板110表面に形成されている高分子層をさらに含む構造の液晶表示装置である。
スリットを有する光マスクを通した紫外線照射を通じて高分子突起332を形成した以降に残留し得る光重合体の単量体を液晶から分離するために、全面的な紫外線照射を追加的に実施して得られた構造である。
なお、高分子の単量体と液晶とを挟み込む上部基板と下部基板とにおいて、上部基板側から紫外線を照射するために、上部基板側に高分子層が形成される。つまり、上部基板側から紫外線を照射すると、上部基板側に位置する高分子単量体が重合し、上部基板側に高分子層が形成される。よって、紫外線は、高分子層を形成したい基板側から照射すればよい。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
本発明の一実施例による液晶表示装置の斜視図である。 図1の実施例による液晶表示装置用共通電極表示板にスペーサが形成されている状態の斜視図である。 図1の実施例による液晶表示装置の断面図である。 図1の実施例によって形成されたスペーサを上から見た正面図である。 図1の実施例によって形成されたスペーサの斜視図である。 図1の実施例による液晶表示装置のブラック状態の写真である。 図1の実施例による液晶表示装置のホワイト状態の写真である。 図1の実施例による液晶表示装置の電圧透過率グラフである。 図1の実施例による液晶表示装置の応答時間グラフである。 及び 各々図1の実施例による液晶表示装置の合着されていた二つの表示板を分離した状態の写真である。 本発明の他の実施例による液晶表示装置の斜視図である。 図12の実施例による液晶表示装置用共通電極表示板にスペーサが形成されている状態の斜視図である。 図12の実施例による液晶表示装置を製造するために紫外線を照射する工程図である。 図12の実施例による液晶表示装置のホワイト状態の写真である。 図12の実施例による液晶表示装置のブラック状態の写真である。 図12の実施例による液晶表示装置の合着されていた二つの表示板を分離した状態の写真である。 図12の実施例による液晶表示装置の合着されていた二つの表示板を分離した状態の写真である。 本発明の他の実施例によって液晶表示装置を製造する過程を示す工程断面図(1)である。 本発明の他の実施例によって液晶表示装置を製造する過程を示す工程断面図(2)である。 本発明の他の実施例によって液晶表示装置を製造する過程を示す工程断面図(3)である。 本発明の他の実施例によって液晶表示装置を製造する過程を示す工程断面図(4)である。 本発明の他の実施例によって液晶表示装置を製造する過程を示す工程断面図(5)である。 図19A乃至図19Eの実施例に使用するためのスタンプのSEM写真である。 スタンプを使用して形成したスペーサのSEM写真である。 図21の円部分に対する拡大断面図である。 図19A乃至図19Eの実施例によって製造した液晶表示装置のブラック状態の写真である。 図19A乃至図19Eの実施例によって製造した液晶表示装置ホワイト状態の写真である。 図19A乃至図19Eの実施例によって製造した液晶表示装置の中間階調(階調電圧を3Vを印加した場合)写真である。 図19A乃至図19Eの実施例によって製造した液晶表示装置の中間階調(各々階調電圧6Vを加した場合)写真である 本発明の他の実施例による液晶表示装置の斜視図である。
符号の説明
3 液晶
12 第1偏光フィルム
21 補償フィルム
22 第2偏光フィルム
23 配向膜
110 上部絶縁基板
124 ゲート電極
133 維持電極
140 ゲート絶縁膜
154 非晶質シリコンパターン
163、165 抵抗性接触層
173 ソース電極
175 ドレーン電極
180 保護膜
190 画素電極
210 下部絶縁基板
220 遮光膜
230 色フィルター
270 共通電極
321、322 スペーサ
331 高分子層
332 高分子突起

Claims (31)

  1. 第1絶縁基板、
    前記第1絶縁基板と対向している第2絶縁基板、
    前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に注入されている液晶層、
    前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に形成されており、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間の間隔を一定に維持するスペーサ、及び
    前記第2絶縁基板の表面に形成されており、前記スペーサと前記第2絶縁基板を固着する高分子層を含むことを特徴とする、液晶表示装置。
  2. 前記第1絶縁基板上に形成されている第1電極、及び
    前記第2絶縁基板上に形成されている第2電極
    をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記スペーサは格子形態を有することを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
  4. 前記液晶層は、前記スペーサによって複数の微小領域に分割されていることを特徴とする、請求項3に記載の液晶表示装置。
  5. 前記高分子層は、前記液晶層内に光硬化性単量体を混合した状態で光を照射して相分離させることによってなることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
  6. 前記光硬化性単量体を相分離させる光は紫外線であることを特徴とする、請求項5に記載の液晶表示装置。
  7. 前記光硬化性単量体は、ノーランド(Norland)社のUV硬化性エポキシNOA−65であることを特徴とする、請求項6に記載の液晶表示装置。
  8. 前記第1絶縁基板上に形成されており、前記第1電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする、請求項2に記載の液晶表示装置。
  9. 前記第2絶縁基板上に形成されており、前記第2電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする、請求項2に記載の液晶表示装置。
  10. 前記スペーサは複数の棒形態に形成されており、前記スペーサと交差する線状高分子突起をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
  11. 前記スペーサは弾性重合体からなることを特徴とする、請求項1に記載の液晶表示装置。
  12. 前記スペーサはPDMS[poly(dimethylsiloxane)]からなることを特徴とする、請求項11に記載の液晶表示装置。
  13. 第1絶縁基板、
    前記第1絶縁基板と対向している第2絶縁基板、
    前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に注入されている液晶層、
    前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間に形成されており、前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間の間隔を一定に維持するスペーサ、及び
    前記第1絶縁基板と前記第2絶縁基板との間を固着する高分子突起を含むことを特徴とする、液晶表示装置。
  14. 前記スペーサは複数の棒形態に形成されており、前記高分子突起は前記スペーサと交差する線状突起であることを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置。
  15. 前記第1絶縁基板上に形成されている第1電極、及び
    前記第2絶縁基板上に形成されている第2電極
    をさらに含むことを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置。
  16. 前記液晶層は、前記スペーサ及び前記高分子突起によって複数の微小領域に分割されていることを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置。
  17. 前記高分子突起は、前記液晶層内に光硬化性単量体を混合した状態で光を照射して相分離させることによってなることを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置。
  18. 前記光硬化性単量体を相分離させる光は紫外線であることを特徴とする、請求項17に記載の液晶表示装置。
  19. 前記光硬化性単量体は、ノーランド(Norland)社のUV硬化性エポキシNOA−65であることを特徴とする、請求項18に記載の液晶表示装置。
  20. 前記第1絶縁基板上に形成されており、前記第1電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする、請求項15に記載の液晶表示装置。
  21. 前記第2絶縁基板上に形成されており、前記第2電極に連結されている薄膜トランジスタをさらに含むことを特徴とする、請求項15に記載の液晶表示装置。
  22. 前記スペーサは弾性重合体からなることを特徴とする、請求項13に記載の液晶表示装置。
  23. 前記スペーサはPDMS[poly(dimethylsiloxane)]からなることを特徴とする、請求項22に記載の液晶表示装置。
  24. 第1絶縁基板上に第1電極を形成する段階、
    前記第1電極上に固定スペーサを形成する段階、
    前記固定スペーサが形成されている前記第1電極上に、高分子単量体を含む液晶物質を塗布する段階、
    前記固定スペーサ上に第2絶縁基板を配置する段階、及び
    前記高分子単量体を前記液晶物質から相分離させて前記第2絶縁基板の表面に凝着させることによって、前記スペーサと前記第2絶縁基板を固着する段階
    を含むことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
  25. 前記第2絶縁基板の一表面には第2電極が形成されており、前記第2絶縁基板を前記スペーサ上に配置する際に前記第2電極が前記スペーサと接触することを特徴とする、請求項24に記載の液晶表示装置の製造方法。
  26. 前記液晶物質を塗布する段階以前に、前記固定スペーサ上に配向膜を塗布しラビングする段階をさらに含むことを特徴とする、請求項24に記載の液晶表示装置。
  27. 前記固定スペーサを形成する段階は、
    前記第1電極上に感光剤を塗布する段階、
    前記感光剤を所定のマスクを通して露光する段階、及び
    露光された前記感光剤を現像する段階
    を含むことを特徴とする、請求項24に記載の液晶表示装置の製造方法。
  28. 前記固定スペーサを形成する段階は、
    スペーサ枠組を形成する段階、
    前記スペーサ枠組上に弾性重合体を塗布する段階、及び
    前記第1電極が形成されている前記第1絶縁基板を前記弾性重合体上に載せて加圧及び加熱する段階
    を含むことを特徴とする、請求項26に記載の液晶表示装置の製造方法。
  29. 前記スペーサ枠組を形成する段階は、
    SU−8感光剤を塗布する段階、
    前記SU−8感光剤を所定のマスクを通して露光する段階、及び
    露光された前記SU−8感光剤を現像する段階
    を含むことを特徴とする、請求項28に記載の液晶表示装置の製造方法。
  30. 前記高分子単量体を前記液晶物質から相分離させて前記第2絶縁基板の表面に凝着させることによって、前記スペーサと前記第2絶縁基板を固着する段階は、前記第2絶縁基板の外側から前記高分子単量体を含む液晶物質に紫外線を照射して進行することを特徴とする、請求項24に記載の液晶表示装置の製造方法。
  31. 前記紫外線照射は所定のマスクを通して行われることを特徴とする、請求項30に記載の液晶表示装置の製造方法。
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