JP2006253311A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】短チャネル効果を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極Gと、半導体基板内に形成されたソース・ドレイン拡散層17と、ゲート絶縁膜下の半導体基板内に形成されたチャネル領域Cとを具備し、ゲート電極の底面Aよりもソース・ドレイン拡散層の上面Bが下に位置し、ソース・ドレイン拡散層の上面Bよりもチャネル領域の上面Ca,Cbが下に位置する。
【選択図】図2
【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極Gと、半導体基板内に形成されたソース・ドレイン拡散層17と、ゲート絶縁膜下の半導体基板内に形成されたチャネル領域Cとを具備し、ゲート電極の底面Aよりもソース・ドレイン拡散層の上面Bが下に位置し、ソース・ドレイン拡散層の上面Bよりもチャネル領域の上面Ca,Cbが下に位置する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
トランジスタ素子の微細化に伴い、いわゆる短チャネル効果が問題となってくる。この短チャンネル効果を回避する方法としては、従来からエレベーテッド・ソース・ドレイン構造が知られている。
図26は、従来技術によるエレベーテッド・ソース・ドレイン構造の半導体装置の模式図を示す。図26に示すように、シリコン基板1上にはゲート酸化膜2を挟んでゲート電極3が設けられており、このゲート電極3上には金属シリサイド層4が設けられている。ゲート電極3の側面にはゲート側壁酸化膜14と側壁絶縁膜16が設けられている。側壁絶縁膜16の外側のシリコン基板1の表面はゲート酸化膜2が除去されており、エピタキシャル成長したシリコン層20が基板表面位置(図中に点線で表示)よりも上側に設けられている。そして、シリコン層20に不純物となる元素をイオン注入し、活性化アニールを行うことにより、エレベーテッド・ソース・ドレイン拡散層17が形成されている。
上記従来技術では、基板表面位置よりも上側に設けられたシリコン層20を介してイオン注入を行っているため、ソース・ドレイン拡散層17を浅く形成できる。従って、エレベーテッド・ソース・ドレイン構造の半導体装置は、短チャネル効果を回避できる。
しかし、このような従来技術では、ゲート電極3とソース・ドレイン拡散層17間のオーバーラップ容量Cが増大して、トランジスタTrの動作速度を低下させるという問題があった。また、製造工程数が増大し、デバイスコストが増加するという問題があった。さらに、エピタキシャル成長の高温工程が、トランジスタTrの特性の劣化を引き起こすという問題があった。
尚、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のようなものがある。
米国特許6,335,251号明細書
本発明は、短チャネル効果を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
本発明は、前記課題を解決するために以下に示す手段を用いている。
本発明の第1の視点による半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板内に形成されたソース・ドレイン拡散層と、前記ゲート絶縁膜下の前記半導体基板内に形成されたチャネル領域とを具備し、前記ゲート電極の底面よりも前記ソース・ドレイン拡散層の上面が下に位置し、前記ソース・ドレイン拡散層の前記上面よりも前記チャネル領域の上面が下に位置する。
本発明の第2の視点による半導体装置の製造方法は、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を選択的に形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の一部を窒化して窒素含有絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極のチャネル領域の端部から中央部に向かって前記半導体基板の酸化量が減少するように熱酸化を行い、前記ゲート電極の側面に側壁層を形成するとともに、前記ゲート電極の下端部の前記ゲート絶縁膜を厚くする工程と、前記半導体基板内にソース・ドレイン拡散層を形成する工程とを具備する。
本発明によれば、短チャネル効果を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供できる。
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の断面図を示す。図2は、図1の半導体装置の概略的な一部拡大図を示す。以下に、第1の実施形態に係る半導体装置について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の断面図を示す。図2は、図1の半導体装置の概略的な一部拡大図を示す。以下に、第1の実施形態に係る半導体装置について説明する。
図1に示すように、シリコン基板(半導体基板)1上にはゲート酸化膜2を挟んでゲート電極Gが設けられており、このゲート電極Gの下方のシリコン基板1内にはチャネル領域Cが形成されている。ゲート電極Gの側面上にはゲート側壁酸化膜14が設けられており、このゲート側壁酸化膜14の側面上には側壁絶縁膜16が設けられている。ゲート電極Gを挟んでシリコン基板1内にはソース・ドレイン拡散層17が設けられ、このソース・ドレイン拡散層17に隣接してSTI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離絶縁膜6が設けられている。ソース・ドレイン拡散層17の一部上にはシリコン酸窒化層(窒素含有絶縁膜)12が設けられており、このシリコン酸窒化層12は側壁絶縁膜16の下に位置している。ゲート電極Gの上面上には金属シリサイド層18aが設けられており、ソース・ドレイン拡散層17上には金属シリサイド層18bが設けられている。さらに、ゲート電極Gとゲート酸化膜2との界面、ゲート電極Gとゲート側壁酸化膜14との界面、ゲート酸化膜2とシリコン基板1との界面に、界面窒化層15が設けられている。
ここで、ゲート酸化膜2は、ゲート電極Gの下付近に位置する中央部2aとゲート側壁酸化膜14の下付近に位置する端部2bとを有する。ゲート酸化膜2の端部2bの膜厚はゲート酸化膜2の中央部2aの膜厚よりも厚く、ゲート酸化膜2の膜厚は中央部2aから端部2bに向かって少しずつ厚くなる。また、ゲート酸化膜2とゲート側壁酸化膜14との境界は明確ではなく、熱酸化形成によりゲート酸化膜2及びゲート側壁酸化膜14はほぼ一体化されている。
ゲート側壁酸化膜14の膜厚は、ゲート電極Gの底面から上面に近づくに従って薄くなっている。換言すると、ゲート電極Gのゲート長(紙面の横方向の幅)は、底面から上面に近づくに従って長くなっている。
図2に示すように、ゲート電極Gの底面(ゲート酸化膜2の中央部2aの上面)の位置Aよりもソース・ドレイン拡散層17の上面の位置Bの方が下に位置し、このソース・ドレイン拡散層17の上面の位置Bよりもチャネル領域Cの上面(ゲート酸化膜2の中央部2a及び端部2bの底面)の位置Ca,Cbの方が下に位置している。さらに、ゲート酸化膜2の中央部2aにおけるチャネル領域Cの上面(ゲート酸化膜2の中央部2aの底面)の位置Caよりも、ゲート酸化膜2の端部2bにおけるチャネル領域Cの上面(ゲート酸化膜2の端部2bの底面)の位置Cbの方が下に位置している。
上記の関係を換言すると、シリコン基板1の上面の位置Sからソース・ドレイン拡散層17の上面の位置Bまでの後退量Rbよりも、シリコン基板1の上面の位置Sからチャネル領域Cの上面の位置Ca,Cbまでの後退量Rca,Rcbの方が大きくなっている。さらに、シリコン基板1の上面の位置Sからゲート酸化膜2の中央部2aにおけるチャネル領域Cの上面の位置Caまでの後退量Rcaよりも、シリコン基板1の上面の位置Sからゲート酸化膜2の端部2bにおけるチャネル領域Cの上面の位置Cbまでの後退量Rcb方が大きくなっている。
また、シリコン酸窒化層12の上面の位置Dは、ゲート電極Gの底面の位置Aと等しいか、又はこの位置Aよりも下に位置している。
尚、ソース・ドレイン拡散層17の形状は、種々変形することが可能である。例えば、いわゆるエクステンション層等を設けてもよい。また、短チャネル効果の抑制の観点から、基板表面のドーパント不純物濃度を最大にするのが望ましい。
図3乃至図8は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程の断面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
まず、図3に示すように、熱酸化法により、所望の不純物をドーピングしたシリコン基板1の表面に例えば5nmの厚さを有するゲート酸化膜2が形成される。次に、シリコン基板1内に素子分離領域となる素子分離絶縁膜6が形成される。この素子分離絶縁膜6の材料としては、例えばシリコン酸化膜等があげられる。その後、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、ゲート電極Gとなる多結晶シリコン層3及びマスク材4が順次堆積される。ここで、マスク材4としては、例えばシリコン窒化膜等があげられる。
次に、図4に示すように、RIE(Reactive Ion Etching)によりマスク材4及び多結晶シリコン層3が加工され、ゲート電極Gが形成される。このとき、ゲート長(チャネル長)L1は、例えば約50nmである。
次に、図5で示すように、活性窒素イオン(図中に矢印で表示)が入射され、ゲート酸化膜2の一部が窒化される。この際、ゲート電極Gと素子分離絶縁膜6間の領域において、素子分離絶縁膜6との境界の窒素濃度が最大となり、ゲート電極Gとの境界の窒素濃度が最小となるように、窒化が行われる。その結果、ゲート電極Gと素子分離絶縁膜6間におけるシリコン基板1上には、窒素濃度が酸素濃度よりも高いシリコン酸窒化層12が形成される。このシリコン酸窒化層12の一端とゲート電極Gの端部間には隙間13が設けられ(シリコン酸窒化層12の一端とゲート電極Gの端部は接しないで)、シリコン酸窒化層12の他端は素子分離絶縁膜6と接する。尚、活性窒素イオンによる窒化は、例えば、ラジカル窒化プロセスを用いた帯電ラジカル窒素による基板表面窒化でもよいし、基板にバイアスを印加して窒素イオンを引き込んでもよい。
尚、ここでは、ゲート電極Gの影になることを利用して、隙間13が形成される場合を示したが、これに限られず、ゲート電極Gとシリコン酸窒化層12との境界部で窒素濃度が薄ければ隙間13が無くてもよい。
次に、図6に示すように、熱酸化法により、ゲート電極Gの側面に例えば10nm程度の厚さを有するゲート側壁酸化膜14が形成される。この際、チャネル領域の端部からチャネル領域の中央部に向かってシリコン基板1の酸化量が減少するように、シリコン基板1の表面部分とゲート電極Gの底面部分が酸化される。このとき、シリコン基板1の表面上に位置するシリコン酸窒化層12が酸化防止層として機能するため、この部分の酸化反応は進まずに、チャネル領域のバーズビーク酸化が進む。その結果、ゲート電極Gの下端部のゲート酸化膜2が厚くなり、ゲート酸化膜2の中央部2aの膜厚よりも端部2bの膜厚が厚くなる。例えば、ゲート酸化膜2の端部2bの膜厚は10nm程度と厚く、ゲート酸化膜2の中央部2aの膜厚は6nm程度になる。
次に、図7に示すように、NOガス又はN2Oガス雰囲気で900℃の酸窒化が行われる。これにより、ゲート電極Gとゲート酸化膜2との界面、ゲート電極Gとゲート側壁酸化膜14との界面、ゲート酸化膜2とシリコン基板1との界面に、界面窒化層15が形成される。そして、公知の技術を用いて、ゲート電極Gの側面に側壁絶縁膜16が形成される。尚、側壁絶縁膜16を形成した後に、界面窒化層15を形成してもよい。その後、シリコン酸窒化層12下のシリコン基板1内にソース・ドレイン拡散層17が形成される。
次に、図8に示すように、マスク材4が選択的に除去される。この際、側壁絶縁膜16から露出するシリコン酸窒化層12も除去され、ソース・ドレイン拡散層17の上面が露出される。
次に、図1に示すように、ゲート電極G及びソース・ドレイン拡散層17の上面がシリサイド化され、金属シリサイド層18a,18bがそれぞれ形成される。この金属シリサイド層18a,18bとしては、例えば、コバルトシリサイド、タングステンシリサイド、チタンシリサイド等があげられる。このようにして、トランジスタTrを有する半導体装置が完成する。
図9は、本発明の第1の実施形態に係るシリコン酸窒化層の窒素濃度分布図を示す。以下に、第1の実施形態に係るシリコン酸窒化層の窒素濃度分布について説明する。
図9に示すように、シリコン酸窒化層12のゲート電極G側の端部からソース・ドレイン拡散層17側の端部に向かって、シリコン酸窒化層12の窒素濃度は少しずつ高くなる。従って、シリコン酸窒化層12のゲート電極G側の端部の窒素濃度が最も低く、シリコン酸窒化層12のソース・ドレイン拡散層17側の端部の窒素濃度が最も高くなっている。
上記第1の実施形態によれば、ゲート電極Gの底面の位置Aよりもソース・ドレイン拡散層17の上面の位置Bの方が下に位置し、このソース・ドレイン拡散層17の上面の位置Bよりもチャネル領域Cの上面の位置Ca,Cbの方が下に位置している(図2参照)。すなわち、チャネル領域Cの上面の位置を従来よりも下げることができ、特にゲート酸化膜2の端部2bの存在により、ソース・ドレイン拡散層17の空乏層をソース・ドレイン間で分離できる。また、実質的にチャネル長(ソース・ドレイン間の距離)を延ばす効果もある。このため、チャネル長が短くなってもパンチスルーを抑制することができる。従って、短チャンネル効果を抑制でき、トランジスタTrの微細化が可能となる。
また、ゲート酸化膜2の中央部2aの膜厚が、端部2bの膜厚に比べて薄くなっている。このため、ゲート電位によるチャネルポテンシャルの支配力が高まり、短チャンネル効果をより効果的に抑制できる。
また、ゲート電極Gの端部に位置するゲート酸化膜2の端部2bの膜厚が厚い。このため、ゲート電極Gとソース・ドレイン拡散層17間の寄生容量が低減できるのでトランジスタの動作速度の低下をさらに抑制できる。さらに、ゲート電極Gの端部とソース・ドレイン拡散層17間の電界が緩和できるのでトランジスタ特性の経時変動を抑制できる。従って、トランジスタTrの信頼性を向上できる。
また、ゲート酸化膜2の端部2bの膜厚が厚いため、ゲート電極Gとソース・ドレイン拡散層17間の距離を長くすることもできる。この場合にも、従来のエレベーテッド・ソース・ドレイン構造に比べて、ゲート電極Gとソース・ドレイン拡散層17間のオーバーラップ容量Cが低減されるので、トランジスタTrの動作速度が低下する問題を抑制できる。
また、ゲート長(チャネル長)L1は、おおむね50nm以下である。この規定値であれば、図6に示すチャネル部の熱酸化工程において、ゲート酸化膜2の中央部2a(チャネル中央部)まで十分酸化させることができる。
また、ゲート電極Gとゲート酸化膜2との界面、ゲート電極Gとゲート側壁酸化膜14との界面、ゲート酸化膜2とシリコン基板1との界面に、界面窒化層15を形成する。これにより、ゲート電極G又はシリコン基板1からゲート酸化膜2へ不純物が混入することを防止できる。
尚、第1の実施形態おいて、シリコン酸窒化層12を形成した後(図5参照)、隙間13のゲート酸化膜2(又はゲート電極Gとの境界部の窒素低濃度領域)を希フッ酸溶液等で除去し(図10(a)参照)、その後、熱酸化法によりゲート側壁酸化膜14を形成してもよい。この場合、隙間13付近の酸化が進み易くなるため、図10(b)に示すように、ゲート酸化膜2の端部2bの膜厚をさらに厚くすることができる。このため、チャネル領域Cの端部の上面の位置Cbが下がり、後退量Rcbをさらに大きくできる。従って、短チャンネル効果をより効果的に抑制できる。
また、ゲート電極Gを形成した後(図4参照)、ゲート電極Gから露出するゲート酸化膜2を希フッ酸溶液等で除去し(図11(a)参照)、その後、シリコン酸窒化層12を形成してもよい。この場合、図11(b)に示すように、図1の構造と比べて、ソース・ドレイン拡散層17の上面の位置Bが下がり、後退量Rbが大きくなるが、同様に、チャネル領域Cの端部の上面の位置Cbも下がり、後退量Rcbも大きくなる。このため、図1の構造と同様、短チャネル効果を抑制できる。また、図1の場合よりも、酸化防止能力の高いシリコン酸窒化層12を形成することができる。
また、マスク材4をシリコン酸窒化層12と選択性の高い材料(例えばシリコン酸化膜等)で形成することで、図8のマスク材4の除去工程で、シリコン酸窒化層12の露出部が除去されないようにしてもよい。この場合、図12に示すように、ソース・ドレイン拡散層17の上面にもシリコン酸窒化層12が残るため、図1の金属シリサイド層18bは形成されない。そして、この場合、ゲート電極Gと素子分離絶縁膜6間において、シリコン酸窒化層12の素子分離絶縁膜6との境界の窒素濃度が最大となり、シリコン酸窒化層12のゲート電極Gとの境界の窒素濃度が最小となる。
[第2の実施形態]
第2の実施形態は、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とを有するメモリセルトランジスタを備えた不揮発性半導体記憶装置の例を示す。
第2の実施形態は、浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とを有するメモリセルトランジスタを備えた不揮発性半導体記憶装置の例を示す。
図13は、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の断面図を示す。図14は、図13の不揮発性半導体記憶装置の概略的な一部拡大図を示す。以下に、第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置について説明する。
図13に示すように、第2の実施形態において、第1の実施形態と異なる点は、不揮発性半導体記憶装置のメモリセルトランジスタTrを例としてあげている点である。従って、次のような構造となっている。
シリコン基板101上にはトンネル酸化膜102を挟んで浮遊ゲート電極FGが設けられており、この浮遊ゲート電極FG上には電極間絶縁膜108を挟んで制御ゲート電極CGが設けられている。制御ゲート電極CG上にはシリコン窒化膜110が設けられ、シリコン窒化膜110、制御ゲート電極CG及び電極間絶縁膜108の側面には側壁カバー膜111が設けられている。浮遊ゲート電極FGの側面にはゲート側壁酸化膜114が設けられ、浮遊ゲート電極FGの下方のシリコン基板101内にはチャネル領域Cが形成されている。セル間領域のシリコン基板101上にはシリコン酸窒化層112が設けられ、このシリコン酸窒化層112下のシリコン基板1内にはソース・ドレイン拡散層117が設けられている。さらに、浮遊ゲート電極FGとトンネル酸化膜102との界面、浮遊ゲート電極FGとゲート側壁酸化膜114との界面、トンネル酸化膜102とシリコン基板101との界面に、界面窒化層115が設けられている。
ここで、トンネル酸化膜102は、浮遊ゲート電極FGの下付近に位置する中央部102aとゲート側壁酸化膜114の下付近に位置する端部102bとを有する。トンネル酸化膜102の端部102bの膜厚はトンネル酸化膜102の中央部102aの膜厚よりも厚く、トンネル酸化膜102の膜厚は中央部102aから端部102bに向かって少しずつ厚くなる。また、トンネル酸化膜102とゲート側壁酸化膜114との境界は明確ではなく、熱酸化形成によりトンネル酸化膜102及びゲート側壁酸化膜114はほぼ一体化されている。
ゲート側壁酸化膜114の膜厚は、浮遊ゲート電極FGの底面から上面に近づくに従って薄くなっている。換言すると、浮遊ゲート電極FGのゲート長(紙面の横方向の幅)は、底面から上面に近づくに従って長くなっている。
図14に示すように、浮遊ゲート電極FGの底面(トンネル酸化膜102の中央部2aの上面)の位置Aよりもソース・ドレイン拡散層117の上面の位置Bの方が下に位置し、このソース・ドレイン拡散層117の上面の位置Bよりもチャネル領域Cの上面(トンネル酸化膜102の中央部102a及び端部102bの底面)の位置Ca,Cbの方が下に位置している。さらに、トンネル酸化膜102の中央部102aにおけるチャネル領域Cの上面(トンネル酸化膜102の中央部102aの底面)の位置Caよりも、トンネル酸化膜102の端部102bにおけるチャネル領域Cの上面(トンネル酸化膜102の端部102bの底面)の位置Cbの方が下に位置している。
上記の関係を換言すると、シリコン基板101の上面の位置Sからソース・ドレイン拡散層117の上面の位置Bまでの後退量Rbよりも、シリコン基板101の上面の位置Sからチャネル領域Cの上面の位置Ca,Cbまでの後退量Rca,Rcbの方が大きくなっている。さらに、シリコン基板101の上面の位置Sからトンネル酸化膜102の中央部102aにおけるチャネル領域Cの上面の位置Caまでの後退量Rcaよりも、シリコン基板101の上面の位置Sからトンネル酸化膜102の端部102bにおけるチャネル領域Cの上面の位置Cbまでの後退量Rcb方が大きくなっている。
また、シリコン酸窒化層112の上面の位置Dは、浮遊ゲート電極FGの底面の位置Aと等しいか、又はこの位置Aよりも下に位置している。
図15乃至図22は、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造工程の断面図を示す。ここで、図15(a)、図16(a)、図17(a)、図18(a)、図19乃至図22は、ビット線方向(チャネル長方向)の断面図を示し、図15(b)、図16(b)、図17(b)及び図18(b)は、ワード線方向(チャネル幅方向)の断面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の製造方法について説明する。
まず、図15(a)及び(b)に示すように、熱酸化法により、所望の不純物をドーピングしたシリコン基板101の表面に例えば5nmの厚さを有するトンネル酸化膜102が形成される。次に、CVD法により、浮遊ゲート電極FGとなる例えば100nmの厚さを有するリンドープの多結晶シリコン層103、素子分離加工のためのマスク材104が順次堆積される。その後、レジストマスク(図示せず)を用いたRIE法により、マスク材104、多結晶シリコン層103、トンネル酸化膜102が順次エッチング加工され、さらにシリコン基板101の露出領域がエッチングされる。これにより、例えば100nmの深さdを有する素子分離溝105が形成される。このとき、チャネル幅Wは、例えば約50nmである。
次に、図16(a)及び(b)に示すように、シリコン基板101及びマスク材104上に例えばシリコン酸化膜からなる素子分離絶縁膜106が堆積され、この素子分離絶縁膜106で素子分離溝105が埋め込まれる。その後、CMP(Chemical Mechanical Polish)法により、マスク材104が露出するまで、素子分離絶縁膜106の上面が平坦化される。
次に、図17(a)及び(b)に示すように、マスク材104が選択的にエッチング除去される。そして、希フッ酸溶液を用いて、素子分離絶縁膜106の上面が多結晶シリコン層103の上面よりも下に位置するまで、素子分離絶縁膜106の上部がエッチング除去される。これにより、多結晶シリコン層103の側壁面107が露出される。この側壁面107の高さHは、例えば50nmである。
次に、図18(a)及び(b)に示すように、CVD法により、多結晶シリコン層103及び素子分離絶縁膜106上に、例えば15nmの膜厚を有する電極間絶縁膜108が堆積される。この電極間絶縁膜108は例えばシリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜からなる3層構造のONO(Oxide Nitride Oxide)膜であり、シリコン酸化膜/シリコン窒化膜/シリコン酸化膜の膜厚はそれぞれ例えば5nmである。その後、CVD法により、制御ゲート電極FGとなる例えば100nmの厚さを有する導電層109が電極間絶縁膜108上に堆積される。この導電層109は、多結晶シリコン層/タングステンシリサイド層からなる2層構造である。さらに、CVD法により、RIE時のマスク材となるシリコン窒化膜110が導電層109上に堆積される。
次に、図19に示すように、レジストマスク(図示せず)を用いたRIE法により、シリコン窒化膜110、導電層109、電極間絶縁膜108が順次エッチング加工される。これにより、導電層109からなる制御ゲート電極CGがパターニングされる。その後、減圧CVD法により、シリコン窒化膜110、制御ゲート電極CG及び電極間絶縁膜108の側面に例えば5nmの厚さを有する側壁カバー膜111が形成される。なお、ここでは、側壁カバー膜111として、減圧CVD法を用いてシリコン窒化膜を形成するが、プラズマ窒化法を用いて窒化層を形成してもよいし、NOやN2Oガスのような酸窒化性ガスを用いて酸窒化を行ってもよい。
次に、図20に示すように、RIEにより多結晶シリコン層103が加工される。これにより、多結晶シリコン層103からなる浮遊ゲート電極FGがパターニングされる。このとき、チャネル長L2は、例えば約50nmである。
次に、図21で示すように、隣接セル間の開口部から活性窒素イオン(図中に矢印で表示)が入射され、トンネル酸化膜102の一部が窒化される。この際、セル間領域の中央部で窒素濃度が最大になり、セル間領域の端部で窒素濃度が最小となるように、窒化が行われる。その結果、セル間領域の中央部におけるシリコン基板101上には、窒素濃度が酸素濃度よりも高いシリコン酸窒化層112が形成される。このシリコン酸窒化層112は、浮遊ゲート電極FGと接しないように、浮遊ゲート電極FGと隙間113を設けて形成されることが望ましい。但し、窒素濃度は薄ければ、浮遊ゲート電極FGと接していてもよい。尚、活性窒素イオンによる窒化は、例えば、ラジカル窒化プロセスを用いた帯電ラジカル窒素による基板表面窒化でもよいし、基板にバイアスを印加して窒素イオンを引き込んでもよい。
次に、図22に示すように、熱酸化法により、浮遊ゲート電極FGの側面に例えば10nm程度の厚さを有するゲート側壁酸化膜114が形成される。この際、チャネル領域の端部からチャネル領域の中央部に向かってシリコン基板1の酸化量が減少するように、シリコン基板1の表面部分と浮遊ゲート電極FGの底面部分が酸化される。このとき、セル間の基板表面に位置するシリコン酸窒化層112が酸化防止層として機能するため、セル間領域の酸化反応は進まずに、チャネル領域のバーズビーク酸化が進む。その結果、その結果、トンネル酸化膜102の中央部102aの膜厚よりも端部102bの膜厚の方が厚くなる。ここで、トンネル酸化膜102の端部102bの膜厚は10nm程度と厚く、トンネル酸化膜102の中央部102aの膜厚は6nm程度である。尚、電極間絶縁膜108の側面部分は、側壁カバー膜111で覆ってあるため、バーズビーク酸化は起こらない。
次に、図13に示すように、NOガス又はN2Oガス雰囲気で900℃の酸窒化が行われる。これにより、浮遊ゲート電極FGとトンネル酸化膜102との界面、浮遊ゲート電極FGとゲート側壁酸化膜114との界面、トンネル酸化膜102とシリコン基板101との界面に、界面窒化層115が形成される。その後、公知の技術を用いて、シリコン酸窒化層112下のシリコン基板101内にソース・ドレイン拡散層117が形成される。このようにして、不揮発性メモリセルトランジスタTrが完成する。
図23は、本発明の第2の実施形態に係るシリコン酸窒化層の窒素濃度分布図を示す。以下に、第2の実施形態に係るシリコン酸窒化層の窒素濃度分布について説明する。
図23に示すように、シリコン酸窒化層112の端部から中央部に向かって、シリコン酸窒化層112の窒素濃度は少しずつ高くなる。従って、シリコン酸窒化層112の端部の窒素濃度が最も低く、シリコン酸窒化層112の中央部の窒素濃度が最も高くなっている。
上記第2の実施形態によれば、以下のように、第1の実施形態とほぼ同様の効果を得ることができる。
浮遊ゲート電極FGの底面の位置Aよりもソース・ドレイン拡散層117の上面の位置Bの方が下に位置し、このソース・ドレイン拡散層117の上面の位置Bよりもチャネル領域Cの上面の位置Ca,Cbの方が下に位置している(図14参照)。すなわち、チャネル領域Cの上面の位置を従来よりも下げることができ、特にトンネル酸化膜102の端部102bの存在により、ソース・ドレイン拡散層117の空乏層をソース・ドレイン間で分離できる。また、実質的にチャネル長(ソース・ドレイン間の距離)を延ばす効果もある。このため、一般的にチャネル不純物濃度が低い不揮発性メモリセルトランジスタTrの場合において、チャネル長が短くなってもパンチスルーを抑制することができる。従って、短チャンネル効果を抑制でき、メモリセルトランジスタTrの飛躍的な微細化が可能となる。
また、トンネル酸化膜102の中央部102aの膜厚が、端部102bの膜厚に比べて薄くなっている。このため、ゲート電位によるチャネルポテンシャルの支配力が高まり、短チャンネル効果をより効果的に抑制できる。
また、浮遊ゲート電極FGの端部に位置するトンネル酸化膜102の端部102bの膜厚が厚い。このため、浮遊ゲート電極FGとソース・ドレイン拡散層117間の寄生容量が低減できるのでメモリセルトランジスタTrの動作速度の低下をさらに抑制できる。さらに、浮遊ゲート電極FGの端部とソース・ドレイン拡散層117間の電界が緩和できるので、信頼性が重要視されるメモリセルトランジスタTrの信頼性を飛躍的に向上できる。
また、トンネル酸化膜102の端部102bの膜厚が厚いため、浮遊ゲート電極FGとソース・ドレイン拡散層117間の距離を長くすることもできる。この場合にも、このため、従来のエレベーテッド・ソース・ドレイン構造に比べて、浮遊ゲート電極FGとソース・ドレイン拡散層117間のオーバーラップ容量Cが低減されるので、メモリセルトランジスタTrの動作速度が低下する問題を抑制できる。
また、浮遊ゲート電極FGのゲート長(チャネル長)L2は、おおむね50nm以下である。この規定値であれば、図22に示すチャネル部の熱酸化工程において、トンネル酸化膜102の中央部102a(チャネル中央部)までバーズビーク酸化反応が進んで、好適なトランジスタ構造が実現でき、さらに、ゲート側壁酸窒化時にトンネル酸化膜102のバーズビーク窒化反応が進んで高品質膜が実現できる。
また、浮遊ゲート電極FGとトンネル酸化膜102との界面、浮遊ゲート電極FGとゲート側壁酸化膜114との界面、トンネル酸化膜102とシリコン基板101との界面に、界面窒化層115を形成する。これにより、浮遊ゲート電極FG又はシリコン基板101からトンネル酸化膜102へ不純物が混入することを防止できる。その結果、トンネル酸化膜102の低電界リークを抑えられるので、電荷保持特性を向上できる。
また、電極間絶縁膜108の側壁部分は、側壁カバー膜118で覆ってあるため、バーズビーク酸化されない。このため、高いセルカップリング比を有するセルトランジスタTrを実現でき、セル特性のばらつきを抑制できる。
尚、第2の実施形態おいて、シリコン酸窒化層112を形成した後(図21参照)、隙間113のトンネル酸化膜102又は窒素低濃度領域のトンネル酸化膜102を希フッ酸溶液等で除去し(図24(a)参照)、その後、熱酸化法によりゲート側壁酸化膜114を形成してもよい。この場合、隙間113付近の酸化が進み易くなるため、図24(b)に示すように、トンネル酸化膜102の端部102bの膜厚をさらに厚くすることができる。このため、チャネル領域Cの端部の上面の位置Cbが下がり、後退量Rcbをさらに大きくできる。従って、短チャンネル効果をより効果的に抑制できる。
また、浮遊ゲート電極FGを形成した後(図20参照)、浮遊ゲート電極FGから露出するトンネル酸化膜102を希フッ酸溶液等で除去し(図25(a)参照)、その後、シリコン酸窒化層112を形成してもよい。この場合、図25(b)に示すように、図13の構造と比べて、ソース・ドレイン拡散層117の上面の位置Bが下がり、後退量Rbが大きくなるが、同様に、チャネル領域Cの端部の上面の位置Cbも下がり、後退量Rcbも大きくなる。このため、図13の構造と同様、短チャネル効果を抑制できる。また、図13の場合よりも、酸化防止能力の高いシリコン酸窒化層112を形成することができる。
その他、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板を用いることも可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
1,101…シリコン基板、2…ゲート酸化膜、2a…ゲート酸化膜の中央部、2b…ゲート酸化膜の端部、3,103…多結晶シリコン層、4,104…マスク材、6,106…素子分離絶縁膜、12,112…シリコン酸窒化層、13,113…隙間、14,114…ゲート側壁酸化膜、15,115…窒化層、16…側壁絶縁膜、17,117…ソース・ドレイン拡散層、18a,18b…金属シリサイド層、102…トンネル酸化膜、102a…トンネル酸化膜の中央部、102b…トンネル酸化膜の端部、105…素子分離溝、107…側壁面、108…電極間絶縁膜、109…導電層、110…シリコン窒化膜、111…側壁カバー膜、C…チャネル領域、G…ゲート電極、FG…浮遊ゲート電極、CG…制御ゲート電極、Tr…トランジスタ。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板内に形成されたソース・ドレイン拡散層と、
前記ゲート絶縁膜下の前記半導体基板内に形成されたチャネル領域と
を具備し、
前記ゲート電極の底面よりも前記ソース・ドレイン拡散層の上面が下に位置し、前記ソース・ドレイン拡散層の前記上面よりも前記チャネル領域の上面が下に位置する
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜の膜厚は、前記チャネル領域の中央から前記ソース・ドレイン拡散層に近づくに従って厚くなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ソース・ドレイン拡散層上に形成された窒素含有絶縁膜と
をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記窒素含有絶縁膜の前記ゲート電極側の第1の端部の窒素濃度は、前記窒素含有絶縁膜の前記ソース・ドレイン拡散層側の第2の端部の窒素濃度よりも低いことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を選択的に形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の一部を窒化して窒素含有絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極のチャネル領域の端部から中央部に向かって前記半導体基板の酸化量が減少するように熱酸化を行い、前記ゲート電極の側面に側壁層を形成するとともに、前記ゲート電極の下端部の前記ゲート絶縁膜を厚くする工程と、
前記半導体基板内にソース・ドレイン拡散層を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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