JP2006245134A - 光電変換装置およびその光電変換素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の光電変換装置は、球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、第2半導体層が第1半導体の一部を露出させる開口部を有し、前記第1半導体の露出部に電極が形成されたほぼ球状の光電変換素子、並びに前記光電変換素子を個々に取り付ける複数の凹部を有する支持体を具備する。支持体は、その凹部が光電変換素子を嵌合し、その電極側裏面側に露出させる孔を有する。支持体は、第1半導体の電極と電気的に接続される第1導電体、前記凹部の内面を形成している第2導電体層、および第1導電体と第2導電体層とを隔離する電気絶縁層を含み、第2半導体層の表面に導電性の反射防止膜を有し、第2半導体層が前記反射防止膜を介して導電性の接続部材により第2導電体層に電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
この種の光電変換装置としては、多数の凹部を有する支持体の各凹部内に、直径1mm前後の球状の光電変換素子を取り付け、凹部内面を反射鏡として働かせるものが知られている(特許文献1および2など)。このような構成によれば、素子の材料、特に高価なSiの使用量を低減するとともに、反射鏡の作用により、素子に直接照射される光の4〜6倍の光を素子に照射できるので、光の有効利用ができるなどの利点を有する。
このような構成によると、支持体に素子を配置する前に、高温の熱処理を要する電極形成を行い、素子を支持体に配置した後に、比較的に低温で電極と導電体層とを接続することができるという利点を有する。しかし、第2半導体層側の電極は、第2半導体層の開口部周辺の曲面上に正確に位置決めし、しかも微細な形状に形成しなければならず、量産には不向きである。
本発明は、また、前記の光電変換装置に好適に用いられる、反射防止膜を有する光電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。
前記支持体は、前記凹部が前記光電変換素子を嵌合し、前記電極から第2半導体層の開口部の外周縁部にわたる部分を当該支持体の裏面側に露出させる孔を有するものであって、
前記支持体が、少なくとも前記凹部の内面を形成している第2導電体層を含み、
第2半導体層の表面に導電性の反射防止膜を有し、第2半導体層が前記反射防止膜を介して導電性の接部部材により第2導電体層に電気的に接続されていることを特徴とする。
ここに用いる反射防止膜は、フッ素およびアンチモンの少なくとも一方をドープした、膜厚50〜100nmの錫酸化物からなることが好ましい。
本発明の光電変換素子の製造方法によれば、多数の素子に、簡易な方法で、ほぼ一定品質の反射防止膜を形成することができる。したがって、高出力で、品質の一定した光電変換装置の量産が可能になる。
前記支持体は、前記凹部が前記光電変換素子を嵌合し、前記電極から第2半導体層の開口部の外周縁部にわたる部分を当該支持体の裏面側に露出させる孔を有している。支持体は、少なくとも前記凹部の内面を形成し、反射鏡の役目を有する第2導電体層を含んでいる。
そして、第2半導体層の表面に導電性の反射防止膜を有し、第2半導体層が前記反射防止膜を介して導電性の接続部材により第2導電体層に電気的に接続されている。
また、反射防止膜は、後述のように、第2半導体層の表面全面に形成する方法をとることができる。したがって、反射防止膜の表面に、部分的に、かつ位置決めして電極を形成するような煩わしさがなく、素子の量産に適する。
上記のようにして直径0.8〜1.2mm程度の球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなる球状の素子を作製する。
素子の表面にほぼ一定の厚みの酸化錫膜を形成するには、多数の素子を加熱板上において400〜600℃の温度に加熱するとともに回転させながら、ドープ材料および錫化合物を溶解した水溶液の微粒子を素子に向けて吹きつける。前記水溶液の微粒子は、素子の表面またはその近傍において熱分解し、素子表面にフッ素およびアンチモンの少なくとも一方がドープされた酸化錫膜が形成される。
すなわち、フッ素化合物を溶解した第1の溶液と、アンチモン化合物を溶解した第2の溶液との二液に分け、第1および第2の溶液の少なくとも一方に錫化合物を溶解する。反射防止膜を形成するための溶液の溶媒には、通常は水を用いるが、水で希釈した有機溶媒、およびアルコール系溶媒を単独で用いることもできる。
本発明の方法により、溶液中のドープ材料のフッ素の錫に対するモル比F/Snが0.8〜1.4のとき屈折率約1.9〜2.0、抵抗率10-3〜4×10-4ΩcmのSnO2膜が得られる。また、ドープ材料のアンチモンの錫に対するモル比Sb/Snが0.01〜0.10のとき屈折率約1.9〜2.0、抵抗率10-3〜4×10-4ΩcmのSnO2膜が得られる。フッ素およびアンチモンの両者をドープするときは、モル比F/Snが0.5〜1.0、モル比Sb/Snが0.003〜0.005のとき屈折率約1.9〜2.0、抵抗率4×10-4〜10-4ΩcmのSnO2膜が得られる。
原料の溶液中における錫化合物の濃度は、0.4〜1.0モル/lとするのが好ましい。
10は球状の光電変換素子30を取り付ける多数の凹部を有する支持体である。球状の光電変換素子30は、図3の(d)に示すように、球状の第1半導体21、その表面を順次被覆する第2半導体層22および反射防止膜23からなる。球状の光電変換素子30は、さらに、第2半導体層22および反射防止膜23に開口部24を設け、そこに第1半導体21の一部を露出させ、その露出面に電極31を設けている。
まず、球状の第1半導体21およびその表面に形成した第2半導体層22からなる光電変換素子20を準備する(図3(a))。この素子20の表面に、後述の方法により、導電性の反射防止膜23を形成する(図3(b))。次に、前記の素子の表面の一部を研削することにより除去する。こうして、第2半導体層および反射防止膜に開口部24を設けることにより、第1半導体21の一部を露出させる(図3(c))。次に、第1半導体21の露出面の中央に、導電性ペースト、例えばガラスフリット、Al粉末、および銀粉末などの導電材を有機溶剤などに分散させたペーストを塗布し、550〜750℃の温度で熱処理することにより、電極31を形成する。
以上のようにして第2半導体層を反射防止膜で被覆するとともに、第1半導体の露出部に電極31を取り付けた球状の光電変換素子30を作製する。
この第2導電体層12をその凹部13が下向きとなるようにセットし、透孔14の縁部に、凹部13の内面から裏面にわたって、複数箇所、例えば4カ所に、樹脂をバインダーとする導電性ペースト32、例えばエポキシ樹脂に銀粉末を混合したペーストを塗着する。次に、凹部13の下方から、素子30をその電極31を上向きにして、透孔14に押し込む。この状態で100〜200℃の温度に加熱し、素子30の反射防止膜23をペースト32の固化物により第2導電体層12に接続する。第2導電体層の少なくとも凹部内面に、メッキ、蒸着などにより銀を被覆した場合には、上記の加熱により銀は変色せず、反射鏡としての機能を損なうことはない。
図4は、球状の光電変換素子に反射防止膜を形成する装置の概略構成を示す縦断面図である。
41はステンレス鋼製のトレーを表す。このトレー41上に、第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなる球状の光電変換素子を一層に並べる。そして、素子を適度に回転させながら、ノズル45および46から反射防止膜形成用の材料を溶解した水溶液を噴霧して、素子表面に反射防止膜を形成する。水溶液を二液に分けた場合は、それぞれ異なるノズルから液を噴霧する。一液の場合は、同じ溶液を2つのノズルから噴霧してもよいし、一方のノズルのみを使用してもよい。
この装置50は、基台51、基台の相対向する側面に立設された側板52および53を有する。側板52および53には、枠体54が点線aおよびbを結ぶ線に沿って設けられた軸により回動自在に支持されている。枠体54は、点線cおよびdを結ぶ線に沿って設けられた軸によりテーブル44を回動自在に支持している。
《実施例1》
ドーパントとしてホウ素を含む直径1mmの球状の第1導電型シリコン半導体の表面に、リンを拡散させて厚さ約0.5μmの第2導電型半導体層を形成した。
一方、二塩化ジメチル錫77g、46重量%のフッ酸4ml、およびフッ化アンモニウム8.5gを水300gに溶解して反射防止膜形成用溶液を調製した。
一方、上記の水溶液は、3MHzの超音波振動子で霧化し、空気をキャリアガスとしてトレー41上に、一方のノズルから0.1ml/分の割合で吹きつけた。
こうして約1分間の成膜により球状の素子表面に約80nmの反射防止膜を形成した。
四塩化錫70g、三塩化アンチモン0.7g、および希塩酸20mlを水300gに溶解して反射防止膜形成用溶液を調製した。この溶液を用いた他は実施例1と同様にして球状の素子表面に厚さ約80nmの反射防止膜を形成した。
反射防止膜形成用溶液として、次の二液を調製した。1つは、46重量%のフッ酸4ml、およびフッ化アンモニウム8.5gを水300gに溶解した水溶液であり、他の1つは、四塩化錫70g、三塩化アンチモン0.2g、および希塩酸20mlを水300gに溶解した水溶液である。
これらの2つの溶液をそれぞれ2つのノズルからトレー41上の同じ部位に向けて0.1ml/分の割合で噴霧した。この他の条件は実施例1と同じである。本実施例により約80nmの反射防止膜を形成した。
比較例として、反射防止膜を形成しない素子を用い、第2半導体層と第2導電体層との接続にガラスフリットをバインダーとする導電性ペーストを用い、500℃で熱処理を施して光電変換装置を組み立てた。これらの光電変換装置の光電特性をソーラシミュレータを用い、25℃、AM1.5、100mW/cm2の条件下で測定した。その結果を、比較例を基準にして表2に示す。
11 第1導電体層
12 第2導電体層
13 凹部
14 孔
15 電気絶縁層
20 光電変換素子(反射防止膜形成前)
21 第1半導体
22 第2半導体層
23 反射防止膜
30 光電変換素子(反射防止膜形成後)
31 電極
32 導電性の接続部材
41 トレー
42 ホットプレート
43 断熱性の支持体
44 テーブル
Claims (5)
- 球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなり、第2半導体層が第1半導体の一部を露出させる開口部を有し、前記第1半導体の露出部に電極が形成されたほぼ球状の光電変換素子、並びに前記光電変換素子を個々に取り付ける複数の凹部を有する支持体を具備し、
前記支持体は、前記凹部が前記光電変換素子を嵌合し、前記電極から第2半導体層の開口部の外周縁部にわたる部分を当該支持体の裏面側に露出させる孔を有するものであって、
前記支持体が、少なくとも前記凹部の内面を形成している第2導電体層を含み、
第2半導体層の表面に導電性の反射防止膜を有し、第2半導体層が前記反射防止膜を介して導電性の接続部材により第2導電体層に電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。 - 前記導電性の接続部材が、樹脂をバインダーとする導電性ペーストを固化したものである請求項1記載の光電変換装置。
- 前記反射防止膜が、フッ素およびアンチモンの少なくとも一方をドープした、膜厚50〜100nmの錫酸化物からなる請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 球状の第1半導体およびその表面を被覆する第2半導体層からなる球状の光電変換素子を加熱板上において400〜600℃に加熱しながら回転させるとともに、フッ素化合物およびアンチモン化合物の少なくとも一種並びに錫化合物を溶解した溶液を噴霧することにより、前記光電変換素子の表面にフッ素およびアンチモンの少なくとも一種をドープした錫酸化物からなる導電性の反射防止膜を形成する工程を有する光電変換素子の製造方法。
- 前記溶液が、フッ素化合物を溶解した第1の溶液と、アンチモン化合物を溶解した第2の溶液との二液からなり、第1および第2の溶液の少なくとも一方が錫化合物を溶解しており、第1および第2の溶液がそれぞれ別個のノズルより前記光電変換素子に同時に吹きつけられる請求項4記載の光電変換素子の製造方法。
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