JP2006240963A - 高純度のシリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】溶融シリコンに酸化剤を付与して、シリコン中のホウ素を酸化することによりシリコン中からホウ素を除去するシリコンの製造方法において、シリコン中のホウ素の酸化中に酸化剤の昇温を抑制するために、酸化剤を部分的に冷却あるいは酸化剤と溶融シリコンの間に断熱剤を存在させる。
【選択図】図1
Description
尚、この明細書及び請求の範囲に記載されているアルカリ土類金属は、ベリリウムとマグネシウムを含むものとする。
図1を用いて、第1発明をより具体化した第4発明の装置構成を説明する。精製炉1内に設置されたるつぼ2は、周囲のヒータ3により加熱・保温される。るつぼ内には溶融させたSi4を保持でき、所定温度に維持される。るつぼ2内の溶融Si4上に、酸化剤供給管7を通して酸化剤5が、冷却材供給管8を通じて、低温の冷却材6が供給される。そして、溶融Siと酸化剤間でB除去を含めた反応・精製がなされる。この間、酸化剤層の上部は、低温の冷却材との接触により冷却されるため、酸化剤平均温度の上昇が抑制され、酸化剤の気化を防止する。加熱・精製中は、炉内雰囲気は、ガス供給管10、ガス排気管11を通して、ガス種・ガス濃度が制御される。酸化剤が充分消耗(Si融液との反応によるもの)した時点で、冷却材及び残酸化剤はるつぼ外に排出される。排出方法は、るつぼに設置されたるつぼ傾動装置12によってるつぼが傾けられ、溶融Si上部に存在する冷却材及び残酸化剤のみが残滓受9に排出される。この後、るつぼを元の位置に戻し、必要であれば、再度冷却材と酸化剤を溶融Si上に供給して精製を複数回継続してもよい。
酸化剤に関しては、酸化能力、純度、取り扱い易さ、並びに、価格の条件を満たせば、どの様なものでもよい。しかし、望ましくは、酸化剤は、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸塩の水和物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩の水和物、又は、アルカリ土類金属の水酸化物の内、1種又は2種以上の組み合わせを主成分とする物質であるべきである。なぜならば、これらの物質は、第1に、Bの酸化能力が高く、第2に、Siへの溶解による汚染が少ないからである。更に望ましくは、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸塩の水和物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩の水和物、又は、アルカリ土類金属の水酸化物として、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリム、炭酸水素カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、又は、これらの水和物、水酸化マグネシウム、又は、水酸化カルシウムの内、1種又は2種以上を用いることである。なぜならば、これらの物質は、第1に、Siの酸化に伴いSi融液表面に発生する強固なSiO2薄膜と反応して、低粘度のスラグを形成し、酸化剤とSi融液の接触阻害を回避させる効果があり、第2に、工業的に大量に生産されており、高純度製品の製造法が確立しているからである。尚、この明細書及び請求の範囲に記載されているアルカリ土類金属は、ベリリウムとマグネシウムを含むものとする。
冷却材は、熱容量が大きく、酸化剤のガス化温度以上の高温で固体又は液体として安定に存在し、かつ、Siへの汚染の少ないものが望ましい。この様な物質の例として、高純度のシリカ、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、又は、カルシアが使用可能であることを本発明者らは見出した。これらの物質であっても、Si融点近傍以上の高温においては、酸化剤と反応して液化(スラグ化)する場合がある。しかし、Siへの汚染性の少ない酸化剤を使用する限り、副次的に発生するこの様なスラグによるSiへの汚染の影響は小さい。なぜならば、シリカやアルミナをベースにしたスラグは、Siへの溶解度が極めて低いからである。また、スラグが発生したとしても、冷却材の平均温度がSi融点よりも充分に低く保たれている限りは、酸化剤に対する昇温抑止効果は依然として残るので、スラグ発生それ自身を極端に恐れる必要はない。冷却材の供給形態としては、酸化剤との伝熱性を向上させると共に、冷却材のスラグ化を抑制するため、より低温の、望ましくは常温の冷却材を供給すべきである。冷却材の供給形態は、粒状、塊状又は一体成形体をSi上に配置することができる。粒状又は塊状の供給形態の場合、冷却材の形状は、冷却材の伝熱性を向上させる観点からは、充填率の高い、球形に近いことが望ましく、一方、冷却材内部での酸化剤等の流通性を重視する観点からは、板状又は棒状等の充填率の低いものが望ましい。したがって、冷却材形状の選択は、所要冷却量、所要とされる酸化剤流通性、並びに、入手の容易さ等を、具体的な製造装置系毎に勘案して、エンジニアリング的に判断すべきものである。冷却材体積は、伝熱性の観点からは、より大きな冷却材を使用することが望ましく、塊状の場合、少なくとも0.5cm3以上必要であり、50cm3以上であることが望ましい。一体成形された大型の冷却材を使用しても良いが、るつぼへの収容性を考慮して、板状の場合、最長寸法がるつぼ内径以下でなければならず、塊状の場合、3000cm3以下であることが望ましい。
断熱材は、多孔質で熱伝導性が低く、Si融点以上の高温で固体又は液体として安定に存在し、かつ、Siへの汚染の少ないものが望ましい。この様な物質の例として、高純度のシリカ、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、又は、カルシアが使用可能であることを本発明者らは見出した。冷却材の説明で述べた様に、これらの物質であっても、高温ではスラグ化し得る。しかし、これらの物質をベースにしたスラグは、Siへの汚染性が低く、熱伝導率も低いため断熱性も高く、使用上の問題はない。但し、断熱材全体がスラグ化してしまうと、断熱材上で溶融した酸化剤の滴下する流路が失われるので問題である。したがって、スラグ化し得る断熱材を使用する場合には、断熱材全体がスラグ化する前に酸化剤が消費される様に酸化剤の供給量を予め設定しておく必要がある。断熱材の供給形態としては、一体成形した多孔質断熱材で溶融Si上を覆う、又は、粒状の断熱材を多数溶融Si上に投入してもよい。粒状の断熱材を供給する方式の場合、粒子間の間隙が一体成形多孔質断熱材の孔に対応して、溶融酸化剤の流路として機能する。即ち、「多孔質の物体」とは、単に一体成形されたもののみを指すのではなく、多数の粒子を積層したものの様に、内部に多数の流路を有する物体をも含む。Siの精製を繰り返し実施する場合には、粒状の断熱材を供給する方式の方が一体成形体で供給する方式よりも、断熱材排出の点で有利である。また、断熱材は、より低温で、望ましくは常温で供給すべきである。断熱材を粒子で構成する場合の粒子径については、粒子直径は小さい程、断熱性が向上するものの、小さい粒子径の場合、粒子間隙を溶融酸化剤が通過し難くなる欠点もあるので、1〜100mmの範囲であることが適当である。断熱材を構成する粒子の充填率は、粒子群の形状保持性と溶融酸化剤の流通性を考慮して20%〜70%の範囲であることが望ましい。このためには、粒子形状は球形に近いことが望ましく、また、例えば、80%以上の高充填率を指向した大小粒子の配合率に粒子供給条件を設定することを避けなければならない。望ましい範囲の粒子充填率における粒子間の流路幅は、平均粒子径の10%〜50%程度の値になる。
第6発明における冷却ガスは、ホウ素酸化阻害や炉材・るつぼの酸化ロスを防止するため、不活性ガスの使用が望ましい。但し、Siを誘導加熱する等して、高温部が溶融Si周囲に限定され、例えば、炉材やるつぼ外表面が、500℃以下の低温に保持される場合には、酸素ガスによる炉材・るつぼの酸化の影響は無視できるので、経済性の観点から空気を冷却ガスに使用してもよい。また、冷却ガス温度は、当然のことながら低温である程効率的である。しかし、冷却ガスを循環使用する等の理由で、常温のガスを使用できない場合には、冷却効果を有する温度範囲にある高温のガスを使用しても良い。但し、冷却の目的からみて、ガス温度は、冷却ガス接触面での酸化剤表面温度より少なくとも100℃以上低温である必要がある。
使用するるつぼについては、溶融シリコンや酸化剤に対して安定であることが望ましく、例えば、黒鉛やアルミナが使用可能である。
図1の精製炉を用いて、Siの精製を実施した。まず、精製炉内の直径500mmの黒鉛製るつぼ内に、B濃度12質量ppmで平均直径5mmの金属Si粒を50kg配置し、Ar雰囲気下で抵抗ヒータによりるつぼを加熱して、1500℃の溶融Siとして保持した。次に、B濃度0.3質量ppmで粉末状の常温の炭酸ナトリウム(Na2CO3)20kgを、酸化剤供給管を通じて精製炉内の溶融Si上に投入し、溶融Si上での酸化剤の深さが一様になる様に表面を平坦化した後、B濃度1.5質量ppmで平均直径60mmの常温の高純度けい石100kgを、冷却材供給管を通じて精製炉内の溶融Si上に投入し、酸化剤上での冷却材の深さが一様になる様に表面を平坦化した。酸化剤投入から冷却材投入までの時間は、約5分であった。冷却材投入後、溶融Siを常圧Ar雰囲気下で1500℃に維持して20分間精製を実施した。精製中の炉内観察により、冷却材の一部がスラグ化しているものの、大半の冷却材は、投入時の形状を維持していることを確認した。また、精製中の冷却材の代表温度は、約800℃であった。精製終了後、るつぼを傾動して、冷却材及び残酸化剤を残滓受に排出した後、溶融シリコンのサンプルを採取した。サンプルの採取方法は、Siの融点以上に先端を加熱した高純度アルミナ管の先端を溶融シリコンに浸漬し、この管を通して溶融シリコンを吸引し、アルミナ管の加熱されていない部分で急冷されて凝固したシリコンをアルミナ管ごと炉外に取り出し、後に、アルミナ管からシリコンを分離したものを分析サンプルとした。1回当りのサンプル質量は、約100gであった。サンプルの成分分析方法は、広く市場で用いられているICP分析法によった。その後、再び、溶融Si上に酸化剤及び冷却材を供給して精製を繰り返し、計5回の精製を実施した。最初の4回の精製において、精製毎に、Si中のB濃度は、精製前の約1/3に低下した。最終的に得られたSi中のB濃度は、0.1質量ppmであり、太陽電池用SiのB濃度仕様を満足した。
図2の精製炉を用いて、Siの精製を実施した。まず、精製炉内の直径500mmの黒鉛製るつぼ内に、B濃度12質量ppmで平均直径5mmの金属Si粒を50kg配置し、Ar雰囲気下で抵抗ヒータによりるつぼを加熱して、1500℃の溶融Siとして保持した。次に、B濃度1.5質量ppmで平均直径50mmの常温の高純度アルミナ30kgを、断熱材供給管を通じて精製炉内の溶融Si上に投入し、溶融Si上での断熱材の深さが一様になる様に表面を平坦化した後、B濃度0.3質量ppmで粉末状の常温の炭酸ナトリウム(Na2CO3)10kgを、酸化剤供給管を通じて精製炉内の溶融Si上に投入し、断熱材上での酸化剤の深さが一様になる様に表面を平坦化した。断熱材投入後、溶融Siを常圧Ar雰囲気下で1500℃に維持して20分間精製を実施した。精製中の炉内測定により、断熱材の一部がスラグ化しているものの、大半の冷却材は、投入時の形状を維持していることを確認した。また、精製末期に至るまで、酸化剤は、断熱材上に存在し、徐々に溶融して断熱材に染み込む様子が観察された。精製終了後、るつぼを傾動して、断熱材及び残酸化剤を残滓受に排出した後、溶融シリコンのサンプルを採取した。サンプルの採取方法及び分析方法は、実施例1と同様である。その後、再び、溶融Si上に酸化剤及び断熱材を供給して精製を繰り返し、計5回の精製を実施した。1回の精製毎に、Si中のB濃度は、精製前の約1/3に低下した。最終的に得られたSi中のB濃度は、0.1質量ppmであり、太陽電池用SiのB濃度仕様を満足した。
図3の精製炉を用いて、Siの精製を実施した。まず、実施例1と同様の準備をして精製炉内に溶融Si、酸化剤、冷却材を配置し、常圧Ar雰囲気下で1500℃に維持した。ここで、10m3/minの常温Arガスをガス冷却装置から、冷却材表面に吹き付けて、冷却材表面を冷却した。この状態を20分間維持して精製を実施した。精製終了後、るつぼを傾動して、断熱材及び残酸化剤を残滓受に排出した後、溶融シリコンのサンプルを採取した。サンプルの採取方法及び分析方法は、実施例1と同様である。その後、再び、溶融Si上に酸化剤及び冷却材を供給して精製を繰り返し、計5回の精製を実施した。1回の精製毎に、Si中のB濃度は、精製前の約1/3に低下した。最終的に得られたSi中のB濃度は、0.07質量ppmであり、実施例1に比べて、より高いB純度のSiを得ることができた。
図4の精製炉を用いて、Siの精製を実施した。まず、精製炉内の直径500mmのアルミナ煉瓦製るつぼ内に、図示しない別の炉で予め溶融させたB濃度12質量ppmの金属Siを20kg注湯しておき、Ar雰囲気下で誘導加熱方式のヒータ3によりSi融液を加熱して、1500℃の溶融Siとして保持した。次に、B濃度0.3質量ppmで粉末状の常温の炭酸ナトリウム(Na2CO3)15kgを、酸化剤供給管7を通じて精製炉内の溶融Si上に投入し、溶融Si上での酸化剤深さが一様になる様に表面を平坦化した。その後、溶融Siを常圧Ar雰囲気下で1500℃に維持して20分間精製を実施した。この間、炉内のるつぼ上方には、水冷管に溶接された鋼製の冷却板16を炭酸Na上面と対向する様に配置することにより、炭酸Na上面を放射冷却した。精製中の炭酸Na上面温度は、約800℃であった。精製終了後、ひしゃく型のアルミナ製酸化剤除去装置17を炉外から操作して溶融Si上の残滓をすくい取り、残滓受9に排出した。凝固後の残滓からサンプルを切り出し、EPMA法及びICP法による成分分析を行った結果、残滓は、残留酸化剤、Si酸化物、並びに、Si−Na化合物の複合物であった。Si上の残滓を全て除去した後、溶融シリコンのサンプルを採取した。サンプルの採取方法及び分析方法は、実施例1と同様である。その後、再び、溶融Si上に酸化剤を供給して精製を繰り返し、計5回の精製を実施した。精製完了後のSiを、酸化剤除去装置を操作して炉外にくみ出し、回収した。最初の4回の精製において、精製毎に、Si中のB濃度は、精製前の約1/3に低下した。最終的に得られたSi中のB濃度は、0.1質量ppmであり、太陽電池用SiのB濃度仕様を満足した。
図5の精製炉を用いて、Siの精製を実施した。まず、精製炉内の直径100mmのるつぼ内に、図示しない別の炉で予め溶融させたB濃度12質量ppmの金属Siを5kg注湯しておき、Ar雰囲気下で誘導加熱方式のヒータ3によりSi融液を加熱して、1500℃の溶融Siとして保持した。るつぼの構造は、るつぼ下部20、るつぼ冷却部18、並びに、コーティンング材19の3部分からなるものとした。るつぼ下部20は、高アルミナ質キャスタブル材を用いて成形した。るつぼ冷却部18は、水冷管を埋め込んだコイルセメントを用いて成形し、精製中は低温に保持した。コーティング材19は、直接酸化剤と接触するので、耐食性を考慮して、一体成形されたアルミナ煉瓦を用いた。次に、B濃度0.3質量ppmで粉末状の常温の炭酸ナトリウム(Na2CO3)2kgを、酸化剤供給管7を通じて精製炉内の溶融Si上に投入し、溶融Si上での酸化剤深さが一様になる様に表面を平坦化した。その後、溶融Siを常圧Ar雰囲気下で1500℃に維持して20分間精製を実施した。この間、炭酸ナトリウム層は、Si融液との接触による入熱を受けたが、低温に維持されたるつぼ冷却部材により、コーティング材を介して抜熱され、炭酸ナトリウムの爆発的な気化は認められなかった。これは、るつぼ冷却部による炭酸ナトリウムの冷却効果により、気化温度以上の高温になった炭酸ナトリウムは、Si融液近傍の小範囲に限定されたためと考えられる。シース熱電対による酸化剤中での温度分布測定の結果、精製中の炭酸ナトリウムの平均温度は、約700℃であった。精製終了後、実施例4と同様の方法でSi上の残滓を除去し、その後、溶融シリコンのサンプルを採取した。サンプルの採取方法及び分析方法は、実施例1と同様である。その後、再び、溶融Si上に酸化剤を供給して精製を繰り返し、計5回の精製を実施した。精製完了後のSiを、酸化剤除去装置を操作して炉外にくみ出し、回収した。最初の4回の精製において、精製毎に、Si中のB濃度は、精製前の約1/3に低下した。最終的に得られたSi中のB濃度は、0.1質量ppmであり、太陽電池用SiのB濃度仕様を満足した。
2 るつぼ、
3 ヒータ、
4 溶融シリコン、
5 酸化剤、
6 冷却材、
7 酸化剤供給管、
8 冷却材供給管、
9 残滓受、
10 ガス供給管、
11 ガス排気管、
12 るつぼ傾動装置、
13 断熱材、
14 断熱材供給管、
15 ガス冷却装置、
16 冷却板、
17 酸化剤除去装置、
18 るつぼ冷却部、
19 コーティング材、
20 るつぼ下部。
Claims (9)
- 溶融シリコンに酸化剤を付与し、シリコン中のホウ素を酸化することによりシリコン中からホウ素を除去するシリコンの製造方法において、シリコン中のホウ素の酸化中に、前記酸化剤を部分的に冷却することにより酸化剤の昇温を抑制することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
- 溶融シリコンに酸化剤を付与し、シリコン中のホウ素を酸化することによりシリコン中からホウ素を除去するシリコンの製造方法において、シリコン中のホウ素の酸化中に、前記酸化剤と溶融シリコンの間に断熱材を存在させることにより、酸化剤の昇温を抑制することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
- 酸化剤を溶融シリコンに直接、接触させることを特徴とする請求項1に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 溶融シリコン上に配置された酸化剤の上に、シリコン融液温度よりも低い温度の冷却材としての固体または液体物質を配置して酸化剤と接触させることにより酸化剤を冷却することを特徴とする請求項1又は3に記載の高純度シリコンの製造方法。
- シリコン融液よりも平均温度の低い物体を多孔質状に溶融シリコン上に配置し、前記物体の多孔質状の内部又は上部に、酸化剤を配置することにより酸化剤の昇温を抑制することを特徴とする請求項2に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記酸化剤の昇温を抑制するために接触させる物質が、シリカ、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、又は、カルシアの内の1種又は2種以上の混合物又は複合化合物を主成分とする物質であることを特徴とする請求項4又は5に記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記酸化剤、前記冷却材又は前記断熱材に対して、より低温のガスを外部から前記物質に吹き付けることにより、前記酸化剤の昇温を抑制する請求項1〜6のいずれか一つに記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記酸化剤が、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ金属の炭酸塩の水和物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩の水和物、又は、アルカリ土類金属の水酸化物の内、1種又は2種以上の組み合わせであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の高純度シリコンの製造方法。
- 前記アルカリ金属の炭酸塩、前記アルカリ金属の炭酸塩の水和物、前記アルカリ金属の水酸化物、前記アルカリ土類金属の炭酸塩、前記アルカリ土類金属の炭酸塩の水和物、又は、前記アルカリ土類金属の水酸化物が、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、又は、これらの水和塩、水酸化マグネシウム、又は、水酸化カルシウムの内、1種又は2種以上の組み合わせであることを特徴とする請求項8に記載の高純度シリコンの製造方法。
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