JP2007191347A - 高純度シリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】溶融シリコンを収容した容器に、アルカリ金属の炭酸塩又は該炭酸塩の水和物の一方又は両方とSiO2を添加して、スラグを形成させてシリコン中のホウ素を除去する方法であって、ホウ素除去反応に用いる容器として耐酸化性かつ非導電性の材質のものを用いるとともに、該容器を外部から冷却しつつ、誘導加熱手段により該溶融シリコンを直接加熱することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
【選択図】図1
Description
(1)溶融シリコンを収容した容器に、アルカリ金属の炭酸塩又は該炭酸塩の水和物の一方又は両方とSiO2を添加して、スラグを形成させてシリコン中のホウ素を除去する方法であって、ホウ素除去反応に用いる容器として耐酸化性かつ非導電性の材質のものを用いるとともに、該容器を外部から冷却しつつ、誘導加熱手段により該溶融シリコンを直接加熱することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
(2)前記容器の材質の主成分が、酸化物からなる耐火材料であることを特徴とする(1)に記載の高純度シリコンの製造方法。
(3)ホウ素除去反応を行わせた後、前記容器から溶融シリコンを排出し、その後、空になった該容器が所定の温度以上となる様に、あらかじめ別の加熱溶融手段で溶融した金属シリコンを該容器に装入して、該容器の温度低下を防ぐことを特徴する(1)または(2)に記載の高純度シリコンの製造方法。
(4)ホウ素除去反応を行わせた後、反応容器から溶融シリコンを排出するとともに、空になった該容器を加熱手段で加熱して、該容器の温度低下を防ぐことを特徴する(1)または(2)に記載の高純度シリコンの製造方法。
ホウ素を0.6質量ppm含有する粉状のNa2CO3とホウ素を1.5質量ppm含有する粉状のSiO2(けい砂)とを分子量で2:1の割合で混合した後、直径約5mm(約0.1g)の球状に成型した。
ホウ素を1.0質量ppm含有する粉状のK2CO3とホウ素を1.5質量ppm含有する粉状のSiO2(けい砂)とを分子量で2:1の割合で混合した後、直径約5mm(約0.1g)の球状に成型した。
ホウ素を0.6質量ppm含有する粉状のNa2CO3とホウ素を1.5質量ppm含有する粉状のSiO2(けい砂)とを分子量で2:1の割合で混合した後、直径約5mm(約0.1g)の球状に成型した。
2 溶融シリコン
3 スラグ
4 添加手段
5 反応容器
6 冷却手段
7 誘導加熱用コイル
8 圧縮ガス配管
9 加熱手段
Claims (4)
- 溶融シリコンを収容した容器に、アルカリ金属の炭酸塩又は該炭酸塩の水和物の一方又は両方とSiO2を添加して、スラグを形成させてシリコン中のホウ素を除去する方法であって、ホウ素除去反応に用いる容器として耐酸化性かつ非導電性の材質のものを用いるとともに、該容器を外部から冷却しつつ、誘導加熱手段により該溶融シリコンを直接加熱することを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
- 前記容器の材質の主成分が、酸化物からなる耐火材料であることを特徴とする請求項1に記載の高純度シリコンの製造方法。
- ホウ素除去反応を行わせた後、前記容器から溶融シリコンを排出し、その後、空になった該容器が所定の温度以上となる様に、あらかじめ別の加熱溶融手段で溶融した金属シリコンを該容器に装入して、該容器の温度低下を防ぐことを特徴する請求項1または2に記載の高純度シリコンの製造方法。
- ホウ素除去反応を行わせた後、反応容器から溶融シリコンを排出するとともに、空になった該容器を加熱手段で加熱して、該容器の温度低下を防ぐことを特徴する請求項1または2に記載の高純度シリコンの製造方法。
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