JP2006229171A - 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1クラッド層と、活性層と、第1の端面から第2の端面に至るストライプ状のリッジ導波路を有する第2クラッド層と、前記リッジ導波路の側面に被着された誘電体膜と、を備え、前記リッジ導波路は、前記側面に前記誘電体膜が被着され、上部電極から電流が注入されて前記活性層において発光が生ずる励起領域と、前記第1の端面と前記励起領域との間に設けられ、上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における第2導電型の不純物の活性化率が前記励起領域における活性化率より低い第1の端部領域と、前記第2の端面と前記励起領域との間に設けられ、上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における第2導電型の不純物の活性化率が前記励起領域における活性化率より低い第2の端部領域と、を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【選択図】 図1
Description
一般に、半導体レーザの端面(すなわち、劈開によるミラー面など)には、表面準位が多いので非発光再結合が多い。従って、端面近傍においては、この非発光再結合によりキャリア密度が低下する。キャリア密度の低下により、端面近傍が光吸収領域となる。この光吸収により、局所的発熱が増加し、バンドギャップが減少する。その結果、光吸収係数が大きくなり、また注入電流も増加するので、更に温度が上昇する。遂には、端面の光吸収領域が溶融し、破壊に至る。定格光出力を越えて生じた端面破壊は、COD(Catastrophic Optical Damage)とも呼ばれる。
前記側面に前記誘電体膜が被着され、前記上部電極から電流が注入されて前記活性層において発光が生ずる励起領域と、前記第1の端面と前記励起領域との間に設けられ、前記上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における第2導電型の不純物の活性化率が前記励起領域における活性化率より低い第1の端部領域と、前記第2の端面と前記励起領域との間に設けられ、前記上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における第2導電型の不純物の活性化率が前記励起領域における活性化率より低い第2の端部領域と、を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置が提供される。
図1乃至図5は、本発明の第1の実施例にかかる窒化物半導体レーザ装置を例示した模式図である。すなわち、図1は、本実施例にかかる窒化物半導体レーザ装置を模式的に表す斜視図である。また、図2(a)はその模式側面図であり、(b)はp型不純物の活性化率を表すグラフである。また、図3(a)は、その模式側面図であり、(b)は、水素含有率を表すグラフ図である。また、図4は、本実施例にかかる窒化物半導体レーザ装置の模式立面図であり、図5は、図1における鎖線A−A’に沿った垂直面の模式断面図である。
このグラフから分かるように、p型不純物の活性化率は、励起領域52においては高く、端部領域50においては低い。このため、端部領域のp型クラッド層22やp型コンタクト層26は、抵抗値が高くなり、電流の注入が抑制される。その結果として、端面破壊レベルを上昇させ、安定した高出力動作が可能な半導体レーザを実現できる。
n型GaN基板10上に、n型Al0.05Ga0.95Nクラッド層12(厚み0.2〜1.0μm)、GaN光ガイド層14(厚み0.01〜0.10μm)、In0.15Ga0.85N/In0.02Ga0.98N MQW(Multiple Quantum Well)活性層16(井戸層厚み2〜5nm、井戸数2〜4、障壁層厚3〜10nm)、p型Al0.2Ga0.8Nオーバーフロー防止層18、GaN光ガイド層20(厚み0.01〜0.10μm)、p型Al0.05Ga0.95Nクラッド層22(0.5〜1.0μm)、p+型GaNコンタクト層26(厚み0.02〜0.2μm)が、この順に積層されている。p型AlGaNクラッド層22の上部には、リッジ導波路24が設けられて、横方向に光を閉じ込める。
InGaAlN系材料を用いることにより、紫外光〜緑色光の発光が得られるが、HDTV記録などには、波長400nm帯の青紫色が用いられる。
図6〜図12は、本実施例の半導体レーザ装置の製造工程を表す斜視図である。なお、図6から図9には、ウェーハ上の1チップ相当部分のみが例示される。
このあと、バーは各チップ毎に分離され、パッケージに組み込まれる。
図12は、本実施例の半導体レーザ装置の斜視図である。
すなわち、本実施例においては、端部領域50のリッジ導波路24の側面25および脇部27に、誘電体膜28が残されている。が。このように、端部領域50に誘電体膜28を残すことにより、ガイド効果をさらに上げ、保護効果も向上する。すなわち、端部領域50のリッジ導波路24の両側面25に誘電体膜28を設けることにより、リッジ導波路24における光のガイド効果を高めることができる。また、クラッド層22の上の脇部27にも誘電体膜28を設けることにより、その下の半導体層に対して化学的・物理的な保護効果が得られる。なお、誘電体膜28が緻密過ぎたり、膜厚が大き過ぎたりして、水素原子が通過しにくいことが生じなければ、誘電体膜28が、リッジ導波路24の側面25や脇部27に残されても、水素原子は内部に入りこめ、高抵抗値が得られる。
図13は、本実施例の半導体レーザ装置の斜視図である。
すなわち、本実施例においては、水素導入時のマスクとなる上部電極30が誘電体膜28の上部に延在して設けられている。このようにすると、リッジ側面からの水素の侵入をより確実に抑制できる。
例えば、リッジ導波路型の半導体レーザ装置を構成する各要素の、サイズ・材質・配置関係など、および熱処理工程に関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
12 n型AlGaNクラッド層
14 GaN光ガイド層
16 活性層
18 p型AlGaNオーバーフロー防止層
20 GaN光ガイド層
22 p型AlGaNクラッド層
24 リッジ導波路
25 リッジ導波路側面
26 p+型GaN コンタクト層
27 リッジ導波路脇部
28 誘電体膜
30 上部電極
32 下部電極
34 反射膜
40 端面
50 端部領域
52 励起領域
Claims (5)
- 第1導電型の窒化物半導体を含む第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上に設けられ窒化物半導体を含む活性層と、
前記活性層の上に設けられ、第1の端面から第2の端面に至るストライプ状のリッジ導波路を有する第2導電型の窒化物半導体を含む第2クラッド層と、
前記リッジ導波路の上に設けられた上部電極と、
前記リッジ導波路の側面に被着された誘電体膜と、
を備え、
前記リッジ導波路は、
前記側面に前記誘電体膜が被着され、前記上部電極から電流が注入されて前記活性層において発光が生ずる励起領域と、
前記第1の端面と前記励起領域との間に設けられ、前記上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における第2導電型の不純物の活性化率が前記励起領域における活性化率より低い第1の端部領域と、
前記第2の端面と前記励起領域との間に設けられ、前記上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における第2導電型の不純物の活性化率が前記励起領域における活性化率より低い第2の端部領域と、
を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。 - 前記第2クラッド層における前記第2導電型の不純物の活性化率が、前記励起領域において7%以上であり、前記第1の端部領域及び前記第2の端部領域において7%未満であることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 第1導電型の窒化物半導体を含む第1クラッド層と、
前記第1クラッド層の上に設けられ窒化物半導体を含む活性層と、
前記活性層の上に設けられ、第1の端面から第2の端面に至るストライプ状のリッジ導波路を有する第2導電型の窒化物半導体を含む第2クラッド層と、
前記リッジ導波路の上に設けられた上部電極と、
前記リッジ導波路の側面に被着された誘電体膜と、
を備え、
前記リッジ導波路は、
前記側面に前記誘電体膜が被着され、前記上部電極から電流が注入されて前記活性層において発光が生ずる励起領域と、
前記第1の端面と前記励起領域との間に設けられ、前記上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における水素の含有率が前記励起領域における水素の含有率より高い第1の端部領域と、
前記第2の端面と前記励起領域との間に設けられ、前記上部電極が設けられず、前記第2クラッド層における水素の含有率が前記励起領域における水素の含有率より高い第2の端部領域と、
を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。 - 前記第2導電型の窒化物半導体は、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)及びカルシウム(Ca)よりなる群から選択された少なくともいずれかを含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の窒化物半導体レーザ装置。
- 第1導電型の窒化物半導体を含む第1クラッド層の上に窒化物半導体を含む活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に第2導電型の窒化物半導体を含む第2クラッド層を形成する工程と、
前記第2クラッド層にストライプ状のリッジ導波路を形成する工程と、
前記リッジ導波路の側面に誘電体膜を形成する工程と、
前記リッジ導波路の上面に、上部電極が設けられた励起領域と、端面となる部分を含み前記上部電極が設けられない端部領域と、を形成する工程と、
前記端部領域に水素原子を導入することにより、前記端部領域における前記第2クラッド層の第2導電型不純物の活性化率を、前記励起領域における前記第2クラッド層の第2導電型不純物の活性化率よりも低下させる工程と、
を備えたことを特徴とする窒化物半導体レーザ装置の製造方法。
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