JP2006148032A

JP2006148032A - 半導体レーザ装置

Info

Publication number: JP2006148032A
Application number: JP2004339824A
Authority: JP
Inventors: Akira Tanaka; 明田中
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2004-11-25
Filing date: 2004-11-25
Publication date: 2006-06-08
Also published as: US20060120424A1

Abstract

【課題】局部的乱れが低減されたＦＦＰを有するリッジ導波路型の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第１の端面から第２の端面に至るストライプ状のリッジ導波路を有する第２導電型の第２クラッド層と、前記第２クラッド層よりも低い屈折率を有し、前記リッジ導波路の両側面と、前記リッジ導波路の上面の一部と、に設けられた誘電体膜と、を備え、前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成された形成領域と、前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成されていない非形成領域と、が設けられ、前記形成領域は、前記第１及び第２の端面の少なくともいずれかから前記リッジ導波路の長手方向に延在し、前記非形成領域は、前記形成領域に隣接して前記リッジ導波路の長手方向に延在してなることを特徴とする半導体レーザ装置を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関し、特にＦＦＰ乱れが低減された半導体レーザ装置に関する。

次世代ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）は、ハイビジョン映像の長時間記録や、コンピュータ用大容量記録などを目的として開発が進んでいる。従来のＤＶＤの４倍以上の記録容量を得るために、半導体レーザの波長を、従来の６５０ｎｍから４００ｎｍ帯へと、短波長化することが必要である。このためには、従来のＩｎＧａＡｌＰ系ではなく、主としてＧａＮ系材料を用いる必要がある。ＧａＮ系レーザにおいて、４００ｎｍ帯波長を得るために、種々の構造が提案されている（例えば、特許文献１）。

種々の構造の中で、高密度光ディスクへの書き換え及び読み取りを行うためには、以下のような半導体レーザ装置が一般的である。すなわち、ＧａＮ基板上にＩｎＧａＡｌＮ系材料を用いて、いわゆる「ダブルへテロ接合」を成長し、上部クラッド層をリッジ形状にしたＧａＮ系リッジ導波型半導体レーザ装置である。６５０ｎｍ帯では、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系材料が結晶成長されるが、この材料系においては、格子不整合などに起因する問題はほぼ解決されている。これに対して、ＧａＮ基板、サファイヤ、ＳｉＣ基板上に成長されるＩｎＧａＡｌＮ系材料においては、格子不整合や結晶欠陥が半導体素子特性に及ぼす影響が多い。

ＧａＮ系リッジ導波型半導体レーザ装置においても、リッジ導波路を形成するｐ型ＡｌＧａＮクラッド層が、その上部に設けられるＧａＮコンタクト層と格子定数が異なる上に、基板からの距離が大きくなることも加わって、成長膜厚に上限がある。この結果、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層による、光の閉じ込めが不十分となり、光ディスク用途としては、重要なレーザ光のビーム品質が、劣化する。特に、高ＮＡレンズを有する集束光学系へ入射するビームのファーフィールドパターン（以下、ＦＦＰ：Far Field Pattern）における局部的乱れが実用上問題となる。
特許第３４５５５００号公報

本発明は、局部的乱れが低減されたＦＦＰを有するリッジ導波路型の半導体レーザ装置を提供する。

本発明の一態様によれば、
第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられ、第１の端面から第２の端面に至るストライプ状のリッジ導波路を有する第２導電型の第２クラッド層と、
前記第２クラッド層よりも低い屈折率を有し、前記リッジ導波路の両側面と、前記リッジ導波路の上面の一部と、に設けられた誘電体膜と、
を備え、
前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成された形成領域と、前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成されていない非形成領域と、が設けられ、
前記形成領域は、前記第１及び第２の端面の少なくともいずれかから前記リッジ導波路の長手方向に延在し、
前記非形成領域は、前記形成領域に隣接して前記リッジ導波路の長手方向に延在してなることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。

本発明によれば、局部的乱れが低減されたＦＦＰを有するリッジ導波路型の半導体レーザ装置が提供される。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる第１の具体例の半導体レーザ装置の積層構造をその端面側から眺めた正面図である。
また、図２は、本具体例の半導体レーザ装置の一部断面側面図である。すなわち、図２において、右側の一部に、図１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を表した。
また、図３は、図２のＢ−Ｂに沿った垂直断面図である。

まず、本具体例の半導体レーザ装置の構造について説明する。この半導体レーザ装置は、ｎ型ＧａＮ基板１の上に、ｎ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層２（厚み０．２〜１．０μｍ）、ｎ型ＧａＮ光ガイド層３（厚み０．０１〜０．１０μｍ）、Ｉｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ／Ｉｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎ多重量子井戸（以下、ＭＱＷ：Multi Quantum Well）活性層４、ＡｌＧａＮ拡散防止層５１、ｐ^＋型Ａｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎオーバーフロー防止層５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層６（厚み０．０１〜０．１０μｍ）、ｐ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７（厚み０．５〜１．０μｍ）そしてｐ^＋型ＧａＮコンタクト層（厚み０．０２〜０．２μｍ）が順次積層された構造を有する。活性層４を構成するＩｎ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎ井戸層の厚みは、２〜５ｎｍであり、Ｉｎ_０．０２Ｇａ_０．９８Ｎ障壁層の厚みは３〜１０ｎｍである。また、井戸層の層数は、例えば２〜４層とすることができる。
そして、ｐ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７は、ストライプ状にパターニングされたリッジ導波路１０を有する。

このレーザは、活性層４のＭＱＷ構造に対応して４００ｎｍ帯のレーザ光を図１の紙面に対して垂直方向に、活性層から放射する。なお、図１には、半導体の積層構造を表したが、実際のレーザチップの端面は、へきかい面とされ、その表面に適正な反射膜がコートされる場合が多い。

そして、本具体例においては、レーザ共振軸（図１及び図３において紙面に対して垂直な軸）に対する垂直断面の構造は、チップ端面（図１）と中心部（図３）とで異なる。すなわち、チップ端面においては、ｐ側電極１１は誘電体膜９と接しているのに対して、共振器の中央部においては、ｐ側電極１１はｐ^＋型ＧａＮコンタクト層８と接している。

誘電体膜９は、リッジ導波路１０の両側面を覆い、さらに、レーザ装置の両側端面の近傍において、リッジ導波路１０の上面に選択的に設けられている。すなわち、リッジ導波路１０の上面においては、誘電体膜９が設けられた形成領域１０Ａと、誘電体膜が設けられていない非形成領域１０Ｂと、がある。形成領域１０Ａは、両側端面からそれぞれリッジ導波路１０の長手方向に沿って長さＬ１、Ｌ２だけ延在している。非形成領域１０Ｂは、これら形成領域１０Ａに隣接してリッジ導波路１０の上面に設けられている。このような構造を採用することにより、局部的乱れが低減されたＦＦＰを実現できる。

以下、この特徴点について、半導体レーザ装置の製造方法を参照しつつ詳細に説明する。図４〜図７は、本具体例の半導体レーザ装置の製造プロセスの要部工程を表す工程斜視図である。

まず、図４に表したように、基板上に半導体多層膜を順次エピタキシャル成長させて積層体を形成する。なお、図４においては、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７及びｐ＋型ＧａＮコンタクト層８以外の層は省略した。
次に、図５に表したように、ｐ^＋型ＧａＮコンタクト層８とｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７を途中までエッチングすることにより、リッジを形成する。この時、図示の如く、リッジの上にコンタクト層８がストライプ上に残され、且つ、チップ両端面（すなわち共振器を形成するへきかい面となる部分）近傍のｐ^＋型ＧａＮコンタクト層が所定の長さＬ１及びＬ２だけ除去される。ここで、Ｌ１とＬ２は必ずしも同じである必要はなく、それぞれ所定の範囲内に入っていればよい。こうして、台形断面を有するｐ型ＡｌＧａＮからなるストライプ状のリッジ型導波路１０が形成される（図５における縦線部）。このリッジ導波路により、横モード制御がなされるので、リッジ形状は重要であり、ドライエッチングによる高精度パターニングを用いることがより好ましい。

続いて、図６に表したように、誘電体膜の形成工程を実施する。すなわち、図５に例示した残されたｐ^＋型ＧａＮコンタクト層８の上面以外の表面に誘電体膜９を形成する。誘電体膜９としては、例えば、厚み０．２〜０．７μｍ程度のＡｌＮ膜を形成することができる。この誘電体膜９は、ストライプ状のリッジ導波路１０の両側を覆うように形成され、屈折率の違いによって光をリッジ型導波路１０内に閉じ込める作用を有する。リッジ導波路１０の上において誘電体膜９が設けられた領域が、図２に表した形成領域１０Ａに対応し、誘電体膜９が設けられていない領域が図２に表した非形成領域１０Ｂに対応する。
この構造によれば、リッジ導波路１０の幅Ｗにほぼ対応した活性層４の領域において発光が得られる。このようにして横モード制御が可能となり、キンクが抑制された広い出力範囲のビームが得られる。

次に、図７に表したように、露出しているｐ^＋型ＧａＮコンタクト層８の上面および誘電体膜９が形成されたリッジ導波路の上部（チップ両端面近傍）にｐ側電極１１を形成する。このとき、所定の長さＬ１及びＬ２を有するリッジ導波路端部領域には、ｐ側電極１１は必ずしも必要ではない。また、ｎ型ＧａＮ基板１の下に、ｎ側電極１２を形成する。ｎ側電極１２としては、例えば、Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｌなどの単層、複層あるいは合金からなる層を用いることができる。

以上説明した工程からも分かるように、本具体例の半導体レーザ装置においては、チップ端面においては、ｐ側電極１１は誘電体膜９と接しているのに対して、共振器の中央部においては、ｐ側電極１１はｐ^＋型ＧａＮコンタクト層８と接している。

ここで、構成要素に関して、補足説明をする。
まず、ｐ^＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層５は、マグネシウム（Ｍｇ）などが高濃度でドープされており、主としてｎ型ＧａＮ基板側からの電子流のオーバーフローを防止して、高温における不要な電流増加を抑制する。

また、ＭＱＷ活性層４までは、比較的低温で（例えば、摂氏１０００度未満）で結晶成長ができるが、ｐ^＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー層５、ｐ型ＧａＮ光ガイド層６、及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層などは、より高い温度で結晶成長する必要がある。このとき、ｐ^＋型オーバーフロー層７中に高濃度ドープされたＭｇが活性層４などに拡散することを防止するために、ＡｌＧａＮ拡散防止層５１を設ける。

また、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７は、層厚１〜５ｎｍのＡｌＧａＮ層とＧａＮ層を交互に成長した超格子層としても良い。こうすると、格子不整合などによるストレスが緩和（すなわちクラック防止など）され、また、動作電圧を低減ができる。例えば、幅２．５ｎｍのＧａＮと幅２．５ｎｍのＡｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎを交互に２００組積層することにより、厚み１μｍのクラッド層が実現できる。さらに、ＧａＮ層には、Ｍｇを変調ドープすると一層効果が高まる。

さらに、誘電体膜９としては、ＡｌＮ（屈折率約２．２）の他にも、例えば、Ｔａ_２Ｏ_５（屈折率約２．３）、ＴｉＯ_２（屈折率約２．３）、ＳｉＮ（屈折率約１．９〜２．１）、Ａｌ_２Ｏ_３（屈折率約１．７）、ＳｉＯ_２（屈折率約１．５）などを用いることができる。なお、ここで表した屈折率は、いずれも波長４００ｎｍにおける代表値である。

次に、本具体例の半導体レーザ装置の特性について説明する。
図８は、半導体レーザ装置を光ディスク用に用いる場合に重要なビームのＦＦＰを説明するための模式図である。
半導体レーザ装置２０から放射されるビームは、チップから離れるに従い広がる。この時、ヘテロ接合面に対して垂直な方向へのビーム広がり角のほうが、水平な方向への広がり角より、一般的には大きくなる。ここで、垂直軸に沿った光の相対放射強度の分布を測定して、ピーク値の５０％となる角度θｖを、垂直方向の半値全角（ＦＭＨＭ：Full Width at Half Maximum）とする。また、水平軸に沿った光の相対放射強度の分布を測定して、ピーク値の５０％となる角度θｈを、水平方向のＦＭＨＭとする。これらθｖとθｈが、光学系に結合しやすい範囲にあることと、ＦＦＰのパターンに局所的な乱れがないことが、光ディスク用途では重要である。

図９は、本具体例の半導体レーザ装置の垂直方向ＦＦＰを表すグラフ図である。
また、図１０は、同じく水平方向のＦＦＰを表すグラフ図である。
これらの図面から、ＦＦＰは、垂直方向、水平方向ともにパターンに乱れがないことが分かる。また、θｖは約２０度、θｈは約１０度であり、次世代ＤＶＤに用いられる４００ｎｍ帯の光学系仕様を満足できる値であることが分かる。

次に、本発明者が本発明に至る過程で検討した比較例の半導体レーザ装置の構造及び代表的特性であるＦＦＰについて説明する。
図１１は、比較例の半導体レーザ装置を表す斜視図である。
また、図１２は、図１１のＡ−Ａ線に沿った垂直断面図である。
なお、これらの図面については、図１乃至図１０に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

本比較例においては、ｐ型ＡｌＧａＮからなるリッジ導波路１０は、図１２の紙面に垂直な軸（すなわち、レーザ共振器の軸）に沿って、同一である。図１１の任意の断面で切断しても、ｐ型ＧａＮコンタクト層８はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７と接している。一般に、ＡｌＧａＮはＧａＮと格子定数が異なるので、ｐ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７を１μｍ以上の厚みに欠陥なく成長することは困難である。一方、ｐ^＋型ＧａＮコンタクト層８は、ｐ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７よりも屈折率が大きいため、厚みが充分でないｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７からはみ出した導波モードが、ｐ^＋型ＧａＮコンタクト層８に滲みだす。

図１３は、本比較例の半導体レーザ装置の垂直方向ＦＦＰを表すグラフ図である。
また、図１４は、この比較例の水平方向のＦＦＰを表すグラフ図である。
本比較例の半導体レーザ装置の場合、図１３に例示したように、１０度付近において垂直方向ＦＦＰに乱れが生じている。また、図１４に例示したように、水平方向ＦＦＰも、中心付近において乱れを生じる。このようなＦＦＰの乱れは、ディスクの片面に約１０ＧＢ（ギガバイト）という高密度記録をする光ピックアップの光源としては、フォーカスエラーやトラッキングエラーの検出に誤差を生じるだけでなく、信号検出にもエラーを引き起こす。また、書き換え型の場合は、記録媒体上の記録層を溶融・再結晶する必要があるので、記録層温度を精密に制御することが必要である。しかし、ＦＦＰに不規則な乱れを生じるビームスポットでは、記録層温度の精密制御が極めて困難である。

この比較例に対して、図１乃至図１０に関して前述した本具体例の半導体レーザ装置の場合、ＦＦＰの乱れは非常に小さい。これは、本具体例の場合、端面の付近において、ｐ型ＡｌＧａＮ層７の上に、誘電体膜９（例えば、厚さ０．２〜０．７μｍ）が設けられているからである。すなわち、ＡｌＧａＮはＧａＮと格子定数が異なるので、ｐ型ＡｌＧａＮ層７を１μｍ以上の厚みに欠陥なく成長することは困難である。このため、ｐ型ＡｌＧａＮ層７の厚みは、活性層４の垂直方向に光を閉じ込めるためには不十分である。これに対して、本具体例によれば、端面近傍において、誘電体膜９をリッジの上に積層させることにより、光の閉じこめを確実に行うことができる。

リッジの上に設ける誘電体膜９の長手方向の長さＬ１及びＬ２は、両端面から５〜５０μｍの範囲とすることが望ましい。５μｍ以下であるとＦＦＰの乱れを抑制しきれず、出射光が乱れる。また、５０μｍ以上とすると、コンタクト層のコンタクト長さが短くなって動作電圧の上昇を招くおそれがあるからである。リッジ導波路上の端部領域に設けられた誘電体膜９の屈折率を、その下に設けられるｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７の屈折率（約２．５）よりも小さく選ぶことにより、適正な光閉じ込めができる。この結果、ＦＦＰの乱れを低減できる。一方、誘電体膜９の屈折率が小さすぎると、誘電体膜側における光閉じ込めが強くなりすぎてＦＦＰが垂直方向に非対称となる。極端な非対称は絞られたビームも非対称となるので、例えば書き換え時のパワー制御を困難にするなどの欠点となる。

ＦＦＰの乱れを低減するためには、誘電膜として、ＳｉＮ（屈折率約１．９〜２．１）、Ａｌ_２Ｏ_３（約１．７）、ＳｉＯ_２（約１．５）などでも良い。しかし、屈折率が２．０以上であるＡｌＮ（約２．２）、Ｔａ_２Ｏ_５（約２．３）、ＴｉＯ_２（約２．３）などを用いると、さらにＦＦＰを対称形状にできるので、一層好ましい。

図１５は、本具体例の変形例にかかる半導体レーザ装置の一部断面側面図である。同図についても、図１乃至図１４に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本変型例においては、リッジ導波路１０の上において、出射側端面３０の近傍領域のみに誘電体膜９が設けられている。つまり、出射側端面３０とは反対側の端面の近傍においては、導波路１０の上に誘電体膜９は設けられていない。出射側端面とは反対側の端面から放射される光は、レーザ出力のモニタなどには使われるが、ディスク面に照射されることはないので、ＦＦＰの乱れは実用上問題にはならない。また、このようにすると、コンタクト層８のコンタクト面積を拡大できるので、動作電圧を下げることが可能である。

以上説明したように、本発明の具体例および変形例によれば、リッジ導波路側面を覆う誘電体膜の屈折率をｐ型クラッド層のそれより低くし、少なくとも一方の光出射側端部領域において、ｐ^＋型コンタクト層を選択的に除去して露出したｐ型クラッド層上面に前記誘電体膜を延在させた半導体レーザ装置が提供される。この結果、光出射側端部領域において、ｐ型クラッド層から光の滲み出しがあっても、屈折率の低い誘電体膜により光閉じ込めができて、ＦＦＰの乱れを抑制できる。ＦＦＰ乱れのないレーザ光を高ＮＡレンズ系で集束することにより、次世代ＤＶＤ用の大容量光ディスク駆動装置が可能となる。特に、格子不整合のため厚いｐ型層が得られにくいＧａＮ系材料を用いる半導体レーザ装置においては、一層効果が大きい。

なお、上記具体例においては、ＧａＮ基板上へ結晶成長する構造に関して説明した。しかし、これに限定されることはなく、例えば、サファイヤ基板上へ、いわゆるＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）などを用いて結晶成長する構造に対しても、同様に適用できる。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態を説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。

例えば、レーザを構成する半導体材料として用いることが出来るものは、窒化物半導体に限定されず、ＧａＡｌＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＰ系を含むIII―VおよびII―VI族化合物半導体を用いた物であっても良い。

その他、リッジ導波路型の半導体レーザ装置を構成する各要素の、サイズ・材質・配置関係などに関して、当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。

なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むものや、導電型などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。

本発明の実施の形態にかかる具体例の半導体レーザ装置の模式正面図である。図１に例示した半導体レーザ装置の模式側面図である。図１に例示した半導体レーザ装置のリッジ導波路長手方向の中心部における模式断面図である。本発明の実施の形態にかかる具体例の半導体レーザ装置の製造工程を説明する斜視図である。本発明の実施の形態にかかる具体例の半導体レーザ装置の製造工程を説明する斜視図である。本発明の実施の形態にかかる具体例の半導体レーザ装置の製造工程を説明する斜視図である。本発明の実施の形態にかかる具体例の半導体レーザ装置の製造工程を説明する斜視図である。レーザビームのＦＦＰを説明する模式図である。本発明の実施の形態にかかる具体例の半導体レーザ装置の垂直方向のＦＦＰを表すグラフ図である。本発明の実施の形態にかかる具体例の半導体レーザ装置の水平方向のＦＦＰを表すグラフ図である。本発明の発明者が発明の過程で検討した比較例の半導体レーザ装置を模式的に表す斜視図である。図１１に例示される比較例の垂直断面図である。図１１乃至図１２に例示した比較例の半導体レーザ装置の垂直方向のＦＦＰを表すグラフ図である。図１１乃至図１２に例示した比較例の半導体レーザ装置の水平方向のＦＦＰを表すグラフ図である。本発明の具体例の変形例にかかる半導体レーザ装置の一部断面側面図である。

符号の説明

１ｎ型ＧａＮ基板
２ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
３ｎ型ＧａＮガイド層
４ＭＱＷ活性層
５ｐ^＋型ＡｌＧａＮオーバーフロー防止層
６ｐ型ＧａＮガイド層
７ｐ型ＡｌＧａＮガイド層
８ｐ^＋ＧａＮコンタクト層
９誘電体膜
１０リッジ導波路
１１ｐ側電極
１２ｎ側電極
２０半導体レーザ装置
３０光出射側端面
５１ＡｌＧａＮ拡散防止層

Claims

第１導電型の第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられ、第１の端面から第２の端面に至るストライプ状のリッジ導波路を有する第２導電型の第２クラッド層と、
前記第２クラッド層よりも低い屈折率を有し、前記リッジ導波路の両側面と、前記リッジ導波路の上面の一部と、に設けられた誘電体膜と、
を備え、
前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成された形成領域と、前記リッジ導波路の前記上面において前記誘電体膜が形成されていない非形成領域と、が設けられ、
前記形成領域は、前記第１及び第２の端面の少なくともいずれかから前記リッジ導波路の長手方向に延在し、
前記非形成領域は、前記形成領域に隣接して前記リッジ導波路の長手方向に延在してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
前記活性層及び前記第２クラッド層は、窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
前記非形成領域に、前記第２クラッド層よりもバンドギャップの小さい第２導電型のコンタクト層が設けられてなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
前記形成領域の前記長手方向の長さは、５．０マイクロメータ以上５０マイクロメータ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
前記誘電体膜は、ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３及びＳｉＯ_２よりなるなる群から選択されたいずれかからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。