JP2006210536A - 電子部品の製造方法、電子部品付き配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】全体の厚肉化を伴うことなく、金属電極と誘電体部との密着性に優れた電子部品を得ることができる製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金属電極１１，３１と誘電体部４１とを備える電子部品１０の製造方法に関する。この製造方法は、金属アンカー層形成工程とペースト塗布工程と焼成工程とを含む。金属アンカー層形成工程では、金属電極１１となるべき金属層１２の主面１３に金属アンカー層１４を形成する。続くペースト塗布工程では、誘電体粉を含有する誘電体ペースト２９を金属アンカー層１４上に塗布することにより、誘電体部４１となるべき未焼結誘電体層４０を形成する。続く焼成工程では、未焼結誘電体層４０を加熱して焼結させることにより、誘電体部４１を形成する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法、及び電子部品付き配線基板の製造方法に関するものである。

近年における電子機器の高性能化や小型化の要求は高く、このような要求が高まるにつれて電子部品の高密度化や高機能化に対する要求も確実に高くなってきている。それゆえ、配線基板における電子部品の実装効率を上げるために、例えば、インダクタ、コンデンサ、抵抗などの電子部品（受動部品）を内蔵した構造の配線基板などが各種提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。

特許文献１においては、例えば、支持体層、金属層、高誘電率材料からなる受動部品形成層、金属層を順次積層配置した構造のコンデンサが開示されるとともに、このコンデンサを内蔵した配線基板が開示されている。また、特許文献１には、支持体層側の金属層に対して受動部品形成層を形成する方法として、例えば、高誘電率フィラーを充填・分散させた樹脂をシート状に硬化成形する方法、ゾルゲル法により無機化合物を層状に析出させる方法、溶射法などにより無機化合物の層を成膜する方法などが開示されている。

また、非特許文献１には、チタン酸バリウム表面にめっきを形成する際にアンカー効果による密着性を確保するため、酸系薬液を用いたエッチング処理を施して表面粗化を行うことが開示されている。
特開平２００２−９４１６号公報（図１等） 岡村ら 著 「無電解めっきの応用」、槇書店（１９９１）

ところで、一般的に金属−セラミック間の化学的結合性は低いため、金属層とセラミックからなる誘電体層との界面の密着性は低く、しばしば当該界面にて剥離が生じやすい。よって、この場合には、電子部品に高い信頼性を付与することができない。

その点、上記従来技術では密着性改善のために薬液を用いてセラミック表面の粗化処理を行っているが、このような処理では密着性を改善しうる好適な粗さの表面、ひいては好適な形状のアンカー層の形成は実際上困難である。
即ち、電子部品がコンデンサである場合、そもそも誘電体層となるセラミック層は非常に薄い。よって、十分なアンカー効果が得られるような処理条件を設定してエッチング処理を行うと、セラミック層にショートパスが形成されてしまう。なお、セラミック表面は一様にエッチされるわけではなく脆弱な箇所から優先的にエッチされるため、最大エッチング深さのコントロールはかなり難しい。ゆえに、十分なアンカー効果を得つつ確実に絶縁を確保しようとすると、誘電体層をかなり厚くしなければならず、部品全体が厚くなる。しかも、この場合にはコンデンサの静電容量の低下につながってしまう。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、全体の厚肉化を伴うことなく、金属電極と誘電体部との密着性に優れた電子部品を得ることができる製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、信頼性の高い電子部品付き配線基板を提供することにある。

上記課題を解決するための手段（手段１）としては、金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程と、前記未焼結誘電体層を焼成することにより、前記誘電体部を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法がある。

従って、上記手段１の製造方法によると、金属アンカー層形成工程にて金属層の主面に金属アンカー層を形成するため、薬液を用いて誘電体表面を粗化する従来方法とは異なり基本的に誘電体側への侵食を伴わない。よって、誘電体をあえて厚く形成しなくても、比較的簡単にかつ確実に所望のアンカー層が形成可能である。このため、全体の厚肉化を伴うことなく、金属電極と誘電体部との密着性に優れた電子部品を得ることができる製造方法を提供することができる。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布した後、さらにその塗布層上に、誘電体グリーンシートを配置するペースト塗布及びシート配置工程と、前記誘電体ペースト及び前記誘電体グリーンシートを焼成することにより、前記誘電体部を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法がある。

従って、上記手段２の電子部品の製造方法によると、金属アンカー層形成工程にて金属層の主面に金属アンカー層を形成するため、薬液を用いて誘電体表面を粗化する従来方法とは異なり基本的に誘電体側への侵食を伴わない。よって、誘電体をあえて厚く形成しなくても、比較的簡単にかつ確実に所望のアンカー層が形成される。このため、全体の厚肉化を伴うことなく、金属電極と誘電体部との密着性に優れた電子部品を得ることができる製造方法を提供することができる。

上記手段１，２の製造方法により製造される電子部品は、金属電極と誘電体部とを備える。誘電体部は、誘電体層とその表面に位置する誘電体アンカー層とからなる。前記誘電体部は、少なくとも１つの主面を有しており、通常は第１主面とその第１主面の反対側にある第２主面とを有している。電子部品における金属電極は、誘電体層の第１主面及び第２主面の両方に配置されていてもよいほか、いずれか一方の主面にのみ配置されていてもよい。また、ここでいう電子部品とは、全ての金属電極を備えた電子部品の完成品のみを指すのではなく、一部の金属電極を後で形成することではじめて完成する構成部品も含むものとする。勿論、上記電子部品における誘電体層は、１層のみであってもよいほか、２層以上であってもよい。

上記電子部品は、金属電極と誘電体部とを積層してなる積層電子部品であって、その好適な具体例としてはコンデンサなどを挙げることができる。電子部品全体の厚さは特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であることがよく、好ましくは５μｍ以上７５μｍ以下であることがよい。全体の厚さが薄すぎると、部品単体として取り扱うことが困難になる。一方、全体の厚さが厚すぎると、配線基板の小型化の達成を阻害するおそれがある。また、電子部品を配線基板に内蔵させる場合には、段差が発生しやすくなるため、基板表面の平滑性を確保しにくくなるおそれがある。

電子部品を構成する金属電極は、導電性に優れた材料を用いて形成されることが好ましく、具体的には、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステン等から選択される１種または２種以上の合金を用いて形成されることがよい。焼成工程を経て製造されるこの電子部品では、例えばニッケルを用いて金属電極を形成することが好ましい。ニッケルは比較的安価な材料であることに加え、比較的融点が高いため高誘電率セラミックとの同時焼結が可能だからである。なお、電子部品を比較的低い温度で焼成する場合には、例えば銅や銀を用いて金属電極を形成してもよい。銅や銀は高い導電性を有しており、電極用材料として好適だからである。

金属電極の厚さ（ここでは金属アンカー層を含む厚さと定義する。）は、例えば０．１μｍ以上５０μｍ以下であることがよく、好ましくは０．２μｍ以上２０μｍ以下であることがよい。金属電極が薄すぎると、電気的信頼性を確保しにくくなるおそれがあるからである。一方、金属電極が厚くなりすぎると、部品全体の厚さが厚くなるおそれがあるからである。

電子部品を構成する誘電体層は、誘電率の高い無機物（例えば誘電体セラミックなど）を主成分とする。ここで誘電体セラミックとは、誘電率が高いセラミック（比誘電率が１０以上のセラミックと定義する。）のことをいい、例えば、ペロブスカイト型結晶構造を有した複合酸化物がこれに該当する。かかる複合酸化物の具体例としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物を挙げることができる。

誘電体層の厚さは、例えば０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることがよく、好ましくは０．１μｍ以上５μｍ以下であることがよい。例えば、電子部品がコンデンサである場合、誘電体層が薄いことは高容量化にとって好ましいが、その反面でこれが薄くなりすぎると、金属電極間の絶縁を確保しにくくなるおそれがあるからである。一方、誘電体層が厚くなりすぎると、高容量化の達成が困難になるばかりでなく、部品全体の厚さが厚くなるおそれがあり、柔軟性の欠如に起因して取扱性が低下するおそれもあるからである。

上記手段２の製造方法により形成される誘電体層は、誘電体ペーストに由来する焼結部と、誘電体グリーンシートに由来する焼結部とからなるが、両焼結部は実質的に同じ誘電体材料からなることが好ましい。その理由は、異なる誘電体材料からなる場合に比べて、両焼結部間により強固な化学的結合性が得られるからである。従って、例えば、誘電体グリーンシートに由来する焼結部が例えばチタン酸バリウムを主成分とするような場合には、誘電体ペーストに由来する焼結部もチタン酸バリウムを主成分として含むものであることが好適ということになる。

前記金属電極はその表面に金属アンカー層を有している。この金属アンカー層は、表面粗さＲａが０．２μｍよりも大きいことが好ましい。この構成によれば、金属アンカー層の表面粗さＲａがこの値以下であると、密着性改善につながる好適なアンカー層とはならず、十分な物理的密着力が得にくくなるからである。ここで、本明細書で述べられている表面粗さＲａの定義はＪＩＳ Ｂ０６０１に、その測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１に準じるものとする。

また、金属アンカー層の有効厚みは１０μｍ以下（ただし０μｍは除く）に設定され、好ましくは５μｍ以下（ただし０μｍは除く）、より好ましくは３μｍ以下（ただし０μｍは除く）に設定される。金属アンカー層の有効厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、特に好ましくは１μｍ以上に設定される。その理由は、金属アンカー層が薄すぎると、好適な表面粗さＲａを実現しにくくなるからである。ここで金属アンカー層の有効厚みとは、厚み方向に垂直な金属アンカー層のプロファイルに関してＪＩＳ Ｂ０６０１で定義される山と谷とがそれぞれ１０点以上含まれる任意の断面領域における、最大山高さと最大谷深さとの和を指すものとする。

金属アンカー層を構成する金属としては、例えば、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステン等から選択される１種または２種以上の合金が用いられる。導電性を有する金属からなる金属アンカー層は、金属電極の一部として機能しうる。金属アンカー層を構成する金属は、金属電極を構成する金属と実質的に同材料であることが好ましい。その理由は、異なる金属材料からなる場合に比べて、両者間により強固な化学的結合性が得られるからである。なお「金属電極を構成する金属と実質的に同材料」とは、金属電極を構成する金属と成分が全く同じ材料のことをいうほか、金属電極を構成する金属と主成分が共通している材料（例えば当該金属を一成分とする合金）なども含むものとする。従って、金属電極が例えばニッケルからなるような場合には、金属アンカー層もニッケルやニッケル合金からなることが好適ということになる。

上記１，２の製造方法により製造された電子部品は、単体で使用されてもよいが、配線基板に実装された状態で使用されてもよい。即ち、かかる電子部品を配線基板に実装することにより、電子部品付き配線基板を製造してもよい。

上記配線基板は、例えばコア基板上に絶縁層及び導体層を形成した構成を有する。コア基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。コア基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。樹脂基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。前記セラミック基板の具体例としては、例えば、アルミナ基板、ベリリア基板、ガラスセラミック基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる基板などがある。前記金属基板の具体例としては、例えば、銅基板や銅合金基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の金属の合金からなる基板などがある。

コア基板上に形成される好適な絶縁層としては、樹脂絶縁層を挙げることができる。その理由は、樹脂製の絶縁層は電子部品の支持体として好ましいため、電子部品を埋め込んだ構造を実現しやすくなるからである。樹脂絶縁層は、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成される。

導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、コア基板上や絶縁層上にパターン形成される。導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。なお、コア基板の片面または両面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されていてもよい。

上記電子部品付き配線基板において、電子部品は、配線基板の表面にて露出した状態で実装されていてもよく、配線基板の内部に埋め込まれた状態で実装されていてもよい。後者の実装態様を採る場合には、電子部品をコア基板内に埋め込む構造、電子部品をコア基板と絶縁層との間に埋め込む構造、電子部品を絶縁層内に埋め込む構造のいずれにしてもよい。この場合、併せて他の電子部品である抵抗素子やインダクタ等を配線基板の内部に埋め込むようにしてもよい。

なお、前者の実装態様と比較した場合の後者の実装態様の利点としては、以下のようなことがある。例えば、当該電子部品が配線基板内に埋め込まれた結果、配線基板表面上の部品実装可能領域が増えるため、そこに他の電子部品を実装することが可能となる。ここで、上記の他の電子部品としては、例えば、半導体集積回路チップ、チップトランジスタ、チップダイオード等の能動部品や、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップコイル等の受動部品を挙げることができる。

以下、上記手段１，２の製造方法における各工程について説明する。

金属アンカー層形成工程では、金属層の主面に金属アンカー層を形成する。金属層としては、例えば、ニッケル箔、銀箔、銅箔などの金属箔を選択することが好適である。この場合、例えば、前記金属層を残存させて最終的に金属電極の一部または全部として用いるようにしてもよい。言い換えると、前記金属層は金属電極となるべき金属層であってもよい。これを採用する利点は、工程簡略化及び低コスト化が達成しやすくなることである。なお、上記手段１の場合には、ペースト塗布工程にて誘電体ペーストを塗布して未焼結誘電体層を形成することにより、金属アンカー層の微細な凹凸に対して未焼結誘電体層が確実に入り込む。そしてこの状態で焼成工程を行うことにより未焼結誘電体層が焼結し、金属電極となるべき金属層に密着した誘電体部が形成される。上記手段２の場合には、ペースト塗布及びシート配置工程にて、まず誘電体ペーストを塗布して金属アンカー層の微細な凹凸に対して誘電体ペーストを確実に入り込ませた後、その上に誘電体グリーンシートを配置する。そしてこの状態で焼成工程を行うことにより誘電体ペースト及び誘電体グリーンシートが焼結し、金属電極となるべき金属層に密着した誘電体部が形成される。つまり、金属層を残存させて最終的に金属電極の一部または全部として用いる態様によれば、金属電極と誘電体部との密着性を確実に向上できるという利点がある。
勿論、焼成工程後に前記金属層を除去して新たに金属電極を形成してもよい。これを採用する利点は、電極形成材料に制約を受けにくくなることである。

金属アンカー層を形成する手法の具体例としては、例えば、金属層の主面に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理としては、サンドブラスト、ショットブラスト、バフ研磨といった砥粒加工等や、スクラッチ加工等のような物理的粗化方法があるほか、エッチング処理等のような化学的粗化方法がある。これらの方法は、いずれも金属層の表層を除去する方法である。このような方法の利点は、材料の付着を伴わないこと、比較的簡単に金属アンカー層を形成できることである。特にエッチング処理等のような化学的粗化方法には、金属層に物理的なストレスが加わらないといった利点がある。

あるいは、金属粉を含有する金属アンカー層形成用材料を金属層の主面上に付着させる材料付着工程を行った後、金属アンカー層形成用材料を焼き付けることにより、金属アンカー層を形成する焼付工程を行ってもよい。その際、金属層の主面に金属粒子を微視的にまばらに付着させることが好ましい。そしてこのような方法の利点は、金属層の厚さの減少を伴わないことである。金属粉を含有する金属アンカー層形成用材料の好適例としては、金属粉を含有するペーストなどを挙げることができる。

このほか、金型を用いた粗面転写加工等により金属アンカー層を形成することも可能である。

金属アンカー層形成工程の後、上記手段１の製造方法では、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体層となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程を行う。上記手段２の製造方法では、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上にあらかじめ塗布した後、さらにその塗布層上に、誘電体グリーンシートを配置するペースト塗布及びシート配置工程を行う。

誘電体ペーストとしては、上述したチタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物などの誘電体粉末を含有していることが、好適である。また、誘電体グリーンシートは、誘電体粉を含有するスラリーをシート状にキャスティングする手法により比較的簡単に得ることができる。この手法の利点は、ペーストを用いた手法に比べて、薄くて均一な厚さの誘電体層が効率よく得られることにある。よって、電子部品がコンデンサである場合には、ショート不良やキャパシタンスのばらつきの低減を達成しやすくなる。

次に、必要に応じて脱脂工程を行った後に焼成工程を行う。手段１の製造方法における焼成工程では、未焼結誘電体層を加熱して焼成することにより、誘電体部を構成する誘電体層が形成される。この焼成により、金属アンカー層の凹凸に入り込んでいる未焼結誘電体層の一部は、誘電体部を構成する誘電体アンカー層となる。手段２の製造方法における焼成工程では、誘電体ペースト及び誘電体グリーンシートを加熱して焼成することにより誘電体部が形成される。詳細には、誘電体グリーンシートの焼結により、誘電体部を構成する誘電体層が形成される。また、金属アンカー層の凹凸に入り込んでいる誘電体ペーストの焼結により、誘電体部を構成する誘電体アンカー層が形成される。

上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、第１金属電極と第２金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、前記第１金属電極となるべき金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程と、前記未焼結誘電体層の表面上に金属粉と誘電体粉とを含有する未焼結電極形成層を配置する層配置工程と、前記未焼結誘電体層及び未焼結電極形成層を加熱して焼結させることにより、前記誘電体部及び前記第２金属電極を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法がある。そして、この手段３の製造方法によると、焼成工程を経ることで誘電体部の両面に金属電極が形成可能 なため、電子部品を効率よく製造することができる。

［第１実施形態］

以下、本発明を具体化した第１実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を図１〜図５に基づき説明する。

図１に示されるように、このセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１は、ガラスエポキシからなるコア基板７２上に、ビルドアップ層７３を形成してなるものである。ビルドアップ層７３は、同じくエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４（いわゆる層間絶縁層）を４層備えている。コア基板７２と樹脂絶縁層８１との界面には、銅からなる導体層９０がパターン形成されている。樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４同士の界面には、銅からなる導体層９１，９２，９３がパターン形成されている。また、最表層の樹脂絶縁層８４の表面上における複数箇所には、銅にニッケル−金めっきを被覆した端子パッド９４が形成されている。樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４内には、それぞれビア導体９６が設けられている。これらのビア導体９６のほとんどは同軸上に配置されるとともに、それらを介して導体層９１，９２，９３及び端子パッド９４が相互に電気的に接続されている。

ビルドアップ層７３の内部（具体的には第１層の樹脂絶縁層８１と第２層の樹脂絶縁層８２との界面）には、図５に示すセラミックコンデンサ１０が、埋め込んだ状態で実装されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０は、基本的に、第１ニッケル電極１１（金属電極）と、第２ニッケル電極３１（金属電極）と、これらに挟まれるようにして配置された誘電体部４１とによって構成されている。この誘電体部４１は、誘電体層２１とその両面に位置する誘電体アンカー層２４，２６とからなる。第１ニッケル電極１１の主面１３には、表面粗さＲａが０．３μｍ〜０．５μｍ程度に設定された金属アンカー層１４が形成されている。金属アンカー層１４は多数の微細なアンカー部１５により構成されている。この金属アンカー層１４上には、チタン酸バリウムからなる誘電体部４１が形成されている。誘電体層２１の下面側にある誘電体アンカー層２４は、多数の微細なアンカー部２５を有しており、それらは金属アンカー層１４の凹凸に入り込んで嵌まり合っている。一方、誘電体層２１の上面側においても、多数の微細なアンカー部２５からなる誘電体アンカー層２６が形成されている。第２ニッケル電極３１は、この誘電体アンカー層２６の表面を覆うようにして形成されている。なお、第２ニッケル電極３１の一部（即ちアンカー部３５）は、誘電体アンカー層２６のアンカー部２５と嵌り合った関係となっている。

本実施形態では、誘電体層２１の厚さは約４μｍに設定されている。この誘電体層２１は、厚さばらつきが±０．５μｍ程度であって、比較的均一な厚さを有している。また、金属アンカー層１４，２４及び誘電体アンカー層２４，２６の有効厚みは、それぞれ約４μｍに設定されている。第１ニッケル電極１１の厚さは約３０μｍに設定され、第２ニッケル電極３１の厚さは約４μｍ〜５μｍに設定されている。

図１に示されるように、第１ニッケル電極１１は配線基板実装時に上向きの状態となるため、第２層の樹脂絶縁層８２内にあるビア導体９６に電気的に接続されている。一方、第２ニッケル電極３１は配線基板実装時に下向きの状態となるため、第１層の樹脂絶縁層８１内にあるビア導体９６に電気的に接続されている。

そして、このような構成のセラミックコンデンサ１０に通電を行い、第１ニッケル電極１１−第２ニッケル電極３１間に所定の電圧を加えると、一方の電極にプラスの電荷が蓄積し、他方の電極にマイナスの電荷が蓄積するようになっている。

次に、このセラミックコンデンサ１０の製造方法を図２〜図５に基づいて説明する。
（１）ニッケル箔１２の粗化（金属アンカー層形成工程）

厚さ３０μｍのニッケル箔１２（金属層）を用意するとともに、そのニッケル箔１２を打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する（図２参照）。次に、そのニッケル箔１２をエッチング液で所定時間エッチング処理することにより、主面１３に多数の微細なアンカー部１５からなる金属アンカー層１４を形成する（図３参照）。なお、このような手法に代えて、湿式または乾式でのブラスト処理（サンドブラストやショットブラストなど）を行うようにしてもよい。なお、本実施形態ではアンカー部１５の大きさは約４μｍとなっている。
（２）誘電体ペースト２９の調製

平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉（誘電体粉）に分散剤、可塑剤を加え、これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で３本ロールで混合し、誘電体層２１を形成する際の出発材料となる誘電体ペースト２９を得る。
（３）電極形成用ペースト３９の調製

平均粒径０．７μｍのニッケル粉（金属粉）と、平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）とを体積比が７：３となるように秤量し、これに分散剤、可塑剤を加える。これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で３本ロールで混合し、第２ニッケル電極３１を形成する際の出発材料となる電極形成用ペースト３９を得る。当該ペーストは、誘電体層２１の上面側の誘電体アンカー層２６を形成するためのペーストと把握することもできる。
（４）ペースト塗布

ニッケル箔１２の主面１３にある金属アンカー層１４の表面上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いて誘電体ペースト２９を印刷塗布する。このときの塗布厚み（主面１３を基準としたときの塗布層の厚み）は、後の焼成工程を経た段階での厚み（誘電体部としての厚み）が約８μｍとなるように、１０μｍ〜１２μｍ程度に設定される。ペースト印刷塗布を行うと、金属アンカー層１４の微細な凹凸に誘電体ペースト２９が入り込んだ状態となる。誘電体ペースト２９におけるこのような部分は、後の焼成を経て誘電体アンカー層２４のアンカー部２５となる。次いで、８０℃で乾燥を行った後、その上に同じく従来周知のペースト印刷装置により電極形成用ペースト３９を印刷塗布する。このときの塗布厚みは、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。このようにして得られる未焼結積層体５０は、粗化されたニッケル箔１２（金属層）、誘電体ペースト２９からなる層（未焼結誘電体層４０）、及び電極形成用ペースト３９からなる層をこの順序で積層配置したものとなっている（図４参照）。
（５）脱脂、同時焼成等

次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、塗布されたチタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、所望構造のセラミックコンデンサ１０が得られる（図５参照）。この焼成により、誘電体ペースト２９からなる未焼結誘電体層４０が誘電体層２１及び誘電体アンカー層２４となる。また、電極形成用ペースト３９からなる層は、第２ニッケル電極３１と誘電体アンカー層２６とが互いに嵌り合った状態の混合層となる。
（６）第１層の樹脂絶縁層８１の形成、部品実装

次に、導体層９０及び第１層の樹脂絶縁層８１が形成されたコア基板７２を用意し、その第１層の樹脂絶縁層８１上に、第１ニッケル電極１１を上向きにしてセラミックコンデンサ１０を搭載する。

より詳細にいうと、第１層の樹脂絶縁層８１を形成するための未硬化のフィルム材を用意し、それをラミネータ等でコア基板７２の表面上に貼付する。前記フィルム材としては、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂からなるものが好適である。次いで、セラミックコンデンサ１０をフィルム材上に搭載し、所定の圧力で押し付ける。この時点では、まだフィルム材は未硬化であるため、セラミックコンデンサ１０をフィルム材内に容易に埋め込むことができる。この場合の埋込深さは、セラミックコンデンサ１０の全体の厚さの半分程度に設定されることがよい。次に、加熱を行ってフィルム材を硬化させ、第１層の樹脂絶縁層８１にセラミックコンデンサ１０を支持固定させる。
（７）第２層から第５層の樹脂絶縁層８２，８３，８４の形成

従来周知の手法に従って、第１層の樹脂絶縁層８１におけるビア導体９６の形成や導体層９１の形成を行う。次いで、第１層の樹脂絶縁層８１上に上記の未硬化のフィルム材をラミネータ等で貼付した後、熱硬化させて第２層の樹脂絶縁層８２とする。この時点でセラミックコンデンサ１０が完全に埋め込まれる。次に、第２層の樹脂絶縁層８２に対するビア穴あけを行った後、さらに銅めっきまたは銅ペーストの充填、印刷等を行って、ビア導体９６を形成するとともに、第２層の導体層９２を形成する。この後、同様の手法により、第３層及び第４層（最表層）の樹脂絶縁層８３，８４の形成を行い、図１のセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を完成させる。
（８）評価

ここではＪＩＳ Ｃ６４８１に倣ってピール強度を測定した。まずピール強度測定用サンプルを次のように準備した。厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ基板と上記セラミックコンデンサ１０とを、エポキシ接着剤を用いて、第２ニッケル電極３１側の面で接着した。次いで、幅１ｃｍの短冊状となるように、ガラスエポキシ基板に接着されたセラミックコンデンサ１０に切り込みを入れたものを（切り込みはセラミックコンデンサ１０を完全に貫通）、ピール強度測定用サンプルとした。

次に、ピール強度の測定は、短冊状となったセラミックコンデンサ１０の第１ニッケル電極１１（ニッケル箔）の一端を、ガラスエポキシ基板主面に対して垂直な方向に、毎分０．５ｍｍの速度で引き上げることにより行った。このとき、引き上げられる第１ニッケル電極１１とガラスエポキシ基板主面とが常に垂直となるように、ガラスエポキシ基板を上記引き上げ方向と垂直な方向に（ガラスエポキシ基板主面と平行な方向に）、毎分０．５ｍｍの速度で移動させた。

このように測定した結果、ピール強度測定用サンプルでは、第１ニッケル電極１１と誘電体部４１との間で剥離が生じた。また、その平均ピール強度は０．７５ｋｇｆ／ｃｍであり、好適な値を示した。
（９）まとめ

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

ａ）本実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１の場合、セラミックコンデンサ１０における第１ニッケル電極１１と誘電体部４１とが、アンカー部同士１５，２５が嵌り合うことで強固に密着している。また、第２ニッケル電極３１と誘電体部４１とが、アンカー部同士２５，３５が嵌り合うことで強固に密着している。よって、層間に剥離が生じにくくて信頼性に優れたセラミックコンデンサ１０、ひいては信頼性に優れたセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を実現することができる。

ｂ）また、本実施形態の製造方法では、金属アンカー層形成工程においてニッケル箔１２の主面１３に金属アンカー層１４を形成する。このため、薬液を用いて誘電体層２１表面を粗化する従来方法とは異なり、基本的に誘電体層２１側への侵食を伴わない。よって、誘電体層２１をあえて厚く形成する必要がなく、それゆえ誘電体層２１を非常に薄く形成することができる。その結果、セラミックコンデンサ１０の薄肉化が図られるとともに、静電容量を大きくすることができる。また、誘電体層２１にショートパスが形成される心配がないため、第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１間の絶縁性の低下も回避される。

ｃ）さらに本実施形態の製造方法では、ペースト塗布工程にて誘電体ペースト２９を塗布して未焼結誘電体層４０を形成しているため、金属アンカー層１４の微細な凹凸に対して未焼結誘電体層４０を確実に入り込ませることができる。しかも本実施形態では、この状態で未焼結誘電体層４０を焼結させてニッケル箔１２に密着した誘電体部４１を形成するとともに、ニッケル箔１２をそのまま残存させて最終的に第１ニッケル電極１１として利用している。従って、第１ニッケル電極１１−誘電体部４１間の密着性を確実に向上させることができる。また、、ニッケル箔剥離工程や金属電極形成工程を省略できるので、工程簡略化及び低コスト化を達成することができる。
［第２実施形態］

次に、図６，図７に基づいて第２実施形態のセラミックコンデンサ１１０及びその製造方法を詳細に説明する。本実施形態では、誘電体部４１の形成方法が第１実施形態のときと異なっている。
（１） 誘電体グリーンシート１２２の作製

まず以下の手順で誘電体スラリーを調製した。平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）、エタノールとトルエンとの混合溶剤、分散剤、可塑剤、有機バインダをポットで湿式混合することにより、誘電体グリーンシート１２２を形成する際の出発材料となる誘電体スラリーを得る。このとき、各成分の配合比率を適宜変更することにより、誘電体スラリーを約０．５Ｐａ・ｓの粘度（リオン株式会社製ビスコテスター ＶＴ−０４型粘度計 Ｎｏ．１ロータ ６２．５ｒｐｍ １分値 ２５℃で測定した粘度をいう。）に調製する。次に、この誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシート１２２の形成を以下のように行う。即ち、所定幅のＰＥＴフィルムのロールを用意して、このロールをキャスティング装置の供給側にセットし、ドクターブレード法やリップコーティーングなどの従来周知の手法によりＰＥＴフィルムの上面に誘電体スラリーを薄く均一な厚さでキャスティング（塗工）する。その後、シート状にキャスティングされた誘電体スラリーをキャスティング装置の供給側と巻き取り側との間に配置されているヒータで加熱乾燥し、厚さ７μｍの誘電体グリーンシート１２２を形成する。

なお、粗化されたニッケル箔１２、誘電体ペースト２９及び電極形成用ペースト３９については、第１実施形態にて示した手順（１），（２）及び（３）を実施して準備しておく。
（２）誘電体ペースト２９の塗布

ニッケル箔１２の主面１３にある金属アンカー層１４の表面上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いて誘電体ペースト２９を印刷塗布する。このとき、塗布厚みは金属アンカー層１４がちょうど埋まるような深さ（ここでは４μｍ〜６μｍ程度）とする。ペースト印刷塗布を行うと、金属アンカー層１４の微細な凹凸には、後の焼成を経て誘電体アンカー層２４となる誘電体ペースト２９が入り込んだ状態となる。この後、誘電体ペースト２９を８０℃で乾燥する。
（３）誘電体グリーンシート１２２の配置

誘電体グリーンシート１２２を打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する。そしてこのような誘電体グリーンシート１２２を、誘電体ペースト２９の塗布層上に積層配置し、従来周知のラミネート装置を用いて８０℃で５００ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、圧着させる。
（４）電極形成用ペースト３９の塗布

誘電体グリーンシート１２２を覆うＰＥＴフィルムを剥離した後、その剥離面上に前記従来周知のペースト印刷装置により電極形成用ペースト３９を印刷塗布する。このときの塗布厚みは、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。このようにして得られる未焼結積層体５０は、粗化されたニッケル箔１２（金属層）、誘電体ペースト２９の塗布層、誘電体グリーンシート１２２及び電極形成用ペースト３９からなる層をこの順序で積層配置したものとなっている（図６参照）。
（５）脱脂、同時焼成等

次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、所望構造のセラミックコンデンサ１１０が得られる（図７参照）。この焼成により、誘電体ペースト２９の塗布層が誘電体アンカー層２４となり、誘電体グリーンシート１２２が誘電体層２１となる。また、電極形成用ペースト３９からなる層は、第２ニッケル電極３１と誘電体アンカー層２６とが互いに嵌り合った状態の混合層となる。
（６）評価

第１実施形態に準じてピール強度測定用サンプルを作製し、それを用いてピール強度の測定を行った結果、第１ニッケル電極１１と誘電体部４１との間で剥離が生じた。また、その平均ピール強度は０．７３ｋｇｆ／ｃｍであり、好適な値を示した。
（７）まとめ

従って、本実施形態の製造方法も第１実施形態の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。即ち、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、第１ニッケル電極１１と誘電体部４１との密着性、第２ニッケル電極３１と誘電体部４１との密着性に優れたセラミックコンデンサ１１０を比較的簡単に得ることができる。また、このようにして得られたセラミックコンデンサ１１０は信頼性に優れたものとなる。
［第３実施形態］

次に、図８，図９に基づいて第３実施形態のセラミックコンデンサ２１０及びその製造方法を詳細に説明する。本実施形態では、金属電極の形成方法が第１実施形態のときと異なっている。

ここでは図５のセラミックコンデンサ１０を出発材料として用いる。そして、ニッケルを溶解するエッチャント（例えば塩化第２鉄の４０重量％水溶液）を用いて、第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１を溶解除去する。勿論、これとは異なる組成のエッチャントを用いることも可能である。この処理を経ると、隠れていた誘電体アンカー層２４，２６がともに露出する（図８参照）。この状態のものは、セラミックコンデンサ２１０の完成品ではなく、その構成部品であると把握できる。なお、エッチング処理に代えて第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１を物理的に引き剥がすようにしてもよい。

次に、露出した誘電体アンカー層２４，２６の表面上に、従来公知の手法に基づいて無電解銅めっきを行った後にさらに電解銅めっきを行って、厚さ１μｍの第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２を形成する（図９参照）。この処理を経ると、所望構造のセラミックコンデンサ２１０が完成する。

従って、本実施形態の製造方法も第１実施形態の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。即ち、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、第１銅２３１と誘電体部４１との密着性、第２銅電極２３２と誘電体部４１との密着性に優れたセラミックコンデンサ２１０を比較的簡単に得ることができる。また、このようにして得られたセラミックコンデンサ２１０は信頼性に優れたものとなる。特にこの構成によると、第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２の表面に凹凸が生じているため、配線基板に埋め込んだときに樹脂絶縁層に対する密着性がよくなる。
［第４実施形態］

次に、図１０〜図１３に基づいて第４実施形態のセラミックコンデンサ３１０及びその製造方法を詳細に説明する。本実施形態では、金属層であるニッケル箔１２に対する金属アンカー層の形成方法が第１実施形態とは異なっている。
（１）金属アンカー層形成用ペースト３２５の作製

平均粒径０．７μｍのニッケル粉３２７（金属粉）に可塑剤を加える。これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えたうえで３本ロールで混合し、金属アンカー層形成用ペースト３２５（金属アンカー層形成用材料）を得る。ここは、焼成後に好適な凹凸が得られるように、分散剤を添加しないことで、ニッケル粉３２７の凝集の多い低分散性ペーストとした。なお、分散媒として、親水基の多い（極性の強い）溶剤を用いることでも、同様の性質のペーストを得ることができる。
なお、誘電体ペースト２９及び電極形成用ペースト３９については、第１実施形態にて示した手順（２）及び（３）を実施して準備しておく。
（２）金属アンカー層形成用ペースト３２５を印刷塗布

ニッケル箔１２の主面１３上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いて金属アンカー層形成用ペースト３２５を印刷塗布する。このとき、金属アンカー層形成用ペースト３２５に含有されているニッケル粉３２７が、主面１３面上において微視的に疎らになるように付着させる。図１０はその様子を概念的に示している。このときの印刷厚みは、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。この後、印刷された金属アンカー層形成用ペースト３２５を８０℃で乾燥した後に焼き付けを行って、多数の微細なアンカー部１５からなる金属アンカー層３１４を形成する（図１１参照）。金属アンカー層３１４はニッケル箔１２とともに第１ニッケル電極３１１を構成する。なお、金属アンカー層形成用ペースト３２５の乾燥のみを行い、焼き付けを省略することもできる。
（３）誘電体ペースト２９及び電極形成用ペースト３９の印刷塗布

続いて、第１実施形態の手順（４）に従って、誘電体ペースト２９及び電極形成用ペースト３９の印刷塗布を行い、図１２のような未焼結積層体５０を作製する。このようにして得られる未焼結積層体５０は、第１ニッケル電極３１１、誘電体ペースト２９からなる層（未焼結誘電体層４０）、及び電極形成用ペースト３９からなる層をこの順序で積層配置したものとなっている。
（４）脱脂、同時焼成等

次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、所望構造のセラミックコンデンサ３１０が得られる（図１３参照）。この焼成により、誘電体ペースト２９からなる未焼結誘電体層４０が誘電体層２１及び誘電体アンカー層２４となる。また、電極形成用ペースト３９からなる層は、第２ニッケル電極３１と誘電体アンカー層２６とが互いに嵌り合った状態の混合層となる。
（５）評価

第１実施形態に準じてピール強度測定用サンプルを作製し、それを用いてピール強度の測定を行った結果、第１ニッケル電極３１１と誘電体部４１との間で剥離が生じた。また、その平均ピール強度は０．６２ｋｇｆ／ｃｍであり、好適な値を示した。
（６）まとめ

従って、本実施形態の製造方法も第１実施形態の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。即ち、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、第１ニッケル電極３１１と誘電体部４１との密着性、第２ニッケル電極３１と誘電体部４１との密着性に優れたセラミックコンデンサ３１０を比較的簡単に得ることができる。また、このようにして得られたセラミックコンデンサ３１０は信頼性に優れたものとなる。
［第５実施形態］

次に、図１４，図１５に基づいて第５実施形態のセラミックコンデンサ４１０及びその製造方法を詳細に説明する。本実施形態は、誘電体部４１の形成方法が第４実施形態のときと異なっている。
（１）誘電体グリーンシート１２２等の作製

第２実施形態にて示した手順（１）を実施して誘電体グリーンシート１２２を形成する。また、第４実施形態にて示した手順（１）及び（２）を実施して、ニッケル箔１２の主面１３上に金属アンカー層３１４を形成する。また、誘電体ペースト２９及び電極形成用ペースト３９については、第１実施形態にて示した手順（１），（２）及び（３）を実施して準備しておく。
（２）誘電体ペースト２９の塗布

ニッケル箔１２の主面１３にある金属アンカー層３１４の表面上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いて誘電体ペースト２９を印刷塗布する。このとき、塗布厚みは金属アンカー層１４がちょうど埋まるような深さ（ここでは４μｍ〜６μｍ程度）とする。ペースト印刷塗布を行うと、金属アンカー層３１４の微細な凹凸には、後の焼成を経て誘電体アンカー層２４となる誘電体ペースト２９が入り込んだ状態となる（図１４参照）。この後、誘電体ペースト２９を８０℃で乾燥する。
（３）誘電体グリーンシート１２２の配置

誘電体グリーンシート１２２を打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する。そしてこのような誘電体グリーンシート１２２を、誘電体ペースト２９の塗布層上に積層配置し、従来周知のラミネート装置を用いて８０℃で５００ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、圧着させる（図１４参照）。
（４）電極形成用ペースト３９の塗布

誘電体グリーンシート１２２を覆うＰＥＴフィルムを剥離した後、その剥離面上に前記従来周知のペースト印刷装置により電極形成用ペースト３９を印刷塗布する。このときの塗布厚みは、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。このようにして得られる未焼結積層体５０は、粗化されたニッケル箔１２（金属層）、誘電体ペースト２９の塗布層、誘電体グリーンシート１２２及び電極形成用ペースト３９からなる層をこの順序で積層配置したものとなっている（図１４参照）。
（５）脱脂、同時焼成等

次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、所望構造のセラミックコンデンサ４１０が得られる（図１５参照）。この焼成により、誘電体ペースト２９の塗布層が誘電体アンカー層２４となり、誘電体グリーンシート１２２が誘電体層２１となる。また、電極形成用ペースト３９からなる層は、第２ニッケル電極３１と誘電体アンカー層２６とが互いに嵌り合った状態の混合層となる。
（６）評価

第１実施形態に準じてピール強度測定用サンプルを作製し、それを用いてピール強度の測定を行った結果、第１ニッケル電極３１１と誘電体部４１との間で剥離が生じた。また、その平均ピール強度は０．６４ｋｇｆ／ｃｍであり、好適な値を示した。
（７）まとめ

従って、本実施形態の製造方法も第１実施形態の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。即ち、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、第１ニッケル電極３１１と誘電体部４１との密着性、第２ニッケル電極３１と誘電体部４１との密着性に優れたセラミックコンデンサ４１０を比較的簡単に得ることができる。また、このようにして得られたセラミックコンデンサ４１０は信頼性に優れたものとなる。
［第６実施形態］

次に、図１６，図１７に基づいて第６実施形態のセラミックコンデンサ５１０及びその製造方法を詳細に説明する。本実施形態では、金属電極の形成方法が第４実施形態のときと異なっている。

ここでは図１３のセラミックコンデンサ３１０を出発材料として用いる。そして、ニッケルを溶解するエッチャント（例えば塩化第２鉄の４０重量％水溶液）を用いて、第１ニッケル電極３１１及び第２ニッケル電極３１を溶解除去する。勿論、これとは異なる組成のエッチャントを用いることも可能である。この処理を経ると、隠れていた誘電体アンカー層２４，２６がともに露出する（図１６参照）。この状態のものは、セラミックコンデンサ５１０の完成品ではなく、その構成部品であると把握できる。なお、エッチング処理に代えて第１ニッケル電極３１１及び第２ニッケル電極３１を物理的に引き剥がすようにしてもよい。

次に、露出した誘電体アンカー層２４，２６の表面上に、従来公知の手法に基づいて無電解銅めっきを行った後にさらに電解銅めっきを行って、厚さ１μｍの第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２を形成する（図１７参照）。この処理を経ると、所望構造のセラミックコンデンサ５１０が完成する。

従って、本実施形態の製造方法も第１実施形態の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。即ち、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、第１銅２３１と誘電体部４１との密着性、第２銅電極２３２と誘電体部４１との密着性に優れたセラミックコンデンサ５１０を比較的簡単に得ることができる。また、このようにして得られたセラミックコンデンサ５１０は信頼性に優れたものとなる。特にこの構成によると、第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２の表面に凹凸が生じているため、配線基板に埋め込んだときに樹脂絶縁層に対する密着性がよくなる。

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記第１実施形態では、セラミックコンデンサ１０を第１層の樹脂絶縁層８１と第２層の樹脂絶縁層８２との界面に埋め込むようにして実装を行ったが、例えば、第２層の樹脂絶縁層８２と第３層の樹脂絶縁層８３との界面、第３層の樹脂絶縁層８３と第４層の樹脂絶縁層８４との界面に埋め込むようにしてもよい。

・上記第１実施形態では、既に完成品となっているセラミックコンデンサ１０を樹脂絶縁層上に実装する製造方法を例示しているが、以下のようにしてもよい。まず、誘電体部４１の一方の面にのみ金属電極を有する未完成のセラミックコンデンサ（いわばコンデンサ構成部品）を作成し、それを樹脂絶縁層上に実装する。このとき、金属電極形成面を下に向けておく。実装完了後、従来周知の手法（めっき、スパッタリング等）により、誘電体部４１の他方の面上に金属電極を形成する。

・また上記第１実施形態は、コア基板７２の片面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されているセラミックコンデンサ内蔵片面積層配線基板の例であるが、コア基板７２の両面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されているセラミックコンデンサ内蔵配線基板としてもよい。

・上記第１実施形態などにおいては、金属粉及び誘電体粉を含有する電極形成用ペースト３９の印刷塗布を経て第２ニッケル電極３１を形成しているが、例えば、金属粉及び誘電体粉を含有する電極形成用グリーンシートの積層圧着を経て第２ニッケル電極３１を形成してもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、前記金属電極となるべき金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程と、前記未焼結誘電体層を加熱して焼成することにより、前記誘電体部を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法。

（２）金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、粗化処理として化学エッチング処理を行うことにより、金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程と、前記未焼結誘電体層を加熱して焼成することにより、前記誘電体部を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法。

（３）金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、前記金属電極と実質的に同じ金属材料からなる金属アンカー層を金属層の主面に形成する金属アンカー層形成工程と、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程と、前記未焼結誘電体層を加熱して焼成することにより、前記誘電体層を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法。

（４）第１金属電極と第２金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、前記第１金属電極となるべき金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程と、前記未焼結誘電体層の表面上に金属粉と誘電体粉とを含有する未焼結電極形成層を配置する層配置工程と、前記未焼結誘電体層及び未焼結電極形成層を加熱して焼成することにより、前記誘電体部及び前記第２金属電極を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法。

本発明を具体化した第１実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の一部を示す概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第２実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。 第２実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 第３実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。 第３実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 第４実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。 第４実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第４実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第４実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 第５実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。 第５実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 第６実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。 第６実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。

符号の説明

１０，１１０，２１０，３１０，４１０，５１０…電子部品としてのセラミックコンデンサ
１１，３１１…金属電極としての第１ニッケル電極
１２…金属層としてのニッケル箔
１３…主面
１４，３１４…金属アンカー層
２１…誘電体層
２９…誘電体ペースト
３１…金属電極としての第１ニッケル電極
４０…未焼結誘電体層
４１…誘電体部
１２２…誘電体グリーンシート
２３１…金属電極としての第１銅電極
２３２…金属電極としての第２銅電極
３２５…金属アンカー層形成用材料としての金属アンカー層形成用ペースト
３２７…金属粉としてのニッケル粉

Claims (6)

1. 金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、
   金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、
   誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布することにより、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体層を形成するペースト塗布工程と、
   前記未焼結誘電体層を焼成することにより、前記誘電体部を形成する焼成工程と
   を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
2. 金属電極と誘電体部とを備える電子部品の製造方法において、
   金属層の主面に金属アンカー層を形成する金属アンカー層形成工程と、
   誘電体粉を含有する誘電体ペーストを前記金属アンカー層上に塗布した後、さらにその塗布層上に、誘電体グリーンシートを配置するペースト塗布及びシート配置工程と、
   前記誘電体ペースト及び前記誘電体グリーンシートを焼成することにより、前記誘電体部を形成する焼成工程と
   を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
3. 前記金属アンカー層は、表面粗さＲａが０．２μｍよりも大きくて有効厚みが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
4. 前記金属アンカー層形成工程では、前記金属層の主面に対する粗化処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
5. 前記金属アンカー層形成工程では、金属粉を含有する金属アンカー層形成用材料を前記金属層の主面上に付着させる材料付着工程を行った後、前記金属アンカー層形成用材料を焼き付けることにより前記金属アンカー層を形成する焼付工程を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法により製造された電子部品が実装された電子部品付き配線基板。

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