JP2006179744A - 電子部品及びその製造方法、電子部品付き配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板との密着性に優れる電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明の電子部品１０は、例えば配線基板内に内蔵されるセラミックコンデンサである。このセラミックコンデンサ１０は、主面１１７，１１８を有する誘電体部１４０と、第１主面１１７上に設けられた金属電極である第１ニッケル電極１１と、第２主面１１８上に設けられた金属電極である第２ニッケル電極３１とを備える。第１主面１１７の一部及び第２主面１１８の一部は、それぞれ連通部１５１，１５２により露出している。その露出部分には複数の凸部５１からなる凹凸層１４１，１４２がそれぞれ形成されている。凹凸層に１４１，１４２には樹脂絶縁層が入り込む。
【選択図】 図１

Description

本発明は、金属電極と誘電体部とを備える電子部品及びその製造方法、電子部品付き配線基板に関するものである。

近年における電子機器の高性能化や小型化の要求は高く、このような要求が高まるにつれて電子部品の高密度化や高機能化に対する要求も確実に高くなってきている。それゆえ、配線基板における電子部品の実装効率を上げるために、例えば、インダクタ、コンデンサ、抵抗などの電子部品（受動部品）を内蔵した構造の配線基板などが各種提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。

特許文献１においては、例えば、支持体層、金属層、高誘電率材料からなる受動部品形成層、金属層を順次積層配置した構造の電子部品（即ちコンデンサ）が開示されるとともに、この電子部品を内蔵した配線基板が開示されている。また、特許文献１には、支持体層側の金属層に対して受動部品形成層を形成する方法として、例えば、高誘電率フィラーを充填・分散させた樹脂をシート状に硬化成形する方法、ゾルゲル法により無機化合物を層状に析出させる方法、溶射法などにより無機化合物の層を成膜する方法などが開示されている。

また、特許文献２においては、金属層間に誘電体部を配置した構造の厚膜コンデンサの製造方法が開示されている。この厚膜コンデンサは、金属箔上に導電性ペーストを付着させて焼成を行った後、次にその上に誘電体ペーストを塗布して焼成を行い、さらに導電性ペーストを塗布して焼成を行うことで、製造されるようになっている。
特開平２００２−９４１６号公報（図１等） 特許第３５５６１６４号公報

ところで、一般的にこの種の電子部品においては、金属層とセラミック等からなる誘電体部との界面の密着性があまり高くないことから、しばしば当該界面にて剥離が生じやすい。それゆえ、特許文献２の製造方法においては、誘電体部となるべき誘電体ペーストの塗布に先立ち、金属箔上に導電性ペーストをアンダープリントすることで、金属層と誘電体部との密着性の改善を図っている。

しかし、従来技術では電子部品内の層間の密着性の改善についてはある程度考慮されていたが、電子部品とそれを実装する配線基板の構成材料（例えば樹脂絶縁層）との密着性改善については、必ずしも考慮されているとは言い難かった。従って現状では、電子部品と前記構成材料との間に、クラックの原因となるような隙間が生じるおそれがあり、信頼性の高い電子部品付き配線基板を製造することが困難であった。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線基板との密着性に優れる電子部品及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、電子部品と配線基板との密着性に優れるため高信頼性の電子部品付き配線基板を提供することにある。

上記課題を解決するための手段（手段１）としては、主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備える電子部品において、前記誘電体部は前記主面の一部が露出するとともに、その露出部分には凸部が形成されていることを特徴とする電子部品をその要旨とする。

従って、上記手段１の電子部品によると、主面における露出部分が凸部となっているから、電子部品を配線基板の構成材料に接するようにして実装する際に、構成材料の一部を複数の凸部間の空隙内に入り込ませることができる。この場合、複数の凸部と構成材料とが互いに嵌り合った状態となる結果、誘電体部と配線基板の構成材料との界面に強固な物理的結合力が得られる。よって、電子部品と配線基板との密着性を向上することができ、クラックの原因となる隙間が生じにくくなる。

上記電子部品における誘電体部は、少なくとも１つの主面を有しており、通常は第１主面とその第１主面の反対側にある第２主面とを有している。上記電子部品における金属電極は、誘電体部の第１主面及び第２主面の両方に配置されていてもよいほか、いずれか一方の主面にのみ配置されていてもよい。また、ここでいう電子部品とは、電子部品の完成品のみを指すのではなく、一方の金属電極を後で形成することではじめて完成する構成部品も含むものとする。勿論、上記電子部品における誘電体部は、１層のみであってもよいほか、２層以上であってもよい。

上記電子部品は、いわゆる金属電極と誘電体部とを積層してなる積層電子部品であって、その好適な具体例としてはコンデンサなどを挙げることができる。電子部品全体の厚さは特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であることがよく、好ましくは５μｍ以上７５μｍ以下であることがよい。全体の厚さが薄すぎると、部品単体として取り扱うことが困難になる。一方、全体の厚さが厚すぎると、配線基板の小型化の達成を阻害するおそれがある。また、電子部品を配線基板に内蔵させる場合には、段差が発生しやすくなるため、基板表面の平滑性を確保しにくくなるおそれがある。

上記電子部品は、金属電極及び誘電体部に加えて、さらに支持体層を備えていてもよい。このような層があると、電子部品の剛性が高くなるため、金属電極や誘電体部に割れ等を生じさせることなく、電子部品を部品単体として取り扱うことが容易になる。このような支持体層の材質は特に限定されず、例えば樹脂、金属、セラミック等のなかから任意に選択可能である。なお、金属電極を厚く形成することで、それを実質的に支持体層として機能させてもよい。

上記電子部品を構成する金属電極は、導電性に優れた材料を用いて形成されることが好ましく、具体的には、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステン等から選択される１種または２種以上の合金を用いて形成されることがよい。電子部品が焼成工程を経て製造されるものである場合、例えばニッケルを用いて金属電極を形成することが好ましい。ニッケルは比較的安価な材料であることに加え、比較的融点が高いため高誘電率セラミックとの同時焼結が可能だからである。また、電子部品が焼成工程を経ないで製造されるか、または比較的低い温度での焼成工程を経て製造される場合、例えば銅や銀を用いて金属電極を形成することが好ましい。銅や銀は高い導電性を有しており、電極用材料として好適だからである。

金属電極の厚さは、例えば０．１μｍ以上５０μｍ以下であることがよく、好ましくは０．２μｍ以上２０μｍ以下であることがよい。金属電極が薄すぎると、電気的信頼性を確保しにくくなるおそれがあるからである。一方、金属電極が厚くなりすぎると、部品全体の厚さが厚くなるおそれがあるからである。

上記電子部品を構成する誘電体部は、誘電率の高い無機物（例えば誘電体セラミックなど）を主成分とする。ここで誘電体セラミックとは、誘電率が高いセラミック（比誘電率が１０以上のセラミックと定義する。）のことをいい、例えば、ペロブスカイト型結晶構造を有した複合酸化物がこれに該当する。かかる複合酸化物の具体例としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物を挙げることができる。

上記電子部品における誘電体部は、主面の一部が金属電極から露出するとともに、少なくともその露出部分には形成された凸部を有している。なお、凸部は露出部分にのみ形成されていてもよいが、むしろ主面の全体にわたって形成されていることが好ましい。即ち、主面における露出部分でない部分（非露出部分）については、その上に金属電極が設けられており、それゆえ複数の凸部間の空隙内に金属電極の一部が入り込んでいる。従って、誘電体部と金属電極との界面にも強固な物理的結合力が得られる。よって、電子部品内の層間における密着性を向上することができる。

ここで凸部は、オーバーハング形状を呈していること、言い換えると主面から張り出した形状を呈していることが好ましい。その理由は、このような形状の凸部は、密着性向上のための好適なアンカーとして機能しうるからである。つまり、凸部同士の間に空隙が生じるため、その空隙内に配線基板の構成材料の一部が入り込んで、嵌合状態となりやすいからである。

前記誘電体部は、ほぼ一定の厚みを有する誘電体層と、その誘電体層の表面（即ち露出部分側）に位置する複数の前記凸部からなる凹凸層とをを含むものであると把握することができる。凹凸層は、例えば、金属やセラミックなどの無機物により構成されることがよい。凹凸層に使用可能な金属としては、例えば、銀、金、白金、銅、チタン、鉄、鉛、スズ、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステン等がある。また、凹凸層に使用可能なセラミックとしては、例えば、アルミナ、窒化珪素、窒化ほう素、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどがある。

この場合、凸部を構成する無機物としては、誘電体層を構成する無機物と実質的に同材料を選択することが好ましい。その理由は、誘電体層を構成する無機物とは異なる材料を選択した場合に比べて、より強固な化学的結合性が得られるため、確実に密着性を向上できるからである。なお「誘電体層と実質的に同材料」とは、誘電体層を構成する無機物と成分が全く同じ無機物材料のことをいうほか、誘電体層を構成する無機物と主成分が共通している無機物材料なども含むものとする。従って、誘電体層が例えばチタン酸バリウムを主成分とする場合、凹凸層を構成する無機物はチタン酸バリウムを主成分として含むものであることが好適ということになる。

前記凹凸層は、表面粗さＲａが０．２μｍよりも大きくて有効厚みが１０μｍ以下の無機物アンカー層であることが好ましい。この構成によれば、無機物アンカー層の表面粗さＲａがこの値以下であると、密着性改善につながる好適なアンカー層とはならず、十分な物理的密着力が得にくくなるからである。ここで、本明細書で述べられている表面粗さＲａの定義はＪＩＳ Ｂ０６０１に、その測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１に準じるものとする。

また、無機物アンカー層の有効厚みは１０μｍ以下（ただし０μｍは除く）に設定され、好ましくは５μｍ以下（ただし０μｍは除く）、より好ましくは３μｍ以下（ただし０μｍは除く）に設定される。無機物アンカー層が誘電体材料からなるため、誘電体として機能する厚さが実質的に増えてしまうため、例えば電子部品がコンデンサ等の場合に静電容量が低下してしまうからである。さらに、配線基板の構成材料を無機物アンカー層の底部まで確実に入り込ませることが困難になるからである。無機物アンカー層の有効厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、特に好ましくは１μｍ以上に設定される。その理由は、無機物アンカー層が薄すぎると、好適な表面粗さＲａを実現しにくくなるからである。ここで無機物アンカー層の有効厚みとは、厚み方向に垂直な無機物アンカー層のプロファイルに関してＪＩＳ Ｂ０６０１で定義される山と谷とがそれぞれ１０点以上含まれる任意の断面領域における、最大山高さと最大谷深さとの和を指すものとする。なお、谷の底部側を基準面とした場合の山側を、本明細書中では凸部としている。

無機物アンカー層における無機物の平均粒径は０．３μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上であることがよい。その理由は、無機物の平均粒径が小さすぎると、好適な形状の無機物アンカー層が形成されにくくなり、配線基板の構成材料との嵌合性を高くすることが困難になるからである。なお、好適な形状の無機物アンカー層を確実にかつ均一に得るためには、無機物の平均粒径を凹凸層の厚さ以下にすることが好ましい。

無機物アンカー層を構成する無機物の量は、５体積％以上８０体積％以下であることが好ましい。その理由は、無機物の量が多すぎても少なすぎても、十分な密着性が得られなくなるおそれがあるからである。

誘電体層の厚さは、例えば０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることがよく、好ましくは０．１μｍ以上５μｍ以下であることがよい。例えば、電子部品がコンデンサである場合、誘電体層が薄いことは高容量化にとって好ましいが、その反面でこれが薄くなりすぎると、金属電極間の絶縁を確保しにくくなるおそれがあるからである。一方、誘電体層が厚くなりすぎると、高容量化の達成が困難になるばかりでなく、部品全体の厚さが厚くなるおそれがあり、柔軟性の欠如に起因して取扱性が低下するおそれもあるからである。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、樹脂絶縁層に接するようにして電子部品が設けられた配線基板において、前記電子部品は、主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備え、前記誘電体部は前記主面の一部が前記金属電極から露出するとともに、その露出部分に複数の凸部が形成された構造であり、前記樹脂絶縁層は、その一部が前記複数の凸部間の空隙内に入り込んでいることを特徴とする電子部品付き配線基板がある。

従って、この手段２にかかる電子部品付き配線基板によれば、電子部品の主面における露出部分に凸部があることから、実装された電子部品の複数の凸部の空隙内には、構成材料の一部が入り込む。ゆえに、複数の凸部と構成材料とが互いに嵌り合った状態となる結果、誘電体部と構成材料との界面に強固な物理的結合力が得られる。よって、電子部品と配線基板との密着性が向上し、信頼性の高い電子部品付き配線基板を実現することができる。

上記配線基板は、例えばコア基板上に絶縁層及び導体層を形成した構成を有している。コア基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。コア基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。樹脂基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。前記セラミック基板の具体例としては、例えば、アルミナ基板、ベリリア基板、ガラスセラミック基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる基板などがある。前記金属基板の具体例としては、例えば、銅基板や銅合金基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の金属の合金からなる基板などがある。

コア基板上に形成される好適な絶縁層としては、樹脂絶縁層を挙げることができる。その理由は、樹脂製の絶縁層は電子部品の支持体として好ましいため、電子部品を埋め込んだ構造を実現しやすくなるからである。樹脂絶縁層は、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成される。

導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、コア基板上や絶縁層上にパターン形成される。導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。なお、コア基板の片面または両面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されていてもよい。

上記電子部品付き配線基板において、電子部品は、配線基板の表面にて露出した状態で実装されていてもよく、配線基板の内部に埋め込まれた状態で実装されていてもよい。後者の実装態様を採る場合には、電子部品をコア基板内に埋め込む構造、電子部品をコア基板と絶縁層との間に埋め込む構造、電子部品を絶縁層内に埋め込む構造のいずれにしてもよい。この場合、併せて他の電子部品である抵抗素子やインダクタ等を配線基板の内部に埋め込むようにしてもよい。

なお、前者の実装態様と比較した場合の後者の実装態様の利点としては、以下のようなことがある。例えば、当該電子部品が配線基板内に埋め込まれた結果、配線基板表面上の部品実装可能領域が増えるため、そこに他の電子部品を実装することが可能となる。ここで、上記の他の電子部品としては、例えば、半導体集積回路チップ、チップトランジスタ、チップダイオード等の能動部品や、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップコイル等の受動部品を挙げることができる。

上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備え、前記誘電体部は前記主面の一部が露出するとともに、その露出部分には凸部が形成されている電子部品の製造方法であって、誘電体層となるべき未焼結誘電体層上に、金属粉と無機物粉とを含有する混合層を配置する層配置工程と、前記未焼結誘電体層及び前記混合層を加熱して焼結させることにより、前記誘電体層及び前記凸部からなる前記誘電体部を形成し、かつ前記金属電極を形成する焼成工程と、前記金属電極の一部を除去することにより、前記凸部を露出させる金属除去工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法がある。

従って、この手段３にかかる製造方法によると、層配置工程を経て未焼結誘電体層上に配置された混合層を、焼成工程で加熱して焼結させることにより、金属電極が形成されるとともに、誘電体層及び凸部からなる誘電体部が形成される。このようにして形成される凸部は、無機物からなるものであって、好適な形状を有する。そして金属除去工程で金属電極の一部を除去することにより、凸部が金属電極から露出する。以上のことから、配線基板との密着性に優れる電子部品を確実に製造することができる。

以下、上記手段３にかかる電子部品の製造方法について説明する。

層配置工程では、誘電体層となるべき未焼結誘電体層上に、金属粉と無機物粉とを含有する混合層を配置する。誘電体層となるべき未焼結誘電体層としては、例えば、誘電体粉を含有する未焼結誘電体層形成用ペーストを材料として用いて、これを塗布及び乾燥して形成されたものなどが用いられる。誘電体粉としては、上述したチタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物などが、好適である。このほか、誘電体粉を含有するグリーンシート（未焼結誘電体グリーンシート）を未焼結誘電体層として用いてもよい。このような未焼結誘電体グリーンシートは、誘電体粉を含有するスラリーをシート状にキャスティングする手法により比較的簡単に得ることができる。この手法の利点は、ペーストを用いた手法に比べて、薄くて均一な厚さの誘電体層が効率よく得られることにある。よって、ショート不良やキャパシタンスのばらつきの低減を達成しやすくなる。

混合層は金属粉と無機物粉とを含有する層であり、具体例としては、金属粉と無機物粉とを含有するグリーンシート（未焼結混合層グリーンシート）を挙げることができる。このような未焼結混合層グリーンシートは、金属粉と無機物粉とを含有するスラリーをシート状にキャスティングする手法により比較的簡単に得ることができる。これ以外の混合層としては、例えば、金属粉と無機物粉とを含有する混合層形成用ペーストを材料として用いて、これを塗布及び乾燥して形成された層であってもよい。無機物粉としては誘電体粉が好適であり、とりわけ上述したチタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物などが好ましい。

次に、必要に応じて脱脂工程を行った後、焼成工程を行う。焼成工程では、未焼結誘電体層及び混合層を加熱して焼結させる。その結果、金属電極が形成されるとともに、誘電体層及び凸部からなる誘電体部が形成される。詳細にいうと、焼結した未焼結誘電体層により誘電体層が形成される。また、焼結した混合層のうち、複数の金属粉同士の凝集によってできる金属層が金属電極となり、複数の無機物粉同士の凝集によってできる無機物層が複数の凸部（凹凸層）となる。

次に、金属除去工程を行って金属電極の一部を除去し、凸部を金属電極から露出させる。凸部から金属電極の一部を除去する手法としては、例えば、化学エッチング処理が好適である。このような処理によれば、金属電極の一部を除去する際に凸部に物理的なストレスが加わらないため、除去後においても好適なアンカー形状を維持することができる。そして、このことは密着性の改善にとって好ましいと考えられる。

上記課題を解決するための別の手段（手段４）としては、主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備え、前記主面の一部が露出するとともに、その露出部分に凸部が形成されている電子部品の製造方法であって、粗化された表面を有する金属体上に、前記誘電体部となるべき未焼結誘電体部を形成する未焼結誘電体部形成工程と、前記未焼結誘電体部を加熱して焼結させることにより、誘電体からなる凸部を主面上に有する前記誘電体部を形成する焼成工程と、前記金属電極となるべき前記金属体の一部を除去することにより、前記凸部を露出させる金属除去工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法がある。

そして、この手段４にかかる製造方法によると、粗化面を有する金属体上に対して未焼結誘電体部形成工程で未焼結誘電体部を形成し、さらにそれを焼成工程で加熱して焼結させることにより、金属電極が形成されるとともに、誘電体層及び凸部からなる誘電体部が形成される。このとき、粗化面の凹部に埋まり込んでいた誘電体粉が焼結することで、誘電体部の主面上に誘電体からなる好適な形状の凸部が形成される。そして金属除去工程で金属体の一部を除去することにより、凸部が金属電極から露出する。以上のことから、配線基板との密着性に優れる電子部品を確実に製造することができる。

なお、金属電極となるべき金属体の表面を粗化する方法としては、サンドブラスト、ショットブラスト、バフ研磨といった砥粒加工等や、スクラッチ加工等のような物理的粗化方法があるほか、エッチング処理等のような化学的粗化方法がある。これらの方法は、いずれも金属体の表面の一部を除去する方法であるが、逆に金属体の表面に金属粒子を微視的にまばらに付着させることにより、粗化を行ってもよい。また、金型を用いた粗面転写加工等により粗化を行ってもよい。
上記課題を解決するための別の手段（手段５）としては、主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備え、前記主面の一部が露出するとともに、その露出部分に凸部が形成されている電子部品の製造方法であって、無機物粉を含有する凸部形成用材料を、誘電体層となるべき未焼結誘電体層の表面上に付着させる材料付着工程と、前記未焼結誘電体層及び前記凸部形成用材料を加熱して焼結させることにより、前記誘電体層及び前記凸部からなる前記誘電体部を形成する焼成工程と、前記凸部を露出させた状態で前記金属電極を形成する金属形成工程とを含むことを特徴とする電子部品の製造方法がある。
そして、この手段５にかかる製造方法によると、材料付着工程後に焼成工程で加熱焼結することにより、誘電体層及び凸部からなる誘電体部が形成される。このようにして形成される凸部は、無機物からなるものであって、好適な形状を有する。そして金属形成工程を行うと、金属電極が形成され、その金属電極から凸部が露出した状態となる。以上のことから、配線基板との密着性に優れる電子部品を確実に製造することができる。
この場合、材料付着工程の後に、凸部形成用材料上に、金属粉を含有する金属電極形成用ペーストを塗布するペースト塗布工程と、前記未焼結誘電体層、前記凸部形成用材料及び金属電極形成用ペーストを加熱して焼結させることにより、前記誘電体層、前記凸部及び前記金属電極を形成する焼成工程とを行うようにしてもよい。

［第１の実施形態］

以下、本発明を具体化した第１実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を図１〜図８に基づき説明する。

図１に示されるように、このセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１は、ガラスエポキシからなるコア基板７２上に、ビルドアップ層７３を形成してなるものである。ビルドアップ層７３は、同じくエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４（いわゆる層間絶縁層）を４層備えている。樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４同士の界面には、銅からなる導体層９１，９２，９３がパターン形成されている。また、最表層の樹脂絶縁層８４の表面上における複数箇所には、銅にニッケル−金めっきを被覆した端子パッド９４が形成されている。樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４内には、それぞれビア導体９６が設けられている。これらのビア導体９６のほとんどは同軸上に配置されるとともに、それらを介して導体層９１，９２，９３及び端子パッド９４が相互に電気的に接続されている。

ビルドアップ層７３の内部（具体的には第１層の樹脂絶縁層８１と第２層の樹脂絶縁層８２との界面）には、図２に示すセラミックコンデンサ１０（電子部品）が、埋め込んだ状態で実装されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０はチタン酸バリウムからなる誘電体部１４０を１層備えている。誘電体部１４０の構成要素である誘電体層２１の表面側の全域、及び裏面側の全域には、同じくチタン酸バリウムからなる多数の無機物アンカー５１を有する凹凸層１４１，１４２が形成されている。凹凸層１４１，１４２も誘電体部１４０の構成要素である。このような無機物アンカー５１は、オーバーハング形状を呈している凸部であると把握することができる。そして、第１主面１１７側の凹凸層１４１上には第１ニッケル電極１１（金属電極）が形成され、第２主面１１８側の凹凸層１４２上には第２ニッケル電極３１（金属電極）が形成されている。

本実施形態では、誘電体層２１の厚さは約４μｍに設定されている。この誘電体層２１は、厚さばらつきが±０．５μｍ程度であって、比較的均一な厚さを有している。凹凸層１４１，１４２の有効厚みは約４μｍに設定されるとともに、誘電体粒子の平均粒径が約０．５μｍであって、表面粗さＲａが０．３μｍ〜０．５μｍ程度に設定されている。凹凸層１４１，１４２を構成する誘電体の量は約３０体積％となっている。また、第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１の厚さは約６μｍに設定されている。

図１に示されるように、第１ニッケル電極１１は配線基板実装時に上向きの状態となるため、第２層の樹脂絶縁層８２内にあるビア導体９６に電気的に接続されている。一方、第２ニッケル電極３１は配線基板実装時に下向きの状態となる。しかし、第２ニッケル電極３１の端部には第１主面１１７側に到るビア接続部４１が形成されているため、そのビア接続部４１に第２層の樹脂絶縁層８２内にあるビア導体９６が電気的に接続されている。

図２に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０の場合、第１主面１１７側に位置する第１ニッケル電極１１の所定箇所に、第１ニッケル電極１１の表裏を連通させる連通部１５２が設けられている。また、第２主面１１８側に位置する第２ニッケル電極３１の所定箇所に、第２ニッケル電極３１の表裏を連通させる連通部１５１が設けられている。これらの連通部１５１，１５２を設けたことにより、第１主面１１７の一部が第１ニッケル電極１１から露出し、第２主面１１８の一部が第２ニッケル電極３１から露出している。そして、第１主面１１７側の露出部分には凹凸層１４１が存在し、第２主面１１８側の露出部分には凹凸層１４２が存在している。底部に凹凸層１４１が存在する連通部１５２の内部全体には、第２層の樹脂絶縁層８２の一部が入り込んでいる。微視的に見ると、凹凸層１４１における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙内にも第２層の樹脂絶縁層８２の一部が入り込んでいて、嵌合状態となっている。底部に凹凸層１４２が存在する連通部１５１の内部全体には、第１層の樹脂絶縁層８１の一部が入り込んでいる。微視的に見ると、凹凸層１４２における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙内にも第１層の樹脂絶縁層８１の一部が入り込んでいて、嵌合状態となっている。

そして、このような構成のセラミックコンデンサ１０に通電を行い、第１ニッケル電極１１−第２ニッケル電極３１間に所定の電圧を加えると、一方の電極にプラスの電荷が蓄積し、他方の電極にマイナスの電荷が蓄積するようになっている。

次に、このセラミックコンデンサ１０の製造方法を図３〜図８に基づいて説明する。
（１）未焼結誘電体グリーンシート２２の作製

まず以下の手順で誘電体スラリーを調製した。平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）、エタノールとトルエンとの混合溶剤、分散剤、可塑剤、有機バインダをポットで湿式混合することにより、未焼結誘電体グリーンシート２２を形成する際の出発材料となる誘電体スラリーを得る。このとき、各成分の配合比率を適宜変更することにより、誘電体スラリーを約０．５Ｐａ・ｓの粘度（リオン株式会社製ビスコテスター ＶＴ−０４型粘度計 Ｎｏ．１ロータ ６２．５ｒｐｍ １分値 ２５℃で測定した粘度をいう。）に調製する。次に、この誘電体スラリーを用いて未焼結誘電体グリーンシート２２の形成を以下のように行う。即ち、所定幅のＰＥＴフィルムのロールを用意して、このロールをキャスティング装置の供給側にセットし、ドクターブレード法やリップコーティーングなどの従来周知の手法によりＰＥＴフィルムの上面に誘電体スラリーを薄く均一な厚さでキャスティング（塗工）する。その後、シート状にキャスティングされた誘電体スラリーをキャスティング装置の供給側と巻き取り側との間に配置されているヒータで加熱乾燥し、厚さ７μｍの未焼結誘電体グリーンシート２２（誘電体層２１となるべき未焼結誘電体層）を形成する。
（２）未焼結混合層グリーンシート４２の作製

まず以下の手順で未焼結混合層スラリーを調製する。平均粒径０．７μｍのニッケル粉（金属粉）と、平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）とを体積比が７：３となるように秤量し、これにエタノールとトルエンとの混合溶剤、分散剤、可塑剤、有機バインダを添加する。これをポットで湿式混合することにより、未焼結混合層グリーンシート４２を形成する際の出発材料となる未焼結混合層スラリーを得る。このとき、各成分の配合比率を適宜変更することにより、未焼結混合層スラリーを約０．５Ｐａ・ｓの粘度（リオン株式会社製ビスコテスター ＶＴ−０４型粘度計 Ｎｏ．１ロータ ６２．５ｒｐｍ １分値 ２５℃で測定した粘度をいう。）に調製する。次に、この未焼結混合層スラリーを用いて未焼結混合層グリーンシート４２の形成を以下のように行う。即ち、所定幅のＰＥＴフィルムのロールを用意して、このロールをキャスティング装置の供給側にセットし、ドクターブレード法やリップコーティーングなどの従来周知の手法によりＰＥＴフィルムの上面に未焼結混合層スラリーを薄く均一な厚さでキャスティング（塗工）する。その後、シート状にキャスティングされた未焼結混合層スラリーをキャスティング装置の供給側と巻き取り側との間に配置されているヒータで加熱乾燥し、厚さ７μｍの未焼結混合層グリーンシート４２を形成する。また、本実施形態では、作製した未焼結混合層グリーンシートを、第２ニッケル電極３１となる電極形成用シート３２（電極形成用材料）としても用いている。
（３）未焼結積層体５０の作製

厚さ３０μｍのニッケル箔１２を用意するとともに、そのニッケル箔１２を打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する。また、未焼結混合層グリーンシート４２及び電極形成用シート３２についても、同様の手段を用いて同じ大きさに切断する。なお、誘電体グリーンシート２２については、他のものよりも一回り小さくなるように切断する。その理由は、未焼結混合層グリーンシート４２と電極形成用シート３２とを端面にて圧着させておくことで、後にビア接続部４１を形成するためである。そしてまず、ニッケル箔１２上にＰＥＴフィルム付きの未焼結混合層グリーンシート４２を積層配置し、従来周知のラミネート装置を用いて８０℃で５００ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、仮圧着させる（図３参照）。ＰＥＴフィルムを剥離した後、その剥離面上に未焼結誘電体グリーンシート２２を積層配置し、前記ラミネート装置を用いて８０℃で２５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、仮圧着させる（図３参照）。ＰＥＴフィルムを剥離した後、その剥離面上に電極形成用シート３２を積層配置し、前記ラミネート装置を用いて８０℃で７５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、本圧着させる（図３参照）。この後、ＰＥＴフィルムを剥離して未焼結積層体５０を得る。この未焼結積層体５０では、ニッケル箔１２、未焼結混合層グリーンシート４２（混合層４０）、未焼結誘電体グリーンシート２２（誘電体層２１となるべき未焼結誘電体層）及び電極形成用シート３２（混合層４０）が積層配置された状態となっている。
（４）脱脂、同時焼成

次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。この焼成により、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、ニッケル箔１２、第１ニッケル電極１１、誘電体層２１の表裏に凹凸層１４１，１４２を有する誘電体部１４０、第２ニッケル電極３１の順で積層された所望構造の焼結体６０が得られる（図４参照）。
（５）第２主面１１８側における連通部１５１の形成

次に、焼結体６０の第１主面１１７側を覆う図示しない第１主面側エッチングレジストを設けるとともに、第２主面１１８側を覆う図示しない第２主面側エッチングレジストを設ける。第２主面側エッチングレジストについては、連通部１５１に対応する箇所に開口部を設けておく。この状態で、ニッケルを溶解するエッチャントを用いて焼結体６０の第２主面１１８側を化学エッチング処理する。このようなエッチャントとして、本実施形態では塩化第２鉄の４０重量％水溶液を用いているが、これとは異なる組成のエッチャントを用いることも勿論可能である。そしてこの処理により、連通部１５１を形成し、第２主面１１８上にある凹凸層１４２の一部を第２ニッケル電極３１から露出させる（図５参照）。このような化学エッチング処理によれば、第２ニッケル電極３１の一部を除去する際に凹凸層１４２に物理的なストレスが加わらない。そのため、除去後においても、無機物アンカー（凸部）５１の好適なアンカー形状を維持することができる。そして、このことは密着性の改善に貢献する。
（６）第１層の樹脂絶縁層８１の形成、部品実装

次に、導体層９０及び第１層の樹脂絶縁層８１が形成されたコア基板７２を用意し、その第１層の樹脂絶縁層８１上に、第１主面１１７側を上向きにした前記焼結体６０を搭載する（図６参照）。

より詳細にいうと、第１層の樹脂絶縁層８１を形成するための未硬化のフィルム材を用意し、それをラミネータ等でコア基板７２の表面上に貼付する。前記フィルム材としては、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂からなるものが好適である。次いで、図５の状態の焼結体６０をフィルム材上に搭載し、所定の圧力で押し付ける。この時点では、まだフィルム材は未硬化であるため、焼結体６０をフィルム材内に容易に埋め込むことができる。この場合の埋込深さは、焼結体６０全体の厚さの半分程度に設定されることがよい。次に、加熱を行ってフィルム材を硬化させ、第１層の樹脂絶縁層８１に焼結体６０を支持固定させる。

ところで、下向きに配置された第２主面１１８においては、多数の微細な無機物アンカー（凸部）５１からなる凹凸層１４２の一部が露出しているため、その凹凸層１４２における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙に対して第１層の樹脂絶縁層８１が埋まり込む。その結果、焼結体６０の第２主面１１８が第１層の樹脂絶縁層８１に強固に密着する。
（７）第１主面１１７側におけるニッケル箔１２の除去、連通部１５２の形成

次に、ニッケルを溶解するエッチャント（本実施形態では塩化第２鉄の４０重量％水溶液）を用いて、焼結体６０の第１主面１１７側を所定厚さ分だけ化学エッチング処理する。この処理により、まずニッケル箔１２を全て除去する。次に、連通部１５２に対応する箇所に開口部を有するエッチングレジストを第１ニッケル電極１１上に設け、この状態で同様に化学エッチング処理を行う。この処理により、連通部１５２を形成し、第１主面１１７側にある凹凸層１４１の一部を第１ニッケル電極１１から露出させることで、セラミックコンデンサ１０を完成させる（図７参照）。このような化学エッチング処理によれば、第１ニッケル電極１１の一部を除去する際に凹凸層１４１に物理的なストレスが加わらない。そのため、除去後においても、無機物アンカー（凸部）５１の好適なアンカー形状を維持することができる。そして、このことは密着性の改善に貢献する。
（８）第２層から第５層の樹脂絶縁層８２，８３，８４の形成

従来周知の手法に従って、第１層の樹脂絶縁層８１におけるビア導体９６の形成や導体層９１の形成を行う。次いで、第１層の樹脂絶縁層８１上に上記の未硬化のフィルム材をラミネータ等で貼付した後、熱硬化させて第２層の樹脂絶縁層８２とする。この時点でセラミックコンデンサ１０が完全に埋め込まれる（図８参照）。第１主面１１７においては、多数の微細な無機物アンカー（凸部）５１からなる凹凸層１４１の一部が露出しているため、その凹凸層１４１における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙に対して第２層の樹脂絶縁層８２が埋まり込む。その結果、セラミックコンデンサ１０の第１主面１１７が第２層の樹脂絶縁層８２に強固に密着する。

次に、第２層の樹脂絶縁層８２に対するビア穴あけを行った後、さらに銅めっきまたは銅ペーストの充填、印刷等を行って、ビア導体９６を形成するとともに、第２層の導体層９２を形成する。この後、同様の手法により、第３層及び第４層（最表層）の樹脂絶縁層８３，８４の形成を行い、図１のセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を完成させる。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態のセラミックコンデンサ１０には、第１主面１１７側における露出部分に凹凸層１４１が設けられ、第２主面１１８側における露出部分に凹凸層１４２が設けられている。第１層の樹脂絶縁層８１の一部は、凹凸層１４２における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙に入り込んで、凹凸層１４２と互いに嵌り合った状態になっている。また、第２層の樹脂絶縁層８２の一部は、凹凸層１４１における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙に入り込んで、凹凸層１４１と互いに嵌り合った状態になっている。以上の結果、誘電体部１４０と樹脂絶縁層８１，８２との界面に強固な物理的結合力が得られる。よって、セラミックコンデンサ１０と配線基板との密着性が向上し、クラックの原因となる隙間が生じにくくなる。それゆえ、信頼性の高いセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を実現することができる。

（２）また、本実施形態の製造方法によれば、誘電体グリーンシート２２上に配置された未焼結混合層グリーンシート４２を焼成工程で加熱して焼結させることにより、誘電体部１４０、第１ニッケル電極１１、第２ニッケル電極３１が形成される。このとき、誘電体部１４０の第１主面１１７及び第２主面１１８の上には、多数の微細な無機物アンカー（凸部）５１からなる好適な形状（即ちオーバーハングした凸部を有する形状）の凹凸層１４１，１４２が形成される。そして第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１の一部をそれぞれ化学エッチング処理で除去して、連通部１５１，１５２が形成される。そしてこの化学エッチング処理することにより、好適なアンカー形状を維持したまま複数の無機物アンカー（凸部）５１を露出させることができる。以上のことから、配線基板との密着性に優れるセラミックコンデンサ１０を確実に製造することができる。
［第２の実施形態］

次に、第２実施形態のセラミックコンデンサ１０の製造方法を図９に基づいて説明する。ここでは、混合層４０を形成するにあたり、未焼結混合層グリーンシート４２ではなく混合層形成用ペースト６３を用いる点で、第１実施形態の製造方法と異なっている。
（１）未焼結誘電体グリーンシート２２の作製

基本的に上記実施形態１の手法に従い、厚さ７μｍの未焼結誘電体グリーンシート２２（誘電体層２１となるべき未焼結誘電体層）を形成する。
（２）混合層形成用ペースト６３の調製

平均粒径０．７μｍのニッケル粉（金属粉）と、平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）とを体積比が７：３となるように秤量し、これに分散剤、可塑剤を加える。これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で３本ロールで混合し、混合層６２を形成する際の出発材料となる混合層形成用ペースト６３を得る。また、本実施形態では、作製した混合層形成用ペースト６３を、第２ニッケル電極３１となる電極形成用ペースト（電極形成用材料）としても用いている。
（３）未焼結積層体５０の作製

後に第１ニッケル電極１１となるべき金属層として、厚さ３０μｍのニッケル箔１２を用意するとともに、そのニッケル箔１２を打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する。また、未焼結誘電体グリーンシート２２も同様の手段を用いて所定の大きさに切断する。そしてまず、ニッケル箔１２上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いて混合層形成用ペースト６３を印刷塗布する。このときの塗布厚みは、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。次いで、８０℃で乾燥し、混合層形成用ペースト層である混合層４０を形成する。次いで、混合層４０上に未焼結誘電体グリーンシート２２を積層配置し、前記ラミネート装置を用いて８０℃で７５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、本圧着させる（図９参照）。次いで、ＰＥＴフィルムを剥離した後、その剥離面上に電極形成用ペースト（混合層形成用ペースト６３）を５μｍ〜８μｍほど印刷塗布する。そして、８０℃で乾燥して電極形成用の混合層４０を形成し、未焼結積層体５０とする。この未焼結積層体５０では、ニッケル箔１２、混合層４０、未焼結誘電体グリーンシート２２（誘電体層となるべき未焼結誘電体層）、電極形成用の混合層４０が積層配置された状態となっている。
（４）脱脂、同時焼成

次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、ニッケル箔１２、第１ニッケル電極１１、第１主面１１７側及び第２主面１１８側に凹凸層１４１，１４２をそれぞれ有する誘電体層２１、第２ニッケル電極３１の順で積層された所望構造の焼結体６０が得られる。そしてこの後、第１実施形態にて述べた（５）〜（８）の作業を実施し、セラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を完成させる。

従って、本実施形態においても上記第１実施形態と同様の作用効果が奏される。つまり、配線基板との密着性に優れるセラミックコンデンサ１０を確実に製造することができ、信頼性の高いセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を実現することができる。
［第３の実施形態］

次に、図１０に基づいて第３実施形態であるセラミックコンデンサ内蔵配線基板を詳細に説明する。

この実施形態におけるセラミックコンデンサ１１０は、上記第１及び第２実施形態とは異なり、誘電体部１４０を２層有している。上側の誘電体部１４０と下側の誘電体部１４０とは、接続部１８１により互いに接続されている。上側の誘電体部１４０と下側の誘電体部１４０との間には、第２ニッケル電極３１が配置されている。上側の誘電体部１４０の上面には無機物アンカー（凸部）５１からなる凹凸層１４１が形成され、その凹凸層１４１上には上側の第１ニッケル電極１１が形成されている。一方、下側の誘電体部１４０の下面には無機物アンカー（凸部）５１からなる凹凸層１４２が形成され、その凹凸層１４２上には下側の第１ニッケル電極１１が形成されている。上側及び下側の第１ニッケル電極１１は、接続部１８２により互いに接続されていて、実質的に１つの電極として機能するようになっている。
なお、第２ニッケル電極３１と各誘電体部１４０についても、無機物アンカー（凸部）５１からなる凹凸層１４１，１４２を介して密着性の向上を図ってもよい。本実施形態においては、接続部１８１により一体化された上下の誘電体部１４０，１４０により、第２ニッケル電極３１が挟み込まれた構造となっているため、十分な耐剥離性が確保されている。

上側の第１ニッケル電極１１には連通部１５２が設けられ、その連通部１５２により凹凸層１４１の一部が露出されている。下側の第１ニッケル電極１１には連通部１５１が設けられ、その連通部１５１により凹凸層１４２の一部が露出されている。そして第１層の樹脂絶縁層８１の一部は、凹凸層１４２における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙に入り込むことで、凹凸層１４２と互いに嵌り合った状態になっている。第２層の樹脂絶縁層８２の一部は、凹凸層１４１における無機物アンカー（凸部）５１間の空隙に入り込むことで、凹凸層１４１と互いに嵌り合った状態になっている。

従って、本実施形態においても上記第１実施形態と同様の作用効果が奏される。つまり、誘電体部１４０と樹脂絶縁層８１，８２との界面に強固な物理的結合力が得られる結果、セラミックコンデンサ１１０と配線基板との密着性が向上し、クラックの原因となる隙間が生じにくくなる。それゆえ、信頼性の高いセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を実現することができる。また、無機物アンカー（凸部）５１を有する複数の誘電体部１４０が積層されているため、樹脂絶縁層と嵌り合う部分が確保でき、より隙間が生じにくくなる。
［第４の実施形態］

次に、図１１〜図１４に基づいて第４実施形態であるセラミックコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を詳細に説明する。

ここでは、第１主面１１７側の凹凸層１４１を形成するにあたり、粗化されたニッケル箔１２を用いている点で異なっている。
（１）ニッケル箔１２の粗化

厚さ３０μｍのニッケル箔１２（金属体）を用意するとともに、そのニッケル箔１２を打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する（図１１参照）。次に、そのニッケル箔１２をエッチング液で所定時間処理することにより、微細な凹凸部２３２を有する粗化面２３１をニッケル箔１２に形成する（図１２参照）。なお、このような手法に代えて、湿式または乾式でのブラスト処理（サンドブラストやショットブラストなど）を行うようにしてもよい。
（２）未焼結誘電体部形成用ペーストの調製

平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉（誘電体粉）に分散剤、可塑剤を加え、これをターピネオールを分散媒として３本ロールで混合し、未焼結誘電体部形成用ペースト層２２２（未焼結誘電体部）を形成する際の出発材料となる未焼結誘電体部形成用ペーストを得る。
（３）未焼結積層体５０の作製

ニッケル箔１２の粗化面２３１上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いて未焼結誘電体部形成用ペーストを印刷塗布する。このときの塗布厚み（粗化面２３１を基準としたときの塗布層の厚み）は、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。ペースト印刷塗布を行うと、粗化面２３１の凹凸部２３２内に未焼結誘電体部形成用ペーストが埋まり込んだ状態となる。この部分のペーストは、後に凹凸層１４１となる。次いで、８０℃で乾燥し、未焼結誘電体部形成用ペースト層２２２を形成する。次いで、未焼結誘電体部形成用ペースト層２２２上に電極形成用シート３２を積層配置し、前記ラミネート装置を用いて８０℃で７５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、本圧着させる（図１３参照）。次いで、ＰＥＴフィルムを剥離し、未焼結積層体５０とする。この未焼結積層体５０は、ニッケル箔１２（金属体）、未焼結誘電体部形成用ペースト層２２２（未焼結誘電体部）、及び電極形成用シート３２をこの順序で積層配置した状態となっている（図１３参照）。
（４）脱脂、同時焼成等

次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃の還元雰囲気中にて所定時間焼成する。この焼成により、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、ニッケル箔１２からなる第１ニッケル電極１１、第１主面１１７側及び第２主面１１８側にそれぞれ凹凸層１４１，１４２を有する誘電体部１４０、第２ニッケル電極３１の順で積層された所望構造の焼結体６０が得られる。そしてこの後、第１実施形態にて述べた（５）〜（８）の作業を実施し、セラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を完成させる。

従って、本実施形態においても上記第１実施形態と同様の作用効果が奏される。つまり、配線基板との密着性に優れるセラミックコンデンサ１０を確実に製造することができ、信頼性の高いセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を実現することができる。

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。

・例えば、上記第１実施形態などでは、混合層４０の焼成により得られる金属層の部分を、第２ニッケル電極３１（金属電極）として用いていたが、その金属層をいったん剥離したうえで、めっきやスパッタリング等により新たに導電金属層を形成し、これを第２ニッケル電極３１としてもよい。この場合の導電金属層としては、例えば、ニッケル層、銅層、銀層、アルミニウム層等が好適である。

・上記第１〜第４実施形態では、セラミックコンデンサ１０，１１０を第１層の樹脂絶縁層８１と第２層の樹脂絶縁層８２との界面に埋め込むようにして実装を行ったが、例えば、最表層の樹脂絶縁層８４上にこれを実装するようにしてもよい。

・上記第１実施形態等では、既にほぼ完成品となっているセラミックコンデンサ１０を樹脂絶縁層上に実装する製造方法を例示しているが、以下のようにしてもよい。まず、第１主面１１７側にのみ金属電極を有し、第２主面１１８側に金属電極を有しない未完成のセラミックコンデンサ（いわばコンデンサ構成部品）を樹脂絶縁層上に実装する。実装完了後、上側を向いている第２主面１１８上に従来周知の手法（めっき、スパッタリング等）により金属層を形成し、その金属層をもう一方の金属電極として用いるようにする。

・また上記第１〜第４実施形態は、コア基板７２の片面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されているセラミックコンデンサ内蔵片面積層配線基板の例であるが、コア基板７２の両面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されているセラミックコンデンサ内蔵配線基板としてもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）第１主面及び前記第１主面の反対側にある第２主面を有する誘電体部と、前記第１主面上に設けられた第１金属電極と、前記第２主面上に設けられた第２金属電極とを備える電子部品において、前記誘電体部は前記第１主面の一部及び前記第２主面の一部が露出するとともに、それらの露出部分には凸部がそれぞれ形成されていることを特徴とする電子部品。

（２）主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備える電子部品において、前記誘電体部は、前記主面のほぼ全域に形成された凸部を有するとともに、その凸部の一部が前記金属電極から露出していることを特徴とする電子部品。

（３）第１主面及び前記第１主面の反対側にある第２主面を有する誘電体部と、前記第１主面上に設けられた第１金属電極と、前記第２主面上に設けられた第２金属電極とを備えるセラミックコンデンサにおいて、前記第１主面の一部及び前記第２主面の一部が露出するとともに、それらの露出部分に凸部が形成されていることを特徴とするセラミックコンデンサ。

（４）樹脂絶縁層内に埋め込まれるようにして電子部品が実装された配線基板において、前記電子部品は、第１主面及び前記第１主面の反対側にある第２主面を有する誘電体部と、前記第１主面上に設けられた第１金属電極と、前記第２主面上に設けられた第２金属電極とを備え、前記第１主面の一部及び前記第２主面の一部が露出するとともに、それらの露出部分に凸部が形成された構造であり、 前記樹脂絶縁層は、その一部が複数の前記凸部の空隙内に入り込んでいることを特徴とする電子部品内蔵配線基板。

本発明を具体化した第１実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の一部を示す概略断面図。 第１実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。 第２実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 第３実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の一部を示す概略断面図。 第４実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 第４実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 第４実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 第４実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。

符号の説明

１０，１１０…電子部品としてのセラミックコンデンサ
１１…金属電極としての第１ニッケル電極
１２…ニッケル箔
２１…誘電体層
２２…未焼結誘電体層としての未焼結誘電体グリーンシート
３１…金属電極としての第２ニッケル電極
４０… 混合層
４２…混合層形成用材料としての混合層形成用グリーンシート
５１…凸部としての無機物アンカー
６３…混合層形成用材料としての混合層形成用ペースト
７１…電子部品付き配線基板としてのセラミックコンデンサ内蔵配線基板
１１７…第１主面
１１８…第２主面
１４０…誘電体部
１４１，１４２…凹凸層

Claims (7)

1. 主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備える電子部品において、
   前記誘電体部は前記主面の一部が露出するとともに、その露出部分には凸部が形成されていることを特徴とする電子部品。
2. 前記凸部は、オーバーハング形状を呈していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記誘電体部は、誘電体層と、その誘電体層の表面に位置する複数の前記凸部からなる凹凸層とを含み、前記凹凸層は、表面粗さＲａが０．２μｍよりも大きくて有効厚みが１０μｍ以下の無機物アンカー層であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
4. 前記凸部を構成する無機物は、前記誘電体層と実質的に同材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の積層電子部品。
5. 樹脂絶縁層に接するようにして電子部品が設けられた配線基板において、
   前記電子部品は、主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備え、前記誘電体部は前記主面の一部が前記金属電極から露出するとともに、その露出部分に複数の凸部が形成された構造であり、
   前記樹脂絶縁層は、その一部が前記複数の凸部間の空隙内に入り込んでいる
   ことを特徴とする電子部品付き配線基板。
6. 主面を有する誘電体部と、前記主面上に設けられた金属電極とを備え、前記誘電体部は前記主面の一部が露出するとともに、その露出部分には凸部が形成されている電子部品の製造方法であって、
   誘電体層となるべき未焼結誘電体層上に、金属粉と無機物粉とを含有する混合層を配置する層配置工程と、
   前記未焼結誘電体層及び前記混合層を加熱して焼結させることにより、前記誘電体層及び前記凸部からなる前記誘電体部を形成し、かつ前記金属電極を形成する焼成工程と、
   前記金属電極の一部を除去することにより、前記凸部を露出させる金属除去工程と
   を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
7. 前記金属除去工程において、化学エッチング処理により前記金属電極の一部を除去することを特徴とする請求項６に記載の電子部品の製造方法。
   

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