JP5122885B2 - コンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電極層及び誘電体層を備えるコンデンサを内蔵したコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法に関するものである。

近年における電子機器の高性能化や小型化の要求は高く、このような要求が高まるにつれて電子部品の高密度化や高機能化に対する要求も確実に高くなってきている。それゆえ、配線基板における電子部品の実装効率を上げるために、例えば、電子部品（ここではコンデンサ）を内蔵した構造の部品内蔵配線基板などが各種提案されている（例えば特許文献１参照）。

上記従来の部品内蔵配線基板（コンデンサ内蔵配線基板）の一例を図１３に基づいて説明する。コンデンサ内蔵配線基板は、コア基板１５１上に、複数層の樹脂層間絶縁層１５２からなるビルドアップ層を形成してなる。樹脂層間絶縁層１５２内にはコンデンサ１５３が埋め込まれている。コンデンサ１５３は、ニッケル箔からなる電極層１５４を備えている。電極層１５４は、電極層側貫通孔１５５を有するとともに、第１主面１５６上及び第２主面１５７上にチタン酸バリウムからなる誘電体層１５８が形成されている。さらに、各誘電体層１５８上には、ニッケルペースト層を焼結して得た電極層１５９が形成されている。また、各樹脂層間絶縁層１５２内には、コンデンサ１５３を厚さ方向に貫通する貫通ビア導体１６０が設けられている。貫通ビア導体１６０の底部はコア基板１５１上の内層側導体層１６１に面接触し、貫通ビア導体１６０の外周部は電極層側貫通孔１５５の内壁面及び第１主面１５６側の開口縁に面接触している。
特開２００５−３９２４３号公報（図４等）

ところが、コンデンサ内蔵配線基板の製造時や使用時に熱応力が作用する場合があるが、そのときの熱応力が大きいと、貫通ビア導体１６０と電極層１５４との界面が剥離するおそれがある。従って、この場合には、貫通ビア導体１６０と電極層１５４との接続信頼性を確保できなくなる。

また、各樹脂層間絶縁層１５２のうちコンデンサ１５３を有する層の厚さがコンデンサ１５３の厚さ分だけ増加しているため、貫通ビア導体１６０のアスペクト比（貫通ビア導体１６０の高さを直径で割った値）が大きい。即ち、貫通ビア導体１６０の直径が貫通ビア導体１６０の高さに対して小さい。このことから、貫通ビア導体１６０の底部と内層側導体層１６１との接触面積（ビア底面積）が小さくなり、熱応力が作用した際に、貫通ビア導体１６０の底部と内層側導体層１６１との界面が剥離しやすい。従って、貫通ビア導体１６０と内層側導体層１６１との接続信頼性を確保することが困難である。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、貫通ビア導体と他の導体との間の剥離を防止することにより、信頼性が高くなるコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するための手段（手段１）としては、第１主面（１２，１０７）及び第２主面（１３，１０８）を有する電極層（１１，１０３）と、前記電極層（１１，１０３）の前記第１主面（１２，１０７）及び前記第２主面（１３，１０８）の少なくともいずれかの上に形成された誘電体層（２１，１０４）とを有するコンデンサ（１０，１０１）が、前記第２主面（１３，１０８）側を内層側に配置しかつ前記第１主面（１２，１０７）側を外層側に配置した状態で、配線基板（７１）における配線積層部（７３）を構成する樹脂層間絶縁層（８１，８２，８３，８４）内に埋め込まれているコンデンサ内蔵配線基板（７１）であって、前記コンデンサ（１０，１０１）をその厚さ方向に貫通する貫通ビア導体（１２１）が、前記樹脂層間絶縁層（８１，８２）内に設けられ、前記貫通ビア導体（１２１）の底部が、前記コンデンサ（１０，１０１）よりも内層側に位置する内層側導体層（１２３）に面接触し、前記貫通ビア導体（１２１）の外周部が、前記電極層（１１，１０３）に形成された電極層側貫通孔（１０９，１１２）の第１主面（１２，１０７）側開口縁、内壁面及び第２主面（１３，１０８）側開口縁に面接触し、前記貫通ビア導体（１２１）は、前記樹脂層間絶縁層（８１，８２）を貫通して前記内層側導体層（１２３）を露出させるビア孔（２２８）に充填されたフィルドビア導体であって、頂部から底部に行くに従って全体的に外径が徐々に小さくなる形状をなしており、前記貫通ビア導体（１２１）の頂部及び底部における外径が、前記電極層側貫通孔（１０９，１１２）の内径よりも大きく、前記内層側導体層（１２３）と前記貫通ビア導体（１２１）の底部との接触部分の直径が、前記電極層側貫通孔（１０９，１１２）の内径よりも大きいことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板がある。

従って、この手段１のコンデンサ内蔵配線基板によると、貫通ビア導体が、電極層側貫通孔の第１主面側開口縁及び内壁面に面接触する。それに加えて、貫通ビア導体の外径が電極層側貫通孔の内径よりも大きいために、貫通ビア導体は、電極層の第２主面側に回り込んで第２主面側開口縁にも面接触する。よって、貫通ビア導体と電極層との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、熱応力が作用したとしても、貫通ビア導体と電極層との間の剥離を防止できるため、貫通ビア導体と電極層との接続信頼性が高くなる。しかも、貫通ビア導体が、電極層を第１主面側及び第２主面側の両方から挟み込む構造であるため、貫通ビア導体と電極層との接触部分の一部が剥離したとしても、他の部分が接触状態を維持することができる。よって、貫通ビア導体と電極層との接続信頼性がよりいっそう高くなる。また、貫通ビア導体が電極層の第２主面側に回り込む形状であることから、貫通ビア導体の底部の直径が従来よりも大きくなる。よって、貫通ビア導体の底部と内層側導体層との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、熱応力が作用したとしても、貫通ビア導体の底部と内層側導体層との剥離を防止できるため、貫通ビア導体と内層側導体層との接続信頼性が高くなる。よって、信頼性が高いコンデンサ内蔵配線基板を実現することができる。

ここでいうコンデンサとは、コンデンサの完成品のみを指すのではなく、貫通孔などを後で形成する（例えば樹脂層間絶縁層内に埋め込んだ後に形成する）ことではじめて完成する構成部品も含むものとする。

上記コンデンサの好適例としては、電極層と誘電体層とを有するコンデンサを挙げることができる。勿論、上記コンデンサにおける電極層や誘電体層は、１層のみであってもよいほか、２層以上であってもよい。コンデンサ全体の厚さは特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であることがよく、好ましくは５μｍ以上７５μｍ以下であることがよい。コンデンサ全体の厚さが１μｍ未満であると、十分な強度を確保できずコンデンサ単体として取り扱うことが困難になる。一方、コンデンサ全体の厚さが１００μｍよりも大きいと、コンデンサ内蔵配線基板の高密度化や小型化の達成を阻害するおそれがある。また、コンデンサをコンデンサ内蔵配線基板に内蔵させる場合には、段差が発生しやすくなるため、基板表面の平滑性を確保しにくくなるおそれがある。その結果、基板表面に搭載されるＩＣチップとコンデンサ内蔵配線基板との接続信頼性が低下するおそれがある。

前記コンデンサは、前記誘電体層と、前記誘電体層と同時焼成によって形成される導体層とが、前記電極層となる金属箔の少なくとも片側に積層された構造を有しており、前記電極層側貫通孔は焼成前に形成されていることが好ましい。このようにすれば、誘電体層及び導体層が同時焼成によって形成されるため、誘電体層と導体層とを別々に焼成して形成する場合に比べて、コンデンサを効率良く形成することができる。また、電極層側貫通孔が、誘電体層及び導体層が硬化する前、即ち焼成前に形成されているため、電極層側貫通孔の形成が容易である。

前記導体層の形成用材料としては、例えば、融点が比較的高いニッケルを用いることが好ましい。このようにした場合、誘電体層が高誘電率セラミックによって形成されていれば、誘電体層との同時焼成が可能となる。また、導体層が比較的安価な材料によって形成されるため、コンデンサの低コスト化を図ることができる。

導体層の厚さは、例えば０．１μｍ以上５０μｍ以下であることがよい。導体層の厚さが０．１μｍ未満であると、電気的信頼性を確保しにくくなるおそれがある。一方、導体層の厚さが５０μｍよりも大きいと、コンデンサ全体の厚さが厚くなるおそれがある。その点、０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲内で厚さを設定すれば、電気的信頼性を確保しつつコンデンサ全体の厚肉化を防止することができる。

また、前記電極層となる金属箔としては、例えば、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステンのいずれかからなるものを挙げることができる。特に、前記金属箔は、比較的安価なニッケルからなることが好ましい。

前記金属箔の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。仮に、金属箔の厚さが１０μｍ未満であると、十分な強度が得られず、金属箔が破れやすくなるため、コンデンサの製造が困難になる。一方、金属箔の厚さが１００μｍよりも大きいと、コンデンサ全体の厚さが大きくなりすぎるため、コンデンサ内蔵配線基板の高密度化や小型化の達成を阻害するおそれがある。

上記コンデンサを構成する誘電体層とは、誘電率の高い無機物（例えば誘電体セラミックなど）を主成分とする層のことをいう。ここで誘電体セラミックとは、誘電率が高いセラミック（比誘電率が１０以上のセラミックと定義する。）のことをいい、例えば、ペロブスカイト型結晶構造を有した複合酸化物がこれに該当する。かかる複合酸化物の具体例としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物を挙げることができる。

誘電体層の厚さは、例えば０．１μｍ以上５０μｍ以下であることがよく、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であることがよい。誘電体層が薄いことはコンデンサの高容量化にとって好ましいが、その反面でこれが薄くなりすぎて０．１μｍ未満になると、電極層間の絶縁を確保しにくくなるおそれがある。一方、誘電体層の厚さが５０μｍよりも大きくなると、高容量化の達成が困難になるばかりでなく、コンデンサ全体の厚さが厚くなるおそれがある。

前記樹脂層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。

前記貫通ビア導体は前記樹脂層間絶縁層内に設けられている。また、上記コンデンサ内蔵配線基板は、前記樹脂層間絶縁層内において前記コンデンサをその厚さ方向に貫通するように設けられ、前記電極層に接触しない非接触貫通ビア導体をさらに有することが好ましい。このようにすれば、コンデンサ内蔵配線基板内により複雑な電気回路を形成できるため、コンデンサ内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。

なお、貫通ビア導体及び非接触貫通ビア導体は、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。貫通ビア導体及び非接触貫通ビア導体を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、前記貫通ビア導体及び非接触貫通ビア導体は、導電性が高く安価な銅からなることが好ましい。また、前記貫通ビア導体及び非接触貫通ビア導体は、めっきによって形成されることが好ましい。このようにすれば、貫通ビア導体及び非接触貫通ビア導体を簡単かつ低コストで形成することができる。しかし、貫通ビア導体及び非接触貫通ビア導体は、金属ペーストを印刷することによって形成されていてもよい。

前記内層側導体層の表面から前記電極層の第２主面までの間隔は、前記内層側導体層と前記貫通ビア導体の底部との接触部分の直径の０．６倍以上３．０倍以下であることが好ましい。仮に、前記内層側導体層の表面から前記電極層の第２主面までの間隔が、前記内層側導体層と前記貫通ビア導体の底部との接触部分の直径の０．６倍未満であると、内層側導体層の表面から電極層の第２主面までのスペースが小さくなりすぎるため、電極層の第２主面の上に形成された誘電体層が内層側導体層に接触するおそれがある。一方、前記内層側導体層の表面から前記電極層の第２主面までの間隔が、前記内層側導体層と前記貫通ビア導体の底部との接触部分の直径の３．０倍よりも大きいと、貫通ビア導体のアスペクト比（貫通ビア導体の高さを直径で割った値）が大きくなりすぎてしまうため、熱応力が作用した際に、貫通ビア導体の底部と内層側導体層との間に剥離が生じやすくなる。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載のコンデンサ内蔵配線基板（７１）の製造方法において、前記コンデンサ（１０，１０１）を前記樹脂層間絶縁層（８１）上に搭載した後、前記コンデンサ（１０，１０１）上及び前記樹脂層間絶縁層（８１）上に上層側の樹脂層間絶縁層（８２）を被覆することにより、前記コンデンサ（１０，１０１）を樹脂層間絶縁層（８１，８２）内に埋め込む内蔵工程と、前記内蔵工程後、レーザー径が前記電極層側貫通孔（１０９，１１２）の内径以上になるように調節した状態で炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔あけ加工を行い、前記樹脂層間絶縁層（８１，８２）を貫通するビア孔（２２８）を前記電極層側貫通孔（１０９，１１２）を狙って形成するビア孔形成工程と、前記ビア孔形成工程後、前記ビア孔（２２８）の内面に対するめっきを行うことにより、前記ビア孔（２２８）内に前記貫通ビア導体（１２１）を形成する貫通ビア導体形成工程とを含むことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法がある。

従って、この手段２の製造方法によると、ビア孔形成工程において、レーザー径が電極層側貫通孔の内径以上になるように調節した状態でレーザー孔あけ加工を行ってビア孔を形成するため、ビア孔の内径が電極層の第１主面側において電極層側貫通孔の内径以上の大きさとなる。また、エキシマレーザーやＹＡＧレーザーに比べて熱を発生しやすい炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行っているため、電極層側貫通孔と同一軸線上にある樹脂層間絶縁層だけでなく、電極層の第２主面側にある樹脂層間絶縁層の一部も炭酸ガスレーザーの熱によって溶かされる。即ち、樹脂層間絶縁層は、レーザー径よりも広い範囲で溶かされる。その結果、ビア孔の内径は、電極層の第２主面側においても電極層側貫通孔の内径以上の大きさとなる。

ゆえに、貫通ビア導体形成工程においてビア孔内に貫通ビア導体を形成すれば、貫通ビア導体が、電極層側貫通孔の第１主面側開口縁及び内壁面に面接触するのに加えて、電極層の第２主面側に回り込んで第２主面側開口縁にも面接触する形状を有するようになる。よって、貫通ビア導体と電極層との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、熱応力が作用したとしても、貫通ビア導体と電極層との間の剥離を防止できるため、貫通ビア導体と電極層との接続信頼性が高くなる。しかも、貫通ビア導体が、電極層を第１主面側及び第２主面側の両方から挟み込む構造となるため、貫通ビア導体と電極層との接触部分の一部が剥離したとしても、他の部分が接触状態を維持することができる。よって、貫通ビア導体と電極層との接続信頼性がよりいっそう高くなる。また、貫通ビア導体が電極層の第２主面側に回り込む形状であることから、貫通ビア導体の底部の直径が従来よりも大きくなる。よって、貫通ビア導体の底部と内層側導体層との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、熱応力が作用したとしても、貫通ビア導体の底部と内層側導体層との剥離を防止できるため、貫通ビア導体と内層側導体層との接続信頼性が高くなる。よって、信頼性が高いコンデンサ内蔵配線基板を得ることができる。

以下、上記手段２にかかるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法について説明する。

内蔵工程では、前記コンデンサを前記樹脂層間絶縁層上に搭載した後、前記コンデンサ上及び前記樹脂層間絶縁層上に上層側の樹脂層間絶縁層を被覆することにより、前記コンデンサを樹脂層間絶縁層内に埋め込む。

ここで、前記コンデンサは、前記電極層となる金属箔に前記電極層側貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記金属箔上に前記誘電体層となる未焼結誘電体層を積層する誘電体層積層工程と、前記誘電体層積層工程後、前記未焼結誘電体層上に、前記誘電体層と同時焼成によって形成される導体層となる未焼結金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層形成工程後、前記未焼結誘電体層及び前記未焼結金属層に、前記未焼結誘電体層及び前記未焼結金属層を貫通し、前記電極層側貫通孔に連通する連通孔を形成する連通孔形成工程と、前記未焼結誘電体層及び前記未焼結金属層を加熱して焼結させることにより、前記誘電体層及び前記導体層を得る焼成工程とを経て形成されることが好ましい。このようにすれば、金属箔が、焼成工程が終了するまでの間、誘電体層となる脆弱な未焼結誘電体層と、導体層となる脆弱な未焼結金属層とを支持するため、コンデンサの製造過程において取扱性が向上する。そして、取扱性の向上は歩留まりの向上に寄与する。

なお、電極層側貫通孔及び連通孔を形成する方法としては従来周知の方法を採用することができ、具体例としては、エッチング加工、レーザー加工、切削加工、ドリル加工、パンチング加工などがある。

また、前記誘電体層積層工程では、前記金属箔の片側のみに未焼結誘電体層を積層してもよいし、前記金属箔の両側にそれぞれ未焼結誘電体層を積層してもよいが、前記金属箔の両側にそれぞれ未焼結誘電体層を積層することが好ましい。このようにすれば、金属箔の両側における熱収縮の度合いが互いに等しくなるため、金属箔、誘電体層及び導体層からなる積層体が反りにくくなる。

ここで、未焼結誘電体層としては、例えば、誘電体粉を含有する未焼結誘電体層形成用ペーストを塗布及び乾燥して形成されるペースト層などが好適である。誘電体粉としては、上述したチタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物などが好適である。このほか、誘電体粉を含有するグリーンシート（誘電体グリーンシート）を、未焼結誘電体層として用いてもよい。このような誘電体グリーンシートは、誘電体粉を含有するスラリーをシート状にキャスティングする手法により比較的簡単に得ることができる。この手法の利点は、ペーストを用いた手法に比べて、薄くて均一な厚さの未焼結誘電体層が効率よく得られることにある。よって、ショート不良やキャパシタンスのバラツキの低減を達成しやすくなる。

金属層形成工程では、前記未焼結誘電体層上に、前記誘電体層と同時焼成によって形成される導体層となる未焼結金属層を形成する。具体的に言うと、例えば、金属粉を含有する未焼結金属層形成用ペーストを未焼結誘電体層上に塗布及び乾燥して未焼結金属層形成用ペースト層を形成すること等が挙げられる。このほか、金属粉を含有する金属層形成用グリーンシートを未焼結誘電体層上に積層してもよい。

続くビア孔形成工程では、レーザー径が前記電極層側貫通孔の内径以上になるように調節した状態で炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔あけ加工を行い、前記樹脂層間絶縁層を貫通するビア孔を前記電極層側貫通孔を狙って形成する。なお、前記レーザー径は、前記内層側導体層の直径よりも小さいことが好ましい。仮に、レーザー径が内層側導体層の直径よりも大きくなると、炭酸ガスレーザーが樹脂層間絶縁層を余分に溶かしてしまうおそれがある。

続く貫通ビア導体形成工程では、前記ビア孔の内面に対するめっきを行うことにより、前記ビア孔内に前記貫通ビア導体を形成する。なお、前記貫通ビア導体形成工程では、前記ビア孔の内面に対するめっきを行うことにより、前記電極層に接触しない非接触貫通ビア導体も形成することが好ましい。このようにすれば、非接触貫通ビア導体を貫通ビア導体と同時に形成することができるため、コンデンサ内蔵配線基板を効率良く形成することができる。その後、貫通ビア導体に接続される配線などを形成すれば、コンデンサ内蔵配線基板が完成する。

［第１実施形態］

以下、本発明をコンデンサ内蔵配線基板に具体化した第１実施形態を図面に基づき説明する。

図１に示されるように、このコンデンサ内蔵配線基板（以下「配線基板」という）７１は、ガラスエポキシからなるコア基板７２上に、ビルドアップ層７３（配線積層部）を形成してなるものである。ビルドアップ層７３は、エポキシ樹脂からなる樹脂層間絶縁層８１，８２，８３，８４を４層備えている。樹脂層間絶縁層８１〜８４同士の界面には、銅からなる導体層９１，９２，９３がパターン形成されている。また、最表層の樹脂層間絶縁層８４の表面上における複数箇所には、銅にニッケル−金めっきを被覆した端子パッド９４が形成されている。樹脂層間絶縁層８１〜８４内には、それぞれビア導体９６が設けられている。これらのビア導体９６のほとんどは同軸上に配置されるとともに、それらを介して導体層９２，９３及び端子パッド９４が相互に電気的に接続されている。

図１，図２に示されるように、ビルドアップ層７３の内部（具体的には第１層の樹脂層間絶縁層８１と第２層の樹脂層間絶縁層８２との界面）には、セラミックコンデンサ１０が埋め込まれている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０は、ニッケル箔２２２（金属箔）からなる電極層１１の第１主面１２上及び第２主面１３上のそれぞれに、チタン酸バリウムからなる１層の誘電体層２１と、１層のニッケル電極３１（導体層）とを積層した構造を有している。ニッケル電極３１は、誘電体層２１と同時焼成によって形成されている。

また、セラミックコンデンサ１０は、電極層１１の第２主面１３側を内層側に配置しかつ第１主面１２側を外層側に配置した状態で、樹脂層間絶縁層８１，８２内に埋め込まれる。なお本実施形態では、電極層１１の厚さが３０μｍに設定され、ニッケル電極３１の厚さが４μｍに設定され、誘電体層２１の厚さが４μｍに設定されている。ゆえに、セラミックコンデンサ１０の全体の厚さは４６μｍとなっている。

図１，図２に示されるように、電極層１１の第１主面１２側に配置されたニッケル電極３１は、ビア導体１２４の下端面に接続され、ビア導体１２４の上端面は、第２層の樹脂層間絶縁層８２上に形成された導体層１２５に接続されている。導体層１２５は、第３層の樹脂層間絶縁層８３内にあるビア導体９６に接続されている。

図２等に示されるように、前記セラミックコンデンサ１０の複数箇所には、セラミックコンデンサ１０をその厚さ方向に貫通する貫通孔１１１が形成されている。貫通孔１１１の形状は特に限定されないが、本実施形態における貫通孔１１１はセラミックコンデンサ１０の厚さ方向から見て略円形状の貫通孔となっている。また、貫通孔１１１は、電極層１１を貫通する電極層側貫通孔１１２と、前記誘電体層２１を貫通して電極層側貫通孔１１２に連通する誘電体層側貫通孔１１３と、ニッケル電極３１を貫通して電極層側貫通孔１１２及び誘電体層側貫通孔１１３に連通する導体層側貫通孔１１４とを含んで構成されている。なお、誘電体層側貫通孔１１３及び導体層側貫通孔１１４の内径は、互いに等しく、かつ、電極層側貫通孔１１２の内径よりも大きくなっている。そして、貫通孔１１１の内部には、樹脂層間絶縁層８１，８２の一部が入り込んでいる。

図２等に示されるように、樹脂層間絶縁層８１，８２内には、銅からなる貫通ビア導体１２１と、同じく銅からなる非接触貫通ビア導体１２２とが設けられている。各ビア導体１２１，１２２は、セラミックコンデンサ１０をその厚さ方向に貫通している。各ビア導体１２１，１２２の頂部は前記導体層１２５に面接触しており、各ビア導体１２１，１２２の底部はセラミックコンデンサ１０よりも内層側に位置する内層側導体層１２３に面接触している。内層側導体層１２３は、前記コア基板７２内にあるビア導体９６に接続されている。

貫通ビア導体１２１は、前記貫通孔１１１内に配置され、前記電極層１１を貫通している。貫通ビア導体１２１の外周部は、前記電極層側貫通孔１１２の第１主面１２側開口縁、内壁面及び第２主面１３側開口縁に面接触している。即ち、貫通ビア導体１２１の第１主面１２側（頂部側）の外径、及び、貫通ビア導体１２１の第２主面１３側（底部側）の外径は、電極層側貫通孔１１２の内径よりも大きくなる一方、誘電体層側貫通孔１１３の内径及び導体層側貫通孔１１４の内径よりも小さくなっている。そして、貫通ビア導体１２１において電極層側貫通孔１１２内に位置する部分の外径は、電極層側貫通孔１１２の内径と等しくなっている。なお本実施形態において、内層側導体層１２３の表面から電極層１１の第２主面１３までの間隔は、内層側導体層１２３と貫通ビア導体１２１の底部との接触部分の直径の０．８倍である。

図２等に示されるように、前記非接触貫通ビア導体１２２は、貫通孔１１１内に配置され、電極層１１、誘電体層２１及びニッケル電極３１に接触していない。即ち、非接触貫通ビア導体１２２の外径は、電極層側貫通孔１１２の内径、誘電体層側貫通孔１１３の内径及び導体層側貫通孔１１４の内径よりも小さくなっている。なお、非接触貫通ビア導体１２２が貫通する電極層側貫通孔１１２の内径は、貫通ビア導体１２１が貫通する電極層側貫通孔１１２の内径よりも大きくなっている。

そして、このような構成のセラミックコンデンサ１０に通電を行い、第１主面１２側のニッケル電極３１−電極層１１間に所定の電圧を加えると、一方の電極にプラスの電荷が蓄積し、他方の電極にマイナスの電荷が蓄積するようになっている。

次に、配線基板７１の製造方法を図面に基づいて説明する。

（１）誘電体グリーンシート２２１の作製
まず以下の手順で誘電体スラリーを調製した。平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）、エタノールとトルエンとの混合溶剤、分散剤、可塑剤をポットで湿式混合し、十分に混合された時点で、有機バインダを添加してさらに混合する。これにより、誘電体グリーンシート２２１を形成する際の出発材料となる誘電体スラリーを得る。このとき、各成分の配合比率を適宜変更することにより、誘電体スラリーを約０．５Ｐａ・ｓの粘度（リオン株式会社製ビスコテスター ＶＴ−０４型粘度計 Ｎｏ．１ロータ ６２．５ｒｐｍ １分値 ２５℃で測定した粘度をいう。）に調製する。次に、この誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシート２２１の形成を以下のように行う。即ち、所定幅のＰＥＴフィルム２２３のロールを用意して、このロールをキャスティング装置の供給側にセットし、ドクターブレード法やリップコーティングなどの従来周知の手法によりＰＥＴフィルム２２３の上面に誘電体スラリーを薄く均一な厚さでキャスティング（塗工）する。その後、シート状にキャスティングされた誘電体スラリーをキャスティング装置の供給側と巻き取り側との間に配置されているヒータで加熱乾燥し、厚さ７μｍの誘電体グリーンシート２２１（誘電体層２１となる未焼結誘電体層）を形成する。

（２）ニッケルグリーンシート２２０の作製
ニッケルグリーンシート２２０は、誘電体グリーンシート２２１の場合とほぼ同様の方法で作製される。まず、平均粒径０．７μｍのニッケル粉末（金属粉）に分散剤、可塑剤を加える。これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で混合する。次に、この混合物を用いて、ニッケルグリーンシート２２０の形成を行う。即ち、所定幅のＰＥＴフィルム２２５のロールを用意して、このロールをキャスティング装置の供給側にセットし、ＰＥＴフィルム２２５の上面に上記の混合物を薄く均一な厚さでキャスティングする。その後、シート状にキャスティングされた混合物をヒータで加熱乾燥し、厚さ７μｍのニッケルグリーンシート２２０（ニッケル電極３１となる未焼結金属層）を形成する。

（３）未焼結積層体５０の作製
電極層１１となる厚さ３０μｍのニッケル箔２２２を用意するとともに、そのニッケル箔２２２に対してエッチングを行う。これにより、ニッケル箔２２２が１５０ｍｍ角の大きさに切断され、ニッケル箔２２２に電極層側貫通孔１１２が形成される（貫通孔形成工程、図３参照）。また、打ち抜き金型等を用いて、各グリーンシート２２０，２２１をニッケル箔２２２と同じ大きさ（１５０ｍｍ角）に切断する。この段階ではまだグリーンシート２２０，２２１は硬化していないため、比較的簡単に打ち抜きを行うことができ、しかもクラックの発生を未然に防止することができる。

そして次に、ニッケル箔２２２の両側に、誘電体層２１となる誘電体グリーンシート２２１、及び、ニッケル電極３１となるニッケルグリーンシート２２０をそれぞれ積層する。具体的に言うと、ニッケル箔２２２の両面にＰＥＴフィルム２２３付きの誘電体グリーンシート２２１を積層配置する（誘電体層積層工程、図４参照）。次に、ラミネート装置を用いて８０℃で５００ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、圧着させる。ＰＥＴフィルム２２３を剥離した後、各誘電体グリーンシート２２１の剥離面上に、それぞれＰＥＴフィルム２２５付きのニッケルグリーンシート２２０を積層配置する（金属層形成工程、図５参照）。次に、ラミネート装置を用いて８０℃で７５０ｋｇｆ／ｃｍ^２の条件で押圧力を加え、圧着させる。

そして、ＰＥＴフィルム２２５が付着したままの状態で、誘電体層２１となる誘電体グリーンシート２２１、及び、ニッケル電極３１となるニッケルグリーンシート２２０に対してレーザー孔あけ加工を行う。具体的には、レーザー径が前記電極層側貫通孔１１２の内径よりも大きくなるように調節した状態でレーザー孔あけ加工を行い、グリーンシート２２０，２２１を貫通して電極層側貫通孔１１２に連通する連通孔（誘電体層側貫通孔１１３と導体層側貫通孔１１４とからなる孔）を形成する（連通孔形成工程、図６参照）。なお、レーザー孔あけ加工は、ニッケル箔２２２の両側にある各グリーンシート２２０，２２１に対して行われる。

その結果、電極層側貫通孔１１２、誘電体層側貫通孔１１３及び導体層側貫通孔１１４からなる貫通孔１１１が焼成前に形成される。この後、汎用の切断機により２５ｍｍ角に切断した後、ＰＥＴフィルム２２５を剥離することにより未焼結積層体５０（図６参照）を得る。この未焼結積層体５０では、ニッケル箔２２２、誘電体グリーンシート２２１及びニッケルグリーンシート２２０が積層配置された状態となっている。

（４）脱脂、同時焼成
次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに還元雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びニッケルが加熱されて同時焼結し、厚さ４μｍのニッケル電極３１、厚さ４μｍの誘電体層２１、厚さ３０μｍの電極層１１、厚さ４μｍの誘電体層２１、厚さ４μｍのニッケル電極３１の順で積層された焼結体（セラミックコンデンサ１０）が得られる（焼成工程、図７参照）。

（５）カップリング処理
次に、シランカップリング剤（ＫＢＭ−４０３：信越化学製）の濃度が１ｗｔ％となる酢酸水溶液を調合する。これに焼成したセラミックコンデンサ１０を１分含浸して引き上げる。そして、表面の余分なシランカップリング剤を洗い流した後、１１０℃で５分間乾燥させる。

（６）第１層の樹脂層間絶縁層８１の形成、セラミックコンデンサ１０の実装
次に、第１層の樹脂層間絶縁層８１が形成されたコア基板７２を用意し、その第１層の樹脂層間絶縁層８１上に、電極層１１の第１主面１２側を上向きにしてセラミックコンデンサ１０を搭載する（図７，図８参照）。

より詳細に言うと、第１層の樹脂層間絶縁層８１を形成するための未硬化状態の樹脂層間絶縁層８１（フィルム材）を用意し、それをラミネータ等でコア基板７２の表面上に貼付する。次いで、加熱機構付きのマウンターを用いて、１８０℃で１分間加熱を行いながらセラミックコンデンサ１０をフィルム材上に搭載し、所定の圧力で押し付ける。これに伴い、フィルム材の一部が前記貫通孔１１１内に入り込む。この時点で、フィルム材は、セラミックコンデンサ１０の周辺部分のみが硬化する。

なお、フィルム材としては、例えば、未硬化状態の熱硬化性樹脂からなるものが好適であり、セラミックコンデンサ１０を搭載する前において熱処理を行うことによって最低溶融粘度を１０^３Ｐａ・ｓ以上１０^５Ｐａ・ｓ以下の範囲に設定したものが好適である。仮に、最低溶融粘度が１０^３Ｐａ・ｓ未満であると、セラミックコンデンサ１０をフィルム材上に搭載する際に、セラミックコンデンサ１０が位置ずれしやすくなる。一方、最低溶融粘度が１０^５Ｐａ・ｓよりも大きいと、フィルム材の一部を貫通孔１１１内に入り込ませることが困難になる。

セラミックコンデンサ１０の搭載後、１５０℃で３０分間加熱する硬化工程を行い、フィルム材を硬化させて硬化状態の樹脂層間絶縁層８１とする。これにより、第１層の樹脂層間絶縁層８１にセラミックコンデンサ１０が支持固定される。さらに、樹脂層間絶縁層８１に対するビア穴あけを行った後、さらに銅めっきまたは銅ペーストの充填、印刷等を行って、ビア導体９６を形成する。

（７）樹脂ラミネート
次に、セラミックコンデンサ１０上及び第１層の樹脂層間絶縁層８１上に、未硬化状態のフィルム材をラミネータ等で被覆する。そして、熱硬化させて第２層（上層側）の樹脂層間絶縁層８２とする（内蔵工程、図９参照）。この時点でセラミックコンデンサ１０が樹脂層間絶縁層８１，８２内に完全に埋め込まれる。

（８）レーザー加工
次に、炭酸ガスレーザーを用いたレーザー加工を行い、樹脂層間絶縁層８２を貫通してニッケル電極３１を露出させるビア孔２２９を形成する（図１０参照）。また、レーザー径が内層側導体層１２３の直径及び電極層側貫通孔１１２の内径よりも小さくなるように調節した状態で炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔あけ加工を行い、樹脂層間絶縁層８２、樹脂層間絶縁層８１を順番に貫通して内層側導体層１２３を露出させるビア孔２２７を形成する。

さらに、レーザー径が内層側導体層１２３の直径よりも小さく、かつ電極層側貫通孔１１２の内径よりも大きくなるように調節した状態で炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔あけ加工を行う。これにより、樹脂層間絶縁層８２、樹脂層間絶縁層８１を順番に貫通して内層側導体層１２３を露出させるビア孔２２８が電極層側貫通孔１１２を狙って形成される（ビア孔形成工程）。なお、レーザー孔あけ加工は、熱を発生する炭酸ガスレーザーを用いて行われるため、電極層側貫通孔１１２と同一軸線上にある樹脂層間絶縁層８１，８２だけでなく、電極層１１の第２主面１３側にある樹脂層間絶縁層８１の一部も炭酸ガスレーザーの熱によって溶かされる。即ち、樹脂層間絶縁層８１は、レーザー径よりも広い範囲で溶かされる。その結果、ビア孔２２８の内径は、電極層１１の第１主面１２側だけでなく、第２主面１３側においても電極層側貫通孔１１２の内径以上の大きさとなる。なお、電極層１１に炭酸ガスレーザーが遮られるにもかかわらず、第２主面１３側にある樹脂層間絶縁層８１が溶かされる理由としては、炭酸ガスレーザーの熱が内層側導体層１２３に反射して、内層側導体層１２３と電極層１１との間にこもるためであると推測される。

（９）ビア形成
次に、過マンガン酸ナトリウムで樹脂層間絶縁層８１，８２を粗化し、各ビア孔２２７〜２２９の内面に対する無電解銅めっきを行った後、レジストを形成し、フォトリソでパターニングを行う。そして、電解銅めっきを行うことにより、ビア孔２２７，２２８内にビア導体１２１，１２２を形成するとともに、ビア孔２２９内にビア導体１２４を形成する（貫通ビア導体形成工程、図１１参照）。その後、レジストを剥離し、レジスト下の無電解銅めっきを除去する。

（１０）第３層，第４層の樹脂層間絶縁層８３，８４の形成
次に、第２層の樹脂層間絶縁層８２に対するビア穴あけを行った後、さらに銅めっきまたは銅ペーストの充填、印刷等を行って、ビア導体９６を形成するとともに、第２層の導体層９２を形成する。この後、従来周知の手法により、第３層及び第４層（最表層）の樹脂層間絶縁層８３，８４の形成を行い、図１の配線基板７１を完成させる。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態の配線基板７１によれば、貫通ビア導体１２１が、電極層側貫通孔１１２の第１主面１２側開口縁及び内壁面に面接触する。それに加えて、貫通ビア導体１２１の外径が電極層側貫通孔１１２の内径よりも大きいために、貫通ビア導体１２１は、電極層１１の第２主面１３側に回り込んで第２主面１３側開口縁にも面接触する。よって、貫通ビア導体１２１と電極層１１との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、配線基板７１の製造時や使用時、または、熱サイクル試験等の信頼性試験を行う場合などに熱応力が作用したとしても、貫通ビア導体１２１と電極層１１との間の剥離を防止できるため、貫通ビア導体１２１と電極層１１との接続信頼性が高くなる。しかも、貫通ビア導体１２１が、電極層１１を第１主面１２側及び第２主面１３側の両方から挟み込む構造であるため、貫通ビア導体１２１と電極層１１との接触部分の一部が剥離したとしても、他の部分が接触状態を維持することができる。よって、貫通ビア導体１２１と電極層１１との接続信頼性がよりいっそう高くなる。また、貫通ビア導体１２１の底部の直径が従来技術（図１３の貫通ビア導体１６０を参照）よりも大きくなっている。よって、貫通ビア導体１２１の底部と内層側導体層１２３との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、配線基板７１の製造時や使用時、または、上記の信頼性試験を行う場合などに熱応力が作用したとしても、貫通ビア導体１２１の底部と内層側導体層１２３との剥離（デラミネーション）を防止できるため、貫通ビア導体１２１と内層側導体層１２３との接続信頼性が高くなる。よって、信頼性が高い配線基板７１を実現することができる。

（２）本実施形態では、樹脂層間絶縁層８２を形成してセラミックコンデンサ１０を樹脂層間絶縁層８１，８２内に埋め込む前に、セラミックコンデンサ１０を支持する樹脂層間絶縁層８１を硬化させている。このため、上層側の樹脂層間絶縁層８２を被覆する際などに熱履歴を受けたとしても、セラミックコンデンサ１０を支持する樹脂層間絶縁層８１の流動が防止され、セラミックコンデンサ１０の位置ずれが防止される。
［第２実施形態］

次に、第２実施形態のコンデンサ内蔵配線基板を図面に基づいて詳細に説明する。ここでは第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、共通する部分については同じ部材番号を付す代わりに説明を省略する。

図１２に示されるように、本実施形態の配線基板では、セラミックコンデンサの構造が前記第１実施形態とは異なっている。即ち、セラミックコンデンサ１０１は、２層のニッケル電極１０２，１０３が１層の誘電体層１０４を挟み込んだ構造を有している。詳述すると、第１ニッケル電極１０２の第１主面１０５は樹脂層間絶縁層８２に面接触し、第１ニッケル電極１０２の第２主面１０６上には誘電体層１０４が形成されている。一方、第２ニッケル電極１０３（電極層）の第１主面１０７上には誘電体層１０４が形成され、第２ニッケル電極１０３の第２主面１０８全体は樹脂層間絶縁層８１に面接触している。なお本実施形態では、ニッケル電極１０２，１０３の厚さが８μｍ、誘電体層１０４の厚さが４μｍに設定されているため、セラミックコンデンサ１０１の全体の厚さは２０μｍとなっている。また、セラミックコンデンサ１０１には凹部２２６が形成されている。凹部２２６は、第１ニッケル電極１０２及び誘電体層１０４を貫通し、第２ニッケル電極１０３を露出させている。

そして、図１２に示される本実施形態の貫通ビア導体１２１は、前記第１実施形態の貫通ビア導体１２１とほぼ同様の構造を有している。即ち、貫通ビア導体１２１の外周部は、第２ニッケル電極１０３に形成された電極層側貫通孔１０９の第１主面１０７側開口縁、内壁面及び第２主面１０８側開口縁に面接触している。即ち、貫通ビア導体１２１の第１主面１０７側（頂部側）及び第２主面１０８側（底部側）の外径は、電極層側貫通孔１０９の内径よりも大きくなっている。

従って、本実施形態によれば、貫通ビア導体１２１と第２ニッケル電極１０３との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、熱応力が作用した際の貫通ビア導体１２１と第２ニッケル電極１０３との間の剥離を防止でき、接続信頼性が高くなる。また、貫通ビア導体１２１の底部と内層側導体層１２３との接触面積が大きくなり、両者の密着強度も大きくなる。ゆえに、熱応力が作用した際の貫通ビア導体１２１の底部と内層側導体層１２３との剥離（デラミネーション）を防止でき、接続信頼性が高くなる。よって、信頼性が高い配線基板を実現することができる。

次に、信頼性についての評価方法及びその結果を説明する。

まず、測定用サンプルを次のように準備した。第１実施形態と同じ配線基板７１を準備し、これを実施例１とした。また、第２実施形態と同じ配線基板を準備し、これを実施例２とした。さらに、従来技術と同じ配線基板（図１３参照）を準備し、これを比較例とした。

次に、各測定用サンプル（実施例１，２、比較例）に対してサーマルショックテストを実施した。具体的には、−４０℃（１時間）〜８０℃（１時間）を1サイクルとして繰り返し試験を行った。

このように試験を行った結果、比較例の貫通ビア導体１６０は、電極層側貫通孔１５５の第１主面１５６側開口縁及び内壁面のみに面接触し、電極層１５４の第２主面１５７側に回り込まない構造であるため、貫通ビア導体１６０と電極層１５４との接触面積が実施例１，２よりも小さく、両者の密着強度も小さい。よって、サーマルショックテストを実施した際に作用した熱応力により、貫通ビア導体１６０と電極層１５４とが剥離してしまった。また、貫通ビア導体１６０の底部と内層側導体層１６１との接触面積が実施例１，２よりも小さく、両者の密着強度も小さい。よって、サーマルショックテストを実施した際に作用した熱応力により、貫通ビア導体１６０の底部と内層側導体層１６１とが剥離してしまった。従って、第１実施形態の配線基板７１や第２実施形態の配線基板への比較例の採用は困難であることが証明された。

一方、実施例１，２では、セラミックコンデンサ１０と各ビア導体１２１，１２２，１２４との接続が維持されていた。また、各ビア導体１２１，１２２の底部と内層側導体層１２３との剥離（デラミネーション）が生じることもなかった。従って、第１，第２実施形態の配線基板の構造としては、最も問題が少ない実施例１，２の構造が適することが分かった。

なお、各実施形態は以下のように変更してもよい。

・上記第１実施形態のセラミックコンデンサ１０は、電極層１１の第１主面１２上及び第２主面１３上のそれぞれに、１層の誘電体層２１と１層のニッケル電極３１とを積層した構造を有していたが、電極層１１、誘電体層２１及びニッケル電極３１の層数を変更してもよい。また、上記第２実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、１層の誘電体層１０４と２層のニッケル電極１０２，１０３とを積層した構造を有していたが、誘電体層１０４及びニッケル電極１０２，１０３の層数を変更してもよい。

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）第１主面及び第２主面を有する電極層と、前記電極層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれかの上に形成された誘電体層とを有するコンデンサが、前記第２主面側を内層側に配置しかつ前記第１主面側を外層側に配置した状態で、配線基板における配線積層部を構成する樹脂層間絶縁層内に埋め込まれているコンデンサ内蔵配線基板であって、前記コンデンサをその厚さ方向に貫通する貫通ビア導体が、前記樹脂層間絶縁層内に設けられ、前記貫通ビア導体の底部が、前記コンデンサよりも内層側に位置する内層側導体層に面接触し、前記貫通ビア導体の頂部側の外径、及び、前記貫通ビア導体の底部側の外径が、前記電極層側貫通孔の内径よりも大きくなるとともに、前記貫通ビア導体において前記電極層側貫通孔内に位置する部分の外径が、前記電極層側貫通孔の内径と等しくなっており、前記貫通ビア導体の外周部が、前記電極層に形成された電極層側貫通孔の第１主面側開口縁、内壁面及び第２主面側開口縁に面接触していることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板。

第１実施形態における配線基板の一部を示す概略断面図。 同じく、セラミックコンデンサ付近の構成を示す概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 同じく、配線基板の製造方法を説明するための概略断面図。 第２実施形態におけるセラミックコンデンサ付近の構成を示す概略断面図。 従来技術におけるコンデンサ付近の構成を示す概略断面図。

符号の説明

１０，１０１…コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
１１…電極層
１２，１０７…第１主面
１３，１０８…第２主面
２１，１０４…誘電体層
３１…導体層としてのニッケル電極
７１…コンデンサ内蔵配線基板（配線基板）
７３…配線積層部としてのビルドアップ層
８１，８２，８３，８４…樹脂層間絶縁層
１０３…電極層としての第２ニッケル電極
１０９，１１２…電極層側貫通孔
１１３…連通孔を構成する誘電体層側貫通孔
１１４…連通孔を構成する導体層側貫通孔
１２１…貫通ビア導体
１２２…非接触貫通ビア導体
１２３…内層側導体層
２２０…未焼結金属層としてのニッケルグリーンシート
２２１…未焼結体誘電体層としての誘電体グリーンシート
２２２…金属箔としてのニッケル箔
２２８…ビア孔

Claims (10)

1. 第１主面及び第２主面を有する電極層と、前記電極層の前記第１主面及び前記第２主面の少なくともいずれかの上に形成された誘電体層とを有するコンデンサが、前記第２主面側を内層側に配置しかつ前記第１主面側を外層側に配置した状態で、配線基板における配線積層部を構成する樹脂層間絶縁層内に埋め込まれているコンデンサ内蔵配線基板であって、
   前記コンデンサをその厚さ方向に貫通する貫通ビア導体が、前記樹脂層間絶縁層内に設けられ、
   前記貫通ビア導体の底部が、前記コンデンサよりも内層側に位置する内層側導体層に面接触し、
   前記貫通ビア導体の外周部が、前記電極層に形成された電極層側貫通孔の第１主面側開口縁、内壁面及び第２主面側開口縁に面接触し、
   前記貫通ビア導体は、前記樹脂層間絶縁層を貫通して前記内層側導体層を露出させるビア孔に充填されたフィルドビア導体であって、頂部から底部に行くに従って全体的に外径が徐々に小さくなる形状をなしており、
   前記貫通ビア導体の頂部及び底部における外径が、前記電極層側貫通孔の内径よりも大きく、
   前記内層側導体層と前記貫通ビア導体の底部との接触部分の直径が、前記電極層側貫通孔の内径よりも大きい
   ことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板。
2. 前記樹脂層間絶縁層内において前記コンデンサをその厚さ方向に貫通するように設けられ、前記電極層に接触しない非接触貫通ビア導体をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
3. 前記内層側導体層の表面から前記電極層の第２主面までの間隔は、前記内層側導体層と前記貫通ビア導体の底部との接触部分の直径の０．６倍以上３．０倍以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
4. 前記コンデンサは、前記誘電体層と、前記誘電体層と同時焼成によって形成される導体層とが、前記電極層となる金属箔の少なくとも片側に積層された構造を有しており、
   前記電極層側貫通孔は焼成前に形成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
5. 前記金属箔はニッケルからなることを特徴とする請求項４に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
6. 前記貫通ビア導体は銅からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵配線基板。
7. 請求項１乃至６のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵配線基板の製造方法において、
   前記コンデンサを前記樹脂層間絶縁層上に搭載した後、前記コンデンサ上及び前記樹脂層間絶縁層上に上層側の樹脂層間絶縁層を被覆することにより、前記コンデンサを樹脂層間絶縁層内に埋め込む内蔵工程と、
   前記内蔵工程後、レーザー径が前記電極層側貫通孔の内径以上になるように調節した状態で炭酸ガスレーザーを用いたレーザー孔あけ加工を行い、前記樹脂層間絶縁層を貫通するビア孔を前記電極層側貫通孔を狙って形成するビア孔形成工程と、
   前記ビア孔形成工程後、前記ビア孔の内面に対するめっきを行うことにより、前記ビア孔内に前記貫通ビア導体を形成する貫通ビア導体形成工程と
   を含むことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。
8. 前記レーザー径は、前記内層側導体層の直径よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載のコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。
9. 前記貫通ビア導体形成工程では、前記ビア孔の内面に対するめっきを行うことにより、前記電極層に接触しない非接触貫通ビア導体を形成することを特徴とする請求項７または８に記載のコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。
10. 前記コンデンサは、
    前記電極層となる金属箔に前記電極層側貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
    前記金属箔上に前記誘電体層となる未焼結誘電体層を積層する誘電体層積層工程と、
    前記誘電体層積層工程後、前記未焼結誘電体層上に、前記誘電体層と同時焼成によって形成される導体層となる未焼結金属層を形成する金属層形成工程と、
    前記金属層形成工程後、前記未焼結誘電体層及び前記未焼結金属層に、前記未焼結誘電体層及び前記未焼結金属層を貫通し、前記電極層側貫通孔に連通する連通孔を形成する連通孔形成工程と、
    前記未焼結誘電体層及び前記未焼結金属層を加熱して焼結させることにより、前記誘電体層及び前記導体層を得る焼成工程と
    を経て形成されることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。

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