JP2006209913A - パターンド磁気記録媒体、パターンド磁気記録媒体作製用スタンパー、パターンド磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ヘッドの浮上特性を向上させることができるパターンド磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板上に形成された磁気記録層および保護層を含み、前記磁気記録層がトラックの形状にパターン化された磁性体とその間を埋める非磁性体とを含むパターンド磁気記録媒体であって、前記媒体端部から１ｍｍ以内の領域に媒体端部まで続くリセス部を有し、前記リセス部はデータ領域よりも１〜５０ｎｍ深く形成されていることを特徴とするパターンド磁気記録媒体。
【選択図】 図５

Description

本発明は、パターンド磁気記録媒体、パターンド磁気記録媒体作製用スタンパー、パターンド磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置に関する。

近年、高密度化が期待される磁気記録媒体として、媒体にトラック、サーボ領域または各データビットのパターンを加工したパターンド磁気記録媒体（パターンドメディア）が研究されている。

パターンド磁気記録媒体では、媒体を構成する薄膜材料を加工するプロセスを含んでいるため、たとえばエッチングプロセスに起因するダストや表面荒れが生じやすい。こうしたダストや表面荒れが存在する媒体に対しては、磁気ヘッドの浮上特性の悪化が懸念される。

従来のコンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）を行う磁気記録媒体では、内周側に凹凸高さの高いテクスチャーをもつランディングゾーンを形成することによって、磁気ヘッドの浮上特性を改善する技術が知られている（たとえば特許文献１および特許文献２参照）。しかし、これらの技術をパターンド磁気記録媒体に適用するのは適切ではない。
特開平８−１２４３４０号公報 特開平９−１６７３０５号公報

本発明の目的は、磁気ヘッドの浮上特性を向上させることができるパターンド磁気記録媒体、このパターンド磁気記録媒体を作製するのに好適なスタンパー、このパターンド磁気記録媒体を製造する方法、およびこのパターンド磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係るパターンド磁気記録媒体は、基板上に形成された磁気記録層および保護層を含み、前記磁気記録層がトラックの形状にパターン化された磁性体とその間を埋める非磁性体とを含むパターンド磁気記録媒体であって、前記媒体端部から１ｍｍ以内の領域に媒体端部まで続くリセス部を有し、前記リセス部はデータ領域よりも１〜５０ｎｍ深く形成されていることを特徴とする。

本発明の他の態様に係るパターンド磁気記録媒体作製用スタンパーは、上述したパターンド磁気記録媒体のパターニングを行うスタンパーであって、前記スタンパーにおける媒体端部に相当する位置から１ｍｍ以内の領域に前記媒体のリセス部に対応するパターンを有することを特徴とする。

本発明の他の態様に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法は、前記媒体上にエッチングマスクを形成し、前記媒体の端部から１ｍｍ以内の領域で媒体端部まで続けて前記エッチングマスクを除去することを含む。

本発明の他の態様に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法は、前記媒体上にパターン化された磁性体の間を埋める非磁性体を形成し、前記媒体の端部から１ｍｍ以内の領域で媒体端部まで続けて前記非磁性体を除去することを含む。

本発明のさらに他の態様に係る磁気記録再生装置は、筐体と、前記筐体内に取り付けられたスピンドルと、前記スピンドルに回転可能に取り付けられた上述したパターンド磁気記録媒体と、前記パターンド磁気記録媒体上にスライダーによって浮上するように構成された記録再生ヘッドと、前記記録再生ヘッドを退避させるランプ機構とを有することを特徴とする。

本発明によれば、パターンド磁気記録媒体の媒体端部から１ｍｍ以内の領域にリセス部を形成したことにより、磁気ヘッドの浮上エラー、たとえばクラッシュなどをなくすことができる。

パターンド磁気記録媒体の製造工程にはデータ領域（サーボ領域とユーザ領域を含む）を加工するプロセスが含まれ、加工によって生成されるダストやマスクの残渣などが媒体端部に集積しやすい。これは、エッチングマスクがレジストなどの液体の塗布によって形成されることが多く、また洗浄する際にも媒体端部に洗浄液とともにダストがたまりやすいためである。このため、媒体端部の高さをデータ領域と同じ高さのままにしておくと、磁気ヘッドのローディング時にダストが磁気ヘッドに付着し、ヘッドクラッシュの原因となる。本発明者らが検討した結果、ヘッドクラッシュの原因となるダストは、媒体端部から１ｍｍ以内の領域に局在していることを突き止めた。そして、その部分にリセス部を設けることにより、ヘッドクラッシュを防ぐことができることを見出した。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
図１に本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の模式的な断面図を示す。このパターンド磁気記録媒体は、基板１１上に、軟磁性下地層１２、磁気記録層１３（パターン化された磁性体１５と磁性体１５間を埋める非磁性体１６を含む）、保護層１４、潤滑剤１７を形成した構造を有する。

図２に本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の一種であるディスクリートトラック媒体の模式的な平面図を示す。磁気記録層を上から見ると、記録トラック２１と、記録トラック２１を分断する非磁性体２５（従来の媒体でガードバンドと称されている部分）が交互に形成されている。記録トラック２１は、サーボ信号などが格納されたサーボ領域２２、ユーザデータが格納されるユーザ領域２３に分かれる。図２では、わかりやすくするために、トラックとトラックの間に隙間を描き、点線でトラック部分を明示している。図２に示した構成は通常の磁気記録再生装置に用いられているものと同様であるが、サーボ領域とトラック間に非磁性体が含まれている点が異なる。

図３に本発明の実施形態に係る、リセス部を有するパターンド磁気記録媒体の模式的な平面図を示す。媒体３１の端部から１ｍｍ以内の領域に媒体端部まで続くリセス部３２が形成されている。この図は、リセス部３２が媒体全周にわたってリング状に形成された例を示している。

図４に本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の模式的な断面図を示す。この図には、媒体３１について、中心軸４４、媒体端部から１ｍｍ以内の領域４２、および媒体の仕様半径から１ｍｍを差し引いた領域４１を示している。

図３のリセス部３２は媒体端部から１ｍｍ以内の領域に存在するが、図４に示すように実際の媒体は端部にテーパを設けた形状を有する。そこで、本発明においては、媒体の仕様半径から１ｍｍを引いた領域４１の外側の領域４２を「媒体端部から１ｍｍ以内の領域」と定義する。たとえば、直径２．５インチのディスク媒体で半径の仕様値が３２．５ｍｍである場合、図４における中心軸４４から３１．５ｍｍ以内の範囲が領域４１であり、その外側の領域４２が「媒体端部から１ｍｍ以内の領域」となる。なお、リセス部３２は、媒体端部から少なくとも上記テーパ部の内側まで形成されていることが好ましい。たとえば直径２．５インチのディスク基板の場合、その仕様値は１５０±７０μｍであるので、１５０μｍよりも内側に形成することが好ましい。２．５インチ以外の基板についても、この内側の距離はその仕様に基づき決定すればよい。

図５に本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体のリセス部の模式的な断面図を示す。この図に示されるように、媒体３１の端部に、媒体３１上のデータ領域３３よりも高さの低い領域が媒体の端部まで続いている。この領域がリセス部３２であり、こうしたリセス部３２を設けることにより、磁気ヘッドを媒体上にロードする際に、ダストを巻き込んでクラッシュすることを防ぐことができる。

データ領域３３とリセス部３２との高低差は４３で表される。４３で表されるリセスの大きさは、１ｎｍから５０ｎｍが適当である。１ｎｍ未満ではリセス部３２以外にもダストが蓄積されるためにヘッドクラッシュが起こる。一方、５０ｎｍより大きいと、リセス部の形成にコストがかかり、リセス部３２からデータ領域３３へ磁気ヘッドがローディングされるときにヘッドクラッシュが生じるおそれがあるので好ましくない。

なお、図５ではリセス部３２を基板面と平行に形成しているが、リセス部３２が傾斜していても本発明の効果は得られる。

図６に本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の一例の断面図を示す。この図では、リセス部の保護層１４の厚さをデータ領域の保護層１４の厚さよりも薄くすることにより、リセス量を確保している。このような媒体を製造するには、保護層形成の前後のプロセスにおいて、媒体端部から１ｍｍ以内の領域に保護膜の堆積を阻害するかまたは保護膜をエッチングするプロセスを入れればいい。この方法を用いれば、それ以前の下地層から磁性層までの堆積プロセスを変更せずにすむ。

図７に本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の他の例の断面図を示す。この図では、リセス部の磁気記録層１３の厚さをデータ領域の磁気記録層１３の厚さよりも薄くすることにより、リセス量を確保している。一般に保護層１４は磁気スペーシングをできるだけ小さくするために、できるだけ薄く、たとえば５ｎｍ程度の厚さに設定される。また、保護層１４はヘッドとの摩擦が小さく、かつ潤滑剤が効率よく付着する性質を持っている必要がある。したがって、図６に示したように、保護層１４に加工を施すよりも、その下の磁気記録層１３を加工してリセス部を形成することが好ましい場合もある。このような媒体を製造するには、磁気記録層形成の前後のプロセスにおいて、媒体端部から１ｍｍ以内の領域に磁気記録層１３の堆積を阻害するかまたは磁気記録層１３をエッチングするプロセスを入れればよい。この方法を用いれば、それ以前の下地層までの堆積プロセスを変更せずに済む。

図６のように保護層を薄くするか、図７のように磁気記録層を薄くするか、またはその両方を薄くするかは、媒体の製造プロセスやシステムの要件によって適宜選ぶべき事項であり、いずれの場合でも本発明の効果は得られる。

図８に本発明の実施形態に係る他のパターンド磁気記録媒体の端部の一部のみを示す。この図では、右方向（ｒ方向）が媒体の半径方向、上方向（θ方向）が媒体の周方向である。この図に示すように、リセス部３２を媒体の周縁部に複数に分割して形成してもよい。すなわち、リセス部３２は連続して存在する必要はなく、離散的に存在していてもよい。リセス部３２間の距離は１００ｎｍ〜１００μｍの範囲に設定される。リセス部３２間の距離が１００ｎｍよりも小さいと製造コストが増加する。一方、１００μｍよりも大きいと、リセス部の間にダストがたまりやすくなり、ヘッドクラッシュの頻度が多くなる。

図８に示すように、複数のリセス部３２を間歇的なパターンで形成することにより、ヘッドがリセス部３２からデータ領域にロードされる際に、媒体面の高さの違いによって浮上量が変動して、媒体外周部において接触が起こるのを防ぐことができる。

なお、図８には複数のリセス部３２を媒体半径方向に平行な辺と垂直な辺とで画定しているが、複数のリセス部３２の形状は特に限定されない。たとえば、図９に示すように、媒体半径方向に対して傾いた形状であってもよい。

次に、本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体を作製するために用いられるスタンパー（インプリント原盤）について説明する。パターンド磁気記録媒体の作製法のひとつとしてインプリント法が用いられる。この方法は、媒体上にレジストを塗布し、加工したいパターンを持った原盤（スタンパー）をレジストに押し付けて（インプリントして）、そのパターンをレジスト上に転写し、それをマスクとしてイオンミリングやＲＩＥなどのエッチングを行うものである。この方法では、ｎｍオーダの微細なパターンでも高いスループットで媒体上に転写でき、媒体製造コストを下げることができる。本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体も、同様なインプリント法を用いることで安価に作製することができる。

本発明の実施形態に係るスタンパーは、スタンパーの媒体端部に相当する位置から１ｍｍ以内の領域に媒体のリセス部に対応するパターンを形成したものである。このパターンは加工後にリセス部の深さがデータ領域よりも１〜５０ｎｍ深くなる要件を満たせばよい。このような要件は、マスクの材料やエッチング法によって異なる。したがって、リセス部に対応するパターンの高さがデータ領域に対応するパターンの高さよりもどれくらい高くするかまたは低くするかは一概に決定できない。

図１０に本発明の実施形態に係るインプリントスタンパー１０１の模式的な断面図を示す。この図において、１０３は媒体のデータ領域のパターンに対応するパターンを示している。スタンパーがネガ型かポジ型かによって、凸部が媒体状の凹部になるか凸部になるか決まる。この図において、１０２は媒体のリセス部を対応するパターンである。この図ではリセス部を対応するパターン１０２を凸部で示しているが、スタンパーの種類（ネガ型またはポジ型）によっては凹部であってもよい。

図８または図９に示すような複数のリセス部３２を有する媒体を作製する場合に用いられる本発明の実施形態に係るインプリントスタンパーは、図１１の平面図に示すように、媒体のリセス部３２に対応するパターン１０２が複数に分割されて形成されている。複数のパターン１０２間の距離は１００ｎｍ〜１００μｍの範囲に設定される。この図でも、図８または図９と同様に、右方向（ｒ方向）が媒体の半径方向、上方向（θ方向）が媒体の周方向である。パターン１０２間の距離が１００ｎｍよりも小さいとスタンパーの製造コストが増加する。一方、１００μｍよりも大きいと、媒体のリセス部の間にダストがたまりやすくなり、ヘッドクラッシュの頻度が多くなる。

図１１に示すような間歇的なパターン１０２を持ったインプリントスタンパーでパターンド磁気記録媒体を作製すると、ヘッドがリセス部からデータ領域にロードされる際に、媒体面の高さの違いによって浮上量が変動して、媒体外周部において接触が起こることを防ぐことができる。なお、媒体のリセス部の対応するパターンの形状は、図１１に示した形状以外でもよい。

次に、本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法について説明する。
図１２（ａ）および（ｂ）を参照して、製造工程の一部を概略的に説明する。図１２（ａ）は、基板１１上に媒体膜１２１を堆積し、その上にエッチングマスク１２２を塗布した状態を示す。エッチングマスク１２２には、レジストのような有機物またはＳＯＧ（Spin-on Glass）のような無機物が用いられる。次に、図１２（ｂ）に示すように、媒体端部から１ｍｍ以内の領域でエッチングマスク１２２の一部を除去した部分１２３を形成する。図１２（ｂ）に示すように、除去部１２３ではエッチングマスク１２２を完全に除去する必要はない。エッチングマスク１２２をこのように加工した後にエッチングすることにより、媒体膜１２１にリセス部を形成することができる。これは、エッチングプロセス中に、エッチングマスク１２２が薄い除去部１２３では、厚いエッチングマスク１２２がある部分と比較して早くマスクが消失するため、その部分だけ媒体膜１２１のエッチングが進行するからである。

エッチングマスクを除去する方法としては、マスクの溶媒をリセス部に相当する部分に塗布してマスクを薄くする方法や、ダストを発生しない布やローラなどでリセス部に相当する部分のマスクをぬぐうなどの方法がある。溶媒を塗布する方法は、ダスト発生が少なくプロセスも容易であるが、リセス部の幅の制御性に劣る。一方、マスクをぬぐう方法は、ダスト発生の可能性が高いが、リセス部の幅の制御性がよい。マスクをぬぐう方法は、スピンコータの外縁部に布やローラを設置しておき、マスクをスピンコートした直後に布やローラを基板上に移動させることで、高速かつ制御性のよいマスク除去プロセスを実現できる。もちろん、上記以外の方法でマスクを除去してもよい。また、上記以外の材料からなるエッチングマスクに対してもこれらの方法を適用することができる。

エッチングマスクの除去は、データ領域の加工のためのマスクを形成した際に同時に行えば、一度にデータ領域とリセス部を形成できるので好ましい。ただし、ダストがデータ領域に達して重要な情報（サーボ情報など）を失う可能性もあるので注意を要する。

磁気記録層までを堆積した媒体膜１２１の上にエッチングマスク１２２を塗布した場合、図７に示したようにリセス部で磁気記録層の厚さが薄くなった媒体を作製することができる。また、磁気記録層および保護膜までを堆積した媒体膜１２１の上にエッチングマスク１２２を塗布した場合、図６に示したようにリセス部で保護層の厚さが薄くなった媒体を作製することができる。

図１３（ａ）および（ｂ）を参照して、他の製造工程の一部を概略的に説明する。図１３（ａ）は、基板１１上に形成された軟磁性下地層１２上に磁性体１５のパターンを形成した後、磁性体１５のパターンの間を埋める非磁性体１６を堆積した状態を示す。次に、図１３（ｂ）に示すように、媒体端部から１ｍｍ以内の領域で非磁性体１６の一部を除去した部分１３３を形成する。

非磁性体１６を形成する方法としては、ＳｉＯ₂のような非磁性体をスパッタなどによって堆積する方法がある。この場合、図１２に示したような方法で、非磁性体の上にエッチングマスクを塗布して除去部を形成した後、エッチングすることにより非磁性体１６の除去部１３３を形成してもよい。また、非磁性体１６の周縁部だけがエッチングされやすい条件でエッチングを行い、非磁性体１６の除去部１３３を形成してもよい。

非磁性体１６を形成する別の方法として、ＳＯＧを塗布する方法もある。この場合、非磁性体１６の除去部１３３を形成するには、ＳＯＧの溶媒をリセス部に相当する部分に塗布して薄くする方法や、ダストを発生しない布やローラなどでリセス部に相当する部分のＳＯＧをぬぐうなどの方法がある。溶媒を塗布する方法は、ダスト発生が少なくプロセスも容易であるが、リセス部の幅の制御性に劣る。一方、ＳＯＧをぬぐう方法は、ダスト発生の可能性が高いが、リセス部の幅の制御性がよい。ＳＯＧをぬぐう方法は、スピンコータの外縁部に布やローラを設置しておき、ＳＯＧをスピンコートした直後に布やローラを基板上に移動させることで、高速かつ制御性のよいＳＯＧ除去プロセスを実現できる。もちろん、上記以外の方法でＳＯＧを除去してもよい。

図１３（ｂ）に示すように、除去部１３３で非磁性体１６を完全に除去する必要はない。なぜならば、この後のプロセスでそのまま保護膜を形成することで、図７に示したパターンド磁気記録媒体を作製することができる。

また、たとえば図１４に示すように、非磁性体１６をエッチングして、磁性体１５がちょうど現れるように薄膜化した後に保護膜を形成してもよい。このような方法を採用すれば磁気スペーシングのロスは少なくなるが、プロセスコストがかかる。

磁気記録層上に非磁性体を堆積した場合、図７に示したようにリセス部で磁気記録層の厚さが薄くなった媒体を作製することができる。また、磁気記録層および保護膜上に非磁性体を堆積した場合、図６に示したようにリセス部で保護層の厚さが薄くなった媒体を作製することができる。

次に、本発明の実施形態に係る磁気記録再生装置について説明する。この磁気記録再生装置は、筐体と、筐体内に取り付けられたスピンドルと、スピンドルに回転可能に取り付けられた、端部にリセス部を有するパターンド磁気記録媒体と、パターンド磁気記録媒体上にスライダーによって浮上するように構成された記録再生ヘッドと、記録再生ヘッドを退避させるランプ機構とを有する。スライダーの浮上量は、２０ｎｍ以下であることが好ましい。

上述したように、ランプロード方式に磁気記録再生装置にリセス部を有するパターンド磁気記録媒体を用いた場合、ヘッドのローディング時にダストを巻き込まないという顕著な効果が得られる。一方、ＣＳＳ（コンタクト・スタート・ストップ）方式の磁気記録再生装置にリセス部を有するパターンド磁気記録媒体を用いた場合、ヘッドが周縁部にアクセスした際にダストを巻き込まないという効果は得られるが、ランプロード方式の装置の場合ほど顕著な効果は得られない。

本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体に対しては、以下に説明するように、通常の磁気記録媒体に用いられる材料および各層の積層構造を適用することができる。

＜基板＞
基板としては、たとえばガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック、カーボンや、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、およびこれらの基板にＮｉＰなどのメッキが施されたものなどを用いることができる。

ガラス基板としては、アモルファスガラス、結晶化ガラスがあり、アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。また、結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。セラミック基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの繊維強化物などが使用可能である。

基板としては、上記金属基板、非金属基板の表面にメッキ法やスパッタ法を用いてＮｉＰ層が形成されたものを用いることもできる。

また、基板上への薄膜の形成方法として以下ではスパッタリング法のみを取り上げたが、真空蒸着法や電解メッキ法などでも同様の効果を得ることができる。

＜軟磁性下地層＞
磁気記録層１３が垂直磁化膜であり、媒体を垂直磁気記録媒体として用いる場合には、高透磁率な軟磁性下地層（裏打ち層）を設けることにより、軟磁性下地層上に垂直磁気記録層を有するいわゆる垂直二層媒体を構成してもよい。この垂直二層媒体において、軟磁性下地層（ＳＵＬ）は、垂直磁磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドたとえば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たす。

軟磁性下地層には、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。より具体的には、ＦｅＣｏ系合金たとえばＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなど、ＦｅＮｉ系合金たとえばＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなど、ＦｅＡｌ系合金、ＦｅＳｉ系合金たとえばＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなど、ＦｅＴａ系合金たとえばＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなど、ＦｅＺｒ系合金たとえばＦｅＺｒＮなどを挙げることができる。

また、Ｆｅを６０ａｔ％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造、または微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラー構造を有する材料を用いることができる。

また、軟磁性下地層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、ＴｉおよびＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることができる。Ｃｏは、好ましくは８０ａｔ％以上含まれる。このようなＣｏ合金は、スパッタ法により成膜した場合にアモルファスになりやすく、アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、このようなアモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。

好適なアモルファス軟磁性材料としては、たとえばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、およびＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。

ＳＵＬの下には、ＳＵＬの結晶性の向上または基板との密着性の向上のためにさらに下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔまたはこれらを含む合金、またはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。

ＳＵＬと記録層との間には、非磁性体からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、ＳＵＬと記録層との交換結合相互作用を遮断することと、記録層の結晶性を制御することの二つがある。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉまたはこれらを含む合金、またはこれらの酸化物、窒化物を用いることができる。

スパイクノイズ防止のためにＳＵＬ層を複数の層に分け０．５〜１．５ｎｍのＲｕを挿入することで反強磁性結合させてもよい。また、ＣｏＣｒＰｔやＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持った硬磁性膜、またはＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピン層と軟磁性層とを交換結合させてもよい。その際に、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の前後に磁性（たとえばＣｏ）または非磁性の膜（たとえばＰｔ）を積層してもよい。

＜磁気記録層＞
磁気記録層は、磁化容易軸が主に媒体垂直方向に向いている垂直磁化膜、または磁化容易軸が主に媒体面内方向に向いている面内磁化膜のいずれでも用いることができる。磁気記録層は、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるものが好ましい。この酸化物としては、酸化コバルト、酸化シリコン、酸化チタン、または磁気記録層を構成する金属の酸化物が好適である。

磁気記録層は、層中に磁性粒子（磁性を有した結晶粒子）が分散していることが好ましい。この磁性粒子は、垂直磁気記録層を上下に貫いた柱状構造であることが好ましい。このような構造を形成することにより、垂直磁気記録層の磁性粒子の配向および結晶性が良好になり、結果として高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を得ることができる。

このような構造を得るためには、含有させる酸化物の量が重要となる。酸化物の含有量は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの総量に対して、３ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下である。磁気記録層中の酸化物の含有量として上記範囲が好ましいのは、層を形成した際、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を孤立させ、かつ微細化させることができるためである。

酸化物の含有量が上記範囲を超えた場合、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性、結晶性を損ね、さらには、磁性粒子の上下に酸化物が析出し、結果として磁性粒子が磁気記録層を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなるため好ましくない。また、酸化物の含有量が上記範囲未満である場合、磁性粒子の分離、微細化が不十分となり、結果として記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなるため好ましくない。

磁気記録層のＣｒの含有量は、０ａｔ％以上１６ａｔ％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０ａｔ％以上１４ａｔ％以下である。Ｃｒ含有量が上記範囲であると、磁性粒子の一軸結晶磁気異方性定数Ｋｕを下げすぎず、また、高い磁化を維持し、結果として高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性が得られるために好適である。

Ｃｒ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し、また、磁性粒子の結晶性、配向性が悪化することで、結果として記録再生特性が悪くなるため好ましくない。

磁気記録層のＰｔの含有量は、１０ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることが好ましい。Ｐｔ含有量が上記範囲であると、垂直磁性層に必要なＫｕが得られ、さらに磁性粒子の結晶性、配向性が良好になり、結果として高密度記録に適した熱揺らぎ特性、記録再生特性が得られるため好適である。

Ｐｔ含有量が上記範囲を超えた場合、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性、配向性が損なわれるおそれがあるため好ましくない。また、Ｐｔ含有量が上記範囲未満である場合、高密度記録に適した熱揺らぎ特性を得るのに十分なＫｕが得られないため好ましくない。

磁気記録層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物のほかに、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含む事により、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。

上記元素の合計の含有量は、８ａｔ％以下であることが好ましい。８ａｔ％を超えた場合、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成されるため、磁性粒子の結晶性、配向性が乱れ、結果として高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性が得られないため好ましくない。

また、磁気記録層としては、上記の他、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、およびＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、およびＲｕからなる群より選択された少なくとも一種を主成分とする合金とＣｏとの多層構造、さらに、これらにＣｒ、ＢおよびＯを添加したＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ、ＣｏＢ／ＰｄＢ、ＣｏＯ／ＲｈＯなどを使用することができる。

磁気記録層の厚さは、好ましくは２ないし６０ｎｍ、より好ましくは５ないし３０ｎｍである。この範囲であると、より高記録密度に適した磁気記録再生装置として動作することができる。磁気記録層の厚さが２ｎｍ未満であると、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向があり、磁気記録層の厚さが６０ｎｍを超えると、再生出力が高過ぎて波形を歪ませる傾向がある。

磁気記録層の保磁力は、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とすることが好ましい。保磁力が２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）未満であると、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。

＜保護層＞
磁気記録層上に保護層を設ける。保護層は、磁気記録層の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが媒体に接触したときに媒体表面の損傷を防ぐ目的で設けられる。その材料としては、たとえばＣ、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂を含むものがあげられる。

保護層の厚さは１ないし１０ｎｍとすることが好ましい。保護層の厚さがこの程度であれば、ヘッドと媒体の距離を小さくできるので、高密度記録に好適である。

＜潤滑層＞
保護層上には、潤滑層を設けることができる。潤滑層に使用される潤滑剤としては、従来公知の材料、たとえばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。

本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体は磁気記録層の構造に特徴を持つ。図１に示したように、磁気記録層１３は磁性体１５とそれの間を埋める非磁性体１６とを含む。このように磁性体を非磁性体で分断することにより、たとえばサーボ領域では磁性体のあり／なしによって信号を得ることができる。図２の平面図に示したように、本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体のサーボ領域２２には、プリアンブル、ＡＢＣＤバースト、アドレス信号、ミラー部が含まれる。これらのサーボ信号も磁性体１５および非磁性体１６によって形成され、ヘッドは磁性体のあり／なしによって生じる磁束の変化からサーボ情報を読み出す。

本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体は、図２に示すユーザ領域２３において記録単位ごとに孤立した磁性体のパターンが形成されているものでもよい。このようなパターンド磁気記録媒体では、加工された磁性体パターンの一単位がひとつの記録マークとなる（一単位が何ビットになるかは、用いるシステムによって異なる）。従来の媒体のように数十〜数百個の孤立した磁性結晶粒子がひとつの記録マークを形成していたものに比べて、このようなパターンド磁気記録媒体では孤立粒子のサイズを大きくできるので熱ゆらぎに強くなる利点がある。ただし、記録マークの位置は媒体上で規定されているので、ヘッドを記録マーク上に正確にアクセスさせる技術が必要となる。

以下、パターンド磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する。
＜スタンパー作製＞
まず、パターンの元になる原盤を作製する。Ｓｉ基板上に感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂層に電子線を照射して潜像を形成し、この潜像を現像することにより凹凸パターンを形成する。凹凸パターンは、所定のタイミングで電子線を基板上の感光性樹脂に照射するための信号源とその信号源に同期して高精度に基盤を移動させるステージを具備する露光装置を用いて形成する。

作製されたレジスト原盤の上に通常のスパッタリング法によってＮｉ導電膜を形成する。次に、導電膜の上に電鋳法により厚さ約３００μｍのニッケル電鋳膜を形成する。電鋳には、たとえば昭和化学（株）製の高濃度スルファミン酸ニッケルメッキ液（ＮＳ−１６０）を使用する。電鋳条件の一例は次の通りである。

スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ
ホウ酸：４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０．１５ｇ／Ｌ
液の温度：５５℃
ｐＨ：３．８〜４．０
電流密度：２０Ａ／ｄｍ２。

この後、レジスト原盤から電鋳膜を剥離することにより、導電膜および電鋳膜およびレジスト残渣を備えたスタンパーを得る。次にレジスト残渣を酸素プラズマアッシング法で除去する。酸素プラズマアッシングは例では酸素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎで導入し４Ｐａの真空に調整されたチャンバー内において１００Ｗで１０分間プラズマアッシングを行う。

こうして得られたファザースタンパー自体をインプリントスタンパーとして使用できるが、このファザースタンパーに上記の電鋳処理を繰り返し、スタンパーを大量複製することが好ましい。まずファザースタンパーの表面に、レジスト残渣を除去する工程と同様の酸素プラズマアッシング法で酸化膜を形成する。酸素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎで導入し４Ｐａの真空に調整されたチャンバー内において２００Ｗで３分間処理する。この後、電鋳法により前述したものと同じ手法でニッケル電鋳膜を形成する。この後、ファザースタンパーから電鋳膜を剥離してファザースタンパーの反転型であるマザースタンパーを得る。ファザースタンパーからマザースタンパーを得る工程を繰り返すことにより１０枚以上の同じ形状のマザースタンパーを得る。

この後、ファザースタンパーからマザースタンパーを得る手順と同様にして、マザースタンパー表面に酸化膜を形成し、電鋳膜を形成して剥離することにより、ファザースタンパーと凹凸形状が同じサンスタンパーを得る。

＜インプリント＞
（サン）スタンパーをアセトンで５分間超音波洗浄をした後、フッ素系剥離剤として塩素系フッ素樹脂含有シランカップリング剤であるフルオロアルキルシラン［ＣＦ₃（ＣＦ₂）₇ＣＨ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＭｅ）₃］（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製の商品名ＴＳＬ８２３３）をエタノールで２％に希釈した溶液で３０分以上浸し、ブロアで溶液をとばした後に、窒素雰囲気中１２０℃で１時間アニールする。磁気ディスクにレジスト（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製の商品名Ｓ１８１８をポリエチレングリコール モノメチルエーテル アセテート（ＰＧＭＥＡ）で５倍に希釈したもの、またはＳ１８０１）をスピンコータで塗布し、凹凸パターンが形成されたスタンパーを４５０ｂａｒで６０秒間プレスすることによって、レジストにそのパターンを転写する。その後、真空ピンセットを用いてスタンパーを剥離する。レジスト膜にパターン転写し、５分間ＵＶ照射で表面凹凸形状を硬化させた後、１６０℃で３０分加熱してレジスト膜全体を架橋させる。

＜媒体エッチング＞
磁気ディスク上の凹部のレジスト残渣を除去するため、酸素ガスによるＲＩＥを行う。続けて、Ａｒイオンミリングで磁気記録層をエッチングする。磁気記録層のダメージをなくすため、再付着（リデポ）現象を抑えるように、イオン入射角を３０°、７０°と変化させてエッチングする。磁性体エッチング後、エッチングマスクの剥離のために酸素ＲＩＥを行う。磁性体加工後、保護膜としてカーボン保護膜を形成する。作製した媒体に潤滑剤をディップ法で塗布する。

以上のプロセスで、パターンド磁気記録媒体を作製することができる。この場合、金属部は磁性体であるＣｏＣｒＰｔなどからなり、非磁性体は空気とカーボン保護膜と潤滑剤の混合体となる。

一方、表面が実質的に平坦な磁気ディスクを作ることもできる。このような磁気ディスクの製造方法を以下に示す。

スタンパー作製プロセスは上記の方法と同じである。インプリントプロセスにおいて、磁気ディスクにＳＯＧ（Spin On Glass）をスピンコータで塗布する。ＳＯＧは、シロキサンの化学構造によって、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー（ＭＳＱ）、水素化シルセスキオキサンポリマー（ＨＳＱ）、水素化アルキルシロキサンポリマー（ＨＯＳＰ）などに分類できる。たとえば、東京応化株式会社製のＴ−７とダウコーニング社製のＦＯＸをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）で５倍に希釈したものを用いる。ＳＯＧ塗布後、オーブンに入れ１００℃で２０分間プリベークを行い、ＳＯＧの溶媒を飛ばし、適度な硬度に保つ。その後、記録トラックとサーボ情報のパターンが埋め込まれたスタンパーを４５０ｂａｒで６０秒間プレスすることによって、レジストにそのパターンを転写する。

次に、エッチングプロセスにおいて、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘電結合プラズマ）エッチング装置を用いてＳＯＧ膜の残差除去を行う。エッチングガスにＳＦ₆を用い、チャンバー圧を２ｍＴｏｒｒとする。ＩＣＰはＣｏｉｌ ＲＦとＰｌａｔｅｎ ＲＦを、それぞれ１００Ｗに設定する。エッチング時間はたとえば２分４０秒に設定する。磁気ディスクのミリングプロセスは上記の方法と同様に行う。

ミリング後、レジストに用いたＳＯＧと同様のＳＯＧを用いてスピンコータで埋め込みを行う。その後、ミリングで再び磁性膜が出るまでエッチバックを行う。この場合、非磁性体はＳｉＯ₂となる。このほか、埋め込みには通常のスパッタ法でＡｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅などを成膜し、その後ミリングでエッチバックするプロセスを用いることができる。スパッタできる任意の材料を非磁性体の材料とすることができる。

なお、エッチバックの量を多めにすることで、誘電体を埋め込んだときに表面に凹凸を設けた媒体を作製することもできる。また、上記と同様の方法で基板に凹凸を形成し、そのまま通常の媒体の製造方法と同様に成膜してもよい。さらに、誘電体の埋め込みとエッチバックを組み合わせ、凹凸を有する基板を用いて、表面が実質的に平坦な媒体を作製することもできる。

（実施例１）
本実施例では、ディスク基板１１として直径０．８５インチのガラス基板を用いた。ガラス基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて薄膜を堆積し、図１に模式的に示す垂直磁気記録媒体を作製した。このとき、下地層としてＣｏＺｒＮｂ軟磁性下地層［１００ｎｍ］／Ｔａ中間層［５ｎｍ］／Ｒｕシード層［１０ｎｍ］の多層膜を用いた。磁気記録層にＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ₂［２０ｎｍ］、保護層にＣＶＤ法で作製したＣ［４ｎｍ］を用いた。この成膜の際に、軟磁性下地層を作製した時点で、ディスク基板と同じ大きさのＴａからなるマスクをディスク基板上に設置し、Ａｒイオンミリングを行った。Ａｒイオンは若干の回りこみがあるので、ディスクの端部のみが少しエッチングされる。Ｔａマスクの設置位置、Ａｒイオンの条件（圧力、エネルギー）を調整して、ディスク端部１ｍｍの領域のみがエッチングされるようにした。エッチング時間を調整して、リセス量が０、０．５、１、５、１０、２０、５０、７０、１００ｎｍである媒体を作製した。

この媒体を記録特性評価装置（スピンスタンド）で試験した。試験内容は、実際のドライブでのローディングと同様の動作を行い、ヘッドクラッシュが起こるかどうかを調べるものである。媒体の外周側からヘッドを媒体上にロードし、その際の媒体とヘッドの接触の状況をＡＥ（Acoustic Emission）センサーまたは振動センサーで調べた。１０回のヘッドローディングを行い、ＡＥセンサーで接触音が検出されるか、または振動センサーでスライダーの振動が観測されたものを不良とし、不良発生率を調べた。その結果、リセス量が１〜５０ｎｍのものでは不良が発生しなかった。

次に、上記媒体を用いて磁気記録再生装置を作製した。図１５に磁気記録再生装置の斜視図を示す。筐体の内部にはスピンドル２０２が取り付けられ、このスピンドル２０２にリセス部を設けたパターンド磁気記録媒体２０１が回転可能に取り付けられる。媒体２０１の近傍のピボット２０３には、アクチュエータアーム２０４が保持され、このアクチュエータアーム２０４の先端にサスペンション２０５が取り付けられ、サスペンション２０５の下面にスライダー２０６が支持されている。スライダー２０６の先端に記録再生ヘッドが形成されている。磁気ヘッドはいわゆる複合型ヘッドであり、単磁極構造のライトヘッドと、ＧＭＲ膜やＴＭＲ膜などを用いたリードヘッドを含む。アクチュエータアーム２０４はボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０８により動作する。スライダー２０６はアンロード時にはランプ機構２０８に退避しており、スピンドル２０２により媒体２０１を回転させ、ロード時に媒体２０１上の任意の半径位置上でヘッドを浮上させた状態で位置決めする。２０９はカバーである。媒体２０１には各種のデジタルデータが垂直記録方式で磁気記録される。この装置の回路基板はヘッドＩＣを備え、アクチュエータの駆動信号および、ヘッドを読み書き制御するための制御信号などを生成する。

上記装置を用いて、ヘッドのロード、アンロードを１００回繰り返し、ヘッドのトラッキングができるかどうかを試験した。その結果、リセス量が１〜５０ｎｍのもの以外の媒体を搭載した装置では、トラッキング不良を起こすものがあり、最悪の場合にはヘッドクラッシュを起こして使用できなくなるものもあった。

（実施例２）
以下のようにして媒体を作製した。インプリントスタンパーのパターンを、媒体端部から１ｍｍ以内の領域に相当する部分にリセス部を作るようなパターンとした。リセス部は図３に模式的に示したような連続的なものとした。データ領域のパターンを、トラック状のものから、記録単位ごとの孤立マークが形成されるもの（狭義のパターンド磁気記録媒体）に変更した。基板サイズは１．８インチに変更した。製造プロセスは下記のように変更した。

基板上にＦｅＣｏＴａ軟磁性下地層［８０ｎｍ］／Ｔａ中間層［５ｎｍ］／Ｒｕシード層［１０ｎｍ］／ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ_x［１５ｎｍ］／Ｃ［２ｎｍ］を成膜した。その後、媒体にＳＯＧを塗布し、上記スタンパーを用いてインプリントを行い、ＳＦ₆ガスによりパターンの底部を除去し、Ａｒイオンミリング、ＳＯＧ塗布埋め込み、Ａｒイオンミリングを行い平坦化した。その後さらに、Ｃ保護層［２ｎｍ］を堆積した。このとき、スタンパーのリセス部のパターン高さを変化させて、加工後の媒体のリセス部の深さ４３を０、１、１０、５０、８０ｎｍと変化させた。得られた媒体の断面構造をＴＥＭで調べたところ、リセス深さが０ｎｍのものを除いて、リセス部のＣ保護層がデータ領域のＣ保護層よりも１ｎｍ以上薄かった。これらの媒体を（実施例１）と同様のスピンスタンド試験に供した。その結果、リセス量が１〜５０ｎｍの媒体では不良がなかった。

また、これらの媒体を用いて（実施例１）と同様の記録再生装置を作製し、（実施例１）と同様の試験を行った。その結果、リセス量が１、１０、５０ｎｍのもの以外の媒体を搭載した装置では、トラッキング不良を起こすものがあり、最悪の場合にはヘッドクラッシュを起こして使用できなくなるものがあった。

次に、インプリントスタンパーとして、図８に模式的に示すような、複数のリセス部対応パターンが分割されて形成されたものを用いた。リセス部間の間隔が５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、１μｍ、１０μｍ、１００μｍ、５００μｍとなるようにした。リセス量は５ｎｍとした。これらの媒体を（実施例１）と同様のスピンスタンド試験に供した。その結果、リセス部の間隔が１００ｎｍ、２００ｎｍ、１μｍ、１０μｍ、１００μｍのものでは不良がなかった。

また、これらの媒体を用いて（実施例１）と同様の記録再生装置を作製し、（実施例１）と同様の試験を行った。その結果、リセス部の間隔が１００ｎｍ、２００ｎｍ、１μｍ、１０μｍ、１００μｍのもの以外の媒体を搭載した装置では、トラッキング不良を起こすものがあり、最悪の場合にはヘッドクラッシュを起こして使用できなくなるものがあった。

（実施例３）
以下のようにして媒体を作製した。基板サイズは２．５インチに変更した。製造プロセスは下記のように変更した。

基板上にＮｉＴａ下地層［１５ｎｍ］／Ｃｒ下地層［５ｎｍ］／ＣｏＣｒＰｔＢ［２５ｎｍ］を成膜した。この磁気記録層は、磁化容易軸が媒体面内にランダムにある、いわゆる面内記録層である。フォトレジストを塗布し、（実施例１）と同様のスタンパーを用いてインプリントを行った。その後、媒体端部から１ｍｍ以内の領域を無塵繊維でできた布で拭き取り、レジストの薄い領域を作った。次に、Ｏ₂ガスによりパターンの底部を除去し、Ａｒイオンミリング、Ｏ₂アッシングによる残留レジスト除去を行った。その後、バイアススパッタによりＳｉＯ₂を埋め込み、Ａｒイオンミリングによる平坦化を行い、Ｃ保護層［４ｎｍ］を堆積した。このプロセスによって、図７に模式的に示すような、磁気記録層にリセス部が存在する媒体を作製できた。このとき、布の押し付け圧力、拭き取り回転数を変えた。また、布で拭き取る代わりに、レジストをスピンコータで塗布した際に、基板の回転を止めずにレジストの溶媒を媒体端部から１ｍｍ以内の領域に微量滴下し、滴下量を変化させ、振り切った。この工程により、端部のレジスト層は薄くなる。これらのプロセス後の媒体断面構造をＴＥＭで調べたところ、加工後の磁気記録層のリセス部の深さ４３が０、０．８、１、１５、２５ｎｍとなっていた。これらの媒体を（実施例１）と同様のスピンスタンド試験に供した。その結果、リセス量が１〜２５ｎｍの媒体では不良がなかった。

また、これらの媒体を用いて（実施例１）と同様の記録再生装置を作製し、（実施例１）と同様の試験を行った。その結果、リセス量が１〜２５ｎｍのもの以外の媒体を搭載した装置では、トラッキング不良を起こすものがあり、最悪の場合にはヘッドクラッシュを起こして使用できなくなるものがあった。

次に、基板上に、ＮｉＴａ下地層［１５ｎｍ］／Ｃｒ下地層［５ｎｍ］／ＣｏＣｒＰｔＢ［２５ｎｍ］／Ｃ［３ｎｍ］を成膜した。次に、ＳＯＧを塗布し、（実施例１）と同様のスタンパーを用いてインプリントを行った。その後、ＳＦ₆によりパターンの底部を除去し、Ａｒイオンミリングを行った。この後、埋め込みのためにＳＯＧを再度塗布した。その後、媒体端部から１ｍｍ以内の領域を無塵繊維でできた布で拭き取り、ＳＯＧの薄い領域を作った。次に、Ａｒイオンミリングによる平坦化を行い、Ｃ保護層［２ｎｍ］を堆積した。このプロセスによって、図６に模式的に示すような、保護層にリセス部が存在する媒体を作製できた。このとき、布の押し付け圧力、拭き取り回転数を変えた。また、布で拭き取る代わりに、ＳＯＧの溶媒を媒体端部から１ｍｍ以内の領域に微量滴下し、滴下量を変化させた。これらのプロセス後の媒体断面構造をＴＥＭで調べたところ、加工後の保護層のリセス部の深さ４３が０、０．５、１、３、４ｎｍとなっていた。これらの媒体を（実施例１）と同様のスピンスタンド試験に供した。その結果、リセス量が１〜４ｎｍの媒体では不良がなかった。

また、これらの媒体を用いて（実施例１）と同様の記録再生装置を作製し、（実施例１）と同様の試験を行った。その結果、リセス量が１〜４ｎｍのもの以外の媒体を搭載した装置では、トラッキング不良を起こすものがあり、最悪の場合にはヘッドクラッシュを起こして使用できなくなるものがあった。

本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の模式的な断面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の一種であるディスクリートトラック媒体の模式的な平面図。 本発明の実施形態に係るリセス部を有するパターンド磁気記録媒体の模式的な平面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の模式的な断面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体のリセス部の模式的な断面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の一例の断面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の他の例の断面図。 本発明の実施形態に係る他のパターンド磁気記録媒体の端部の一部のみを示す平面図。 本発明の実施形態に係る他のパターンド磁気記録媒体の端部の一部のみを示す平面図。 本発明の実施形態に係るインプリントスタンパーの模式的な断面図。 本発明の実施形態に係るインプリントスタンパーの端部の一部のみを示す平面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法の一例を示す断面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法の他の例を示す断面図。 本発明の実施形態に係るパターンド磁気記録媒体の製造方法の他の例を示す断面図。 本発明の実施形態に係る磁気記録再生装置の斜視図。

符号の説明

１１…基板、１２…軟磁性下地層、１３…磁気記録層、１４…保護層、１５…磁性体、１６…非磁性体、１７…潤滑層、２１…記録トラック、２２…サーボ領域、２３…ユーザ領域、３１…媒体、３２…リセス部、４１…基板の仕様半径から１ｍｍを差し引いた領域、４２…媒体端部から１ｍｍ以内の領域、４３…リセス量、４４…中心軸、１０１…インプリントスタンパー、１０２…パターン、１０３…パターン、１２１…媒体膜、１２２…エッチングマスク、１２３…除去部、１３３…除去部、２０１…媒体、２０２…スピンドル、２０３…ピボット、２０４…アクチュエータアーム、２０５…サスペンション、２０６…スライダー、２０７…ボイスコイルモータ、２０８…ランプ機構、２０９…カバー。

Claims (10)

1. 基板上に形成された磁気記録層および保護層を含み、前記磁気記録層がトラックの形状にパターン化された磁性体とその間を埋める非磁性体とを含むパターンド磁気記録媒体であって、前記媒体端部から１ｍｍ以内の領域に媒体端部まで続くリセス部を有し、前記リセス部はデータ領域よりも１〜５０ｎｍ深く形成されていることを特徴とするパターンド磁気記録媒体。
2. 前記リセス部の保護層の厚さが、データ領域の保護層の厚さよりも１ｎｍ以上薄いことを特徴とする請求項１に記載のパターンド磁気記録媒体。
3. 前記リセス部の磁性層の厚さが、データ領域の磁性層の厚さよりも１ｎｍ以上薄いことを特徴とする請求項１または２に記載のパターンド磁気記録媒体。
4. 前記リセス部が複数に分割されて形成され、リセス部間の距離が１００ｎｍ〜１００μｍの範囲に設定されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のパターンド磁気記録媒体。
5. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載のパターンド磁気記録媒体のパターニングを行うスタンパーであって、前記スタンパーにおける媒体端部に相当する位置から１ｍｍ以内の領域に前記媒体のリセス部に対応するパターンを有することを特徴とするパターンド磁気記録媒体作製用スタンパー。
6. 前記媒体のリセス部に対応するパターンが複数に分割されて形成され、パターン間の距離が１００ｎｍ〜１００μｍの範囲に設定されていることを特徴とする請求項５に記載のパターンド磁気記録媒体作製用スタンパー。
7. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載のパターンド磁気記録媒体を製造するにあたり、前記媒体上にエッチングマスクを形成し、前記媒体の端部から１ｍｍ以内の領域で媒体端部まで続けて前記エッチングマスクを除去することを含むことを特徴とするパターンド磁気記録媒体の製造方法。
8. 請求項１ないし４のいずれか１項に記載のパターンド磁気記録媒体を製造するにあたり、前記媒体上にパターン化された磁性体の間を埋める非磁性体を形成し、前記媒体の端部から１ｍｍ以内の領域で媒体端部まで続けて前記非磁性体を除去することを含むことを特徴とするパターンド磁気記録媒体の製造方法。
9. 筐体と、前記筐体内に取り付けられたスピンドルと、前記スピンドルに回転可能に取り付けられた請求項１ないし４のいずれか１項に記載のパターンド磁気記録媒体と、前記パターンド磁気記録媒体上にスライダーによって浮上するように構成された記録再生ヘッドと、前記記録再生ヘッドを退避させるランプ機構とを有することを特徴とする磁気記録再生装置。
10. 前記スライダーの浮上量が２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項９に記載の磁気記録再生装置。

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