JP2006209877A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来のSRAMセルにおいては、通過トランジスタが2重に設けられているために、通過トランジスタ全体の能力が低下し、それに伴って書込みマージンも低下してしまう。
【解決手段】 SRAMセル1は、インバータ10,20、N型FET32,34,36,38、ワード線42,44、ビット線46,48、および電圧印加回路50,60を備えている。電圧印加回路50,60は、SRAMセル1の読出し動作時には、電圧Vddをそれぞれワード線42,44に与える。一方で、電圧印加回路50,60は、SRAMセル1の書込み動作時には、電圧(Vdd+α)をそれぞれワード線42,44に与える。ここで、α>0である。すなわち、SRAMセル1は、書込み動作時にワード線42,44に与えられる電圧値が、読出し動作時のそれよりも高くなるように構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 SRAMセル1は、インバータ10,20、N型FET32,34,36,38、ワード線42,44、ビット線46,48、および電圧印加回路50,60を備えている。電圧印加回路50,60は、SRAMセル1の読出し動作時には、電圧Vddをそれぞれワード線42,44に与える。一方で、電圧印加回路50,60は、SRAMセル1の書込み動作時には、電圧(Vdd+α)をそれぞれワード線42,44に与える。ここで、α>0である。すなわち、SRAMセル1は、書込み動作時にワード線42,44に与えられる電圧値が、読出し動作時のそれよりも高くなるように構成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体記憶装置に関する。
従来の半導体記憶装置としては、例えば特許文献1〜3に記載のものがある。特許文献1に記載の半導体記憶装置は、6個のトランジスタにより構成されたSRAMセルを備えている。すなわち、このSRAMセルは、ラッチ回路を構成する4個のトランジスタの他に、ラッチ回路とその両側のビット線それぞれとの間に設けられた2個の通過トランジスタを有している。
かかる構成の半導体記憶装置においては、1本のワード線によって複数のSRAMセルが制御されるため、あるワード線が選択されたときに、対象外のセルまでもが選択されてしまう。それにより、対象外のセルがそれに接続されるビット線をディスチャージするため、書込みおよび読込み動作時に、不必要なプリチャージとディスチャージが行われることになる。このことは、半導体記憶装置の消費電力の増大につながってしまう。
それに対して、特許文献2,3には、通過トランジスタが2重に設けられた構成の半導体記憶装置が開示されている。すなわち、ラッチ回路と各ビット線との間において2個の通過トランジスタが直列に接続されている。かかる構成の半導体記憶装置においては、それらの2個のトランジスタを別々のワード線によって制御することにより、対象のセルのみを選択することが可能となり、それにより消費電力の増大を抑えることができる。
特開平11−7776号公報
特開平8−7574号公報
特開平10−27476号公報
ところで、SRAMセルの書込みマージンを充分に確保するためには、通過トランジスタの能力(電流駆動能力)が、負荷トランジスタすなわちラッチ回路を構成するP型FET(電界効果トランジスタ)のそれよりも高くなるように設計しなければならない。しかしながら、特許文献2,3のSRAMセルにおいては、通過トランジスタが2重に設けられているために、通過トランジスタ全体の能力が低下し、それに伴って書込みマージンも低下してしまう。近年、電源電圧の低電圧化が益々求められているため、かかる書込みマージンの問題は重要視されている。
本発明による半導体記憶装置は、第1のインバータと、入力端および出力端がそれぞれ上記第1のインバータの出力端および入力端に接続された第2のインバータと、上記第1のインバータの上記出力端と第1のビット線との間の経路中に設けられた第1の通過トランジスタと、上記第2のインバータの上記出力端と第2のビット線との間の経路中に設けられた第2の通過トランジスタと、上記各通過トランジスタのゲートに接続されたワード線と、を有するSRAMセルを備える半導体記憶装置であって、上記SRAMセルは、上記第1の通過トランジスタと上記第1のビット線との間の経路中に設けられた第3の通過トランジスタと、上記第2の通過トランジスタと上記第2のビット線との間の経路中に設けられた第4の通過トランジスタと、当該SRAMセルの読出し動作時に第1の電圧値を上記ワード線に与えるとともに、当該SRAMセルの書込み動作時に上記第1の電圧値よりも大きい第2の電圧値を上記ワード線に与える電圧印加手段とを、有することを特徴とする。
この半導体記憶装置においては、読出し動作時よりも大きな電圧を書込み動作時にワード線に印加する電圧印加手段がSRAMセルに設けられている。これにより、書込み時に通過トランジスタのゲートに高い電圧を与えることができるので、充分な書込みマージンを確保することができる。
本発明によれば、書込みマージンを充分に確保しつつ、低消費電力化を図ることのできる半導体記憶装置が実現される。
以下、図面を参照しつつ、本発明による半導体記憶装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置が備えるSRAMセルを示す回路構成図である。本実施形態に係る半導体記憶装置は、SRAM(Static Random Access Memory)であり、同図に示すSRAMセル1を複数含んで構成される。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体記憶装置が備えるSRAMセルを示す回路構成図である。本実施形態に係る半導体記憶装置は、SRAM(Static Random Access Memory)であり、同図に示すSRAMセル1を複数含んで構成される。
SRAMセル1は、インバータ10,20、N型FET(電界効果トランジスタ)32,34,36,38、ワード線42,44、ビット線46,48、および電圧印加回路50,60を備えている。インバータ10,20は、互いに交差結合されており、ラッチ回路を構成している。すなわち、インバータ10(第1のインバータ)の出力端10aとインバータ20(第2のインバータ)の入力端とが接続されているとともに、インバータ10の入力端とインバータ20の出力端20aとが接続されている。
インバータ10は、N型FET12(第1の駆動トランジスタ)およびP型FET14(第1の負荷トランジスタ)により構成されている。同様に、インバータ20は、N型FET22(第2の駆動トランジスタ)およびP型FET24(第2の負荷トランジスタ)により構成されている。FET12,22は駆動トランジスタとして機能し、FET14,24は負荷トランジスタとして機能する。また、FET12,22のソースには、電源電圧Vssが与えられている。一方、FET14,24のソースには、電源電圧Vccが与えられている。ここで、Vss<Vccである。なお、Vssの値は例えば0V(接地電位)、Vccの値は例えば1.0Vに設定される。
インバータ10の出力端10aとビット線46(第1のビット線)との間の経路中には、FET32(第1の通過トランジスタ)が設けられている。さらに、FET32とビット線46との間の経路中に、FET36(第3の通過トランジスタ)が設けられている。具体的には、FET12およびFET14のドレインとFET32のドレインとが接続され、FET32のソースとFET36のドレインとが接続されている。また、FET36のソースがビット線46に接続されている。これらのFET32,36は、通過トランジスタとして機能する。
同様に、インバータ20の出力端20aとビット線48(第2のビット線)との間の経路中には、FET34(第2の通過トランジスタ)が設けられている。さらに、FET34とビット線48との間の経路中に、FET38(第4の通過トランジスタ)が設けられている。具体的には、FET22およびFET24のドレインとFET34のドレインとが接続され、FET34のソースとFET38のドレインとが接続されている。また、FET38のソースがビット線48に接続されている。これらのFET34,38も、通過トランジスタとして機能する。
FET32,34のゲートは、ワード線42(第1のワード線)に接続されている。一方、FET36,38のゲートは、ワード線44(第2のワード線)に接続されている。ワード線42,44には、それぞれ電圧印加回路50,60が接続されている。電圧印加回路50(第1の電圧印加手段)は、デコーダ52および昇圧回路54を含んで構成されており、ワード線42に所定の電圧を印加する電圧印加手段である。同様に、電圧印加回路60(第2の電圧印加手段)は、デコーダ62および昇圧回路64を含んで構成されており、ワード線44に所定の電圧を印加する電圧印加手段である。
電圧印加回路50,60は、SRAMセル1の読出し動作時には、電圧Vdd(第1の電圧値)をそれぞれワード線42,44に与える。一方で、電圧印加回路50,60は、SRAMセル1の書込み動作時には、電圧(Vdd+α)(第2の電圧値)をそれぞれワード線42,44に与える。ここで、α>0である。すなわち、SRAMセル1は、書込み動作時にワード線42,44に与えられる電圧値が、読出し動作時のそれよりも高くなるように構成されている。
具体的には、デコーダ52,62がそれぞれ上記電圧Vddを出力する。そして、昇圧回路54は、書込み動作時に、デコーダ52から出力された電圧Vddをαだけ昇圧することにより、電圧(Vdd+α)を出力する。同様に、昇圧回路64も、書込み動作時に、デコーダ62から出力された電圧Vddをαだけ昇圧することにより、電圧(Vdd+α)を出力する。なお、Vddは例えば1.0V、αは例えば0.2Vに設定される。
図2を参照しつつ、SRAMセル1の動作を説明する。同図において、WLY、WLX、BITおよびBIT/は、それぞれワード線44、ワード線42、ビット線46およびビット線48の電位を示している。また、NDおよびND/は、それぞれ出力端10aおよび出力端20aの電位を示している。
まず、読出し動作について説明する。本例では、図に示すように、出力端10aの電位がロー(Vss)、出力端20aの電位がハイ(Vcc)であるとする。また、ビット線46,48は、プリチャージされてハイ状態となっている。この状態で、電圧印加回路50,60によってそれぞれワード線42,44の電位をハイとすることにより、FET32,34,36,38をオンする。すると、ビット線46がディスチャージされる。これにより、ラッチ回路に記憶されていたデータを読み出すことができる。
次に、書込み動作について説明する。本例では、出力端10aの電位がハイ、出力端20aの電位がローとなるようにデータを書き込むものとする。まず、プリチャージされたビット線46,48のうち、一方(ビット線46)をハイに保つとともに、他方(ビット線48)をローにする。この状態で、電圧印加回路50,60によってそれぞれワード線42,44の電位をハイとする。このとき、ワード線42,44には、Vddよりもαだけ高い電圧(Vdd+α)が与えられる。これにより、FET32,34,36,38がオンし、出力端10aおよび出力端20aがそれぞれハイおよびローになる。これにより、ラッチ回路にデータを書き込むことができる。
続いて、本実施形態の効果を説明する。SRAMセル1には、読出し動作時よりも大きな電圧を書込み動作時にワード線42,44に印加する電圧印加回路50,60が設けられている。これにより、書込み時に、FET32,34,36,38のゲートに高い電圧を与えることができ、FET32,34,36,38の能力を向上させることができる。このため、充分な書込みマージンを確保することができる。
さらに、FET32,34とFET36,38とが別々のワード線42,44によって制御されているため、これらのワード線42,44の双方が選択されたときのみ、ワード線42,44のプリチャージあるいはディスチャージが行われる。これにより、本実施形態の半導体記憶装置においては、不必要なプリチャージおよびディスチャージを防ぐことができるため、低消費電力化を図ることができる。しかも、上述のように、書込み時に与える電圧が読出し時よりも高くなるように構成されているため、書込みマージンを充分に確保しつつ、上記電圧Vddを低電圧化することができる。このため、特に低消費電力化に適した半導体記憶装置が実現されている。
ところで、特許文献1には、昇圧回路が設けられたSRAMが開示されている。この昇圧回路は、読出し動作時にワード線に与えられる電圧を昇圧するものである。すなわち、書込み動作時およびスタンバイ時は低電圧で駆動し、読出し動作時のみ昇圧することにより、SRAMの高速化および低消費電力化が図られている。SRAMセルの動作速度は、読出し動作時に流れるセル電流で決まり、たいていの場合は通過トランジスタの能力で決まる。そのため、読出し時にのみ通過トランジスタの能力を上げる構成としている。
しかしながら、SRAMセル1のように通過トランジスタを2重に設けた構成においては、上述のように、1重に設けた構成に比して書込みマージンが小さくなってしまう。SRAMセル1において特許文献1に記載の昇圧回路を設けたとしても、その昇圧回路は読出し時に昇圧するものであるため、書込みマージンを向上には寄与しない。それどころか、その場合、読出し破壊を起こす恐れがある。これに対して、昇圧回路54,64は、ワード線42,44に与えられる電圧を書込み時に昇圧するものであるため、SRAMセル1の書込みマージンを向上させることができる。
電圧印加回路50は、電圧値Vddを出力するデコーダ52と、デコーダ52から出力された上記電圧値Vddを昇圧することにより書込み動作時に電圧値(Vdd+α)を出力する昇圧回路54と、を有している。これにより、電圧印加回路50が簡略な構成で実現されている。同様に、電圧印加回路60も、デコーダ62と昇圧回路64とを有しているので、簡略な構成で実現されている。
また、上述のようにFET32,34とFET36,38とが別々のワード線42,44によって制御されているため、読出しあるいは書込みの対象となるセルのみを選択することができる。このため、本実施形態に係る半導体記憶装置においては、ディスチャージにより流れる電流を小さく抑えることができる。その結果、アクティブ時のIRドロップの影響が小さくなるため、電源およびグランドの補強が必要なくなり、上層設計の自由度が増す。例えば、メタル3層のみでSRAMセルのレイアウトを完結することができる。その場合、4層目以上の設計が自由になり、製造コストの低減につながる。
(第2実施形態)
図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置が備えるSRAMセルを示す回路構成図である。本実施形態に係る半導体記憶装置は、SRAMであり、同図に示すSRAMセル2を複数含んで構成される。SRAMセル2は、インバータ10,20、N型FET32,34,36,38、ワード線42,44、ビット線46,48、および電圧印加回路50を備えている。これらの各要素の構成は、図1に示したものと同様である。
図3は、本発明の第2実施形態に係る半導体記憶装置が備えるSRAMセルを示す回路構成図である。本実施形態に係る半導体記憶装置は、SRAMであり、同図に示すSRAMセル2を複数含んで構成される。SRAMセル2は、インバータ10,20、N型FET32,34,36,38、ワード線42,44、ビット線46,48、および電圧印加回路50を備えている。これらの各要素の構成は、図1に示したものと同様である。
さらに、SRAMセル2は、P型FET37,39、およびインバータ72を備えている。FET37(第5の通過トランジスタ)は、FET36と並列に接続されており、FET36と共にCMOSスイッチを構成している。具体的には、FET37のソースおよびドレインは、それぞれFET36のソースおよびドレインに接続されている。また、FET37のゲートは、インバータ72を介して、ワード線44に接続されている。
同様に、FET39(第6の通過トランジスタ)は、FET38と並列に接続されており、FET38と共にCMOSスイッチを構成している。具体的には、FET39のソースおよびドレインは、それぞれFET38のソースおよびドレインに接続されている。また、FET39のゲートは、インバータ72を介して、ワード線44に接続されている。
また、本実施形態においては、図1のSRAMセル1とは異なり、昇圧回路64が設けられていない。すなわち、ワード線44は、デコーダ62と直接接続されている。これにより、読出し動作時または書込み動作時の何れの場合にも、ワード線44には電圧Vddが与えられる構成となっている。
続いて、本実施形態の効果を説明する。SRAMセル2にも、電圧印加回路50が設けられている。これにより、書込み時に、FET32,34のゲートに高い電圧を与えることができ、FET32,34の能力を向上させることができる。また、互いに反対の導電型をもつFET36,37が互いに並列に接続されている。FET36,37全体の能力はFET36単独の能力よりも高い。FET38,39についても同様である。このため、書込み時にワード線44に与える電圧を昇圧しなくとも充分な書込みマージンを確保することが可能となる。したがって、SRAMセル2においては、2つのワード線42,44のうち一方に与える電圧のみ書込み時に昇圧する構成であっても、充分な書込みマージンを確保することができる。
このようにワード線42,44のうち一方に与える電圧のみを昇圧することにより、双方に与える電圧を昇圧する場合に比して、消費電力を一層低減することができる。
なお、本実施形態においては、FET37,39をそれぞれFET36,38に対して並列に接続する構成を示したが、FET37,39はそれぞれFET32,34に対して並列に接続されてもよい。すなわち、FET37のソースおよびドレインがそれぞれFET32のソースおよびドレインと接続されるとともに、FET39のソースおよびドレインがそれぞれFET34のソースおよびドレインと接続されてもよい。その場合、FET37,39それぞれのゲートは、インバータを介してワード線42に接続される。また、昇圧回路54の代わりに、昇圧回路64(図1参照)が設けられることとなる。
1,2 SRAMセル
10,20 インバータ
12,22,32,34,36,38 N型FET
14,24,37,39 P型FET
42,44 ワード線
46,48 ビット線
50,60 電圧印加回路
52,62 デコーダ
54,64 昇圧回路
72 インバータ
10,20 インバータ
12,22,32,34,36,38 N型FET
14,24,37,39 P型FET
42,44 ワード線
46,48 ビット線
50,60 電圧印加回路
52,62 デコーダ
54,64 昇圧回路
72 インバータ
Claims (4)
- 第1のインバータと、入力端および出力端がそれぞれ前記第1のインバータの出力端および入力端に接続された第2のインバータと、前記第1のインバータの前記出力端と第1のビット線との間の経路中に設けられた第1の通過トランジスタと、前記第2のインバータの前記出力端と第2のビット線との間の経路中に設けられた第2の通過トランジスタと、前記各通過トランジスタのゲートに接続されたワード線と、を有するSRAMセルを備える半導体記憶装置であって、
前記SRAMセルは、
前記第1の通過トランジスタと前記第1のビット線との間の経路中に設けられた第3の通過トランジスタと、
前記第2の通過トランジスタと前記第2のビット線との間の経路中に設けられた第4の通過トランジスタと、
当該SRAMセルの読出し動作時に第1の電圧値を前記ワード線に与えるとともに、当該SRAMセルの書込み動作時に前記第1の電圧値よりも大きい第2の電圧値を前記ワード線に与える電圧印加手段とを、有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1に記載の半導体記憶装置において、
前記電圧印加手段は、前記第1の電圧値を出力するデコーダと、前記デコーダから出力された前記第1の電圧値を昇圧することにより前記書込み動作時に前記第2の電圧値を出力する昇圧回路と、を有する半導体記憶装置。 - 請求項1または2に記載の半導体記憶装置において、
前記SRAMセルは、
前記第1の通過トランジスタと反対の導電型をもち、前記第1の通過トランジスタと並列に接続された第5の通過トランジスタと、
前記第2の通過トランジスタと反対の導電型をもち、前記第2の通過トランジスタと並列に接続された第6の通過トランジスタと、を有する半導体記憶装置。 - 請求項1または2に記載の半導体記憶装置において、
前記SRAMセルは、
前記第3の通過トランジスタと反対の導電型をもち、前記第3の通過トランジスタと並列に接続された第5の通過トランジスタと、
前記第4の通過トランジスタと反対の導電型をもち、前記第4の通過トランジスタと並列に接続された第6の通過トランジスタと、を有する半導体記憶装置。
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