JP2009064509A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】SRAMセルを有する半導体記憶装置において、セル面積の増大を極力抑えつつ、簡便かつ確実な動作方式を実現する。
【解決手段】メモリセル2のセル電源を電源モジュール5a,5bの2系統に分け、各CMOSインバータ20a,20bに、独立の電源線50H_1,50H_2で、各セル電圧Vcell_a,Vcell_aを供給する。1対のビット線BL,XBL に対して、メモリセルアレイ部3のそれぞれ反対側の周辺に電源モジュール5a,5bを設ける。読出し動作時には、ビット線BL,XBL のLデータを出力するLビット線のセル電圧を、Lビット線の電位低下に連動して、Hデータを出力する側のセル電圧Vccよりも低下させる。書込み動作時には、ビット線BL,XBL のLデータを書き込むLビット線のセル電圧を、Lビットデータの書込み時のビット線電位の低下に連動して、Hデータを出力する側のセル電圧Vccよりも低下させる。
【選択図】図1
【解決手段】メモリセル2のセル電源を電源モジュール5a,5bの2系統に分け、各CMOSインバータ20a,20bに、独立の電源線50H_1,50H_2で、各セル電圧Vcell_a,Vcell_aを供給する。1対のビット線BL,XBL に対して、メモリセルアレイ部3のそれぞれ反対側の周辺に電源モジュール5a,5bを設ける。読出し動作時には、ビット線BL,XBL のLデータを出力するLビット線のセル電圧を、Lビット線の電位低下に連動して、Hデータを出力する側のセル電圧Vccよりも低下させる。書込み動作時には、ビット線BL,XBL のLデータを書き込むLビット線のセル電圧を、Lビットデータの書込み時のビット線電位の低下に連動して、Hデータを出力する側のセル電圧Vccよりも低下させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体記憶装置に関する。より詳細には、低電源電圧動作化を図りつつ、読出し時における記憶データ破壊や書込み時における書込み不良を防止する技術に関する。
近年の半導体記憶装置においては、半導体プロセスの微細化と相俟って、その集積度はは増加傾向にある。一方、プロセスの微細化やシステムの低消費電力化のため、動作電源電圧が低下する傾向にあり、半導体記憶装置に記憶される電位レベル・電荷量も、減少している。
たとえば半導体記憶装置として一般的なSRAM(Static Random Access Memory )において、1ビット(0または1)のデータを貯蔵できる最小単位メモリセル(SRAMのメモリセル)は、典型的には駆動トランジスタ、負荷トランジスタ、およびアクセス(またはパス)トランジスタの3個のトランジスタでなる回路を1対有する計6個のトランジスタ(6TRと記す)で構成されている。
すなわち、典型的なSRAMのメモリセル構成は、負荷トランジスタのソース端子には電源電圧が印加され、転送(アクセスまたはパス)トランジスタの入出力端(ドレインまたはソース)の一方は相補関係をなすビットライン対の内の1つのビット線と残りの1つのビット線にそれぞれ対応して接続され、転送トランジスタの入出力端(ドレインまたはソース)の他方はメモリセルの対応する記憶ノードに接続される。
駆動トランジスタと負荷トランジスタとでインバータが構成され、その駆動トランジスタと負荷トランジスタの接続点が記憶ノードとなり、1組のインバータの入出力が互いに接続されることでラッチ回路として機能するようになっている。
ここで、半導体プロセスの微細化において、たとえば65nm世代以降のSRAMメモリセルは、寸法ばらつきはさることながら、特性ばらつきが大きくなることが予想されるため、低電圧動作が極めて困難になる。このことは早い段階から予想されていたことで、様々な対策が考えられている(非特許文献1,2、特許文献1,2を参照)。
J. Pille et al., "Implementation of the CELL Broadband EngineTM in a 65nm SOI Technology Featuring Dual-Supply SRAM Arrays Supporting 6GHz at 1.3V", Tech. Dig. of ISSCC(2007), p.322.
N. Verma et al., "A 65nm 8T Sub-Vt SRAM Employing Sense-Amplifier Redundancy", Tech. Dig. of ISSCC(2007), p.328.
特開2004−281042号公報
特開昭61−104394号公報
たとえば、非特許文献1に記載の仕組みでは、セル電源とビット線電源を区別する2電源化を図り、読出し時のマージンを拡大するようにしている。たとえば、負荷トランジスタを通して流れるリーク電流を減少させるために、待機(スタンバイ)状態では動作電圧よりも低いレベルの電圧をセルパワー電圧として印加し、動作状態では動作電圧をセルパワー電圧として印加する。
また、非特許文献2に記載の仕組みでは、6TR構成に対して別のトランジスタを追加した多トランジスタ化(たとえば8TR化)により対策を図っている。
特許文献1に記載の仕組みでは、読出し時や書き込み時に、メモリセルの基準電圧を電源電圧と接地電位の中間に設定し動作マージンを確保するようにしている。特許文献2に記載の仕組みでは、ワード線レベルを最適化することで読出しや書き込みマージンを確保するようにしている。
しかしながら、2電源化を適用する非特許文献1に記載の仕組みでは、SRAMメモリセルを構成する左右2つのインバータの電源を1つのセル電源で共有することから、特に書込み時や読出し時の遷移状態における負荷トランジスタからの過電流を抑えることはできず、書込み不良や読出し不良の原因になり得る。
また、多トランジスタ化を適用する非特許文献2に記載の仕組みでは、低電圧での動作例は多々あるものの、多くのトランジスタを使うためセル面積の大幅な増加は免れず、従来の6TR構成で各トランジスタの特性ばらつきを抑えるべくそのサイズを大きくしてセル面積を大きくした場合と効果として変わらない状態になり得る。
また、読出し時や書込み時にメモリセルの基準電圧を電源電圧と接地電位の中間に設定し書込みマージンを確保する特許文献1に記載の仕組みでは、基準電圧線が共通のカラム方向の他のセルでのデータ破壊が懸念される。
また、非特許文献1や特許文献1に記載の仕組みでは、ゲート絶縁膜の信頼性に対する懸念がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、セル面積の増大を極力抑えつつ、簡便かつ確実な動作方式を実現できる仕組みを提供することを目的とする。
本発明に係る半導体記憶装置の一実施形態は、ワード線と、相補対をなす第1のビット線および第2のビット線と、第1のインバータ、第1のインバータの出力端が入力端に接続され第1のインバータの入力端が出力端に接続された第2のインバータ、ゲートがワード線に接続され入出力端の一方が第1のビット線に接続され入出力端の他方が第1のインバータの出力端である第1の記憶ノードに接続された第1の転送トランジスタ、およびゲートがワード線に接続され入出力端の一方が第2のビット線に接続され入出力端の他方が第2のインバータの出力端である第2の記憶ノードに接続された第2の転送トランジスタを有するメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイ部と、第1のビット線および第2のビット線の一端に接続され各ビット線の電位差を増幅するセンスアンプ、第1のビット線および第2のビット線の一端に接続され各転送トランジスタを介して相補データを各記憶ノードに書き込む書込みバッファを有する書込み/読出し部とを備えるものとした。
そして、本発明に係る半導体記憶装置の特徴的な点として、第1のインバータに第1のセル電圧を第1の電源線を介して供給する第1の電源モジュール(第1のセル電源とも称する)および第2のインバータに第2のセル電圧を第1の電源線とは異なる第2の電源線を介して供給する第2の電源モジュール(第2のセル電源とも称する)を有し、第1のインバータおよび第2のインバータに基準電源線を介して共通に基準電圧を供給する電源部とを備えるものとした。つまり、1対のインバータを主要部とするメモリセルのセル電源を2系統に分け、各インバータに、独立の電源線で、各セル電圧を供給する点に特徴を有する。
また従属項に記載された発明は、本発明に係る半導体記憶装置のさらなる有利な具体例を規定する。たとえば、第1の電源モジュールおよび第2の電源モジュールは、読出し動作や書込み動作に連動して、独立に第1および第2のセル電圧を変化させる。
このための仕組みとして、たとえば、読出し動作時との関係においては、第1の電源モジュールや第2の電源モジュールは、差動増幅回路とバッファトランジスタを具備し、差動増幅回路は、一方の入力端が第1もしくは第2のビット線に接続され、出力がバッファトランジスタの制御入力端に接続され、他方の入力端がバッファトランジスタの出力に接続され、第1もしくは第2のセル電圧における読出し動作時の電圧をバッファトランジスタの出力に発生させる構成を採る。または、第1の電源モジュールや第2の電源モジュールは、制御入力端が第1もしくは第2のビット線に接続されたバッファトランジスタを具備し、第1もしくは第2のセル電圧における読出し動作時の電圧をバッファトランジスタの出力に発生させる構成を採る。
読出し動作時との関係におけるこれらの構成では、電源モジュールは、第1のビット線および第2のビット線の内のL(ロー)データを出力する側のセル電圧における読出し動作時の電圧を、Lデータを出力する側のビット線の電位の低下に連動して、第1のビット線および第2のビット線の内のH(ハイ)データを出力する側のセル電圧における読出し動作時の電圧よりも低下させるようにする。
また、書込み動作時との関係においては、第1の電源モジュールや第2の電源モジュールは、差動増幅回路とバッファトランジスタを具備し、差動増幅回路は、一方の入力端に制御電圧が供給され、出力がバッファトランジスタの制御入力端に接続され、他方の入力端がバッファトランジスタの出力に接続され、第1もしくは第2のセル電圧におけ書込み動作時の電圧をバッファトランジスタの出力に発生させる構成を採る。または、第1の電源モジュールや第2の電源モジュールは、制御入力端に制御電圧が供給されるバッファトランジスタを具備し、第1もしくは第2のセル電圧における読出し動作時の電圧をバッファトランジスタの出力に発生させる構成を採る。
書込み動作時との関係におけるこれらの構成では、電源モジュールは、第1のビット線および第2のビット線の内のL(ロー)データを書き込む側のセル電圧における書込み動作時の電圧を、Lデータを書き込む側のビット線の電位の低下に連動して、第1のビット線および第2のビット線の内のH(ハイ)データを書き込む側のセル電圧における書込み動作時の電圧よりも低下させるようにする。
2系統の電源モジュールを配置する際には、1対のビット線に対して、メモリセルアレイ部のそれぞれ反対側の周辺に設けるのが好ましい。
本発明の一実施形態によれば、1対のインバータを主要部とするメモリセルのセル電源を2系統に分け、各インバータに、独立の電源線で、各セル電圧を供給するようにしたので、読出し動作や書込み動作に連動して各インバータ用の各セル電圧を独立に変化させることができるようになる。
これにより、半導体プロセスの微細化に伴う低電圧動作化時に、読出しや書込みのマージンを向上させることのできるようなセル電圧を各インバータに供給できるようになる。読出しや書込みのマージンが向上することにより、歩留まり改善による製造コスト低減にも資する。
メモリセルアレイ部については、各インバータ用の各セル電圧を独立に供給するために2系統を分けて配線する必要があるが、1対のインバータを主要部とするメモリセル自体は従来の構成のままでよく、セル面積の増大を極力抑えつつ、本発明の仕組みを実現できる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
<全体構成>
図1は、本発明に係る半導体記憶装置の一実施形態の回路構成の全体概要を示す図である。図1Aは、本実施形態の半導体記憶装置1に対する比較例の回路構成の全体概要を示す図である。
図1は、本発明に係る半導体記憶装置の一実施形態の回路構成の全体概要を示す図である。図1Aは、本実施形態の半導体記憶装置1に対する比較例の回路構成の全体概要を示す図である。
図1に示すように、本実施形態の半導体記憶装置1は、メモリセル(データ保持部)2が2次元マトリクス状に配列されたメモリセルアレイ部3と、メモリセルアレイ部3の各メモリセル2にデータを書き込みあるいはメモリセル2からデータを読み込む書込み/読出し部4と、メモリセルアレイ部3の各メモリセル2に正の電源電圧および基準電圧を供給する電源部5を備えている。なお、以下においては、紙面の横方向を行(Row /ライン)方向、縦方向を列(Column/カラム)方向として説明する。
メモリセルアレイ部3の各メモリセル2は、列ごとに相補対をなすビット線(相補ビット線:Bit Line)BL,XBL に接続されており、また行ごとにワード線(Word Line )WLに接続されている。メモリセル2は、相補データを保持するべく対称のセル回路Sa,Sbを有している(詳細は図1Bを参照)。
また、メモリセルアレイ部3の各メモリセル2を選択(走査)する回路として、各列のビット線BL,XBL と接続されたビット線選択部8と、各行のワード線WLと接続されたワード線選択部9とを備えている。各列のビット線BL,XBL は、ビット線選択部8に接続されるだけでなく、図示するように、ビット線選択部8と反対側の位置にて書込み/読出し部4と接続されている。
書込み/読出し部4は、それぞれ相補対をなすビット線BL,XBL に相補データを供給してその情報をメモリセル2に保持させる書込みバッファ(Write Buffer:書込み回路やライトアンプなどとも称される)4WBや、それぞれ相補対をなすビット線BL,XBL の各電位差を増幅するセンスアンプ(Sense AMP )4SAを有している。
ビット線選択部8は、処理対象のメモリセル2を選択する機能の他に、ビット線BL,XBL に所定の動作電圧や待機電圧を供給する機能も持つ。すなわち、任意の電流をビット線BL,XBL に供給することが可能である。
ここで、本実施形態の電源部5は、基準電圧Vssを各メモリセル2のセル回路Sa,Sbに共通に供給する点で、図1Aに示す比較例の6TR構成のメモリセル2を駆動する構成と共通するが、正の電源電圧Vcc(特に正のセル電圧Vcellとも称する)に関しては、同列の各セル回路Sa,Sbに対して第1の電源線50H_1および第2の電源線50H_2を独立に供給するように構成している点に特徴を有する。
このような構成とするべく、本実施形態の電源部5は、列ごとに設けられている第1の電源線50H_1に第1のセル電圧Vcell_aを供給する第1の電源モジュール5aと、列ごとに設けられている第2の電源線50H_2に第2のセル電圧Vcell_bを供給する第2の電源モジュール5bの2系統の電源部を、1列分のメモリセル2に対して共通に有している。
図1Aに示す比較例の構成の場合、メモリセル2の正の電源線50H(正の電源電圧Vcc用)は共通であるが、本実施形態の場合には、2つのセル回路Sa,Sbに供給されるセル電圧を独立に動かすべく、メモリセル2内の各CMOSインバータ20a20bへの電源線を第1の電源線50H_1と第2の電源線50H_2の2系統に分け、第1の電源線50H_1には第1の電源モジュール5aを接続し、第2の電源線50H_2には第2の電源モジュール5bを接続している。
このような本実施形態の構成では、1カラム幅に電源部(電源モジュール)を2個を配置することになる。1カラム幅に2個の電源モジュールを隣接して配置するのはレイアウト的に厳しい。そこで、第1の電源モジュール5aと第2の電源モジュール5bは、図示のように、メモリセルアレイ部3の周辺における、ビット線BL,XBL の互いに他方の一端に、すなわちメモリセルアレイ部3のそれぞれ反対側の周辺に設けることで、各場所での配置スペースを少なくするようにし、1カラム幅内に収まるようにするのが好ましい(後述する図3を参照)。
電源部5を、第1のセル回路Sa(第1の電源線50H_1)用の第1の電源モジュール5aと第2のセル回路Sb(第2の電源線50H_2)用の第2の電源モジュール5bの2系統に分けることで、読出し動作や書込み動作に連動してそれぞれを独立に電圧を変化させることができるようになる。その結果として、トランジスタの微細化や低電源電圧動作化を図る場合に、読出しや書込みのマージンを向上させることができるようになり、歩留まり改善による製造コスト低減に資するようになる。
<メモリセルの構成例>
図1Bは、図1、図1Aに示した半導体記憶装置1のメモリセル2の内、相補対をなす1対のビット線BL,XBL に接続されるセル回路の構成例を示す図である。図1B(1)は、図1に対応する本実施形態の場合であり、図1B(1)は、図PAに対応する比較例の場合である。図1Cは、本実施形態のセル回路のインバータ部分を等価回路で示した図である。
図1Bは、図1、図1Aに示した半導体記憶装置1のメモリセル2の内、相補対をなす1対のビット線BL,XBL に接続されるセル回路の構成例を示す図である。図1B(1)は、図1に対応する本実施形態の場合であり、図1B(1)は、図PAに対応する比較例の場合である。図1Cは、本実施形態のセル回路のインバータ部分を等価回路で示した図である。
各メモリセル2は、6個のトランジスタ(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor Field-effect Transistor )で構成されたスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM:Static Random Access Memory :SRAM)であり、ワード線WLが低電位の場合に、2つのCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor )インバータがループを形成することでラッチ回路を生成して安定にデータを保持することができるようになっている。
すなわち、第1の電源線50H_1を介して第1の電源モジュール5aからの第1のセル電圧Vcell_aで動作する第1のセル回路Saを構成する一方(第1)のCMOSインバータ20aは、Nチャネル型のMOSFETである駆動(ドライブ)トランジスタ(Driver)22aとその負荷となるPチャネル型のMOSFETである負荷(Load)トランジスタ24aとを有し、駆動トランジスタ22aのドレインと負荷トランジスタ24aのドレインとの接続点を一方の記憶ノードVaとする。駆動トランジスタ22aのソースは基準電源線50Lと接続され、負荷トランジスタ24aのソースは第1の電源線50H_1と接続され、駆動トランジスタ22aと負荷トランジスタ24aの各ゲートが接続されている。
同様に、第2の電源線50H_2を介して第2の電源モジュール5bからの第2のセル電圧Vcell_bで動作する第2のセル回路Sbを構成する他方(第2)のCMOSインバータ20bは、Nチャネル型のMOSFETである駆動(ドライブ)トランジスタ(Driver)22bとその負荷となるPチャネル型のMOSFETである負荷(Load)トランジスタ24bとを有し、駆動トランジスタ22bのドレインと負荷トランジスタ24bのドレインとの接続点を他方の記憶ノードVbとする。駆動トランジスタ22bのソースは基準電源線50Lと接続され、負荷トランジスタ24bのソースは第2の電源線50H_2と接続され、駆動トランジスタ22bと負荷トランジスタ24bの各ゲートが接続されている。
第1の記憶ノードVaと一方のビット線BLとの間にはNチャネル型のMOSFETである転送(Transfer:あるいはアクセス(Access)とも称される)トランジスタ26aが配置され、また、第2の記憶ノードVbと他方のビット線XBL との間にはNチャネル型のMOSFETである転送トランジスタ26bが配置されている。転送トランジスタ26aは、入出力端(ソースおよびドレイン)の一方がビット線BLに接続され、その他方が記憶ノードVaと接続されている。転送トランジスタ26bは、ソースおよびドレインの一方がビット線XBL に接続され、その他方が記憶ノードVbと接続されている。転送トランジスタ26a,26bの各ゲートは、共通にワード線WLと接続されている。
記憶ノードVaと記憶ノードVbには相補のデータが保持されるようになっている。すなわち、CMOSインバータ20aは、記憶ノードVaを出力として、第2のCMOSインバータ20bを構成する駆動トランジスタ22bと負荷トランジスタ24bの各ゲートに接続され、CMOSインバータ20bは、記憶ノードVbを出力として、第1のCMOSインバータ20aを構成する駆動トランジスタ22aと負荷トランジスタ24aの各ゲートに接続されることで、交差結合(襷がけ接続,クロスコネクション)がされるようになっている。
つまり、SRAM構成のメモリセル2は、NMOSでなる駆動トランジスタ22(22a,22b)とPMOSでなる負荷トランジスタ24(24A,24b)で構成された2つのCMOSインバータ20(20a,20b)の入出力が互いに接続されたラッチ回路の左右に転送トランジスタ26(26a,26b)と言われるNMOSのパスゲートが付いた構造となっている。
このような構成によれば、第1の記憶ノードVaを入力として、第1の記憶ノードVaに記憶されたデータの反転データを第2の記憶ノードVbに出力し、第2の記憶ノードVbを入力として、第2の記憶ノードVbに記憶されたデータの反転データを第1の記憶ノードVaに出力するようになる。
ビット線BL,XBL からのデータを第1の記憶ノードVaおよび第2の記憶ノードVbに書き込むことでメモリの書き込み動作となり、ワード線WLがアクセスされて高電位の場合、転送トランジスタ26a,26bがオン(導通)することで第1の記憶ノードVaおよび第2の記憶ノードVbに記憶されたデータをビット線BL,XBL に読み出すことでメモリの読み出し動作となる。
<電源部の構成例:第1例>
図2は、電源部5の各電源モジュール5a,5bの第1の構成例を示す回路図である。各電源モジュール5a,5bは、同様の回路構成をなしており、読出し動作時や書込み動作時に電源電圧Vcell_a,Vcell_bを動的に制御するべく、読出し動作時のビット線BL,XBL の電位や書込み動作時の書込みデータL,Hを監視(モニタ)し、その情報を参照して、それに対応した電源電圧Vcell_a,Vcell_b(読出し動作用の調整電圧XVcc_read と書込み動作用の調整電圧XVcc_write)を作り出す点に特徴を有する。
図2は、電源部5の各電源モジュール5a,5bの第1の構成例を示す回路図である。各電源モジュール5a,5bは、同様の回路構成をなしており、読出し動作時や書込み動作時に電源電圧Vcell_a,Vcell_bを動的に制御するべく、読出し動作時のビット線BL,XBL の電位や書込み動作時の書込みデータL,Hを監視(モニタ)し、その情報を参照して、それに対応した電源電圧Vcell_a,Vcell_b(読出し動作用の調整電圧XVcc_read と書込み動作用の調整電圧XVcc_write)を作り出す点に特徴を有する。
ここで、第1例の各電源モジュール5a,5bは、後述する第2例との相違点として、差動増幅回路(たとえばオペアンプ)を利用した帰還回路を構成することで、差動増幅回路の非反転入力端子に供給される電圧とほぼ同じ値の電圧を生成する点に特徴を持つ。
具体的には、各電源モジュール5a,5bは、読出し動作用の調整電圧XVcc_read を生成する読出用電源部50RDと、書込み動作用の調整電圧XVcc_writeを生成する書込用電源部50WTと、待機時の電源電圧Vccと読出し動作用の調整電圧XVcc_read と書込み動作用の調整電圧XVcc_writeの何れかを選択して電源線50H_1,50H_2に供給する選択部50SWとを備えている。
読出用電源部50RDは、差動増幅回路52RD(第1や第2の差動増幅回路)と、ソースフォロワ回路をなすNMOSのバッファトランジスタ54RD(第1や第2のバッファトランジスタ)および負荷抵抗56RDを有する。バッファトランジスタ54RDのドレインは大元の電源電圧Vcc用の電源線と接続され、ソースが負荷抵抗56RDの一方の端子に接続されている。負荷抵抗56RDの他方の端子は基準電源線50Lに接続され基準電圧Vss(たとえば接地電位GND )が供給される。差動増幅回路52RDは、非反転入力端(+)がビット線BL,XBL と接続され、出力端がバッファトランジスタ54RDのゲート(制御入力端)と接続され、反転入力端(−)が、バッファトランジスタ54RDのソースと接続されている。差動増幅回路52RDを利用して帰還回路を構成し、バッファトランジスタ54RDのソース端の電位を監視するようにしている。
このような構成により、読出用電源部50RDは、読出し動作時のビット線BL,XBL の電位を監視(モニタ)し、そのビット線電位の電圧を参照して、ビット線の電位に連動してビット線の電位とほぼ同じ値の調整電圧XVcc_read を生成する。ビット線BL,XBL がH状態を示す記憶ノード(以下Hノードとも称する)に対応するものであるときには、概ね大元の電源電圧Vccと同程度の電圧を出力できるし、L状態を示す記憶ノード(以下Lノードとも称する)に対応するものであるときには、大元の電源電圧Vccよりも相当程度低下した調整電圧XVcc_read を出力できる。
また、書込用電源部50WTは、差動増幅回路52WT(第3や第4の差動増幅回路)と、ソースフォロワ回路をなすNMOSのバッファトランジスタ54WT(第3や第4のバッファトランジスタ)および負荷抵抗56WTを有する。バッファトランジスタ54WTのドレインは大元の電源電圧Vcc用の電源線と接続され、ソースが負荷抵抗56WTの一方の端子に接続されている。負荷抵抗56WTの他方の端子は基準電源線50Lに接続され基準電圧Vss(たとえば接地電位GND )が供給される。差動増幅回路52WTは、非反転入力端(+)に外部から制御電圧Vref が供給され、出力端がバッファトランジスタ54WTのゲートと接続され、反転入力端(−)が、バッファトランジスタ54WTのソースと接続されている。差動増幅回路52WTを利用して帰還回路を構成し、バッファトランジスタ54WTのソース端の電位を監視するようにしている。
なお、メモリセル2内の2系統の電源モジュール5a,5bの差動増幅回路52の非反転入力端と、それぞれに対応する各ビット線BL,XBL との間にスイッチを介在させ、読出し時にのみ、メモリセル2内の差動増幅回路52とビット線BL,XBL をショートさせるようにしてもよい。
このような構成により、書込用電源部50WTは、書込み動作時の買込みデータL,Hに関わらず、制御電圧Vref とほぼ同じ値の調整電圧XVcc_writeを生成する。制御電圧Vref としては、大元の電源電圧Vccよりも相当程度低下した値にする。
選択部50SWは、読出し動作時に読出用電源部50RDで生成される調整電圧XVcc_read を選択して電源線50H_1,50H_2に供給する第1のセレクタ60RDと、書込み動作時に書込用電源部50WTで生成される調整電圧XVcc_writeを選択して電源線50H_1,50H_2に供給する第2のセレクタ60WTと、第1のセレクタ60RDおよび第2のセレクタ60WTが非選択時に大元の電源電圧Vccを選択して電源線50H_1,50H_2に供給する第3のセレクタ60SWとを有する。セレクタ60RD,60WT,60SWで3入力−1出力のセレクタが構成される。
各セレクタ60RD,60WT,60SWは、先ず、トランスファゲート構成のアナログスイッチを有する。具体的には、相補性回路技術で形成されたCMOS構造の極性の異なる2つのCMOSのSWトランジスタ62P,62Nを、ソース端S同士とドレイン端D同士を接続したトランスファゲート構成のアナログスイッチ62R,62W,62Sを有する。また、読出し制御パルスRCS を論理反転するインバータ64RD、書込み制御パルスWCS を論理反転するインバータ64WT、読出し制御パルスRCS と書込み制御パルスWCS の論理和をとるNORゲート64SW、論理反転された読出し制御パルスXRCSと論理反転された書込み制御パルスXWCSの論理和をとるNORゲート64XSW を有する。
アナログスイッチ62を構成するSWトランジスタ62P,62Nの入力端(ソース端S側)には、調整電圧XVcc_read 、調整電圧XVcc_write、大元の電源電圧Vccを供給し、各SWトランジスタ62P,62Nの出力端(ドレイン端D側)は、電源線50H_1,50H_2に接続する。
各SWトランジスタ62Pのゲート端Gには読出し制御パルスRCS 、書込み制御パルスWCS 、NORゲート64SWの出力を供給し、各SWトランジスタ62Nのゲート端Gにはインバータ64RD,64WTで論理反転された読出し制御パルスXRCS、書込み制御パルスXWCSやNORゲート64XSW の出力を供給する。
アナログスイッチとしては、原理的には、SWトランジスタ62P,62Nのどちらか一方のみのnチャネル型のMOSトランジスタやpチャネル型のMOSトランジスタによるスイッチでもよいが、その場合閾値電圧の問題があるため、本構成例では、nチャネル型およびpチャネル型の両方を組み合わせて利用したCMOSスイッチを採用している。
第1のセレクタ60RDは、各行のワード線WLの論理和をとって読出し制御パルスRCS として取り扱う。この場合、Lノード側だけでなくHノード側についても、読出用電源部50RDで生成される電圧が電源線50H_1,50H_2に供給されることになる。
なお、第1のセレクタ60RDは、各行のワード線WLの論理和をとって読出し信号Readとして取り扱い、また、ビット線BL,XBL がLノード側となっているときにHレベルを出力するビット線電位判定回路と、ビット線電位判定回路の出力と読出し信号Readとの論理積をとるANDゲートを設け、Lノード側の読出し動作時のみアクティブHとなる読出し制御パルスRCS を生成するようにしてもよい。こうすることで、Lノードの読出し側に対してのみ読出用電源部50RDで生成される電圧が供給されるようにすることができる。
第2のセレクタ60WTは、各行のワード線WLの論理和をとって 書込み信号Writeとして取り扱い、また、書込みデータがLとなっているときにHレベルを出力するインバータ68と、インバータ68の出力と書込み信号Writeとの論理積をとるANDゲート69を有する。ANDゲート69は、Lデータの書込み動作時のみアクティブHとなる書込み制御パルスWCS を生成する。こうすることで、Lデータの書込み側に対してのみ書込用電源部50WTで生成される電圧が供給されるようにすることができる。
<電源部の構成例:第2例>
図2Aは、電源部5の各電源モジュール5a,5bの第2の構成例を示す回路図である。第2例の各電源モジュール5a,5bは、前述の第1例との相違点として、差動増幅回路を利用せず、ソースフォロワ回路をなすNMOSのバッファトランジスタ54RD,54WTのソース端の電位をそのままアナログスイッチを介してセル電圧Vcell_a,Vcell_bとして電源線50H_1,50H_2に供給する構成とする点に特徴を持つ。
図2Aは、電源部5の各電源モジュール5a,5bの第2の構成例を示す回路図である。第2例の各電源モジュール5a,5bは、前述の第1例との相違点として、差動増幅回路を利用せず、ソースフォロワ回路をなすNMOSのバッファトランジスタ54RD,54WTのソース端の電位をそのままアナログスイッチを介してセル電圧Vcell_a,Vcell_bとして電源線50H_1,50H_2に供給する構成とする点に特徴を持つ。
なお、メモリセル2内の2系統の電源モジュール5a,5bのバッファトランジスタ54のゲートと、それぞれに対応する各ビット線BL,XBL との間にスイッチを介在させ、読出し時にのみ、メモリセル2内のバッファトランジスタ54のゲートとビット線BL,XBL をショートさせるようにしてもよい。
第2例の場合、バッファトランジスタ54の動作電流Idsはゲート・ソース間電圧に依存し、また、バッファトランジスタ54のソース電位は動作電流Idsと負荷抵抗56との積で規定される。このため、読出用電源部50RDで生成され電源線50H_1,50H_2に供給される読出し動作用の調整電圧XVcc_read は、ビット線BL,XBL の電位と同じ電圧とはならないし、バッファトランジスタ54の特性ばらつきの影響を受ける。同様に、書込用電源部50WTで生成され電源線50H_1,50H_2に供給される書込動作用の調整電圧XVcc_writeは制御電圧Vref と同じ電圧とはならないし、バッファトランジスタ54の特性ばらつきの影響を受ける。しかしながら、差動増幅回路52RD,52WTが不要であるので回路をコンパクトにできる利点がある。
なお、読出用電源部50RDと書込用電源部50WTは、前述の第1の構成例と第2の構成例を組み合わせてもよい。すなわち、読出用電源部50RDは、前述の第1の構成例と第2の構成例の何れか一方で、書込用電源部50WTは、前述の第1の構成例と第2の構成例の何れか他方とすることもできる。
<レイアウト例>
図3はSRAMメモリセルの正電源電圧(セル電圧)用の電源線を2系統(電源線50H_1,50H_2)に分ける場合のレイアウト例を示す図である。ここで、図3(1)は電源線を2系統に分けない図1Aに示した比較例の構成におけるレイアウト例であり、図3(2)は、図1に示した本実施形態の構成におけるレイアウト例ある。
図3はSRAMメモリセルの正電源電圧(セル電圧)用の電源線を2系統(電源線50H_1,50H_2)に分ける場合のレイアウト例を示す図である。ここで、図3(1)は電源線を2系統に分けない図1Aに示した比較例の構成におけるレイアウト例であり、図3(2)は、図1に示した本実施形態の構成におけるレイアウト例ある。
電源線を2系統に分けない図1Aに示した比較例の構成の場合、図3(1)に示すように、メモリセルアレイ部3の周辺に1つの電源回路を形成して、各列の各メモリセル2に対して1系統の電源線を配設(図では第3層目M3に配設)すればよい。
一方、電源線を2系統に分ける図1に示した本実施形態の構成の場合、図3(2)に示すように、1カラム幅内に第1の電源モジュール5aと第2の電源モジュール5bが収まるようにするべく、メモリセルアレイ部3の周辺のそれぞれ反対側に何れか一方の電源部(図では上部に第1の電源モジュール5a、下部に第2の電源モジュール5b)を配置して、各列の各メモリセル2に対して、それぞれ別系統の電源線50H_1,50H_2を配設(図では第3層目M3に配設)している。
こうすることで、面積の増加なしにメモリセル2内に2系統の電源線50H_1,50H_2を通すことができる。メタル配線の加工限界が許す限りセル面積の増加はない。本実施形態を適用することでメタル配線の加工限界を破る場合は、セル面積の増大が必要となるが、この場合は、たとえば最大でも20%程度の面積増加で済むと考えられる。
以下、電源部5を第1のセル回路Sa用の第1の電源モジュール5aと第2のセル回路Sb用の第2の電源モジュール5bとに分けた本実施形態の仕組みにおける、読出し動作や書込み動作に連動して電源電圧Vcell_a,Vcell_bを変化させる動作について詳しく説明する。
<読出し動作>
図4および図4Aは、メモリセル2の読出し時の動作を説明する図である。ここで、図4は、メモリセル2の読出し時の動作を説明する回路図である。第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaには“L”のデータが保持され、第2のセル回路Sbの第2の記憶ノードVbには“H”のデータが保持されているものとする。
図4および図4Aは、メモリセル2の読出し時の動作を説明する図である。ここで、図4は、メモリセル2の読出し時の動作を説明する回路図である。第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaには“L”のデータが保持され、第2のセル回路Sbの第2の記憶ノードVbには“H”のデータが保持されているものとする。
図4Aは、読出し時のメモリセル2の動作を説明するタイミングチャートである。図4A(1)は、図1Aに示した比較例の構成における読出し時の動作例であり、図4A(2)は、図1に示した本実施形態の構成における読出し時の動作例である。
比較例の構成の場合、図4A(1)に示すように、読出し時には、メモリセル2の左右に配置されたビット線BL,XBL を予め待機時の電圧Vccにプリチャージしておき、ワード線選択部9の制御の元で、読み出したいセルのアドレスを取り込んだ後、ワード線WLを活性化して転送トランジスタ26を導通状態(オン)にする。その後に、セル内を流れる読出し電流(セル電流Icellと称する)によって生じた左右のビット線BL,XBL の電位差を書込み/読出し部4のセンスアンプ4SAで検出する。
この際、負荷トランジスタ24からのリークが大きかったり、負荷トランジスタ24がオン状態になるようなノイズが入ると、最悪の場合、セル状態(セルに保持されているデータ)が読出し動作によって破壊される。それ故、この破壊がなるべく起こらないようにすることが求められていた。
これに対して本実施形態の構成の場合、図4A(2)に示すように、読出しが開始し、第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaに保持されている“L”のデータと、第2のセル回路Sbの第2の記憶ノードVbに保持されている“H”のデータの情報が各ビット線BL,XBL に伝達される。
たとえば、H状態を示す第2の記憶ノードVb(Hノード)側のビット線XBL にはセル電流が流れないので、そのビット線XBL の電圧は低下しない。このビット線XBL の電圧低下のない情報が第2の電源モジュール5bに通知される。第2の電源モジュール5bは、ビット線XBL の電圧低下のない情報を受けて、第2の電源線50H_2の電源電圧Vcell_bを待機時の状態(Vcc)のままに維持する。
一方、“L”のデータを保持している第1の記憶ノードVa側のビット線BLの電位が低下するのに連動して、L側の第1の記憶ノードVaを含む第1のCMOSインバータ20aの第1の電源電圧Vcell_aが低下する。
すなわち、読出しが始まると、L状態を示す第1の記憶ノードVa(Lノード)側のビット線BLにセル電流が流れ、そのビット線BLの電圧が低下し、このビット線BLの電圧低下が第1の電源モジュール5aに通知される。第1の電源モジュール5aは、ビット線BLの電圧低下を受けて、対応するように第1の電源線50H_1の電源電圧Vcell_aを待機時よりも低下させた調整電圧XVcc_read にする。この電源電圧Vcell_aの調整電圧XVcc_read への低下は、Lノードに接続されている負荷トランジスタ24aの駆動能力を落とす。
Lノードの負荷トランジスタ24aのリーク電流を削減してセル電流が確保できるので、読出しマージンが向上する。負荷トランジスタ24のリーク電流が大きいものである場合、Lノードの負荷トランジスタ24はゲートがHレベル(Vcc)のオフ状態であるので、電源部5で負荷トランジスタ24のソースがHレベル(Vcc)以上の電位にならない限りノイズでオンすることは考え難い。仮にノイズが生じてLノード側の負荷トランジスタ24aがオンしても、駆動能力が低下しているのでノイズマージンは向上する。
前記の説明は、第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaには“L”のデータが保持され、第2のセル回路Sbの第2の記憶ノードVbには“H”のデータが保持されている場合であるが、各セル回路Sa,aの保持データが逆の場合には、前述のセル回路Sa,aおよび電源モジュール5a,5bの動作を逆にして考えればよい。
なお、「ビット線の電位が低下すると同時に」と称しているが、ビット線電位の低下と電源電圧の低下のタイミングは、完全に同時である必要はなく、多少相前後してもよい。電源電圧を低レベルに設定してLノードに接続されている負荷トランジスタ24の駆動能力を落とすと言う点においては、図4A(2)に示すように、ビット線の電位低下とほぼ同時に電源電圧が低レベルに達するようにすることが好ましいことになる。ビット線の電位低下に対して、電源電圧の低下が遅れるほど、本実施形態の効果が低下することになる。
ここで、調整電圧XVcc_read として、Lノード側の電源電圧(前例では第1の電源線50H_1の電源電圧Vcell_a)をどの程度低下させるかが問題となる。すなわち、Lノードの負荷トランジスタ24のリーク電流を削減するという点においては、基準電源線50Lに供給される基準電圧Vssまで低下させることが考えられる。しかしながら、正の電源電圧Vcc用の各電源線50Hは、読出し動作の対象とされているメモリセル2の他に、同列の他のメモリセル2(すなわち非選択セル)とも接続されており、読出し動作時における電源線50Hの電圧低下によって、同列の他のメモリセル2の保持データが破壊するようなことがあってはならない。つまり、ビット線方向のビットセルは、電源配線が共通であるので、Lデータを読み出すビットセル以外のビットセルのデータ保持特性を劣化させないようにすることが肝要となる。
この点に鑑みれば、電源電圧Vccが共通のビットセルが、すなわち、第1の電源線50H_1や第2の電源線50H_2と共通に接続される同列の他の各メモリセル2が、データ保持できる程度の電圧レベルに調整電圧XVcc_read を制御することが肝要である。一例としては、待機時の電源電圧Vccと基準電圧Vssとの間の電圧、たとえばその丁度中間の電圧((Vcc−Vss)/2)に調整電圧XVcc_read を設定することが考えられる。
なお、図2や図2Aに示した回路構成では、読出し動作時には、ビット線BL,XBL の電位を監視(モニタ)し、そのビット線電位の電圧を参照して、それに対応した電源電圧Vcell_a,Vcell_bを作り出すようにしているので、Lノード側の電源電圧Vcell_a,Vcell_b(調整電圧XVcc_read )がLノード側のビット線の電位に連動して変化することになる。したがって、調整電圧XVcc_read を待機時の電源電圧Vccと基準電圧Vssとの間の丁度中間の電圧に設定することの保証はできない。Lノード側の電源電圧Vcell_a,Vcell_bが共通のビットセルに対して、データ保持できる程度のレベルに制御する点については特に注意を要する。
<書込み動作>
図5および図5Aは、メモリセル2の書込み時の動作を説明する図である。ここで、図5は、メモリセル2の書込み時の動作を説明する回路図である。第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaに“L”のデータを書き込むものとする。
図5および図5Aは、メモリセル2の書込み時の動作を説明する図である。ここで、図5は、メモリセル2の書込み時の動作を説明する回路図である。第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaに“L”のデータを書き込むものとする。
図5Aは、書込み時のメモリセル2の動作を説明するタイミングチャートである。図5A(1)は、図1Aに示した比較例の構成における書込み時の動作例であり、図5A(2)は、図1に示した本実施形態の構成における書込み時の動作例である。
比較例の構成の場合、図5A(1)に示すように、書込み時には、書込みバッファ4WBによりメモリセル2の左右に配置されたビット線BL,XBL を予め待機時の電圧Vccにプリチャージしておき、ワード線選択部9の制御の元で、ワード線WLを活性化して転送トランジスタ26を導通状態(オン)にする。そして、書込みバッファ4WBにより“L”のデータを保持させたい方のビット線(本例ではビット線BL)の電位を低下させる。この際、負荷トランジスタ24の能力が大きいとメモリセル2の記憶ノード(本例では第1の記憶ノードVa)の状態を反転させることが難しいため、書込み不良が問題になる。
これに対して本実施形態の構成の場合、図5A(2)に示すように、書込みを開始し、第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaに“L”のデータを保持させ、第2のセル回路Sbの第2の記憶ノードVbに“H”のデータを保持させる。このとき、書込みバッファ4WBにより書き込みたい方(Lにしたいほう)のビット線電位をLとすると同時に、第1の電源モジュール5aおよび第2の電源モジュール5bの何れか一方の制御の元で、書き込みたい方の電源電位を低レベルに設定する。
たとえば、“H”のデータを保持させる第2のセル回路Sb用の第2の電源モジュール5bは、“H”のデータを受けて、第2の電源線50H_2の電源電圧Vcell_bを待機時の状態(Vcc)のままに維持する。また、“H”のデータを保持させる第2の記憶ノードVb(Hノード)側については、プリチャージ後もビット線(本例ではビット線XBL )の電位を待機時の電圧Vccのまま維持する。この電圧Vccの情報が転送トランジスタ26を介して第2の記憶ノードVbに伝達される。これによって、Hレベルの情報が第2の記憶ノードVbに保持される。
一方、“L”のデータを保持させる第1のセル回路Saと第1の電源線50H_1では、書き込みたい方(Lにしたい方)のビット線BLの電位をL(Vss)とするのに連動して、L側の第1の記憶ノードVaを含む第1のCMOSインバータ20aの第1の電源電圧Vcell_aを低下させた調整電圧XVcc_writeにする。
すなわち、書込みが始まると、“L”のデータを保持させる第1の記憶ノードVa(Lノード)側については、プリチャージ後に、書込み開始と同じタイミングで、書き込みたい方(Lにしたい方)のビット線BLの電位をL(Vss)とする。このとき、“L”のデータを保持させる第1のセル回路Sa用の第1の電源モジュール5aは、“L”のデータを受けて、第1の電源線50H_1の電源電圧Vcell_aを低下させる。
こうすることで、Lレベルを保持させる(書き込みたい)記憶ノード(本例では第1の記憶ノードVa)に繋がる負荷トランジスタ24aの駆動能力を低下させることができるので、書込みマージンが向上する。
前記の説明は、第1のセル回路Saの第1の記憶ノードVaに“L”のデータを保持し、第2のセル回路Sbの第2の記憶ノードVbに“H”のデータが保持させる場合であるが、各セル回路Sa,aに書き込むデータが逆の場合には、前述のセル回路Sa,aおよび電源モジュール5a,5bの動作を逆にして考えればよい。
なお、「ビット線電位をLとすると同時に」と称しているが、ビット線電位の低下と電源電圧の低下のタイミングは、完全に同時である必要はなく、多少相前後してもよい。電源電圧を低レベルに設定してLレベルを書き込みたい方の負荷トランジスタ24の駆動能力を低下させると言う点においては、図5A(2)に示すように、ビット線の電位を低下させるまでには電源電圧を低レベルに設定しておくことが好ましいことになる。ビット線の電位を低下させるときに、電源電圧がまだ低レベルに設定されていなければ、その分だけ本実施形態の効果が低下することになる。
ここで、調整電圧XVcc_writeとして、Lノード側の電源電圧(前例では第1の電源線50H_1の電源電圧Vcell_a)をどの程度低下させるかが問題となる。この点は、読出し時の場合と同様である。すなわち、Lノードの負荷トランジスタ24の駆動能力を低減させるという点においては、基準電源線50Lに供給される基準電圧Vssまで低下させることが考えられる。
しかしながら、正の電源電圧Vcc用の各電源線50Hは、書込み動作の対象とされているメモリセル2の他に、同列の他のメモリセル2(すなわち非選択セル)とも接続されており、書込み動作時における電源線50Hの電圧低下によって、同列の他のメモリセル2の保持データが破壊するようなことがあってはならない。つまり、ビット線方向のビットセルは、電源配線が共通であるので、Lデータを書き込むビットセル以外のビットセルのデータ保持特性を劣化させないようにすることが肝要となる。
この点に鑑みれば、電源電圧Vccが共通のビットセル、すなわち、第1の電源線50H_1や第2の電源線50H_2と共通に接続される同列の他の各メモリセル2が、データ保持できる程度の電圧レベルに制御することが肝要である。一例としては、図示のように、待機時の電源電圧Vccと基準電圧Vssとの間の電圧、たとえば丁度中間の電圧((Vcc−Vss)/2)に調整電圧XVcc_writeを設定することが考えられる。
以上説明したように、本実施形態の半導体記憶装置1によれば、2つのインバータ回路(CMOSインバータ20a,20b)の入出力が交差接続されてラッチ回路を構成するようにされたメモリセル2への電源線を2系統に分けて、各インバータ回路(CMOSインバータ20a,20b)で独立に電源電圧を制御できるようにしたので、読出し時および書込み時の各マージンが向上するようになった。これにより、パターンの微細化(たとえば65nmプロセス以降)のSoC(System on Chip:システムオンチップ)の低電圧動作や歩留まり改善による製造コスト低減に資するようになる。
以上、本発明について実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は前記実施形態に記載の範囲には限定されない。発明の要旨を逸脱しない範囲で前記実施形態に多様な変更または改良を加えることができ、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
また、前記の実施形態は、クレーム(請求項)にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組合せの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。前述した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜の組合せにより種々の発明を抽出できる。実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、効果が得られる限りにおいて、この幾つかの構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
たとえば、前記実施形態では、2系統の電源モジュール5a,5bをビット線BL,XBL ごと(つまり列ごと)に設ける例で示したが、このことは必須ではない。たとえば、読出し動作用の調整電圧XVcc_read を生成する電源部50RDは列ごとに用意するが、書込み動作用の調整電圧XVcc_writeを生成する電源部50WTは書込み単位ごとに用意する構成をとることもできる。
また、極端なケースでは、全列に対して各1つの電源モジュール5a,5bを設け、また待機時の電源電圧Vccと調整電圧XVcc_read ,XVcc_writeの何れかを選択して自列の電源線50H_1,50H_2に供給する選択回路(3入力−1出力のセレクタでよい)を列ごとに設けることもできる。
この場合、読出し動作時には、列ごとに、自列のビット線BL,XBL の電位はLレベルもしくはHレベルの何れであるかを判定する判定回路と選択回路を設けて、判定回路の判定結果に基づき、待機時の電源電圧Vccと調整電圧XVcc_read の何れか一方を選択回路で選択すればよい。また、書込み動作時には、列ごとに、自列の対象セルの書込みデータL,Hに基づき、待機時の電源電圧Vccと調整電圧XVcc_writeの何れか一方を選択回路で選択すればよい。
この構成の場合、読出し動作用の調整電圧XVcc_read を生成する電源部50RDの構成を書込み動作用の調整電圧XVcc_writeを生成する電源部50WTと同様の構成にする。Lノード側の電源電圧Vcell_a,Vcell_b(調整電圧XVcc_read )は、Lノード側のビット線の電位に追従して変化するのではなく、調整電圧XVcc_writeと同様に、確実に制御電圧Vref で規定でき、調整電圧XVcc_read を待機時の電源電圧Vccと基準電圧Vssとの間の丁度中間の電圧に設定することの保証ができるようになる。
1…半導体記憶装置、2…メモリセル、20,20a,20b…CMOSインバータ、22,22a,22b…駆動トランジスタ、24,24a,24b…負荷トランジスタ、26,26a,26b…転送トランジスタ、3…メモリセルアレイ部、4…書込み/読出し部、4SA…センスアンプ、4WB…書込みバッファ、5…電源部、5a,5b…電源モジュール、50H,50H_1,50H_2…電源線、50L…基準電源線、50RD…読出用電源部、50WT…書込用電源部、50SW…選択部、52RD,52WT…差動増幅回路、54RD,54WT…バッファトランジスタ、56RD,56WT…負荷抵抗、60RD,60WT,60SW…セレクタ、62…アナログスイッチ、62N,62P…SWトランジスタ、64SW,64XSW …NORゲート、8…ビット線選択部、9…ワード線選択部、BL,XBL …ビット線、Sa,Sb…セル回路、Va,Vb…記憶ノード、Vcell_a,Vcell_b…セル電圧、Vref …制御電圧、Vss…基準電圧、WL…ワード線、XVcc_read ,XVcc_write…調整電圧
Claims (13)
- ワード線と、
相補対をなす第1のビット線および第2のビット線と、
第1のインバータ、前記第1のインバータの出力端が入力端に接続され前記第1のインバータの入力端が出力端に接続された第2のインバータ、ゲートが前記ワード線に接続され入出力端の一方が前記第1のビット線に接続され前記入出力端の他方が前記第1のインバータの出力端である第1の記憶ノードに接続された第1の転送トランジスタ、およびゲートが前記ワード線に接続され入出力端の一方が前記第2のビット線に接続され前記入出力端の他方が前記第2のインバータの出力端である第2の記憶ノードに接続された第2の転送トランジスタを有するメモリセルが、行列状に配置されたメモリセルアレイ部と、
前記第1のビット線および前記第2のビット線の一端に接続され各ビット線の電位差を増幅するセンスアンプ、前記第1のビット線および前記第2のビット線の一端に接続され各転送トランジスタを介して相補データを各記憶ノードに書き込む書込みバッファを有する書込み/読出し部と、
前記第1のインバータに第1のセル電圧を第1の電源線を介して供給する第1の電源モジュールおよび前記第2のインバータに第2のセル電圧を前記第1の電源線とは異なる第2の電源線を介して供給する第2の電源モジュールを有し、前記第1のインバータおよび前記第2のインバータに共通に基準電圧を供給する電源部と
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記第1の電源モジュールおよび前記第2の電源モジュールは、読出し動作や書込み動作に連動して、独立に前記第1および前記第2のセル電圧を変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の電源モジュールは、
第1の差動増幅回路と第1のバッファトランジスタを具備し、
前記第1の差動増幅回路は、一方の入力端が前記第1のビット線に接続され、出力が前記第1のバッファトランジスタの制御入力端に接続され、他方の入力端が前記第1のバッファトランジスタの出力に接続され、
前記第1のセル電圧における読出し動作時の電圧を前記第1のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2の電源モジュールは、
第2の差動増幅回路と第2のバッファトランジスタを具備し、
前記第2の差動増幅回路は、一方の入力端が前記第2ビット線に接続され、出力が前記第2のバッファトランジスタの制御入力端に接続され、他方の入力端が前記第2のバッファトランジスタの出力に接続され、
前記第2のセル電圧における読出し動作時の電圧を前記第2のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の電源モジュールは、
制御入力端が前記第1のビット線に接続された第1のバッファトランジスタを具備し、
前記第1のセル電圧における読出し動作時の電圧を前記第1のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2の電源モジュールは、
制御入力端が前記第2のビット線に接続された第2のバッファトランジスタを具備し、
前記第2のセル電圧における読出し動作時の電圧を前記第2のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記電源モジュールは、前記第1のビット線および前記第2のビット線の内のLデータを出力する側の前記セル電圧における読出し動作時の電圧を、Lデータを出力する側の前記ビット線の電位の低下に連動して、前記第1のビット線および前記第2のビット線の内のHデータを出力する側の前記セル電圧における読出し動作時の電圧よりも低下させる
ことを特徴とする請求項3〜6の内の何れか1項に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の電源モジュールは、
第3の差動増幅回路と第3のバッファトランジスタを具備し、
前記第3の差動増幅回路は、一方の入力端に制御電圧が供給され、出力が前記第3のバッファトランジスタの制御入力端に接続され、他方の入力端が前記第3のバッファトランジスタの出力に接続され、
前記第1のセル電圧における書込み動作時の電圧を前記第3のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2の電源モジュールは、
第4の差動増幅回路と第4のバッファトランジスタを具備し、
前記第4の差動増幅回路は、一方の入力端に制御電圧が供給され、出力が前記第4のバッファトランジスタの制御入力端に接続され、他方の入力端が前記第4のバッファトランジスタの出力に接続され、
前記第2のセル電圧における書込み動作時の電圧を前記第4のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の電源モジュールは、
制御入力端に制御電圧が供給される第3のバッファトランジスタを具備し、
前記第1のセル電圧における書込み動作時の電圧を前記第3のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記第2の電源モジュールは、
制御入力端に制御電圧が供給される第4のバッファトランジスタを具備し、
前記第2のセル電圧における書込み動作時の電圧を前記第4のバッファトランジスタの出力に発生させる
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記電源モジュールは、前記第1のビット線および前記第2のビット線の内のLデータを書き込む側の前記セル電圧における書込み動作時の電圧を、前記Lデータを書き込む側の前記ビット線の電位の低下に連動して、前記第1のビット線および前記第2のビット線の内のHデータを書き込む側の前記セル電圧における書込み動作時の電圧よりも低下させる
ことを特徴とする請求項8〜11の内の何れか1項に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の電源モジュールと前記第2の電源モジュールは、前記メモリセルアレイ部の周辺における、前記相補対をなす第1のビット線および第2のビット線の互いに他方の一端に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007230977A JP2009064509A (ja) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007230977A JP2009064509A (ja) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | 半導体記憶装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2009064509A true JP2009064509A (ja) | 2009-03-26 |
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ID=40558961
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2009064509A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012155817A (ja) * | 2011-01-28 | 2012-08-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
-
2007
- 2007-09-06 JP JP2007230977A patent/JP2009064509A/ja active Pending
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