JP2006196157A - 保安リダンダンシーブロックを具備したnandフラッシュメモリ装置及び保安ブロックをリペアする方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明によるNANDフラッシュメモリ装置は、メインデータを貯蔵するメインブロックと、保安データを貯蔵する保安ブロックと、前記メインブロックまたは保安ブロックにフェイルが発生した時にフェイルになったブロックを取り替えるためのリダンダンシーブロックとを含む。ここで、前記リダンダンシーブロックは、ヒューズ情報に応じて前記保安ブロックを保安リダンダンシーブロックに取り替える。また、前記リダンダンシーブロックは別途の保安リダンダンシーブロックを具備して前記保安ブロックをリペアする。本発明によると、保安ブロックにフェイルが発生した場合に、NANDフラッシュメモリ装置をフェイル処理しなければならない従来の問題点を改善することができる。
【選択図】図1
Description
110、210 メインブロック
120、220 OTPブロック
130、230、240 リダンダンシーブロック
140 ヒューズボックス
Claims (10)
- メインデータを貯蔵する複数個のメインブロックと、
保安データを貯蔵する保安ブロックと、
前記複数個のメインブロックまたは前記保安ブロックにフェイルが発生した場合に、選択的にフェイルになったブロックを取り替えるための複数個のリダンダンシーブロックとを含むことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記保安ブロックは、OTPブロックであることを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記複数個のリダンダンシーブロックは、ヒューズ情報に応じて選択的に前記複数個のメインブロックまたは前記保安ブロックを取り替えることを特徴とする請求項1に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- NANDフラッシュメモリ装置において、
メインデータを貯蔵する複数個のメインブロックと、
前記複数個のメインブロックにフェイルが発生した場合に、フェイルになったブロックを取り替えるための複数個のリダンダンシーブロックと、
前記NANDフラッシュメモリ装置に対する保安データを貯蔵する保安ブロックと、
前記保安ブロックにフェイルが発生した場合に、フェイルになった保安ブロックを取り替えるための保安リダンダンシーブロックとを含むことを特徴とするNANDフラッシュメモリ装置。 - 前記保安ブロックは、OTPブロックであることを特徴とする請求項4に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- 前記保安リダンダンシーブロックは、OTPリダンダンシーブロックであることを特徴とする請求項5に記載のNANDフラッシュメモリ装置。
- NANDフラッシュメモリ装置の保安ブロックをリペアする方法において、
a)前記保安ブロックをテストする段階と、
b)前記保安ブロックにフェイルが発生した場合に、保安リダンダンシーブロックに取り替える段階と、
c)前記保安リダンダンシーブロックをテストする段階とを含むことを特徴とする方法。 - d)前記保安リダンダンシーブロックをテストした結果、前記保安リダンダンシーブロックにフェイルが発生した場合にフェイル処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記保安ブロックは、OTPブロックであることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記保安リダンダンシーブロックは、OTPリダンダンシーブロックであることを特徴とする請求項9に記載の方法。
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