JP2004145964A - 半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法 - Google Patents
半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004145964A JP2004145964A JP2002309328A JP2002309328A JP2004145964A JP 2004145964 A JP2004145964 A JP 2004145964A JP 2002309328 A JP2002309328 A JP 2002309328A JP 2002309328 A JP2002309328 A JP 2002309328A JP 2004145964 A JP2004145964 A JP 2004145964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- semiconductor memory
- management
- memory
- address
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体メモリメーカがその製造工程において、任意に発生する初期不良ブロック103のアドレスを一括管理できる管理テーブルを記録する管理ブロック105をフラッシュメモリ101上に作成する。これにより、システムメーカが、フラッシュメモリ101を組み込んだメモリカードや機器を製造する際に、管理ブロック105の情報を初期値として、良/不良のブロックを制御するためのエントリーテーブルを作成できるので、良/不良のブロックを全ブロックに渡って検査する工程を削減することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のブロックからなるメモリ領域中で不良ブロックの取り扱いに特徴を有する半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、不揮発性の半導体メモリとして、フラッシュメモリが良く知られている。フラッシュメモリの中でも、NAND型フラッシュメモリやAND型フラッシュメモリは、NOR型フラッシュメモリと異なり、不良ビットを含む初期不良ブロックの存在が許される。この初期不良ブロックのアドレスをユーザに知らせるために、半導体メモリの製造業者は、初期不良ブロックの特定領域全体に対してデータ”00h”を書き込む。なお正常ブロックの特定領域は、全体がイレーズ状態であり”FFh”が記録されている。ユーザはこの特定領域のデータを読み出して、読み出したデータが全バイト”FFh”であるか否かを判断する。判断としては、特定領域のデータの1つでも”FFh”でないものが存在すれば、そのブロックは不良であると判断する。
【0003】
以上のような従来技術は、例えば、特許文献1に詳しく記載されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−222599号公報(段落0002)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、フラッシュメモリの各ブロックの良/不良を識別する為に不良ブロックの特定ビットに不良情報を記録した状態で出荷しており、このようなフラッシュメモリを使用するシステムメーカは、フラッシュメモリ検査工程において、全ブロックのマーク有/無をチェックする必要があった。
【0006】
本発明は、半導体メモリのメーカから納入された半導体メモリを所望の装置や機器に組み込む際の検査工程を簡素化することが可能な半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、半導体メモリメーカが、その製造工程中に良または不良のブロックのアドレスを識別するための情報を管理できる管理ブロックを半導体メモリ上に作成する。半導体メモリメーカは、半導体メモリの良または不良ブロックのアドレスを一括管理できる管理ブロックを半導体メモリ上に作成した状態で出荷し、システムメーカは、この半導体メモリを用いたメモリカードや機器等を開発または製造する際に、管理ブロックを参照し、後発的に不良となるブロックも管理できるエントリーテーブルを作成する制御工程を設ける。
【0008】
これにより、システムメーカにおいて、全ブロックの良/不良のマークの有無をチェックする検査工程を設ける必要がなく、全体として効率の良い半導体メモリの製造や制御が可能となる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明による第1の発明の半導体メモリは、複数のブロックからなるメモリ領域を有する半導体メモリであって、前記ブロック中の良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを識別するための情報を管理できる管理テーブルを記憶するための管理ブロックを有するものである。
【0010】
また、第2の発明は、第1の発明において、前記管理ブロックは、前記メモリ領域上の所定のブロックに作成されることを特徴とするものである。
【0011】
また、第3の発明は、第1の発明において、前記管理ブロックは、良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを識別するための情報をエラー保護可能な形式で書き込むことを特徴とするものである。
【0012】
また、第4の発明の半導体メモリ製造方法は、第1〜3の発明の何れかに記載の半導体メモリを製造する方法であって、良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを識別するための情報を前記管理ブロックに書き込む管理ブロック作成工程を設ける。
【0013】
また、第5の発明は、第1〜3の発明の何れかに記載の半導体メモリを製造する方法であって、良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを多重化形式で前記管理ブロックに書き込む管理ブロック作成工程を設ける。
【0014】
また、第6の発明は、第5の発明において、前記管理ブロック作成工程は、各ブロックの特定領域に書き込まれた良/不良を示すマークをチェックした後に行うことを特徴とする。
【0015】
また、第7の発明は、第4または5の発明において、前記管理ブロック作成工程は、各ブロックが良ブロックか不良ブロックかを各ブロックの特定領域に書き込む工程と共に行うことを特徴とする。
【0016】
また、第8の発明のメモリカードは、第4〜7の発明の何れかに記載の半導体メモリ製造方法により製造された半導体メモリを内蔵したものである。
【0017】
また、第9の発明は、第8の発明において、前記管理ブロックに記録された情報を、異なるブロックにエントリーテーブルとして記録することを特徴とする。
【0018】
また、第10の発明は、第9の発明において、前記エントリーテーブルは、後に不良となったブロックのアドレスを識別するための情報も合わせて記録することを特徴とする。
【0019】
また、第11の発明は、第9または10の発明において、前記管理ブロックは、前記エントリーテーブルを作成したのち、通常の記録ブロックとして使用することを特徴とする。
【0020】
また、第12の発明の半導体メモリ制御方法は、第4〜7の発明の何れかに記載の半導体メモリ製造方法により製造された半導体メモリを制御する方法であって、前記管理ブロックに記録された情報を、異なるブロックにエントリーテーブルとして記録する工程を有する。
【0021】
また、第13の発明は、第12の発明において、前記エントリーテーブルは、後に不良となったブロックのアドレスを識別するための情報も合わせて記録することを特徴とする。
【0022】
また、第14の発明は、第12または13の発明において、前記管理ブロックは、前記エントリーテーブルを作成したのち、通常の記録ブロックとして使用することを特徴とする。
【0023】
以上の本発明による半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法によれば、良または不良のブロックのアドレスを識別するための情報を記録する管理ブロックを備えているので、半導体メモリのメーカから納入された半導体メモリをメモリカードや所望の装置や機器に組み込む際の検査工程を簡素化することができる。
【0024】
以下に、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【0025】
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態による半導体メモリ(フラッシュメモリ)のブロック構造を示す概念図である。図1において、101はフラッシュメモリであり、そのメモリ領域には複数のブロックが存在する。また、102は初期良ブロック、103は任意の場所に発生する初期不良ブロック、104は初期不良ブロック103の特定領域に書き込まれた初期不良ブロックマーク、105は管理ブロックである。即ち、フラッシュメモリ101を構成する複数のブロックの内、1つを管理ブロック105としている。なお、この限りではないが、一例として各ブロックは、32ページ(ページ0からページ31)からなり、1ページは、512バイトのデータ領域と16バイトの管理領域からなる。
【0026】
また、図2は、本実施の形態による半導体メモリに設けられた管理ブロック105のデータ構造を示す概念図である。データ領域の各ページは、16バイト毎に32の領域に分割管理され、各16バイトの領域には、初期不良ブロックのアドレスが書き込まれる。
【0027】
また、図3は、本実施の形態による半導体メモリ内の初期不良ブロックのデータ構造を示す概念図である。ページ0の16バイトの管理領域が特定領域であり、初期不良ブロックマークとして“00h”が書き込まれる。もちろん、初期良ブロックの場合は、“FFh”が書き込まれているので、全てのデータが“FFh”となっている。
【0028】
また、図4は、本実施の形態による初期良ブロックのデータ構造を示す概念図である。図4において、401はフラッシュメモリ、402は初期不良ブロック、403は初期良ブロック、404は初期良ブロックマーク、405は管理ブロックである。なお、ここで示す図4は、図1に示した実施の形態の変形としての構成を示すものである。
【0029】
また、図5は、本実施の形態による半導体メモリ製造方法に用いられる管理ブロック105の作成手順を示すフローチャート、図6は、本実施の形態による半導体メモリ制御方法に用いられるエントリーテーブルのデータ構造を示す概念図、図7は、本実施の形態によるメモリカードの構成を示すブロック図である。
【0030】
図7において、701はホストインタフェース部、702はフラッシュメモリ制御部、703は読み書きメモリ、その他のブロックは図1と同様である。
【0031】
まず、図5を用いて、フラッシュメモリ製造業者が、フラッシュメモリの初期不良ブロックを管理する管理ブロックを作成する過程について説明する。半導体メモリ製造方法としては、試験装置に接続された測定ボードにフラッシュメモリをセットし、各ブロックの初期不良が検査され、各ブロックの特定領域に初期不良ブロックマークが書き込まれており、初期不良ブロックマークを書き込んだブロックのアドレスを検査装置が管理テーブルとして記憶しているものとする。このような状態で、図5に示したフローチャートが実行される。
【0032】
図5において、フラッシュメモリ101における先頭の物理ブロックのアドレス、即ち0番地をPBA(Physical Block Address:物理ブロックアドレス)に設定し、管理テーブルを参照しながら処理をスタートする。現在処理中のPBAが初期不良ブロックのアドレスでは無い場合は、現PBAが最終の物理ブロックアドレスであるかどうかのチェックを行い、最終アドレスでなければPBAをインクリメント(+1)して再度初期不良ブロックのアドレスであるかどうかのチェックに戻る。現PBAが初期不良ブロックのアドレスであり、かつ先頭の物理ブロックのアドレスの場合、フラッシュメモリ自体を不良として処理を終了する。ここで、本実施の形態においては、図1に示す通り、先頭の物理ブロック(PBA=0)を管理ブロックとして扱うため、先頭の物理ブロックは必ず初期良ブロックであることを保証しなければならない。よって、先頭の物理ブロックが初期不良ブロックの場合は、このフラッシュメモリ自体を出荷しないことになる。
【0033】
処理中のPBAが初期不良アドレスであり、PBAが先頭の物理ブロックでない場合は、該当ブロックの管理領域に値0(初期不良ブロックマーク104)を書き込む。具体例としては、図3に示すように、ページ0の管理領域(16バイト)に000…000を書き込む。更に管理ブロック(PBA0)の対応領域にPBAを書き込む。即ち、図2のBB_Adr1にPBAを多重化して書き込む。図2に示した例では、2バイト毎に1−1から1−8まで8重化して16バイトの領域に書き込む。ここでフラッシュメモリ内の全ブロック数を“0FFFh個(4096個)”とすると、初期不良ブロックアドレスとして書き込まれるPBAの範囲は、“0001h”〜“0FFFh”となる。因みに“0000h”は管理ブロックのアドレスであり、必ず初期良ブロックである為、前記PBAの範囲には含まれることはない。また、管理ブロック105は、1ページ当たり32個のアドレスが記録できるので、全部で1024個のブロックのアドレスが記録できる。この数は、所定数より初期不良ブロックが多い場合は、不良品としてフラッシュメモリ自体を出荷しないので、記録できるアドレスの数は、全ブロック数より少なくても何ら問題はない。
【0034】
図5のフローチャートに示す処理を繰り返していく過程において、初期不良ブロックと判断されたPBAは順番に管理ブロック105に書き込まれる。図2に示すように、BB_Adr1、BB_Adr2、…の順に書き込まれる。管理ブロック105の初期状態は、全領域“FFFFh”で埋められているので、“FFFFh”のコードになる所までが初期不良ブロックのアドレスであることがわかる。図2の例では、ページ2の2つめの領域から“FFFFh”となるので、65個分(32×2+1=65)の初期不良ブロックのアドレスが書き込まれた状態を示している。
【0035】
さて、ここで8重化(多重化)を行う意味について説明すると、本実施の形態によるフラッシュメモリを用いたメモリカード等の装置や機器を製造するシステムメーカ側において、管理ブロック105を読み出す際に読み出しエラー等で正しく読めない場合が考えられる。そこでエラー保護をかける必要があるが、例えばECC(Error Correcting Code)のように方式にさまざまな種類(リード・ソロモンやハミング等)がある保護方法では、システムメーカ側のECC方式と整合がとれないという問題があるので、一般的な保護方法(分かり易く、効果的な保護方法)で管理テーブル105を保護する必要があり、本発明の実施の形態においては8重化(多重化)の方法を採用した。なお、多重化による保護の仕組みについては多数決等の手法を用いれば良いので、その詳細説明は省略する。
【0036】
以上、管理ブロック105を作成する手順について説明したが、管理ブロック105に初期不良ブロックのアドレスを書き込むのではなく、管理ブロック105内のデータ領域をアドレス毎に割り付けて、初期不良ブロックのアドレスに対応するビット(位置)にフラグを立てる方法でも、管理ブロック105に初期不良ブロック情報を記憶させることができる。要は、管理ブロック105のデータを確認するだけで、初期不良ブロックのアドレスを確認できる構造で記憶すればよい。
【0037】
また、初期不良ブロックマークに基づいて管理ブロック105を作成するのではなく、図4に示すように初期良ブロックマークに基づく方法も考えられる。即ち、初期良ブロックかどうかの判定を行い、初期良ブロックの管理領域には初期良ブロックマークを書き込むと共に、管理ブロックに初期不良ブロックアドレスを書き込む方法としてもよい。
【0038】
以上のように本実施の形態によれば、フラッシュメモリ101に初期不良ブロック103のアドレスを識別可能な管理ブロック105を設けた半導体メモリとすることで、システムメーカにおいて、全ブロックのマークの有無をチェックする工程を簡素化することができ、また、半導体メモリの製造工程において、管理ブロック105に初期不良ブロック103のアドレスを識別可能に記憶する工程を設けることで、前述の半導体メモリを製造することが可能となる。
【0039】
次に、このようにして作成されたフラッシュメモリを用いて、システムメーカがメモリカード等を製造する場合について、図7及び図6を用いて説明する。図7に示すメモリカードは、カード内部にフラッシュメモリ101と、それを制御する為の回路ブロック(ホストインタフェース部701、フラッシュメモリ制御部702、読み書きメモリ703)とから構成される。フラッシュメモリ制御部702は、初期の電源投入段階において、フラッシュメモリ101内の管理ブロック105を参照し、初期不良ブロック情報を所望の初期良ブロックにその情報を記録する。図6にその記録の形態(エントリーテーブル)を示す。エントリーテーブルはフラッシュメモリ101内の全物理ブロックのアドレス順にページ0から順に情報が記録されるものである。
【0040】
記録される情報としては、初期の電源投入段階においては、初期不良ブロック103に対応するビットが“11b”もしくは“10b”が記録され、初期良ブロック102については、まだ有効データが書き込まれていない段階であるので“00b”が書き込まれる。
【0041】
図6に示す例では、各ブロックに対して2ビットの情報を書き込むので、1ページ当たり2048ブロックを管理することが可能である。
【0042】
なお、以降の電源投入時においては、管理ブロック105は使用せず、即ち管理ブロック105の情報をエントリーテーブルに記録し直すことはせず、エントリーテーブルのみでブロック管理の制御を行う。このようにエントリーテーブルを設けることにより、後発的に生じた不良ブロックも併せて管理できる。また、エントリーテーブルは、通常読み書きメモリ703に展開した上で参照することとなる。また、管理ブロック105内の情報は、初期の電源投入段階(あるいは、メモリカード製造過程)において、エントリーテーブルに記録されるので、管理ブロック105は、その機能を解消し、通常の記録領域やエントリーテーブルを記録する領域として用いることもできる。
【0043】
以上のように、本発明の実施の形態によれば、フラッシュメモリ製造業者が、フラッシュメモリ101の先頭物理ブロックの管理ブロック105に、初期不良ブロックのアドレス情報を一括して書き込んだ状態にして、システムメーカに出荷するようにしたので、システムメーカ側は、初期不良ブロックか初期良ブロックかを判断する為に全ブロックをサーチする必要がなくなり、メモリカード等の装置や機器を制御する際の初期工程を簡略化することができる。
【0044】
なお、上記実施の形態では、半導体メモリ(フラッシュメモリ)を組み込んだ機器としてメモリカードを例に挙げたが、半導体メモリ自体を機器に組み込んだもの(内蔵タイプ)や半導体メモリを制御する為の回路ブロックのみが機器側にあるもの(上記のような制御回路を有しないメモリカードに対応する機器)であってもよい。
【0045】
また、上記実施の形態では、管理ブロック105を先頭の物理ブロックとしたが、これに限らず、最後の物理ブロックとしても、初期良ブロック102の先頭や最後のものとしてもよい。初期良ブロックの最初または最後とした場合は、これを検出するためのステップを設ければよい。
【0046】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、全ブロック中の初期不良ブロックのアドレスを一括管理できる管理テーブルを所定のブロックに管理ブロックとして設けた半導体メモリとし、半導体メモリメーカは、その製造方法として製造工程の中で、管理ブロックに初期不良ブロックのアドレスを識別できる状態で記憶して出荷するので、この半導体メモリを用いてメモリカードや半導体メモリを組み込んだ機器などを開発または製造するシステムメーカは、管理ブロックを参照するだけで、初期不良ブロックか初期良ブロックかを判断できるので、出荷後のシステムメーカ側のブロック検査工程を簡素化することができ、結果として製造コストを削減することが可能となる。また、システムメーカにおける半導体メモリやメモリカードの制御方法として、管理ブロックに記憶された初期不良ブロック情報に加えて後発的な不良ブロック情報も含むテーブルを半導体メモリ上に作成し直すことにより、後発的な不良ブロックも併せて一括管理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体メモリのブロック構造を示す概念図
【図2】本発明による半導体メモリに設けられた管理ブロックのデータ構造を示す概念図
【図3】本発明による半導体メモリにおける初期不良ブロックのデータ構造を示す概念図
【図4】本発明による半導体メモリにおいて初期良ブロックを管理する場合のブロック構造を示す概念図
【図5】本発明による半導体メモリ製造方法における管理ブロックの作成手順を示すフローチャート
【図6】本発明による半導体メモリ管理方法に用いられるエントリーテーブルのデータ構造を示す概念図
【図7】本発明によるメモリカードの構成を示す概略ブロック図
【符号の説明】
101 フラッシュメモリ
102 初期良ブロック
103 初期不良ブロック
104 初期不良ブロックマーク
105 管理ブロック
Claims (14)
- 複数のブロックからなるメモリ領域を有する半導体メモリであって、前記ブロック中の良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを識別するための情報を記憶する管理ブロックを有する半導体メモリ。
- 前記管理ブロックは、前記メモリ領域上の所定のブロックに作成されることを特徴とする請求項1記載の半導体メモリ。
- 前記管理ブロックは、良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを識別するための情報をエラー保護可能な形式で書き込むことを特徴とする請求項1記載の半導体メモリ。
- 請求項1ないし3の何れかに記載の半導体メモリを製造する方法であって、良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを識別するための情報を前記管理ブロックに書き込む管理ブロック作成工程を設けた半導体メモリ製造方法。
- 請求項1ないし3の何れかに記載の半導体メモリを製造する方法であって、良ブロックまたは不良ブロックのアドレスを識別するための情報を多重化形式で前記管理ブロックに書き込む管理ブロック作成工程を設けた半導体メモリ製造方法。
- 前記管理ブロック作成工程は、各ブロックの特定領域に書き込まれた良/不良を示すマークをチェックした後に行うことを特徴とする請求項4または5記載の半導体メモリ製造方法。
- 前記管理ブロック作成工程は、良/不良かを示すマークを各ブロックの特定領域に書き込む工程と共に行うことを特徴とする請求項4または5記載の半導体メモリ製造方法。
- 請求項4ないし7の何れかに記載の半導体メモリ製造方法により製造された半導体メモリを内蔵したメモリカード。
- 前記管理ブロックに記録された情報を、所望のブロックにエントリーテーブルとして記録することを特徴とする請求項8記載のメモリカード。
- 前記エントリーテーブルは、後に不良となったブロックのアドレスを識別するための情報も合わせて記録することを特徴とする請求項9記載のメモリカード。
- 前記管理ブロックは、前記エントリーテーブルを作成したのち、通常の記録ブロックとして使用することを特徴とする請求項9または10記載のメモリカード。
- 請求項4ないし7の何れかに記載の半導体メモリ製造方法により製造された半導体メモリを制御する方法であって、
前記管理ブロックに記録された情報を、所望のブロックにエントリーテーブルとして記録する工程を有することを特徴とする半導体メモリ制御方法。 - 前記エントリーテーブルは、後に不良となったブロックのアドレスを識別するための情報も合わせて記録することを特徴とする請求項12記載の半導体メモリ制御方法。
- 前記管理ブロックは、前記エントリーテーブルを作成したのち、通常の記録ブロックとして使用することを特徴とする請求項12または13記載の半導体メモリ制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002309328A JP2004145964A (ja) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002309328A JP2004145964A (ja) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004145964A true JP2004145964A (ja) | 2004-05-20 |
Family
ID=32455183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002309328A Pending JP2004145964A (ja) | 2002-10-24 | 2002-10-24 | 半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004145964A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008198020A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体メモリ情報蓄積装置とその不良部位対処方法 |
JP2010204961A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Fujitsu Ltd | アクセス制御装置、情報処理装置、アクセス制御プログラム及びアクセス制御方法 |
US7916540B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same |
JP2012014570A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Fujitsu Ltd | 制御装置、制御モジュールおよび制御方法 |
US9318224B2 (en) | 2012-12-06 | 2016-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and operating method thereof |
US9916093B2 (en) | 2015-07-22 | 2018-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability |
-
2002
- 2002-10-24 JP JP2002309328A patent/JP2004145964A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008198020A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体メモリ情報蓄積装置とその不良部位対処方法 |
US7916540B2 (en) | 2007-05-17 | 2011-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same |
JP2010204961A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Fujitsu Ltd | アクセス制御装置、情報処理装置、アクセス制御プログラム及びアクセス制御方法 |
JP2012014570A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Fujitsu Ltd | 制御装置、制御モジュールおよび制御方法 |
US9318224B2 (en) | 2012-12-06 | 2016-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device and operating method thereof |
US9916093B2 (en) | 2015-07-22 | 2018-03-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101964207B1 (ko) | 데이터 메모리 디바이스 및 인터페이스 에러 검출 및 처리 논리를 갖는 제어기 | |
JP4901987B1 (ja) | 記憶装置、電子機器及び誤りデータの訂正方法 | |
KR100906519B1 (ko) | 비-휘발성 메모리 시스템에서 사용불가능한 블록을관리하기 위한 방법 및 장치 | |
US8060688B2 (en) | Method and device for reconfiguration of reliability data in flash EEPROM storage pages | |
JP4761959B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP4560408B2 (ja) | 不揮発性記憶装置の制御方法 | |
TWI467591B (zh) | 於非揮發記憶體系統中損壞區塊隔離的方法及其相關非揮發記憶體器件 | |
KR100622349B1 (ko) | 불량 블록 관리 기능을 가지는 플레시 메모리 장치 및플레시 메모리 장치의 불량 블록 관리 방법. | |
US8555143B2 (en) | Flash memory controller and the method thereof | |
US20060013048A1 (en) | Memory systems including defective block management and related methods | |
US8667348B2 (en) | Data writing method for non-volatile memory module and memory controller and memory storage apparatus using the same | |
JPWO2005083573A1 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP4034947B2 (ja) | 不揮発性記憶システム | |
JP2010079856A (ja) | 記憶装置およびメモリ制御方法 | |
JP2009064238A (ja) | メモリシステム | |
JP2009245163A (ja) | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
US20090164869A1 (en) | Memory architecture and configuration method thereof | |
US8984218B2 (en) | Drive indicating mechanism for removable media | |
JP2004145964A (ja) | 半導体メモリ、半導体メモリ製造方法、メモリカードおよび半導体メモリ制御方法 | |
JP4710918B2 (ja) | メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びにフラッシュメモリの制御方法 | |
JP2005050442A (ja) | 冗長メモリ回路 | |
JP4641034B2 (ja) | 不揮発性記憶システム | |
JP4656063B2 (ja) | メモリカードの特定方法 | |
JP4332108B2 (ja) | メモリコントローラ、フラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法 | |
JP7030636B2 (ja) | メモリシステムおよびその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050512 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080520 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080708 |