JP2006166275A - 水晶デバイスの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】
本発明は、容易に製造可能な水晶振動子の製造方法の提供。
【解決手段】
水晶板に吸収され、かつ、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を基底状態から第１の励起状態に励起させる第１の光と、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を前記第１の励起状態から第２の励起状態に励起させる第２の光とを前記水晶板に略同時に照射することによりアブレーションを生じさせ、前記水晶板に所定パターンの溝を形成する工程を含む水晶振動子の製造方法により、上記課題を解決する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、水晶デバイスの製造方法に関し、詳しくは、容易に製造し得る水晶デバイスの製造方法に関する。
従来より、水晶発振器は各種電子機器等においてクロック源として広く用いられている。水晶発振器の発振周波数は、発振器を構成する水晶振動子の共振周波数により決定される。このような水晶振動子としては、例えばATカット水晶板の端面を曲面状に加工して、中心部に向かうほど厚みを持たすようにした、コンベックス形状又はベベル形状といった水晶振動子が知られている。例えば特許文献１には、コンベックス形状の水晶振動子が開示されている。このようなコンベックス形状又はベベル形状の水晶振動子は、中心部に厚みを持たせることで、振動片の中心部に振動を集中させ、少ないエネルギーで効率的に発振し得るように構成されている。また、このような形状の水晶振動子は、一般に研磨により製造される。
特開平１１−２９８２７８号公報
ところで、近年各種モバイル機器の小型化が進み、それを構成する水晶デバイスの小型化の要請も高まっている。
しかしながら、水晶デバイスを小型化した場合、従来の研磨方法では形状の制御が困難となり、また、加工に時間を要することになる。また、上記構造以外の水晶振動子においても加工性の向上が望まれていた。
そこで、本発明は、容易に製造可能な水晶デバイスの製造方法を提供することを目的としている。
上記課題を解決するために、本発明は、水晶板に吸収され、かつ、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を基底状態から第１の励起状態に励起させる第１の光と、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を前記第１の励起状態から第２の励起状態に励起させる第２の光とを前記水晶板に略同時に照射することによりアブレーションを生じさせ、前記水晶板に所定パターンの溝を形成する工程を含む水晶デバイスの製造方法を提供するものである。
これによれば、所定の二種類の光（第１の光と第２の光）を重畳して照射することで、一種類の光を照射して加工する場合に比較し、難加工性の水晶板を加工領域以外の領域に与える損傷が少なく、しかも容易に水晶デバイスを加工することが可能となる。ここで、第１の光は水晶板を構成する物質の電子のエネルギー準位を所定のエネルギー準位に励起するために用いられる励起用の光であり、第２の光は第１の光により励起された水晶板をアブレーションが生じるエネルギー準位にまで引き上げ水晶板に対して加工を行うために用いられる加工用の光である。
ここで「略同時」には、第１の光と第２の光を同時に照射する場合の他、第１の光と第２の光を所定時間を空けて照射する場合も含まれる。また、「所定時間を空けて」とは、第１の光を水晶板に照射してから、第１の光が吸収されてエネルギー準位が第１の励起状態に上がるまでにわずかに時間がかかるので、この時間を含める趣旨である。なお、第１の光の照射後に第２の光を照射する場合のみではなく、第２の光の照射後に第１の光を照射する場合をも含める。
また、「基底状態」は、光を照射する前のエネルギーの低い定常状態をいう。また、「第２の励起状態」は、水晶板の加工が開始されるエネルギー準位をいい、具体的には真空準位を超えるエネルギー準位をいう。
また、水晶デバイスとは、水晶を主構成要素として含むデバイス一般をいい、その内容に限定はないが、例えば水晶発振器・水晶振動子・水晶センサなどが含まれる。
また、第１の光と第２の光は同時に照射されている期間があれば、照射順序は問わず、第１の光を照射している照射領域上に重畳して第２の光を照射してもよく、また、第２の光を照射している照射領域上に重畳して第１の光を照射してもよい。また、第１の光と第２の光を同時に照射してもよい。
このような第１の光及び第２の光としては、パルスレーザ等のレーザが好適に用いられる。
前記第１の光の照射領域が前記第２の光の照射領域よりも大きく、前記第１の光で照射している照射領域内を前記第２の光で重畳して照射することが好ましい。励起用の光である第１の光の照射領域（照射径）を加工用の光である第２の光の照射領域（照射径）よりも大きくすることにより、第１の光と第２の光の位置合わせが容易となる。また、第１の光で照射した広い照射領域内をそれよりも小さい照射領域を有する第２の光で照射するので、例えば第１の光を固定して第２の光を移動することが可能となり、広い面積を加工する場合であっても効率よく所望のパターンを形成することが可能となる。
好ましくは、前記第１の光と前記第２の光が重畳した領域内にアブレーションが生じる（加工される）。第１の光及び第２の光を各々単独で照射した場合にはアブレーションは生じないか、生じたとしても水晶板が加工（一部が除去）されるまでには至らないので、位置合わせ等の作業工程が容易となる。
前記第１の励起状態はエネルギー準位が欠陥準位又は伝導帯に励起した状態であってもよい。
前記第１の光が１６０ｎｍ以下の波長の光であることが好ましい。このような波長帯域であれば、水晶板に対して有効な吸収を有する。
第１の光及び第２の光の組み合わせとしては、より具体的には、第１の光が波長１５７ｎｍのＦ2レーザであり、前記第２の光が波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ又は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザであることが好ましい。第１の光と第２の光を各々このような波長の光とすることで、効率よく水晶デバイスを加工することが可能となる。
前記第１の光及び／又は前記第２の光が、結像光学系を介して前記水晶板の加工面上に結像されることが好ましい。これによれば、所望のパターンの溝を短時間で容易に形成し得る。なお、マスクを介して所望のパターンを形成する場合には、所望パターンを一括照射して形成してもよく、また、所望のパターンを部分範囲に分割して、部分範囲毎に照射することにより所望の溝のパターンを形成してもよい。
前記所定パターンは、例えば、一又は複数の帯状パターンであってもよい。また、前記所定パターンは、一又は複数の矩形状パターンであってもよい。溝のパターンをこのようなパターンとすることで、良好な振動特性の水晶デバイスを得ることが可能となる。
前記所定パターンの溝を前記水晶板の両面に形成する場合において、前記水晶板の両面に略同時に前記第１の光及び／又は前記第２の光を重畳して照射することが好ましい。両面に同時に所定パターンを形成することで、加工時間を短縮することが可能となる。
本発明の他の態様は、板状の基部と当該基部から延出する複数の腕部とを有する音叉型の振動片を含む水晶デバイスの製造方法であって、前記腕部に、水晶板に吸収され、かつ、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を基底状態から第１の励起状態に励起させる第１の光と、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を前記第１の励起状態から第２の励起状態に励起させる第２の光とを前記水晶板に略同時に照射することによりアブレーションを生じさせ、前記腕部に所定パターンの溝を形成する工程を含む水晶デバイスの製造方法である。
好ましくは、本発明の水晶デバイスの製造方法は、板状の基部と当該基部から延出する複数の腕部とを有する音叉型の振動片を含む水晶デバイスの製造方法であって、水晶板に少なくとも一つの振動片を、当該振動片の一部を前記水晶板に連結させた状態で形成する振動片形成工程と、前記振動片の腕部に、水晶板に吸収され、かつ、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を基底状態から第１の励起状態に励起させる第１の光と、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を前記第１の励起状態から第２の励起状態に励起させる第２の光とを前記水晶板に略同時に照射することによりアブレーションを生じさせ、前記腕部に所定パターンの溝を形成する工程と、前記溝が形成された振動片に水晶デバイスを駆動するための駆動電極を形成する電極形成工程とを含むものである。
以下、本発明の水晶振動子の製造方法について図面を参照しながら説明するが、本発明はこのような実施形態に限定されるものではない。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の製造方法により製造される水晶振動子の一例を示す図である。図１に示すように、本発明の水晶振動子は、水晶板２（ATカット水晶板）の両面の略中央部に、電極４が形成されており、この電極４に電圧を印加することで水晶板２の厚みに応じた周波数で振動する。この電極４は、例えば金又は銀などの導電性材料で形成されている。また、この電極４には、外部との接続を図るためのリード電極が接続されている。水晶板２には、電極４の周囲に、電極４（又は水晶板２）の長手方向の端辺に略平行な溝６が、電極４を挟んで一列ずつ水晶板２の両端に形成されている。このように、電極４の周囲に溝６を形成することにより、主振動モード（例：厚み滑り振動モード）の振動エネルギーが電極の周辺領域へ広がり、振動エネルギーが損失するのを低減し得るとともに、スプリアス等の特異現象の要因となる副振動モードを抑制し得る。よって、電極４の直下に主振動モードの振動エネルギーを閉じ込めることが可能となり、良好な特性を有する水晶振動子を得ることが可能となる。
図２は、水晶振動子の溝パターンの一例を示す図である。
図２（ａ）は、図１の上面図に該当する。なお、図２（ａ）では電極４は省略している。このような溝６は、電極４を挟んで帯状に左右ほぼ対照に複数列形成されていてもよい。図２（ｂ）に、溝６が水晶板２の両端に二列ずつ形成された例を示す。溝６は、また、矩形状に形成されていてもよい。図２（ｃ）及び図２（ｄ）に、各々矩形状の溝が一列及び複数列（ここでは二列）形成された例を示す。このように複数列の溝６を形成することで、主振動モードの振動エネルギーの閉じ込め効果を一層高めることが可能となる。
なお、溝６のパターンは、上記例に限定されず、断続的な凹部（孔）を複数配置したパターンであってもよい。
図３は、水晶板の両面に二列ずつ溝が形成された水晶振動子の部分断面図を示す。図３に示すように、複数列（ここでは二列）の溝６を形成する場合には、水晶板２の端辺（部）に向かうにつれて、溝６の深さが徐々に深くなるように形成されることが好ましい。このように、溝６の深さを変化させることで、所謂コンベックス構造又はベベル構造に近い特性を有する構造を形成することが可能となる。したがって、水晶振動子の中心部に振動を集中させることができ、少ないエネルギーで効率よく発振することが可能になる。
次に、このような溝６の形成方法について説明する。
図４は、本発明の水晶振動子の製造方法に用いられる装置の一例を示す図である。
本発明では、図４に示すように、各々所定の波長を有する第１の光１０２と第２の光１０４の二本の光を用いることにより溝の加工を行う。ここでは、第１の光１０２及び第２の光１０４は、各々ビームスプリッタ１０６，１０８等を介して、水晶板２の加工面に略面直に入射し得るよう構成されている。なお、第１の光１０２と第２の光１０４の照射方法は、これに限定されるものではない。
第１の光１０２は、水晶板２に吸収される光であって、水晶板２を構成する物質の電子のエネルギー準位を基底状態から第１の励起状態に励起させることが可能な光である。ここで、第１の励起状態は、基底状態より高く、かつ、水晶板の加工が開始されるエネルギー準位（第２の励起状態）に至る前のそれよりも低いエネルギー準位である。具体的には、荷電子帯から荷電子帯と真空準位との間に位置するエネルギー準位に遷移（励起）させることが可能な波長の光である。このような光としては、例えば１６０ｎｍ以下の波長の光が挙げられる。このような波長であれば、水晶板に対する光の吸収率が良好である。具体的には、波長１５７ｎｍのＦ2レーザ、又は波長１０〜１３ｎｍのＥＵＶ（Extreme Ultra Violet：極紫外線）等を用いることが可能である。
第２の光１０４は、水晶板２を構成する物質の電子のエネルギー準位を第１の励起状態から第２の励起状態に励起させることが可能な光である。具体的には、第１の光１０２により遷移（励起）された水晶板２に対して真空準位の吸収を生じさせる波長の光である。このような光としては、特に限定するものではないが、例えば波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ又は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザが用いられる。
図５は、第１の光と第２の光を組み合わせた場合の水晶板のエネルギー準位を示す図である。図５に示すように、まず、水晶板２に対し、第１の光１０２としてＦ2レーザ（波長：１５７ｎｍ、エネルギー：ｈν＝７．９ｅＶ）を照射すると水晶板を構成する結晶の電子が荷電子帯（Ｅｖ）から欠陥準位に励起される。この第１の光１０２に第２の光１０４としてＫｒＦエキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ、エネルギー：ｈν＝５．０ｅＶ）を組み合わせ照射すると、欠陥準位から励起準位（真空準位を超えるエネルギー準位）までさらに励起されることになる。これにより、アブレーションが生じ、被加工対象物である水晶板２が加工されることになる。なお、ここでは、第１の光１０２として、電子のエネルギー準位を荷電子帯から欠陥準位に励起させるものを挙げた。しかし、第１の光１０２は、荷電子帯と真空準位との間のエネルギー準位に電子のエネルギー準位を励起し得るものであれば特に限定されず、例えば、伝導帯（Ｅｃ）に励起するものであってもよい。
第１の光１０２と第２の光１０４を用いた溝６の形成方法の原理について、さらに詳細に説明する。図６は、第１の光と第２の光を用いた溝６の形成方法の原理を説明するための図である。
図６（ａ）に示すように、被加工対象物である水晶板２に、例えば波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを第２の光１０４として照射しても、被加工対象物に対する吸収率が低く、加工対象物のエネルギー準位を充分上げるまでには至らない。
一方で、図６（ｂ）に示すように、水晶板２に例えば波長１５７ｎｍのＦ2レーザを第１の光１０２として照射した場合には水晶板２に対して吸収を有するので、フルエンス（エネルギー密度）が高い場合にはアブレーションが生じ、水晶板２が加工される。
しかしながら、加工効率を挙げるために照射面積を広くしたい場合もあり、このような場合には、同じ出力の装置を用いた場合フルエンスが低くなる。図６（ｃ）に示すように、照射面積を広げることによりフルエンスが低くなった場合、すなわち例えば水晶板２を加工し得るフルエンスの１／１００以下となった場合にはエネルギー量が足りず、アブレーションは生じない。よって、このようなフルエンスでは、照射光を外すと電子は再び元のエネルギー準位に戻り、水晶板２の外形には影響を及ぼさない。
これに対し、図６（ｄ）に示すように、水晶板２に対して第１の光１０２（波長１５７ｎｍのＦ2レーザ）及び第２の光１０４（波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ）を組み合わせて照射した場合、上述したエネルギー準位の励起が生じ、第１の光１０２と第２の光１０４が重畳した領域のみが加工されることになる。このように、単独で照射しただけではアブレーションが生じない特定の光を組み合わせることで、アブレーションを生じさせることが可能となる。
次に、図７を参照しながら、溝６の形成方法についてさらに詳しく説明する。図７は、溝６の形成方法の一例を説明するための図である。ここでは、結像光学系を用いた例を示す。
まず、図７（ａ）に示すように、第１の光１０２（波長１５７ｎｍのＦ2レーザ）を、所定の溝パターンが形成されたマスク１１及び集光レンズ１０を介して水晶板２（ATカット水晶板）に照射する。この際、第１の光１０２は、溝パターンが形成された領域全体を含むようにレーザビーム幅を広げて照射する。
次に、図７（ｂ）に示すように、第２の光１０４（波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ）を第１の光１０２が照射された領域と重ね合わさるように照射する。具体的には、第２の光１０４の照射領域を第１の光１０２の照射領域内に含まれる大きさとし、第１の光１０２を固定した状態で、第２の光１０４の照射領域を順次移動させることにより溝パターンを形成する。このように、第２の光１０４の大きさを調整することで、第１の光１０２と第２の光１０４の位置合わせを容易とすることができると共に、第２の光１０４を動かすのみで、所望の溝パターンを形成することが可能となるので、操作が容易となる。したがって、広い領域を加工する場合においても、容易に溝パターンの形成を行うことが可能となる。
このような工程により、マスクに形成された溝パターンの縮小像が水晶板２上に形成されることになる。
なお、ここで、溝６の深さは、第１の光１０２及び／又は第２の光１０４のフルエンス（エネルギー密度）、照射時間、発振時間等を適宜変更することにより調整することができる。
また、上記工程により所望の溝パターンが形成された水晶板２上に、従来公知の方法により図１に示すような電極４を形成することで、水晶振動子を得ることができる。
本実施形態によれば、第１の光１０２と第２の光１０４を重畳して照射することにより水晶振動子の製造を行っているので、一種類の光を照射して加工する場合に比較し、難加工性の水晶板を加工領域以外の領域に与える損傷を低減することができ、しかも容易に加工することが可能となる。また、結像光学系を用いることで、一括して所望のパターンの溝を水晶板２上に形成することができる。さらに、第２の光１０４の照射領域を第１の光１０２の照射領域より小さくているので、第１の光１０２と第２の光１０４との位置合わせが容易となる。また、第１の光１０２で照射した広い照射領域内をそれよりも小さい照射領域を有する第２の光１０４で照射するので、例えば第１の光を固定して第２の光を移動することが可能となり、広い面積を加工する場合であっても効率よく所望のパターンを形成することが可能となる。
なお、上記例では、第２の光１０４の照射領域を第１の光１０２の照射領域より小さくしたが、第２の光１０４の照射領域を第１の光１０２の照射領域より大きくしてもよく、また、同じ大きさにしてもよい。
また、第１の光１０２及び第２の光１０４として、各々１種類の波長のレーザを用いたが、各々複数種類の波長のレーザを組み合わせて用いてもよい。
（第２の実施形態）
本実施形態では、他の形状に係る水晶振動子の製造方法について説明する。具体的には、音叉型振動子の製造方法について説明する。
図８〜１０は、音叉型振動子の製造方法について説明するための図である。
まず、図４に示したのと同様のレーザ加工装置を用いて第１の光１０２と第２の光１０４を照射することにより、図８（ａ）中の二点鎖線に沿って、水晶板１２を後に振動子となる複数の振動片１６が各々連結部１４により基部に連結された複数の音叉型構造を有する形状に加工する（図８（ｂ）参照）。この際、水晶板１２を貫通するように、第１の光１０２及び第２の光１０４の照射強度及びショット数（単位時間当たりの照射回数）等の加工条件を適宜調節する。
図９（ａ）は、図８（ｂ）におけるＡ−Ａ’断面図であり、以下、この断面に沿う形で製造工程について説明する。図９（ｂ）に示すように、図４に示すレーザ加工装置を用いて、第１の光１０２と第２の光１０４を照射することにより、振動片１６の腕部１８，２０に溝２６，２８，３０，３２を形成する。この際、水晶板１２を片面ずつ加工することにより溝を形成してもよく、また、両面同時に形成してもよい。
次に、図９（ｃ）に示すように、Ａｕ，Ａｇなどの導電性を有する金属からなる膜（導電膜）３４を、スパッタリング等により成膜する。なお、この際、振動片１６上に、Ａｕ及びＡｇ並びに水晶との密着性の高い密着層（例：Ｃｒ膜）を介して、Ａｕ，Ａｇなどの金属からなる導電膜３４を成膜するのが好ましい。次に、図９（ｄ）に示すように、導電膜３４を、例えばＦ2エキシマレーザなどのレーザ光を用いて所望の形状にパターニングする。その後、各振動片１６を水晶板１２に連結している連結部１４から切り離すことにより水晶振動子が得られる。
ここで、水晶振動子の構造をさらに詳しく説明する。図１０（ａ）及び（ｂ）に、水晶振動子の側面図を示す。同図（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る水晶振動子は、板状の基部４０と、基部４０から同一方向に略平行に延びる二本の腕部１８及び２０を有する。腕部１８及び２０には、面２２及び面２４に、長手方向に沿って延びる溝２６，２８，３０，３２が設けられている。また、振動片１６上には、圧電振動子を駆動する電圧を与えるための第１の駆動電極３６及び第２の駆動電極３８が設けられている。第１の駆動電極３６及び第２の駆動電極３８は、水晶振動子の表裏で同様な形状に配線されている。より具体的には、腕部１８の表裏で対向するように形成された一対の電極部３６ａ，３６ｂと、腕部２０の表裏で対向するように形成された一対の電極部３６ｃ，３６ｄとは、それぞれ互いに導通しており、さらに基部４０の端部４２に導通して、第１の駆動電極３６を形成している。また、同様に、腕部２０の表裏で対向するように形成された一対の電極部３８ａ，３８ｂと、腕部１８の表裏で対向するように形成された一対の電極部３８ｃ，３８ｄとは、それぞれ互いに導通しており、さらに基部４０の端部４４に導通して、第２の駆動電極３８を形成している。
本実施形態によれば、このように複雑な立体形状を有する音叉型の振動子についても、第１の光１０２と第２の光１０４を重畳して照射することにより、一種類の光を照射して加工する場合に比較して、難加工性の水晶板を加工領域以外の領域に与える損傷を低減しつつ、容易に加工することが可能となる。
図１は、本発明の製造方法により製造される水晶振動子の一例を示す図である。 図２は、水晶振動子の溝パターンの一例を示す図である。 図３は、両面に二列ずつ溝が形成された水晶振動子の部分断面図を示す。 図４は、本発明の水晶振動子の製造方法に用いられる装置の一例を示す図である。 図５は、第１の光と第２の光を組み合わせた場合の水晶板のエネルギー準位を示す図である。 図６は、第１の光と第２の光を用いた溝６の形成方法の原理を説明するための図である。 図７は、溝６の形成方法の一例を説明するための図である。 図８は、音叉型振動子の製造方法について説明するための図である。 図９は、音叉型振動子の製造方法について説明するための図である。 図１０は、音叉型振動子の製造方法について説明するための図である。
符号の説明
２・・・水晶板、４・・・電極、６・・・溝、１０・・・集光レンズ、１１・・・マスク、１２・・・水晶板、１４・・・連結部、１６・・・振動片、１８・・・腕部、２０・・・腕部、２２・・・面、２４・・・面、２６，２８，３０，３２・・・溝、３４・・・導電膜、３６・・・第１の駆動電極、３６ａ，３６ｂ・・・電極部、３６ｃ，３６ｄ・・・電極部、３８・・・第２の駆動電極、３８ａ，３８ｂ・・・電極部、３８ｃ，３８ｄ・・・電極部、４０・・・基部、４２・・・端部、４４・・・端部、１０２・・・第１の光、１０４・・・第２の光、１０６，１０８・・・ビームスプリッタ

Claims (11)

  1. 水晶板に吸収され、かつ、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を基底状態から第１の励起状態に励起させる第１の光と、前記水晶板を構成する物質のエネルギー準位を前記第１の励起状態から第２の励起状態に励起させる第２の光とを前記水晶板に略同時に照射することによりアブレーションを生じさせ、前記水晶板に所定パターンの溝を形成する工程を含むことを特徴とする水晶デバイスの製造方法。
  2. 前記第１の光の照射領域が前記第２の光の照射領域よりも大きく、前記第１の光で照射している照射領域内を前記第２の光で重畳して照射する、請求項１に記載の水晶デバイスの製造方法。
  3. 前記第１の光と前記第２の光が重畳した領域内にアブレーションが生じる、請求項１又は請求項２に記載の水晶デバイスの製造方法。
  4. 前記第１の励起状態がエネルギー準位が欠陥準位又は伝導帯に励起した状態である、請求項１〜３のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。
  5. 前記第１の光が１６０ｎｍ以下の波長の光である、請求項１〜４のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。
  6. 前記第１の光が波長１５７ｎｍのＦ2レーザであり、前記第２の光が波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ又は波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザである、請求項１〜５のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。
  7. 前記第１の光及び／又は前記第２の光が、結像光学系を介して前記水晶板の加工面上に結像される、請求項１〜６のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。
  8. 前記溝のパターンが一又は複数の帯状パターンである、請求項１〜７のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。
  9. 前記溝のパターンが一又は複数の矩形状パターンである、請求項１〜７のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。
  10. 前記所定パターンの溝を前記水晶板の両面に形成する場合において、前記水晶板の両面に略同時に前記第１の光及び前記第２の光を重畳して照射する、請求項１〜８のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。
  11. 前記第１の光及び／又は前記第２の光が、前記所定パターンを一括して又は部分範囲毎に分割して照射する、請求項１〜１０のいずれかに記載の水晶デバイスの製造方法。


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