JP2006165535A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006165535A5
JP2006165535A5 JP2005327968A JP2005327968A JP2006165535A5 JP 2006165535 A5 JP2006165535 A5 JP 2006165535A5 JP 2005327968 A JP2005327968 A JP 2005327968A JP 2005327968 A JP2005327968 A JP 2005327968A JP 2006165535 A5 JP2006165535 A5 JP 2006165535A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
transistor
conductive layer
conductive
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005327968A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006165535A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2005327968A priority Critical patent/JP2006165535A/ja
Priority claimed from JP2005327968A external-priority patent/JP2006165535A/ja
Publication of JP2006165535A publication Critical patent/JP2006165535A/ja
Publication of JP2006165535A5 publication Critical patent/JP2006165535A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

JP2005327968A 2004-11-11 2005-11-11 半導体装置 Withdrawn JP2006165535A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005327968A JP2006165535A (ja) 2004-11-11 2005-11-11 半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004328298 2004-11-11
JP2004328295 2004-11-11
JP2005327968A JP2006165535A (ja) 2004-11-11 2005-11-11 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012151283A Division JP5622799B2 (ja) 2004-11-11 2012-07-05 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006165535A JP2006165535A (ja) 2006-06-22
JP2006165535A5 true JP2006165535A5 (https=) 2008-12-11

Family

ID=36667146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005327968A Withdrawn JP2006165535A (ja) 2004-11-11 2005-11-11 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006165535A (https=)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5204959B2 (ja) 2006-06-26 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5354884B2 (ja) * 2006-10-19 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2008166420A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP5286826B2 (ja) 2007-03-28 2013-09-11 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、およびアクティブマトリスクディスプレイ
JP2009016368A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Ricoh Co Ltd メモリーデバイス
JP5016699B2 (ja) * 2009-12-16 2012-09-05 シャープ株式会社 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP5770068B2 (ja) * 2010-11-12 2015-08-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN111180583A (zh) * 2019-10-15 2020-05-19 北京元芯碳基集成电路研究院 晶体管及其制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001345431A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Japan Science & Technology Corp 有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
JP4434527B2 (ja) * 2001-08-08 2010-03-17 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2003243631A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp 薄膜磁性体記憶装置ならびにそれを用いた無線チップ、流通管理システムおよび製造工程管理システム
JP4671600B2 (ja) * 2002-12-27 2011-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4585209B2 (ja) * 2003-03-19 2010-11-24 大日本印刷株式会社 有機双安定性メモリ装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102017085B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN102315278B (zh) 双栅薄膜晶体管及包括双栅薄膜晶体管的oled显示装置
US7947539B2 (en) Thin film transistor array panel for a display device and a method of manufacturing the same
CN101884110B (zh) 氧化物半导体薄膜晶体管
KR100829570B1 (ko) 크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
US20120305874A1 (en) Vertical Diodes for Non-Volatile Memory Device
CN102136499B (zh) 薄膜晶体管及其制造方法
CN114072724A (zh) 显示基板和显示装置
JP7068265B2 (ja) アモルファス金属ホットエレクトロントランジスタ
JP2007067408A (ja) 非揮発性有機抵抗メモリ素子及びその製造方法
JP2007165861A5 (https=)
KR20130047725A (ko) 반도체 장치 및 표시 장치
WO2015073502A1 (en) Motft with un-patterned etch-stop
TW200522361A (en) Transistor device
CN103779355A (zh) 薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置
Lee et al. DNA-base guanine as hydrogen getter and charge-trapping layer embedded in oxide dielectrics for inorganic and organic field-effect transistors
JP2009010348A (ja) チャンネル層とその形成方法、及び該チャンネル層を含む薄膜トランジスタとその製造方法
US10312289B1 (en) Semiconductor memory device
JP6493003B2 (ja) 電子装置及び電子装置の製造方法
JP2009021480A (ja) 薄膜トランジスタ基板及びこれを用いた画像表示装置
JP2006165535A5 (https=)
KR102623624B1 (ko) 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102887192B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN101064361B (zh) 存储元件以及半导体装置
JP2007201437A5 (https=)