JP4585209B2 - 有機双安定性メモリ装置 - Google Patents
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- Semiconductor Memories (AREA)
Description
それらのうちの一つまたは二つが、それぞれ独立して、−H、−NH2、−NHR、−NR2、−SR、−X、−CX3、−OH、−OCH3、−OR、および−Rからなる群から選ばれる電子供与基(ここでRは、炭素数が1〜24の直鎖あるいは分岐状のアルキル基を示し、このアルキル基中の一つまたは二つ以上のメチレンが、−O−、−S−、−CO−、−CHW−(ここで、Wは、−F、−Cl、−Br、−I、−CN、または−CF3を表す)、−CH=CH−、または−C≡C−の置換基によって置換されていてもよく(但し、これら置換基同士が隣接することはない)、Xは、−F、−Cl、−Br、もしくは−Iを表す)であり、
それ以外のR1、R2、またはR3が、それぞれ独立して、−CN、−NO2、−COR、−COOH、−COOR、および−SO3Hからなる群から選らばれる電子受容基である。]
また、本発明の態様においては、前記積層構造がさらに基板を含んでなり、前記第1電極または第2電極のいずれかが、前記基板上に接するよう積層されてなることが好ましい。
有機薄膜の素材としてアンスラセンを用いた以外は、実施例と同様に行なって得た有機双安定性素子は、スイッチングのための電圧が約20Vと高かった。
有機薄膜の素材として、TTF−CAを用いた以外は、実施例と同様に行なって得た有機双安定性素子は、スイッチングのための電圧が約300V〜400Vと非常に高かった。
有機薄膜を、2−アミノ−4,5−ジシアノイミダゾールを用いて有機薄膜を形成し、その上にアルミニウムの高導電性薄膜を形成し、さらにその上に2−アミノ−4,5−ジシアノイミダゾールの有機薄膜を形成して、三層構造とした以外は実施例と同様にして有機双安定性素子を作製した。得られた有機双安定性素子は、実施例の有機双安定性素子と同様にスイッチング電圧が低かったが、電極間に三つの層が積層された複雑な構造を有するため製造工程が増加し、製造時間が長くなる等の欠点を有するものであった。
2 基板
3 第1電極
4 有機薄膜
5 第2電極
6 電気信号印加手段
7、11 有機双安定性メモリ装置
8 メモリセルアレイ
9 第1駆動回路
10 第2駆動回路
12 ドレイン電極
13 ソース電極
14 ゲート電極
15 ゲート絶縁膜
16 活性層
17 取出電極
18 層間絶縁膜
Claims (3)
- 基板、および、第1電極と第2電極との間に単層構造の有機薄膜が設けられた積層構造を有してなる有機双安定性素子、を備えた有機双安定性メモリ装置であって、
前記有機薄膜が、下記式(I):
それらのうちの一つまたは二つが、それぞれ独立して、−H、−NH2、−NHR、−NR2、−SR、−X、−CX3、−OH、−OCH3、−OR、および−Rからなる群から選ばれる電子供与基(ここでRは、炭素数が1〜24の直鎖あるいは分岐状のアルキル基を示し、このアルキル基中の一つまたは二つ以上のメチレンが、−O−、−S−、−CO−、−CHW−(ここで、Wは、−F、−Cl、−Br、−I、−CN、または−CF3を表す)、−CH=CH−、または−C≡C−の置換基によって置換されていてもよく(但し、これら置換基同士が隣接することはない)、Xは、−F、−Cl、−Br、もしくは−Iを表す)であり、
それ以外のR1、R2、またはR3が、それぞれ独立して、−CN、−NO2、−COR、−COOH、−COOR、および−SO3Hからなる群から選らばれる電子受容基である。]
で表される有機物質を含んでなり、
前記第1電極が前記基板の面方向に所定ピッチで配列しており、
前記第2電極が前記基板の厚み方向に、前記第1電極の配列方向と直交するように、所定ピッチで配列しており、
前記第1電極と前記第2電極との交差領域に前記有機薄膜が設けられており、
前記有機双安定性メモリ装置を駆動する際に、正バイアス、または負バイアス側のいずれか一方に流れる電流を一定値に制限するリミッターを備えてなる、有機双安定性メモリ装置。 - 前記第1電極または第2電極のいずれかが、前記基板上に接するよう積層されてなる、請求項1に記載の有機双安定性メモリ装置。
- ドレイン電極とソース電極とゲート電極とゲート絶縁層と活性層とから構成され、前記有機双安定性素子に接続されるとともに、前記有機双安定性メモリ装置の制御を行うトランジスタをさらに備えてなる、請求項1または2に記載の有機双安定性メモリ装置。
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