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  1. 電子放出素子の製造方法であって
    各々の表面の少なくとも一部が10nm以下の膜厚である絶縁層によって直接覆われた複数の金属粒子を用意する工程と、
    前記複数の金属粒子の各々を覆っている前記絶縁層の表面を水素で終端する工程とを、有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
  2. 前記絶縁層が炭素層であり、前記複数の金属粒子が前記炭素層中に埋めこまれていることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子の製造方法。
  3. 前記絶縁層の抵抗率が、1×10Ω・cm以上1×10 14 Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の電子放出素子の製造方法。
  4. 前記複数の金属粒子の密度が10個/mm以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
  5. 電子放出素子の製造方法であって、
    導電性材料を含む樹脂層を焼成することによって、該樹脂層中の樹脂成分をカーボン化せしめると共に前記導電性材料を粒子化せしめて、各々の表面の少なくとも一部が10nm以下の膜厚の絶縁層で覆われた複数の導電性粒子を用意する工程と、
    前記複数の導電性粒子の各々を被覆する前記絶縁層の表面を水素で終端する工程と、
    を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
  6. 前記導電性材料を含む樹脂層は、前記電極上に設けた樹脂パターンに前記導電性材料を含む液体を接触させて該樹脂パターンに前記導電性材料を吸収させた後に、前記導電性材料を吸収した前記樹脂パターンを乾燥させることで形成されることを特徴とする請求項5に記載の電子放出素子の製造方法。
  7. 前記導電性粒子が金属粒子であることを特徴とする請求項5または6に記載の電子放出素子の製造方法。
  8. 複数の電子放出素子を有する電子源の製造方法であって、前記複数の電子放出素子の各々が請求項1乃至7のいずれか1項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする電子源の製造方法。
  9. 電子源と該電子源から放出された電子の照射により発光する発光体とを具備する画像表示装置の製造方法であって、前記電子源が請求項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
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