JP2011507155A5 - 電界放出型バックライトユニット - Google Patents
電界放出型バックライトユニット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011507155A5 JP2011507155A5 JP2010536832A JP2010536832A JP2011507155A5 JP 2011507155 A5 JP2011507155 A5 JP 2011507155A5 JP 2010536832 A JP2010536832 A JP 2010536832A JP 2010536832 A JP2010536832 A JP 2010536832A JP 2011507155 A5 JP2011507155 A5 JP 2011507155A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- substrate
- electrode
- field emission
- cathode electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 230000000903 blocking Effects 0.000 claims 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 claims 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 claims 1
Description
本発明は、電界放出装置に関し、特にローカルディミングが可能な電界放出型バックライトユニットに関する。
Claims (6)
- 間隔をもって互いに対向配置される上部基板及び下部基板と、
前記上部基板上に形成されたアノード電極及び蛍光層と、
前記上部基板と前記下部基板との間に位置し、前記電界エミッタから電子放出を誘導し、前記放出された電子が通過することができる開口部が形成された金属ゲート基板と、
前記下部基板上に間隔をもって形成される複数個のデータ電極と、
前記データ電極上に形成され、所定の個数おきに前記データ電極を露出させる露出領域を有する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記露出領域を通じて前記データ電極に電気的に連結されるカソード電極と、
前記カソード電極上に形成される少なくとも1つの電界エミッタと、
前記露出領域上であって、前記下部基板と前記金属ゲート基板との間及び前記上部基板と前記金属ゲート基板との間に各々形成された絶縁体スペーサと、
を含み、
前記データ電極は透明な導電性物質からなり、互いに電気的に分離された前記カソード電極を基準にして各々のカソードブロックが定義され、前記データ電極を通じて入力される電流によって各々の前記カソードブロックの輝度調節が可能であことを特徴とする電界放出型バックライトユニット。 - 前記透明な導電性物質は、ITO、IZO、ITZO及びCNTのうちいずれか1つであることを特徴とする請求項1に記載の電界放出型バックライトユニット。
- 隣接する前記各々のカソードブロックが電気的に分離されるように、前記絶縁層上に前記カソード電極が未形成である分離領域を含むことを特徴とする請求項1に記載の電界放出型バックライトユニット。
- 前記カソード電極は、光を遮断することができる導電性物質からなることを特徴とする請求項1に記載の電界放出型バックライトユニット。
- 前記電界エミッタは、炭素ナノチューブ、炭素ナノ繊維及び炭素系合成物質のうちいずれか1つからなることを特徴とする請求項1に記載の電界放出型バックライトユニット。
- (a)透明な基板上にブロック単位の輝度調節のためのカソードブロックを定義する段階と、
(b)各々の前記カソードブロック上に互いに間隔を有する複数個のデータ電極を形成する段階と、
(c)各々の前記カソードブロックに形成されたいずれか1つのデータ電極を露出させる露出領域を有するように絶縁層を形成する段階と、
(d)前記絶縁層上に互いに間隔を有する複数個のカソード電極を形成し、且つ前記複数個のカソード電極のうちいずれか1つのカソード電極が前記露出領域を通じて前記データ電極に電気的に連結されるように形成する段階と、
(e)前記カソード電極が未形成である部分を除いて、前記形成されたカソード電極上にエミッタペーストを塗布する段階と、
(f)前記基板の下面に紫外線を照射した後、現像する段階と、
を含む各段階により製造される請求項1に記載の電界放出型バックライトユニット。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0132746 | 2007-12-17 | ||
KR1020070132746A KR100913132B1 (ko) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | 전계 방출형 백라이트 유닛과 이에 이용되는 캐소드 구조물및 이의 제조 방법 |
PCT/KR2008/003634 WO2009078518A1 (en) | 2007-12-17 | 2008-06-25 | Field emission back light unit, cathode structure thereof and method for fabricating the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011507155A JP2011507155A (ja) | 2011-03-03 |
JP2011507155A5 true JP2011507155A5 (ja) | 2012-09-06 |
JP5319695B2 JP5319695B2 (ja) | 2013-10-16 |
Family
ID=40795625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010536832A Expired - Fee Related JP5319695B2 (ja) | 2007-12-17 | 2008-06-25 | 電界放出型バックライトユニット |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8093795B2 (ja) |
EP (1) | EP2225606B1 (ja) |
JP (1) | JP5319695B2 (ja) |
KR (1) | KR100913132B1 (ja) |
CN (1) | CN101868753B (ja) |
WO (1) | WO2009078518A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5307766B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2013-10-02 | 韓國電子通信研究院 | 電界放出装置 |
KR101343567B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2013-12-20 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출 장치 |
TWI434320B (zh) * | 2011-12-08 | 2014-04-11 | Au Optronics Corp | 場發射背光模組、顯示裝置及碗狀反射結構之製作方法 |
JPWO2016111125A1 (ja) * | 2015-01-08 | 2017-10-12 | リンテック株式会社 | 熱電変換装置及び蓄電システム |
CN107504402B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-11-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 背光光源和显示装置 |
CN109116631B (zh) * | 2018-09-30 | 2021-06-15 | 厦门天马微电子有限公司 | 背光模组、液晶显示模组以及电子设备 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0621150U (ja) * | 1992-04-28 | 1994-03-18 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光発光管 |
JP2000323078A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Ise Electronics Corp | 蛍光表示装置 |
JP2001035352A (ja) * | 1999-07-22 | 2001-02-09 | Sharp Corp | 電子源、その製造方法及びそれを用いて形成した画像形成装置 |
JP2001222967A (ja) * | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Sony Corp | 電界放出型表示装置およびその製造方法 |
US6441559B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-08-27 | Motorola, Inc. | Field emission display having an invisible spacer and method |
US6699642B2 (en) * | 2001-01-05 | 2004-03-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array |
JP2003217478A (ja) | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Asahi Glass Co Ltd | フィールドエミッションディスプレイ装置 |
US6929042B2 (en) | 2003-07-30 | 2005-08-16 | Chi-Lo Chang | Semi-automatic mortising machine |
AT500259B1 (de) * | 2003-09-09 | 2007-08-15 | Austria Tech & System Tech | Dünnschichtanordnung und verfahren zum herstellen einer solchen dünnschichtanordnung |
TWI231521B (en) * | 2003-09-25 | 2005-04-21 | Ind Tech Res Inst | A carbon nanotubes field emission display and the fabricating method of which |
KR20050041726A (ko) | 2003-10-31 | 2005-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시소자와 이의 제조 방법 |
KR20050062742A (ko) * | 2003-12-22 | 2005-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자와, 이를 적용한 표시소자 및 그 제조방법 |
JP2005310489A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Toshiba Corp | 表示装置 |
KR20050110189A (ko) | 2004-05-18 | 2005-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
JPWO2007007472A1 (ja) * | 2005-07-07 | 2009-01-29 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR100732845B1 (ko) | 2005-11-17 | 2007-06-27 | 이승호 | 카본 나노튜브를 활용한 tft-lcd용 평면 발광 소자 |
KR100963258B1 (ko) | 2007-09-07 | 2010-06-11 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출 장치 |
-
2007
- 2007-12-17 KR KR1020070132746A patent/KR100913132B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-06-25 JP JP2010536832A patent/JP5319695B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-25 CN CN2008801164694A patent/CN101868753B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-25 WO PCT/KR2008/003634 patent/WO2009078518A1/en active Application Filing
- 2008-06-25 EP EP08766593A patent/EP2225606B1/en not_active Not-in-force
- 2008-06-25 US US12/739,190 patent/US8093795B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW511108B (en) | Carbon nanotube field emission display technology | |
KR100697656B1 (ko) | 다중 전자 공급원을 구비한 평면 발광 소자 | |
JP4908537B2 (ja) | 電界放出表示装置 | |
JP2011507155A5 (ja) | 電界放出型バックライトユニット | |
JP2008166293A (ja) | 電界放出ディスプレイの三極管構造の製法 | |
JP2001052652A (ja) | 白色光源及びその製造方法 | |
JP2005243609A (ja) | 電子放出素子 | |
JP5319695B2 (ja) | 電界放出型バックライトユニット | |
JP2006164896A5 (ja) | ||
JP2007103346A (ja) | 電子放出素子、電子放出ディスプレイ装置およびその製造方法 | |
KR20100123143A (ko) | 전계방출소자 및 이를 채용한 전계방출 표시소자 | |
CN100550265C (zh) | 电子发射器件和制造电子发射器件的方法 | |
KR20040055095A (ko) | 전자 방출 특성을 향상시킬 수 있는 에미터 배열 구조를갖는 전계 방출 표시 장치 | |
JP2011505055A5 (ja) | ||
US7348720B2 (en) | Electron emission device and electron emission display including the same | |
KR100790872B1 (ko) | 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법 | |
KR100784997B1 (ko) | 전자 방출 소자의 제조방법, 이에 의하여 제조된 전자 방출소자, 이를 적용한 백라이트 장치 및 전자 방출디스플레이 장치 | |
JP4418801B2 (ja) | 電子放出デバイス,電子放出表示デバイス,および電子放出デバイスの製造方法 | |
KR100917466B1 (ko) | 전계 방출 면광원 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100657844B1 (ko) | 한 개의 산화막을 지닌 그물망 메쉬 구조물이 채용된 삼전극형 전계 방출 소자 및 그 제작방법 | |
JP4048323B2 (ja) | 薄型フレキシブル電子放出部材 | |
US8901807B2 (en) | Metal gate electrode and field emission display having same | |
KR20060011665A (ko) | 전자 방출 소자와 이의 제조 방법 | |
JP5293352B2 (ja) | 三極構造型の電界電子放出型ランプの製造方法 | |
JP2006244980A (ja) | 電子放出素子とその製造方法 |